DE2551413A1 - Schaltung zur frequenzteilung von hochfrequenzimpulsen - Google Patents

Schaltung zur frequenzteilung von hochfrequenzimpulsen

Info

Publication number
DE2551413A1
DE2551413A1 DE19752551413 DE2551413A DE2551413A1 DE 2551413 A1 DE2551413 A1 DE 2551413A1 DE 19752551413 DE19752551413 DE 19752551413 DE 2551413 A DE2551413 A DE 2551413A DE 2551413 A1 DE2551413 A1 DE 2551413A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistors
base
island
zones
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19752551413
Other languages
English (en)
Other versions
DE2551413B2 (de
DE2551413C3 (de
Inventor
Wolfdietrich Geor Kasperkovitz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2551413A1 publication Critical patent/DE2551413A1/de
Publication of DE2551413B2 publication Critical patent/DE2551413B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2551413C3 publication Critical patent/DE2551413C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
    • H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
    • H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0772—Vertical bipolar transistor in combination with resistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K23/00—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
    • H03K23/002—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains using semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/288—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit
    • H03K3/2885—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit the input circuit having a differential configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/29—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator multistable
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/00006—Changing the frequency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

"Schaltung zur Frequenzteilung von Hochfrequenzimpulsen"
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zur Frequenzteilung von Hochfrequenzinipulsen mit einem ersten Paar von den Impulsen abwechselnd in den leitenden Zustand gebrachter Transistoren, deren Ausgangsströme durch je eine Gruppe von mindestens zwei Transistoren geleitet werden.
Eine derartige Schaltung ist aus der niederländischen Offenlegungsschrift 7·°ΩΟ·815 bekannt. Bei dieser bekannten Schaltung ist jedem der Transistoren der genannten Gruppen ein zweiter Transistor vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp zugeordnet, welche Transistoren dann zusammen eine bistabile
609823/0651
Pl-IK. 7 S3 3 17-10-1975
"2" 255H1.3
Kippschaltung bilden. Von jeder bistabilen Kippschaltung führt in zyklisch verschobener Reihenfolge ein Kopplungskreis zu einer anderen bistabilen, zu einer anderen Gruppe gehörigen Kippschaltung zur Voreinstellung dieser anderen bistabilen Kippschaltung in Abhängigkeit von dem Erregungszustand der einen bistabilen Kippschaltung.
Diese bekannte Schaltung wird befriedigend bis zu Frequenzen von 600 MHz. Für noch höhere Frequenzen, z.B. 1 GRz, ist der Gebrauch zugeordneter Transistoren wegen der geringen Ausbeute sehr hochfrequenter Traiisitoren nicht oder nahezu nicht möglich. Die Anzahl Transistoren soll daher für diesen Zweck auf ein Mindestmass beschränkt werden.
Die Erfindung bezweckt, eine Schaltung der eingangserwähnten Art für sehr hohe Frequenzen zu schaffen, und ist dazu dadurch gekennzeichnet, dass die Eingangs elektröden der Transistoren der genannten Gruppen jeweils in zyklisch verschobener Reihenfolge mit Anzapfungen von Widerständen verbunden sind, die die Ausgangselektroden von jeweils zwei anderen Transistoren aus verschiedenen Gruppen miteinander verbinden.
Bei der Schaltung nach der Erfindung werden keine zusätzlichen Transistoren verwendet und sie hat dadurch eine viel grössere Bandbreite. Bei Messungen an einem ersten Versuchsbeispiel einer Schaltung nach der Erfindung wurde ein befriedigendes Verhalten der Schaltung bei Frequenzen bis zu 1,3 GHz festgestellt.
Ausser der erforderlichen Mindestanzahl von
609823/0651
PHN.7833 17-10-1975
255.H13
Transistoren enthält die Schaltung nach der Erfindung lediglich· die genannten Widerstände. Daher ist es bei einer Schaltung nach der Erfindung, in integrierter Schaltungstechnik ausgeführt mit einem Halbleiterbauelement, in dem die verschiedenen Transistoren als Grenzschichttransistoren ausgebildet sind, günstig, dass in einer Insel von einem ersten Leitfähigkeitstyp, die als gemeinsamer Kollektor wenigstens der Transistoren der genannten Gruppen dient, wenigstens vier voneinander getrennte Basiszonen von einem zweiten entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp angebracht sind, die räumlich in einer Reihenfolge angeordnet·sind, die der genannten zyklischen Reihenfolge entspricht, wobei sich jeweils die Basiszone eines Transistors der einen Gruppe der Basiszone .eines Transistors einer anderen Gruppe anschliesst, in welchen Basiszone wieder Emitterzonen vom ersten Leitfähigkeitstj^p angebracht sind, wobei Leiterbahnen die Emitterzonen der zu derselben Gruppe gehörigen Transistoren miteinander und mit dem Kollektor des zugehörigen Transistors der abwechselnd in dem leitenden Zustand gebrachten Transistoren verbinden, wobei Anschlusspunkte auf den Basiszonen der Transistoren der genannten Gruppen jeweils in zyklisch verschobener Reihenfolge über Leiterbahnen mit Anschlusspunkten auf der genannten Insel zwischen jeweils zwei benachbarten anderen Basiszonen verbunden sind, von welchen Anschlusspunkten die gewünschten Widerstände zu den Kollektor-Basis-Grenzschichten der zugehörigen Transistoren führen, wobei auf der genannten Insel ein Anschlusskontakt zur Speisung angebracht ist, von dem die gewünschten Widerstände zu den Basis-Kollektor-Grenzschicliten
PILNT. 7833 17-10-1975
" k " 255H13
der Transistoren der genannten Gruppen führen.
Diese integrierte Schaltung nach der Erfindung
gründet sich auf die Erkenntnis, dass die Schaltung nach der Erfindung zu einer benötigten Widerstandskonfiguration führt, die in einer gemeinsamen Kollektorhalbleiterschicht dadurch gebildet werden kann, dass der Innenwiderstand einer solchen Halbleiterschicht benutzt wird, wodurch ein sehr gedrängter Aufbau der integrierten Schaltung möglich ist."
In der Kollektorhalbleiterschicht, die zugleich die Widerstandskonfiguration bildet, pflanzt sich das frequenzgeteilte Signal gleichsam als eine Vanderwell fort. U.a. Aus diesem Wanderwellenkonzept lässt sich das sehr befriedigende Verhalten bei sehr hohen Frequenzen erklären.
Bei einer integrierten Schaltung nach der Erfindung ist es vorteilhaft, dass in der genannten Insel eine hochdotierte vergrabene Schicht angebracht ist.
Feiner ist es bei einer integrierten Schaltung nach der Erfindung vorteilhaft, dass in der genannten Insel unter den genannten Anschlusspunkten Zonen- vom gleichem Leitfähigkeitstyp wie die genannten Emitterzonen vorhanden sind.
Die erste weitere Massnahrae hat den Vorteil, dass die genannten verteilten Widerstände dtirch den Innenwiderstand der vergrabenen Schicht gebildet werden, während die zweite Massnahme den Vorteil aufweist, dass die Anordnung dei" Anschlusspunkte in bezug auf die Emitterzonen konstant ist, weil beide zugleich in einem Di ffus.i onsschritt unter Verwendung einer Maske angebracht werden können.
pun.7833 17-10-1975
255H13
Eine integrierte Schaltung nach d.ex" Erfindung, bei der eine Integrationstechnik verwendet wird, bei der Oxidschichten zur gegenseitigen Trennung verschiedener Elemente angebracht sind, ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Oxidschicht die genannte Insel umgibt.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 das elektrische Schaltbild dex- in der integrierten Schaltung nach der Erfindung enthaltenen Schaltungsanordnung,
Fig. 2 eine Draufsicht auf ein Atisf ührungsbelspiel einer integrierten Schaltung nach der Erfindung, und
Fig. 3 einen Querschnitt durch die integrierte Schaltung nach Fig. 2 längs der Linie III-JII.
Flg. 1 zeigt eine Schaltung nach der Erfindung. Die Schaltung enthält einen ersten, einen zweiten, einen dritten und einen vierten Transistor T1, T„, T„ bzw. Tv. Die Kollektoren dieser Transistoren sind über die Widerstände R , R ρ, R , bzw. R . mit einem Spelsungsanschlusspunlct verbunden. Die Emitter der Transistoren T„ und Tl sind gemeinsam mit dem Kollektor eines Eingangstransistors T1, verbunden, während die Emitter der Transistoren T1 und T1, gemeinsam raiet dem Kollektor eines Eingangstransistors Tx- verbunden sind. Die Emitter der Eingangst-ansistoren T„ und T^- sind gemeinsam über eine Stromquelle I mit einem Speisungsaiischlusspunl't 3' und die Pasis~El oktroden mit den KingangsansohluHspuukten 1 bzw. 1" verbunden.
609823/0651
PHN.7^33 17-10-1975
255U13
Die Transistoren T1 und T0 sind als bistabile
Kippschaltungen angeordnet, indem der Kollektor des Transistors T1 über den Widerstand R., mit der Basis des Transistors T0 und der Kollektor des Transistors T0 über den
Widerstand R0 mit der Basis des Transistors T„ verbunden ist. 3a 1
Ebenso sind die Transistoren T„ und T. als bistabile Kippschaltung angeordnet, indem der Kollektor des Transistors T„ über den Widerstand R0 mit der Basis des Transistors Tn und der Kollektor des Transistors T. über den Widerstand R. mit der Basis des Transistors Tp verbunden ist. Der Kollektor des Transistors T1 ist über den Widerstand R., mit der Basis des Transistors T· , der Kollektor des Transistors Tp über den Widerstand Rph mit der Basis des Transistors T., der Kollektor des Transistors T0 über den Widerstand R0, mit der Basis des
3 , 3b
Transistors T und der Kollektor des Transistors T, über den Widerstand Ri1 mit der Basis des Transistors T0 verbunden. Zum Erhalten eines Ausgangssignals ist im dargestellten Beispiel der Verbindungspunkt der Widerstände R11,
und R mit einem Ausgangsanschlusspunkt 2 und der Verbindungsf£a
punkt der Widerstände R und R^ mit einem Ausgangsanschlusspunkt 2! verbunden.
Zur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 1 wird angenommen, dass das Eingangssignal derart ist, dass die 'Basis des Transistors T^ ein höheres Potential als die Basis des Transistors T aufweist. Der Strom der Stromquelle I wird dann völlig durch.die Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors Tr fHessen, vorausgesetzt, dass das Potential
609823/Ό651
PHN.7833 17-10-1975
~7~ 255U13
an der Basis des Transistors Tr genügend hoch. In bezug auf das Potential an der Basis des Transistors T^- ist. Dieser
Strom fliesst dann in dem gemeinsamen Emitterkreis der Transistoren T1 und T„. Diese beiden Transistoren sind als bistabile Kippschaltung angeordnet, so dass nur einer der beiden Transistoren leitend sein kann. ¥enn angenommen wird, dass sich der Transistor T1 im leitenden Zustand befindet, sind die anderen Transistoren T„, T„ und T^ nicht leitend und ist das Potential an dem Kollektor des Transistors T niedrig in bezug auf das Potential der Kollektoren der anderen drei Transistoren. Infolge der Kopplurigswxderstände ist dann das Potential an der Basis-Elektroden der Transistoren T„ und T. niedrig in bezug auf das Potential an den Basis-Elektroden der Transistoren T1 und Ύ.? , sp dass der Transistor T„, der zusammen mit dem Transistor T1 eine bistabile Kippschaltung bildet, nach wie vor in.der Sperrrichtung polarisiert ist und das Potential an der Basis des Transistors T_ , der zusammen mit dem Transistor T^ eine bistabile Kippschaltung bildet, hoch in bezug auf das Potential an der Basis des Transistors Tr ist. Dadurch wird zu dem Zeitpunkt, zu dem der Eingangstransistor T6, von dem Eingangssignal in der Durchlassrichtung polarisiert wird, der Transistor T„ dem Transistor T. vorgezogen, so dass der Transistor T_ leitend wird und über den Widerstand R„ den Transistor Ti in der Sperrrichtung polarisiert halt. Über den Widerstand R?h wird das Potential an der Basis des Transistors T1 in bezug atif das Potential an der Basis des Transistors T„ n.i edrig gehalten,
' 609823/Ό651
PJIN. 7833 17-10-1975
255 H13..
so dass zu dem Zeitpunkt, zu dem der Eingangstransistor IV den Strom der Stromquelle führen wird, der Transistor T leitend wird, Ebenso wird zu dem Zeitpunkt, zu dem der Eingangstransistor T_ leitend wird, der Transistor T^ den Strom vom Transistor T, übernehmen.
Auf die obenbeschriebene Weise verschiebt sich
der Strom, der Stromquelle I bei jedem Nulldurchgang des Eingangssignals zu einem nächsten Transistor. Ein vollständiger Zyklus ist nach zwei Zyklen des Eingangssignals zurückgelegt, so dass Frequenzteilung stattfindet.
Fig. 2 zeigt zur Veranschaulichung einen schematisch dargestellten Aufbau in einem Halbleiterkörper der Schaltung nach Fig. 1. Die Steuerstufe, die aus den Eingangs trans istoren T1 und TQ besteht, ist dabei nicht in integrierter Form dargestellt, weil dafür verschiedene Lösungen möglich sind. Die Eingangs trans i s t oren T1 und T werden häufig zusammen mit arideren Schaltungselemente!! in eine integrierte Schaltung aufgenommen sein, in die auch, von den übrigen Elementen getrennt, die Halbleiterinsel aufgenommen ist, in der die vier Transistoren und das Widerstandsnetzwerk untergebracht sind.
In einer derartigen Halbleiterinsel 4 von einem ersten Leitf äliigkeits typ , z.B. vom η-Typ , sind vier Basiszonen b , b , b„ und h, von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, z.B. vom p-Typ, durch Diffusion angebracht. In diesen Basiszonen sind wieder Emitterzonen O1, e , e und e· vom ersten Leitfähigkeitstyp, z.B. vom η -Typ, angebracht. Atif diese Weise sind die vier Tran.sistorei) T1, T„ , T und T, gebildet,
609823/0^64
PHN.7833 17-10-1975
255H13
deren Kollektoren durch die Halbleitei'insel h, deren Basis-Elektroden durch die Basiszonen b.. , b , b bzw. b^ und dereia Emitter durch die Emitterzonen e .. , e , e„ bzw. e. gebildet werden. In der Mitte zwischen den vier Transistoren ist auf der Halbleiterinsel '4 ein Anschlusspunkt 9 für Speisungszwecke angebracht, von dem eine Leiterbahn zu dem Anschlusspunkt 31 führt. Zwischen den Basiszonen der Transistoren T , Tp, T und T. sind in zyklisch verschobener Reihenfolge' die Anschlusspunkte 5» 6, 7 und 8 angebracht, z.B. der Anschlusspunkt 3 zwischen den Basiszonen der Transistoren T und T„. Von diesen Anschlusspunkten 55 6, 7 und 8 führen in zyklisch verschobene,!" Reihenfolge Leiterbahnen zu der Basis jeweils eines anderen als eines benachbarten Transistors, z.B. von dem Aiischlusspunkt 5 zu der Basiszone b,,. Infolge des Innenwiderstandes des Halblcitennaterials, aus dem die Kollektorhalbleiterschicht h aufgebaut ist, führen die verschiedenen
Widerstände R ,-R , , R1 -R, und Rn. -II, . zu den betreffenden c 1 ck 1a 'la 1b kb
Basis-kollektor-Grenzsciiicbten. Diese Widerstände sind in Fig. gestrichelt dargestellt.
Eine Leiterbahn verbindet die Emitterzonen e„ und
e. mit dem Kollektor des Eingangs transistors Tr und auf gleiche Weise'verbindet eine Leiterbahn die Emitterzonen e. und e„ mit dem Kollektor des Eingangstransistors IV. Diese Eingangstransistoren Tr und Ty-, die z.B. auch vom Typ mit isoliertem Gate sein können, liegen ausserhalb der Halbleiterinsel h wird dazu von einer Tronndiffvision umgeben se:in. ,Sehr günstig wirkt auch eine Inlogrationstechnik, bei flor die Trennschicht durch öl-Lliehe.
60982370651
PiIN. 7Ö33 17-10-1975
. 255U13
Oxidation des Siliciums erhalten wird.
Die Anschlusspunkte 5> 6, 7> 8 und 9 können unmittelbar auf der Halbleiterinsel k, aber auch auf in der Halbleiterinsel· h angebrachten Diffusionen aus demselben Material wie die Emitterdiffusionen e.. , e , e„ und e, , z.B. auf "einer n+ —Diffusion in einer n—leitenden Halbleiterinsel h, angebracht werden. Dies hat den Vorteil, dass dies zugleich mit den Emitterdiffusionen erfolgen kann. Dadurch liegt die Lage der Anschlusspunkte 5 bis 9 i*1 bezug auf die Lage der Etnitterd if f vis ionen fest, was vorteilhaft ist, weil die Transistorwirkung im wesentlichen gerade unter der Emitterzone auftritt, so dass sich die verschiedenen Widerstände bei einer Verschiebung der betreffenden Diffusionsmaske nicht oder nahezu nicht ändern.
Da meistens der Innenwiderstand des Halbleitermaterials , aus dem die; Kollektorschicht h aufgebaut ist, verhäItηismassig hoch ist, wird in der Insel k unter den Basiszonen b -bj eine vergrabene Schicht 12 von dem gleichen Leitfähigkeitstyp wie, aber mit einer höheren Dotierung als das Halbleitermaterial der Insel h verwendet. Die verschiedenen Widerstände befinden sich dann im wesentlichen in dieser1 vergrabenen Schicht .12.
Neben dem Aufbau der integrierten Schaltung nach der Erfindung1 geiuäss Fig. 2 sind verschiedene andere Bauarten möglich, z.B. eine Bauart, bei der die Transistoren T1-T. miteinander fluchten, wobei dann beide Enden der dann langgestreckten Insel h durch eine Leiterbahn miteinander verbunden werden sollen, um einen zyklischen Schal taufbau zu erhalten.
Fig. 3 ze igt einen S el; η π (-.ι durch die integrierte Schaltung nach Fig. 2 längs der Ld nie ill-lll. 609823/0651
PHN. 783'3 17-10-1975
255H13
' Auf einem Substrat 10, das mit dam Substrat weiterer integrierter Schaltungen gemeinsam sein kann und das vom zweiten Leitfähigkeitstyp, z.B. vom ρ-Typ, ist, ist die Halbleiterinsel k angebracht, welche Insel von vreiteren integrierten Schaltungen durch Trenngebiete 11, z.B. p+-Trenndiffusioenen, getrennt ist. In dieser Insel irft eine vergrabene Schicht 12 mit- hoher Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp, z.B. vom n+-Typ, angebracht. Weiter zeigt Fig. 2 die in diesem Schnitt sichtbaren Basisdiffusionen b~ und b· und die Emitterdiffusionen e_ und e.. Zusammen mit den Emitterd'.ffusionen ist der Anschlusspunkt 7 durch Diffusion, z.B. eine n+-Di f f usio3i, angebracht. Das Ganze ist mit einer Iso-1 ierschicli i. 1'3 überzogen, auf der.- die verschiedenen Leiterbahnen 1h angebracht sind, wobei an verschiedenen Stellen öffnungen in dieser Isolierschicht 13 vorgesehen sind, um Kontakt mit unterliegenden aktiven Gebieten herstellen zu können. Die Widerstände R„, und R. werden durch die Widerstände der Verbindungswege von dem Anschlusspunkfc 7 über die vergrabene Schicht 12 zu den Basis-Kollektor-Übergängen, die zu den Basisdiffusionen b„ bzw. b. gehören, gebildet.
Es ist einleuchtend, dass sich die Erfindung nicht auf die dargestellte Bauart beschränkt. Viele Lösungen sind möglich, während für die Transistoren T„ und T, auch andere
D ö
Typen Transistoren als die dargestellten Typen anwendbar sind.
Obgleich sich die gezeigten Schaltungen auf Gruppen von ja zwei Transistoren beschränkten, leuchtet es ein, dass nach Bedarf in jeder Gruppe Transistoren auf entsprecliends
609823/0651
N.7^33 17-10-1975
255U13
■Weise hinzugefügt werden können.
Wenn jede Gruppe η Transistoren enthält, teilt die Schaltung
die Impulse in Frequenz durch n.

Claims (2)

  1. PI-IN. 7833 17-10-1975
    • . 13 255Η13
    Patentansprüche:
    1 J Schaltung zur Frequenzteilung von Hoclifrequenz-Impulsen, die ein erstes Paetr von den Impulsen abwechselnd in den leitenden Zustand gebrachter Transistoren enthält, deren Ausgangsströme durch je eine Gruppe von mindestens zwei Transistoren gel extet werden, dadurch gekennzeichnet, dass die FJingangselektroden der Transistoren der genannten Gruppen jeweils in zyklisch verschobener Reihenfolge mit Anzapfungen von Widerständen verbunden sind, die die Ausgangselektroden von jeweils zwei anderen Transistoren aus verschiedenen Gruppen miteinander verbinden.
  2. 2. Schaltung nach Anspruch 1, in integrierter Schaltungsteohnik ausgeführt, mit einem Halbleiterbauelement, in dem die verschiedenen Transistoren als GrenzschJxhttransistoren ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass in einer Insel von einem ersten Leitfähigkeitstyp,- die als gemeinsamer Kollektor wenigstens, der Transistoren der genannten Gruppen dient, wenigstens vier voneinander getrennte Basiszonen von einem zweiten entgegengesetzten Leitfähigkeit^typ angebracht sind, die räumlich in einer der genannten Ζ}Ίς;1χκο1τ.οη Reihenfolge entsprechenden Reihenfolge angeordnet sind, wobei sich jeweils die Basiszone eines Transistors der einen Gruppe der Basiszone eines Transistors dor anderen Gruppe anschliesst, in welchen Basiszonen wieder Emitterzonen vom ersten Leitfähigkeitstyp angebracht sind, wobei Leitorbtilmen die Emitterzonen der zu derselben Gruppe gehörigen Transistoren niiteinarHf und mit dem Kollektor dos zubehör j .gen Ti nnw :i .s tors der abivi:cliHe]:;r|
    609823/065 1
    PHN.7Ö33 . 17-10-1975
    in den leitenden Zustand gebrachten Transistoren verbinden, wobei Anschlusspunkte auf den Basiszonen der Transistoren der genannten"Gruppen jeweils in zyklisch verschobener Reihenfolge über Leiterbahnen mit Anschlusspunkten auf der genannten Insel zwischen jeweils zwei benachbarten anderen Basiszonen verbunden sind, wobei von diesen Anschlusspunkten die gewünschten Widerstände zu den Kollektor-Basis-Grenzschichten der zugehörigen Transistoren führen, und wobei auf der genannten Insel ein Anschlusskontakt für Speisungszwecke angebracht ist, von dem die gewünschten Widerstände zu den Basis-Kollektor-Grenzschichten der Transistoren der genannten Gruppen führen. 3· Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass rings um einen mittleren Anschlusspunkt, der den genannten Anschlusskontakt für die Speisung bildet, die Basiszonen sym-
    metrisch in der genannten Insel liegen, wobei zwischen diesen Basiszonen die genannten Anschlusspunkte' liegen, von denen Leiterbahnen zu den betreffenden Anschlusspunkten auf den Basiszonen führen.
    h. Schaltung nach Anspruch 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, dass in der genannten Insel eine hochdotierte vergrabene Schicht angebracht ist.
    5. Schaltung mich Anspruch 2, 3 oder h, dadurch gekennzeichnet, dass in der genannten Insel unter den genannten Anschlusspunkten Zonen vorhanden sind, die den gleichen Leitfähigkeitstyp wie. die genannten Emitterzonen aufweisen.
    6. Schaltung nach Anspruch 2, 3» ^- oder 5> bei der eine .Integrationstechnik verwendet wird, bei der Oxidschichten
    609823/0651
    PHN.7833 17-10-1975
    255H13
    zur gegenseitigen Trennung verschiedener Elemente angebracht sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oxidschicht die genannte Insel umgibt.·
    609823/0651
DE19752551413 1974-11-29 1975-11-15 Schaltung zur Frequenzteilung von Hochfrequenzimpulsen Expired DE2551413C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7415575A NL7415575A (nl) 1974-11-29 1974-11-29 Schakeling voor frequentiedeling van hoog- frequent impulsen.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2551413A1 true DE2551413A1 (de) 1976-08-12
DE2551413B2 DE2551413B2 (de) 1979-07-05
DE2551413C3 DE2551413C3 (de) 1980-03-06

Family

ID=19822559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752551413 Expired DE2551413C3 (de) 1974-11-29 1975-11-15 Schaltung zur Frequenzteilung von Hochfrequenzimpulsen

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS541544B2 (de)
CA (1) CA1051526A (de)
DE (1) DE2551413C3 (de)
FR (1) FR2293109A1 (de)
GB (1) GB1507877A (de)
IT (1) IT1051291B (de)
NL (1) NL7415575A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2919163A1 (de) * 1978-05-11 1979-11-15 Rca Corp Frequenzteiler
DE3001388A1 (de) * 1979-01-31 1980-08-07 Philips Nv Frequenzteiler

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2148064B (en) * 1983-10-14 1986-11-19 Philips Electronic Associated Image rejection mixer circuit

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1317269A (fr) * 1961-12-26 1963-02-08 Rochar Electronique Montage basculeur électronique à fréquence de commutation élevée
US3681617A (en) * 1969-01-21 1972-08-01 Tektronix Inc Multistable circuit including elements preset for conduction

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2919163A1 (de) * 1978-05-11 1979-11-15 Rca Corp Frequenzteiler
DE3001388A1 (de) * 1979-01-31 1980-08-07 Philips Nv Frequenzteiler

Also Published As

Publication number Publication date
FR2293109B1 (de) 1980-05-16
FR2293109A1 (fr) 1976-06-25
CA1051526A (en) 1979-03-27
JPS5177055A (de) 1976-07-03
NL7415575A (nl) 1976-06-01
DE2551413B2 (de) 1979-07-05
IT1051291B (it) 1981-04-21
GB1507877A (en) 1978-04-19
DE2551413C3 (de) 1980-03-06
JPS541544B2 (de) 1979-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2443171C2 (de) Integrierte Schaltung
DE1464340B2 (de) Schneller kopplungsschaltkreis
DE2524439A1 (de) Spannungs-strom-umsetzer
DE2459562B2 (de) Integrierte Schaltungen
DE1564218A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Transistoren
DE1943302A1 (de) Integrierte Schaltungsanordnung
DE3533478A1 (de) Monolithisch integrierte halbleiter-leistungsvorrichtung
DE2812785C2 (de)
DE2615553C3 (de) Schwellenschaltung mit Hysterese
DE2054863C3 (de) Spannungsverstärker
DE2353770C3 (de) Halbleiteranordnung
DE2657293C3 (de) Elektrische Schaltungsanordnung in Transistor-Transistor-Logikschaltung (TTL)
DE2531367C2 (de)
DE1574651C3 (de) Monolithisch integrierte Flip-Flop-Speicherzelle
DE2514205C3 (de) Elektronische Schalteinrichtung zur abwechselnden Durchschaltung zweier Eingangssignale
DE2551413A1 (de) Schaltung zur frequenzteilung von hochfrequenzimpulsen
DE1639549B1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE2753320A1 (de) Halbleiter-pnpn-kreuzpunktschalter
DE2614580C2 (de) "I↑2↑L-Schaltung"
DE1937853B2 (de) Integrierte Schaltung
DE2263075C3 (de) Elektrische Spannungsversorgung für eine monolithisch integrierte Halbleiteranordnung
DE2723973A1 (de) Integrierte schaltung
DE2105475C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE2607177C2 (de)
DE2922926A1 (de) Monolithischer halbleiter-trigger

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee