DE2558120C3 - Transistoroszillator - Google Patents

Transistoroszillator

Info

Publication number
DE2558120C3
DE2558120C3 DE2558120A DE2558120A DE2558120C3 DE 2558120 C3 DE2558120 C3 DE 2558120C3 DE 2558120 A DE2558120 A DE 2558120A DE 2558120 A DE2558120 A DE 2558120A DE 2558120 C3 DE2558120 C3 DE 2558120C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
oscillator
inductance
feedback
frequency range
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2558120A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2558120B2 (de
DE2558120A1 (de
Inventor
Ludwig 8831 Hofstetten Kuespert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Electronic GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE2558120A priority Critical patent/DE2558120C3/de
Priority to IT30352/76A priority patent/IT1065169B/it
Priority to FR7638922A priority patent/FR2336826A1/fr
Publication of DE2558120A1 publication Critical patent/DE2558120A1/de
Publication of DE2558120B2 publication Critical patent/DE2558120B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2558120C3 publication Critical patent/DE2558120C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1256—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a variable inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1262—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising switched elements
    • H03B5/1268—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising switched elements switched inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/0048—Circuit elements of oscillators including measures to switch the frequency band, e.g. by harmonic selection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/0056—Circuit elements of oscillators including a diode used for switching
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen über einen größeren Frequenzbereich durchstimmbaren Transistoroszillator für Empfangsgeräte der Nachrichtentechnik, mit einer Rückkopplungsimpedanz zwischen Emitter und Kollektor des in Basisschaltung betriebenen Oszillatortransistors. Sie ist vorzugsweise
für den VHF-oder UKW-Bereich anwendbar.
Bei derartigen in UHF- und VHF-Tunern vorgesehenen Oszillatoren besteht die Rückkopplungsimpedanz aus einem Rückkopplungskondensator, der am Hochpunkt des Oszillatorkreises, also unmittelbar zwischen Emitter und Kollektor eingeschaltet ist
Mit der vorliegenden Erfindung soll die Aufgabe
gelöst werden, den Oszillator in einfacher Weise über einen großen Empfangsbereich mit vorgeschalteten
[o Empfangskreisen, z.B. einem Eingangsbandfilter, in
Gleichlauf zu bringen.
Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß die Rückkopplungsimpedanz von einem aus einem Kondensator und einer abgleichbaren Induktivität bestehenis den Reihenschwingkreis gebildet ist, dessen Resonanzfrequenz bei unterhalb der Empfangsfrequenzen arbeitendem Oszillator oberhalb der höchsten Empfangsfrequenz und bei oberhalb der Empfangsfrequerri arbeitendem Oszillator oberhalb der höchsten Osziüatorfrequenz liegt, und daß der Reihenschwingkreis mit seinem einen Anschluß direkt an der Transistor-Eingangselektrode und mit seinem anderen Anschluß an einem Abgriff der Induktivität des Oszillatorkreises angeschlossen ist, und zwar an einem Abgriff mit kleinem induktiven Widerstand zwischen Hochpunkt und Abgriff.
Dadurch, daß dii Resonanzfrequenz des Rückkopplungs-Reihenresonanzkreises oberhalb der Empfangsbzw. Oszillatorfrequenz liegt, wirkt dieser über den gesamten Empfangsbereich kapazitiv, und durch die abgleichbare Induktivität ist die kapazitive Wirkung einstellbar. Dieser C-Abgleich durch Veränderung der Induktivität wirkt besonders bei höheren Frequenzen, so daß die Induktivität zürn Abgleich bei höheren Frequenzen herangezogen werden kann. Der Abgleich bei tiefen Frequenzen erfolgt durch die Oszillatorspule. Dadurch ist eine einfache Möglichkeit für einen Zweipunktabgleich des Transistoroszillators gegeben und damit ein guter Gleichlauf mit vorgeschalteten, über den gewünschten Frequenzbereich durchstimmbaren Eingangskreisen erzielbar.
Es ist zwar schon aus der Zeitschrift »Nachrichtentechnik«, Heft 12, 1955, Seiten 566 bis 568 bekannt, als Rückkopplungszweig einen Reihenschwingkreis zwisehen Eingangs und Ausgangselektrode des in Basis schaltung betriebenen Oszillatortransistors vorzusehen. Jedoch sind die Anschlüsse des Reihenschwingkreises unmittelbar mit den Transistorelektroden verbunden, so daß die Möglichkeit der Frequenzband-Umschaltung und der Einstellbarkeit der Eckfrequenz nicht gegeben ist, zumal kein Element des Reihenresonanzkreises einstellbar ist. Außerdem ist nicht dargelegt, daß die Resonanzfrequenz des Rückkopplungs-Reihenresonanzkreises oberhalb der Empfangs- bzw. Oszillatorfrequenzen liegen und damit der Reihenschwingkreis immer kapazitiv wirken soll.
Weiterhin ist es aus der Zeitschrift »Funk-Technik« Nr. 11, 1951, Seite 295 und Nr. 2, 1961, Seiten 61, 62, bekannt, bei einem Transistoroszillator in Emitterschaltung den Oszillatorschwingkreis einstellbar auszubilden und zwischen Emitter und Kollektor anzuschließen. Die Einstellbarkeit dient hierbei jedoch zur Abstimmung der Oszillatorfrequenz und nicht zur Einstellung des Rückkopplungsgrades.
ft? Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 7 angegeben.
Weitere vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung sind nachfolgend anhand eines in der Zeichnung veranschau-
lichten Ausrührungsbeispiels beschrieben.
Mit 1 ist ein Transistor bezeichnet, dessen Kollektor 2 an den Hochpunkt eines Oszillatorkreises 3 angeschaltet ist. Letzterer besteht aus der Reihenschaltung zweier vom Hochpunkt nach Masse geschalteter abgleichbarer Oszillator-Schwingkreis-Induktivitäten 4 und 5, von denen die am Hochpunkt liegende Induktivität 4 einen kleineren induktiven Widerstand aufweist als die zweite Induktivität 5. Die Schwingkreiskapazität ist gebildet durch die Reihenschaltung einer zur Durchstimmung über einen bestimmten Frequenzbereich dienenden Kapazitätsdiode 6 und eines Kondensators 7, die den Induktivitäten 4, 5 parallel geschaltet sind. Die Abstimmspannung Uo wird dem Verbindungspunkt der beiden Kapazitäten 6,7 zugeführt.
Am Abgriff zwischen den Induktivitäten 4 und 5 ist ein aus der Reihenschaltung eines Rückkopplungskondensators 8 und einer Rückkopplungsinduktivität 9 bestehender Rückkopplungszweig zum Emitter 10 des Transistors 1 geschaltet. Die Basis des Transistors 1 liegt hochfrequenzmäßig über eine Kapazität 11 an Masse.
Die elektrischen Werte des RückkopplungvKondensators 8 und der Rückkopplungsinduktivität 9 sind so gewählt, daß, je nachdem, ob die Oszillatorfrequenz unterhalb oder oberhalb der Empfangsfrequenz gewählt ist, die Resonanzfrequenz dieses Reihenschwingkreises 8, 9 oberhalb der höchsten Empfangsfrequenz bzw. oberhalb der höchsten Oszillatorfrequenz liegt. Hierdurch wirkt dieser im gesamten Frequenzbereich kapazitiv und folglich wie eine Rückkopplungskapazität. Durch den Abgleich der Induktivität 9 ist der Betrag der kapazitiven Reaktanz veränderbar. Da die Wirkung der Rückkopplung zu höheren Frequenzen hin besonders wirkungsvoll ist, kann durch Änderung des Wertes der Induktivität 9 diese zum Abgleich des Oszillators bei hohen Frequenzen dienen, da der Rückkopplungszweig nicht am Hochpunkt des Oszillatorkreises angeschlossen ist. Der Abgleich bei tiefen Frequenzen erfolgt durch Änderung der Induktivität einer der Induktivitäten 4 und/oder 5, so daß ein Zweipunktabgleich erfolgen kann.
Vorteilhafterweise findet der Oszillator Anwendung in Fernsehgeräten im Frequenzbereich VHF Band I und Band III. Die Induktivitäten 4,5 des Oszillatorkreises 3 sind dann so ausgelegt, daß die Induktivität 4 bei Kurzschließen der Induktivität S in Verbindung mit den
ίο Kapazitäten 6, 7 die Oszillatorfrequenz für Band III ergibt. Die Induktivität 5 wird dabei durch einen Schalter 12 und eine Impedanz 13 überbrückt, so daß am Verbindungspunkt 14 zwischen den Induktivitäten 4 und 5 eine Restspannung bestehen bleibt, die zur Wirkung des Rückkopplungszweiges als Abgleich bei höheren Frequenzen nötig ist. Als Schalter 12 ist z. B. eine Schaltdiode 15 und als Impedanz 13 eine Kapazität 16 vorgesehen. Eine weitere Kapazität 17 dient zum Abblocken der Schaltspannung Us-
Die Induktivität 5 ist so ausgelegt, daß bei geöffnetem Schalter 12 (15) der Oszillator i/n entsprechenden Frequenzbereich für den Empfang von Eand I schwingt. In diesem Fall ist die Induktivität 4 nahezu wirkungslos, so daß der Rückkopplungszweig 8, 9 praktisch am Hochpunkt liegt. In diesem Fall ist ein Zweipunktabgleich, d. h. also für Band I, nicht möglich, da die Änderung der Reaktanz des Rückkopplungszweiges 8,9 nicht mehr nennenswert eingeht.
Vorteilhaflerweise besteht die Rückkopplungsinduktivität 9 aus einer Luftspule mit einigen Windungen, und der Abgleich erfolgt durch Auseinanderziehen und/oder Verbiegen der einzelnen Windungen gegeneinander. Für den VHF-Bereich Band I und III besteht sie beispielsweise aus 2 bis 4 Windungen mit einem Spulendurchmesser von 7. B. 3 bis 6 mm und einer Drahtstärke von beispielsweise 0,2 bis 0,8 mm.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Ober einen größeren Frequenzbereich durchstimmbarer Transistoroszillator für Empfangsgeräte der Nachrichtentechnik, mit einer Rückkopplungsimpedanz zwischen Emitter und Kollektor des in Basisschaltung betriebenen Oszillatortransistors, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückkopplungsimpedanz von einem aus einem Kondensator (8) und einer abgleichbaren Induktivität (9) bestehenden Reihenschwingkreis gebildet ist, dessen Resonanzfrequenz bei unterhalb der Empfangsfrequenzen arbeitendem Oszillator oberhalb der höchsten Empfangsfrequenz und bei oberhalb der Empfangsfrequenzen arbeitendem Oszillator oberhalb der höchsten Oszillatorfrequenz liegt, und daß der Reihenschwingkreis mit seinem einen Anschluß direkt an der Transistor-Eingangselektrode (JO) und mit seinem anderen Anschluß an einem Abgriff der Induktivität (4, 5) des Oszillatorkreises (3) angeschlossen ist, und zwar an einem Abgriff mit kleinem induktiven Widerstand zwischen Hochpunkt und Abgriff.
2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oszillator-Schwingkreis-Induktivität aus einer Induktivität (S) mit hohem und einer Induktivität (4) mit niedrigem induktiven Widerstand besteht, die so ausgelegt sind, daß der Oszillator bei Einschaltung beider in einem tieferen Frequenzbereich und bei Überbrückung der Induktivität (5) mit hohem induktiven Widerstand in einem höheren Frequenzbereich si'.wingt.
3. Oszillator nach \nspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum F v.pfang des höheren Frequenzbereiches die Induktivität (5) mit hohem induktiven Widerstand derart überbrückt ist, daß an ihr eine Restspannung auftritt, die eine ausreichende Rückkopplung über den Rückkopplungszweig (8, 9) ermöglicht.
4. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Überbrückung aus der Reihenschaltung eines Schalters (12) und einer Impedanz (13) besteht.
5. Oszillator nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Überbrückung aus der Reihenschaltung zweier Kapazitäten (16,17) und einer zwischengeschalteten Schaltdiode (15) besteht.
6. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität (9) des Rückkopplungszweiges (8, 9) zum Abgleich im oberen Bereich des Frequenzbereiches bzw. des höheren Frequenzbereiches dient.
7. Oszillator nach einem der Ansprüche I bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität (9) des Rückkopplungszweiges (8, 9) eine Luftspule ist, deren Reaktanz durch Änderung des Windungsabstandes und/oder durch Verbiegen der Windungen einstellbar ist.
DE2558120A 1975-12-23 1975-12-23 Transistoroszillator Expired DE2558120C3 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2558120A DE2558120C3 (de) 1975-12-23 1975-12-23 Transistoroszillator
IT30352/76A IT1065169B (it) 1975-12-23 1976-12-13 Oscillatore a transistore
FR7638922A FR2336826A1 (fr) 1975-12-23 1976-12-23 Oscillateur a transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2558120A DE2558120C3 (de) 1975-12-23 1975-12-23 Transistoroszillator

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2558120A1 DE2558120A1 (de) 1977-06-30
DE2558120B2 DE2558120B2 (de) 1977-10-20
DE2558120C3 true DE2558120C3 (de) 1981-09-17

Family

ID=5965349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2558120A Expired DE2558120C3 (de) 1975-12-23 1975-12-23 Transistoroszillator

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE2558120C3 (de)
FR (1) FR2336826A1 (de)
IT (1) IT1065169B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3246295A1 (de) * 1982-12-14 1984-06-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Frequenzmodulierbarer oszillator
DE4008186A1 (de) * 1990-03-15 1991-09-19 Thomson Brandt Gmbh Schaltungsanordnung zum empfang von hochfrequenzsignalen

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3716878A1 (de) * 1987-05-20 1988-12-15 Philips Patentverwaltung Zf-oszillator fuer hf-tuner

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1551681A (de) * 1967-07-13 1968-12-27
DE1591764B2 (de) * 1967-12-13 1972-02-17 Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm Oszillatorschaltung mit einem kapazitiv abstimmbaren parallel resonanzkreis
NL153037B (nl) * 1968-03-04 1977-04-15 Philips Nv Oscillatorschakeling voor ultrahoogfrequente elektrische trillingen.
DE2137408A1 (de) * 1970-08-07 1972-02-24 Ducati Elettrotecnica Spa Abgleichsschaltkreis in Abstimm vorrichtungen mit Drehkondensator

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3246295A1 (de) * 1982-12-14 1984-06-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Frequenzmodulierbarer oszillator
DE4008186A1 (de) * 1990-03-15 1991-09-19 Thomson Brandt Gmbh Schaltungsanordnung zum empfang von hochfrequenzsignalen
DE4008186C2 (de) * 1990-03-15 1999-09-09 Thomson Brandt Gmbh Schaltungsanordnung zum Empfang von Hochfrequenzsignalen

Also Published As

Publication number Publication date
DE2558120B2 (de) 1977-10-20
FR2336826A1 (fr) 1977-07-22
DE2558120A1 (de) 1977-06-30
FR2336826B1 (de) 1980-07-18
IT1065169B (it) 1985-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1456859B1 (de) Induktives bauteil
DE2828838A1 (de) Hochfrequenz-schaltungsanordnung
DE2114056C3 (de) Abstimmeinrichtung
DE3606437C2 (de)
DE3850053T2 (de) Bandpassfilteranordnung.
EP0126340A2 (de) Eingangsschaltung mit wenigstens zwei Eingangswegen
EP0761038B1 (de) Frequenzveränderbare oszillatoranordnung
DE3887835T2 (de) Bandpass-Filteranordnung.
DE2558120C3 (de) Transistoroszillator
DE3246365A1 (de) Notch-antenne fuer einen grossen frequenzenbereich
EP0196130B1 (de) Schaltungsanordnung der Eingangsstufen eines Fernsehtuners
DE3212731A1 (de) Zweikreisiges resonanz-bandfilter fuer kanalwaehler
DE2503785B2 (de) Abstimmbarer resonanzkreis fuer wenigstens zwei frequenzbereiche, insbesondere lambda/2-leitungskreis
DE3213790C2 (de)
DE3144243C2 (de)
DE3144390A1 (de) Schwingkreisschaltung
DE3144242C2 (de)
DE1591764B2 (de) Oszillatorschaltung mit einem kapazitiv abstimmbaren parallel resonanzkreis
DE1591764C (de) Oszillatorschaltung mit einem kapazitiv abstimmbaren Parallelresonanzkreis
EP0128532A2 (de) Abstimmschaltung für die Bereiche UHF- und VHF
DE681128C (de) Kopplungseinrichtung
AT326740B (de) Schaltungsanordnung zur umschaltung eines umschaltbaren parallelschwingkreises
WO2023051997A1 (de) Technik zur erweiterung des oszillatorabstimmbereichs
DE3939742C1 (de)
DE942037C (de) Nachrichtenempfaenger, insbesondere Fernsehempfaenger

Legal Events

Date Code Title Description
BF Willingness to grant licences
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee