DE3144242C2 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
- H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors
Description
Die Erfindung betrifft ein Koppelglied gemäß dem Oberbegriff des ersten
Patentanspruchs.
Ein bekanntes Koppelglied dieser Art (DE-AS 28 46 411) besteht aus einer
einfachen Induktivität, die zwischen den Ausgang eines Oszillators und
den Eingang einer Mischstufe in einer in einem größeren Frequenzbereich
durchstimmbaren Empfänger-Eingangsschaltung geschaltet ist. Die
Mischstufe ist dabei mit einem Feldeffekttransistor ausgestattet, der
eine relativ hohe Eingangskapazität aufweist. Bei dieser
Schaltungsanordnung hat es sich gezeigt, daß bei Empfänger-
Eingangsschaltungen mit einem in weiten Grenzen durchstimmbaren
Frequenzbereich, wie es für die Bereiche I und III eines Fersehtuners
mit Sonderkanälen der Fall ist, die Ankopplung im höheren
Frequenzbereich sinkt. Dadurch gelangt bei den vergleichsweise hohen
Frequenzen nur ungenügend Hochfrequenzenergie vom Oszillator zur
Mischstufe.
Es ist auch ein Koppelglied zwischen einem Hochfrequenzverstärker und
einer Mischstufe bekannt, das zur Selektierung eines gewünschten
Hochfrequenzsignals mittels einer spannungssteuerbaren Kapazitätsdiode
abstimmbar ist. Der Kapazitätsdiode ist dabei die Serienschaltung aus
zwei Teilinduktivitäten parallel geschaltet, wobei zu einer der
Teilinduktivitäten die Serienschaltung aus einer Schaltdiode und einem
Kondensator parallel geschaltet ist. Zur Bandumschaltung von einem
niederen durchstimmbaren Frequenzbereich auf einen höheren
durchstimmbaren Frequenzbererich wird dabei die Schaltdiode aus dem
Sperrzustand in den leitenden Zustand versetzt, so daß die parallel dazu
geschaltete Teilinduktivität überbrückt ist. Dieses Koppelglied bildet
somit im höherfrequenten Empfangsband einen pi-Resonanzkreis und im
niederfrequenteren Empfangsbereich einen Parallel-Resonanzkreis zwischen
dem Hochfrequenzverstärker und der Mischstufe.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem gemäß dem
Oberbegriff des ersten Patentanspruchs ausgebildeten Koppelglied
Maßnahmen zu treffen, durch die eine Verminderung des Scheinwiderstandes
im oberen Frequenzbereich erreicht wird.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt gemäß der Erfindung durch die
kennzeichnenden Merkmale des ersten Patentanspruchs.
Bei einer Ausbildung des Koppelgliedes gemäß der Erfindung wird durch
die Schaltdiode im höheren Frequenzbereich ein Teil der
Koppelinduktivität überbrückt und damit eine festere Ankopplung des
Oszillators an die Mischstufe erreicht. Der in Serie mit der zu
überbrückenden Teilinduktivität geschaltete Kondensator dient in erster
Linie zur Aufhebung einer Gleichstromverbindung zwischen den beiden
Anschlüssen der Schaltdiode, so daß die Umsteuerung der Schaltdiode über
einen hochfrequenzmäßig entkoppelten Gleichstrompfad möglich ist. Dieser
Gleichstrompfad liegt in Serie mit weiteren Schaltdioden, mit welchen
eine stufige Umschaltung des frequenzbestimmenden Schwingkreises des
Oszillators auf den VHF-Bereich I und VHF-Bereich III möglich ist. Es
ist dadurch sichergestellt, daß die Umschaltung im Koppelglied
gleichzeitig mit der Umschaltung der Frequenzbereiche eintritt, wobei
ein eigener Gleichstrompfad nicht erforderlich ist. Gemäß einer weiteren
Ausgestaltung der Erfindung ist die Parallelresonanzfrequenz des aus dem
Kondensator, der Teilinduktivität und der gesperrten Schaltdiode
gebildeten Kreises höher als die wählbare Oszillatorfrequenz, damit
Unstetigkeiten in der Ankopplung vermieden werden. Hierzu ist die
Schaltdiode als Pin-Diode mit sehr kleiner Sperrschichtkapazität
ausgebildet.
Die Erfindung ist nachfolgend anhand der Schaltungsskizze eines
Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Eine aus Teilinduktivitäten 1 und 2 aufgebaute Induktivi
tät eines Schwingkreises ist einseitig an Masse und an
dererseits an den Kollektor eines in Basisschaltung be
triebenen Transistors 3 angeschaltet. Parallel zur Induk
tivität 1, 2 liegt die Serienschaltung aus einer ersten
Kapazitätsdiode 4 und einer gegen Masse geschalteten Fest
kapazität 5. An den Verbindungspunkt der ersten Kapazi
tätsdiode mit der Festkapazität 5 ist eine weitere Kapa
zitätsdiode 6 so angeschlossen, daß ihre Kathode mit der
Kathode der ersten Kapazitätsdiode 4 verbunden ist. An
diesen Verbindungspunkt ist auch ein Entkoppelwiderstand
7 angeschlossen, über den die Abstimmspannung zugeführt
wird. Der Emitter des Transistors 3 ist über einen Rück
kopplungskondensator 8 mit dem Emitter verbunden und zu
sätzlich über die Serienschaltung eines Widerstandes 9
und eines Kondensators 10 über die Kathoden der Kapazi
tätsdioden 4, 6 mit dem Schwingkreis zurückgekoppelt. Der
Transistor 3 ist in Basisschaltung betrieben, wobei der
Arbeitspunkt über Widerstände 11, 11 a, 12 einstellbar
ist. Dabei sind die Widerstände 11 a, 12 an eine Speise
leitung 13 angeschlossen, die einerseits über einen Be
grenzungswiderstand 14 und eine Diode 15 an eine erste
Versorgungsleitung 16 angeschlossen sind. Beim Anlegen
einer Betriebsspannung an die erste Versorgungsleitung
16 wird die Diode 15 in Flußrichtung betrieben. Die Ano
de der weiteren Kapazitätsdiode ist über einen ohmschen
Widerstand 17 gleichstrommäßig gegen Masse und hochfre
quenzmäßig über einen Trennkondensator 18 an die Anode
einer ersten Schaltdiode und einen Anschluß einer HF-
Drossel 20 verbunden. Die HF-Drossel 20 ist an eine zwei
te Versorgungsleitung 21 angeschlossen und über einen
Ableitwiderstand 22 mit Masse verbunden. In Serie zur
ersten Schaltdiode 19 liegt in gleicher Flußrichtung eine
zweite Schaltdiode 23, deren Anode über die Serienschal
tung einer Spule 24 und eines Koppelkondensators 25 an den
Verbindungspunkt der beiden Teilinduktivitäten 1, 2 gelegt ist. An den
Verbindungspunkt des Koppelkondensators 25 mit der Spule 24 ist eine
erste Teilinduktivität 26 angeschaltet, zu der die Parallelschaltung aus
einer dritten Schaltdiode 27 mit parallel geschalteter Serienschaltung
aus einem Kondensator 28 und einer zweiten Teilinduktivität 29 in Reihe
liegt. Diese Parallelschaltung ist über eine Koppelkapazität 30 an einen
Eingang G 1 eines Mischstufentransistors hochfrequenzmäßig und über eine
zweite Blockinduktivität 32 gleichstrommäßig an die Speiseleitung 13
angeschlossen. Von der Speiseleitung 13 führt ein
Spannungsteilerwiderstand 33 zum Verbindungspunkt der beiden ersten
Schaltdioden 19, 23, während von diesem Verbindungspunkt ein weiterer
Spannungsteilwiderstand 34 sowie ein Kondensator 35 gegen Masse
geschaltet sind.
Wird bei dieser Schaltungsanordnung zur Erzeugung der Oszillatorfrequenz
für den niederfrequenteren VHF-Bereich I, gegebenenfalls mit
Sonderkanälen, an die erste Versorgungsleitung 16 Spannung gelegt, dann
wird über die in Flußrichtung betriebene Diode 15 der erforderliche
Speisestrom auf die Speiseleitung 13 gegeben. Die an der Speiseleitung
13 anstehende Spannung bewirkt in Verbindung mit einem gleichzeitig für
die Arbeitspunkteinstellung am Eingang G 2 des Transistors 31 dienenden
Widerstand 36 ein Sperrpotential für die dritte Schaltdiode 27, wobei
das gleichzeitig an der Anode der zweiten Schaltdiode 23 anstehende
Gleichspannungspotential positiver als das durch die
Spannungsteilerwiderstände 33, 34 erzeugte Potential an der ersten
Schaltdiode 19 ist. Die Anode der ersten Schaltdiode 19 liegt dabei über
die HF-Drossel 20 und den Ableitwiderstand 22 an Masse.
Infolge der Sperrung der ersten und zweiten
Schaltdiode 19 bzw. 23 besteht somit weder über den Trenn
kondensator 18 noch über die Spule 24 ein Hochfrequenzpfad,
so daß die Induktivität 1, 2 und die erste Kapazitäts
diode 4 mit der Festkapazität 5 die Schwingkreisfre
quenz bestimmen. Die Frequenzänderung erfolgt dabei al
lein über die erste Kapazitätsdiode 4. Der Ankopplungs
grad des Oszillatorschwingkreises an den Eingang G 1 des
Mischtransistors 31 wrid dabei infolge der gesperrten
Schaltdiode 27 durch die beiden Koppelspulen 26, 29 und
den Koppelkondensator 28 bestimmt.
Für eine Umschaltung des Oszillators auf einen höheren
Frequenzbereich wird von der ersten Versorgungsleitung 16
die angelegte positive Gleichspannung abgeschaltet und
dafür Massepotential angelegt. Dafür wird an die zweite
Versorgungsleitung 21 eine positive Gleichspannung an
geschaltet, welche die Schaltdioden 19, 23, 27 in Flußrich
tung durchschaltet und an die Speiseleitung 13 das erfor
derliche Spannungspotential anlegt. Bei durchgeschalte
ter erster Schaltdiode 19 wird dabei auch ein Strompfad
für Hochfrequenz durchgeschaltet, der von der weiteren
Kapazitätsdiode 6 über den Trennkondensator 18 und den
Kondensator 35 gegen Masse geschaltet ist. Hierdurch wird
die weitere Kapazitätsdiode 6 parallel zur Festkapazi
tät 5 geschaltet, wodurch ihre Kapazitätsvariation im
Schwingkreis wirksam wird. Gleichzeitig wird die Spule
24 über den Koppelkondensator 25 und die zweite Schalt
diode 23 und auch den Kondensator 35 parallel zur Teil
induktivität 1 gelegt, wodurch sich die Gesamtindukti
vität im Schwingkreis vermindert. Die Induktivitäten 1, 2
und 24 bilden somit in Verbindung mit den Kapazitäten
4, 5, 6 die wesentlichen frequenzbestimmenden Bauteile des
Schwingkreises für den höher frequenten Abstimmbereich
des Oszillators. Dabei liegen auch die hierfür erforder
lichen Schaltdioden 19, 23 in einem einzigen, für die Speisung des
Transistors erforderlichen Strompfad. In diesem Strompfad liegt aber auch
die dritte Schaltdiode 27, die in diesem Betriebszustand die
Serienschaltung aus dem Kondensator 28 und der Koppelspule 29
überbrückt, so daß lediglich die erste Teilinduktivität 26 im
Kopplungsast zum Mischtransistor 3 liegt. Hierdurch wird die Ankopplung
automatisch auf einen auf den höherfrequenten Abstimmbereich
abgestimmten Wert angepaßt. Die Eigenresonanzfrequenz des aus der
dritten Schaltdiode 27 und dem Kondensator 28 sowie der zweiten
Teilinduktivität 29 gebildeten Kreises ist höher als eine der
Oszillatorfrequenzen. Das ist insbesondere dadurch möglich, daß für die
dritte Schaltdiode 27 eine Pin-Diode verwendet wird.
Claims (4)
1. Koppelglied zwischen einem Oszillator und einer Mischstufe einer
HF-Eingangsstufe, insbesondere für VHF-Tuner, dadurch gekennzeichnet,
daß die Induktivität (26, 29) mit einem Kondensator (28) in Serie
geschaltet ist und daß parallel zum Kondensator (28) und einer
Teilinduktivität (29) der Induktivität (26, 29) eine Schaltdiode (27)
liegt, die oberhalb einer wählbaren Oszillatorfrequenz in Flußrichtung
durchgeschaltet ist.
2. Koppelglied nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Parallelresonanzfrequenz des aus dem Kondensator (28), der
Teilinduktivität (29) und der gesperrten Schaltdiode (27) gebildeten
Kreises höher als die wählbare Oszillatorfrequenz liegt.
3. Koppelglied nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Schaltdiode (27) eine Pin-Diode ist.
4. Koppelglied nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schaltdiode (27) gleichstrommäßig in Serie mit weiteren
Schaltdioden (19, 23) liegt, die eine Umschaltung des
frequenzbestimmenden Schwingkreises (12, 4, 5, 6, 24) des Oszillators auf
unterschiedliche Abstimmbereich bewirken.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813144242 DE3144242A1 (de) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | Koppelglied zwischen einem oszillator und einer mischstufe |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813144242 DE3144242A1 (de) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | Koppelglied zwischen einem oszillator und einer mischstufe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3144242A1 DE3144242A1 (de) | 1983-05-19 |
DE3144242C2 true DE3144242C2 (de) | 1988-11-24 |
Family
ID=6145837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813144242 Granted DE3144242A1 (de) | 1981-11-07 | 1981-11-07 | Koppelglied zwischen einem oszillator und einer mischstufe |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3144242A1 (de) |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
JPS59171439U (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-16 | アルプス電気株式会社 | Vhfチユ−ナ |
US5815218A (en) * | 1995-01-04 | 1998-09-29 | Funai Electric., Ltd | Circuit device including RF converter, tuner and if amplifier |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6043696B2 (ja) * | 1978-03-15 | 1985-09-30 | 三洋電機株式会社 | Vhfチユ−ナの段間同調結合回路 |
DE2846411C3 (de) * | 1978-10-25 | 1984-11-08 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Mischstufe mit kapazitiver Einkopplung der Oszillatorfrequenz |
-
1981
- 1981-11-07 DE DE19813144242 patent/DE3144242A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3144242A1 (de) | 1983-05-19 |
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Date | Code | Title | Description |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
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