DE2543628A1 - Informationsspeicher zum speichern von information in form von elektrischen ladungstraegern und verfahren zu seinem betrieb - Google Patents

Informationsspeicher zum speichern von information in form von elektrischen ladungstraegern und verfahren zu seinem betrieb

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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2. ofen
Berlin und München *■ 6. Witteisbacherplatz 2
VPA 75 P 7188 BRD
Informationsspeicher zum Speichern von Information in Form von elektrischen Ladungsträgern und Verfahren zu seinem Betrieb
Die vorliegende Erfindung "betrifft einen Informationsspeicher zum Speichern von Information in Form von elektrischen Ladungsträgern mit mindestens einem dynamischen Speicherelement, das auf einer Oberfläche mindestens eines Substrates. aus mit einer vorgebbaren Grunddotierungsart dotiertem Halbleitermaterial mit Substratanschluß angeordnet ist und das mindestens einen MIS-Kondensator aufweist, bei dem auf der Substratoberfläche mindestens eine elektrisch isolierende Schicht, die mindestens eine Kondensatorelektrode trägt, vorhanden ist.
Ein wichtiges Entwicklungsziel bei Informationsspeichern ist es, Speicherelemente mit geringem Plächenbedarf zu entwickeln, um die Informationsdichte zu erhöben. Bei Informationsspeichern der eingangs genannten Art wird eine hohe Informationsdichte mit Hilfe von dynamischen Ein-Tranaistor-Speicherelementen erreicht. Ein solches Ein-Transistor-Speicherelement wird bei-
2 spielsweise in der Veröffentlichung nA One Mil Single-Transistor-Memory-Cell in n-Silicon-Gate-Technology" von Karl-Ulrich Stein und Hans Friedrich in IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. SC. 8, Nr. 5, Oktober 1973, beschrieben. Es besteht aus einem MIS-Transistor und aus einen) KIS-Kondensator der eingangs genannten Art. Die Elektrode des Kondensators ist an eine Masaeleitung und die Grateelektrode des Transistors ist an eine Wortleitung angeschlossen. Me im Substrat' liegende Gegenelektrode dos Kondensatoro ist über den Transistor an eine Bitleitung angeschlossen. Ein Ausführungsbeispiel dieses Ein-Transistor-Speicherelemente?? ist in der genannten Veröffentlichung auf S. 321 in der Figur 4 angegeben.
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Informationsspeicher der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem das dynamische Speicherelement einen geringeren Flächenbedarf benötigt als herkömmliche Elemente.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß das dynamische Speicherelement den MIS-Kondensator oder eine Nebeneinanderanordnung von mehreren, höchstens durch schmale Abstände voneinander getrennten MIS-Konäensatoren und mindestens ein Kontaktgebiet an der Substratoberfläche aufweist, das mit einem extern zugänglichen ohrasohen Anschlußkontakt versehen ist, und das mindestens den Rand des oder mindestens eines der MIS-Kondensatoren berührt und das ein Material enthält, welches an Berührungsstellen mit dem Substrat mit der Grunddotierungsart Richtleiterwirkung besitzt, daß in der elektrisch isolierenden Schicht im oder in den MIS-Konäensatoren die Werte des Zahlenverhältnisses ε/d, wobei £ die Dielektrizitätskonstante und d die Schichtdicke der elektrisch isolierenden Schicht bedeutet und/oder die Werte der auf die Oberfläche des Substrats bezogenen Elächendichte der Grunddo-^ierungsart des Substrats im oder in den Bereichen des oder der MIS-Kondensatoren und/ oder die Werte der auf die Oberfläche des Substrates bezogenen Plächcdichte einer an die Substratoberfläche angrenzenden, zur Substratdotierungsart entgegengesetzt dotierten Schicht im Substrat örtlich unterschiedlich so gewählt sind, daß durch Anlegen einer in weiten Bereichen vorgebbaren Elektrodenspannung zwischen Substratanschluß und Elektrode die örtliche Verteilung der Beträge des Potontialraaximurns im oder in den Bereichen des oder der MIS-Konäensatoren seitlich vom Kontakfcgebiet weg mindestens einen Anstieg von einem Minimalwert auf einen Maximalwert aufweist.
Bei mehreren MIS-Konäensatoren müssen die Abstände zwischen den Kondensatoren so schmal sein, daß während des Betriebes die von Spannungen an den Elektroden erzeugten Ranäfelder über
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den Zwischenraum zwischen zwei Kondensatoren hinweggreifen, daß also keine, den Ladungsfluß hemmenden Potentialschwellen unter diesen Zwischenräumen entstehen. Die Breite eines solchen Zwischenraumes, der dieser Bedingung genügt, hängt von der Betriebsspannung und von der Dotierung des darunter befindlichen Substrats ab. Als Richtwert kann man im allgemeinen einen Abstand von weniger als 3 /Um annehmen. Unter dem Begriff "Flächendichte einer Dotierung bezüglich einer Bezugs-
dTT fläche" sei der mathematische Ausdruck ^? verstanden, wobei dN
die in einem senkrecht auf der Bezugsfläche errichteten, über das gesamte dotierte Material sich erstreckenden Zylinder auf der Grundfläche dP enthaltene Gesamtdotierung bedeutet. Im vorliegenden Fall ist die Bezugsfläche stets die Substratoberfläche .
Vorzugsweise ist ein Informationsspeicher so aufgebaut, daß die elektrisch isolierende Schicht im oder in den MIS-Kondensatoren außerhalb des Kontaktgebietes nicht überall den gleichen Viert des Zahlenverhältnisses ί /d aufweist, wobei für den Fall, daß das Substrat homogen dotiert ist, das Zahlenverhältnis vom Kontaktgebiet seitlich weg von einem höheren Wert auf einen niedrigeren Wert abnommt und/oder daß wenigstens im oder in den Bereichen des oder"der MIS-Köndensatoren die auf die Substratoberfläche bezogene Flächendichte der Grunddotierungsart seitlich vom Kontaktgebiet weg wenigstens einen Abfall von einem vorgebbaren Wert auf einen niedrigeren Wert aufweist und/oder daß die auf die Substratoberfläche bezogene Fläch -andichte dor entgegeugosetzt zum Substrat dotierten Schicht seitlich vom Kontaktgebiet weg wenigstens einen Anstieg von einem vorgebbaren Wert auf einen höheren Wert aufweist.
Für daw Kontaktgebiet sind alle Materialien geeignet, die bei Berührung mit dem Substrat der Grunddotierungsart· !lichtleiterwirkung erzeugen.■ So kann dieses Gebiet beispielsweise ein Schottky-Kontakt sein, der auf der Oberfläche des Substrats angebracht ist. Vorteilhaft ist es jedoch, hinsichtlich der VPA 9/710/4137 7098 IB/09 A 1
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Herstellung einer ganzen Speichermatrix, wenn das Kontaktgebiet aus einem entgegengesetzt zum Substrat dotierten Bereich im Substrat besteht, das an die Oberfläche des Substrats angrenzt, dessen Dotierung höher als die übrigen im Substrat vorhandenen Dotierungen ist und das an der Oberfläche des Substrats den ohmschen Anschlußkontakt aufweist.
Bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen Informationsspeichers wird man aus Kostengründen darauf achten, mit möglichst wenig Yerfahrensschritten auszukommen. Dazu ist es von Vorteil, wenn das Speicherelement nicht alle vorstehend genannten Alternativen in sich vereinigt. Diesbezügliche vorteilhafte Ausführungsformen gehen aus den üiiteransprüchen 4 bis 14 hervor.
In praktischen Fällen wird ein Informationsspeicher so aufgebaut, daß mehrere Speicherelemente matrixförmig in Zeilen und Spalten auf gemeinsamem Substrat angeordnet sind, daß die Koiitaktgebiete der einzelnen Elemente einer Spalte zu einer einzigen geraeinsamen Spaltenleitung in Form eines dotierten Streifens im Substrat, der einen ohmschen Anschlußr kontakt aufweist und der an den Elementen an der Spalte vorbeigeführt ist, entartet ist, und daß die Elektroden der Elemente in einer Zeile zu einer einzigen Zeilenleitung in Form eines Streifen aus elektrisch leitendem Material, der auf elektrisch isolierender Schicht über alle Elemente einer Zeile hinweggeführt ist, entartet sind.
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V/eitere vorteilhafte Ausführungsformen gehen aus den Unteransprüchen 16 und 17 hervor.
Ein erfindungsgemäßer Informationsspeicher wird so betrieben, daß an den Substratanschluß eine Bezugsspannung angelegt wird, daß zum Einlesen von Information in das Speicherelement an die Elektrode eine Elektrodenspannung U bezüglich der Bezugsspannung angelegt wird, die eine Potentialmaximumdifferenz Λ M im MIS- ■ Kondensatorbereich erzeugt und daß an das Kontaktgebiet
eine Spannung angelegt wird, die entweder betragsmäßig grosser oder kleiner als der Betrag des Miniraalwertes ist, daß zum Speichern an daB Eontaktgebiet eine Spannung angelegt wird, die betragsßiäßig größer als der Betrag des Minimalwertes ist und daß zum Auslesen von Information die Elektrodenspannung so verändert wird, dai3 A M verkleinert wird, wobei dabei an das Kontaktgebiet eine Spannung angelegt wird, die betragsmäßig größer als'der neue Miniraalwert ist.
Ein erfindungsgemäßer Informationsspeicher zeichnet sich gegenüber herkömmlichen Informationsspeichern durch besonders einfachen Aufbau und besonders hohe Informationsdichte aus. Außerdem kann er in weniger Verfahrensscbritten als herkömmliche Speicher hergestellt werden. Die Betriebsweise des Speichers ist ebenfalls sehr einfach.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in den Figuren näher erläutert.
Figur 1 zeigt iro Querschnitt einen MIS-Kondensator mit unterschiedlich dicker elektrisch isolierender Schicht auf einer Oberfläche eines Substrats, wobei an dieser Oberfläche entgegengesetzt zum übrigen Substrat dotiert ist und daneben Potentialverläufe, wie sie im Substratinneren bei verschiedenen Spannungen auftreten*
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Die Figuren 2,3 und 4 zeigen im Querschnitt Ausführungsbeispiele von Informationsspeicher, bei denen die elektrisch isolierende Schicht auf dem Substrat unterschiedliche Schichtdicken aufweist.
Figur 5 zeigt im Querschnitt einen Informationsspeicher, bei dem das Substrat in zwei nebeneinander liegende unterschiedliche dotierte Hälften unterteilt ist.
Figur 6 zeigt im Querschnitt einen Informationsspeicher, bei dem an der Substratpberfläche eine dem Substrat entgegengesetzt dotierte Schicht vorhanden ist, die in zwei nebeneinander liegende, unterschiedlich dotierte Hälften unterteilt ist.
Figur 7 zeigt im Querschnitt einen Informationsspeicher, bei dem an der Substratoberfläche eine zum Substrat entgegengesetzt dotierte Schicht vorhanden ist, die in zwei nebeneinander liegende Hälften unterschiedlicher Schichtdicken unterteilt ist.
Figur 8 zeigt in Draufsicht eine Organisationsform einer Speichermatrix mit erfindungsgemäßem Informationsspeicher als Matrixelemente.
Figur 9 und Figur 10 zeigen einen Querschnitt durch eine matrix nach Figur 8 längs einer Matrixzeile mit Informationsspeichern nach Figur 2 als Matrixelemente.
Figur 11 zeigt einen Querschnitt durch eine Speichermatrix nach Figur 8 längs einer Matrixzeile mit Informationsspeichern nach Figur 3 als Matrixelemente.
Figur 12 zeigt einen Querschnitt durch eine Spoichermatrix nach Figur 8 längs einer Matrixzeile mit Informationsspeichern nach Figur 5 als Matrixelemente.
Die Figuren 13 bis 15 zeigen je einen Querschnitt durch Speichermatrizen nach Figur 8 längs einer Matrixzeile, bei denen nacheinander die Informationsspeicher nach Figur 6, Figur 7 und einer Variante nach Figur 7 als Matrixelemente zugrunde gelegt sind.
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Zur Erläuterung des der Erfindung zugrunde liegenden Prinzips sei zunächst eine allgemeine Betrachtung vorangestellt: In einer Anordnung mit einem dotierten Substrat mit Substratansohluß, das auf einer Oberfläche eine elektrisch isolierende Schicht trägt, auf der eine Elektrode aufgebracht ist, läßt sich bei gegebener Bezugsspannung am Substratanschluß und bei einer gegebenen Spannung an der Elektrode die Potentialverteilung in der elektrisch isolierenden Schicht und im Substrat
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nach der eindimensionalen Poissongleichung d (P /dx = — f/g unter den Randbedingungen, daß das Potential an der Substratoberfläche am Substratanschluß gleich der Bezugsspannimg und an der Isolatoroberfläche unter der Elektrode gleich der vorgegebenen Elektrodenspannung ist und daß das Potential auf Trennflächen, die zwei verschiedene Materialien voneinander trennen, stetig ist, berechnen. Aus der Lösung geht zunächst hervor, daß es im thermischen Gleichgewicht bei gegebener Bezugsspannung am Substratanschluß mindestens eine Elektrodenspannung U0 gibt, bei der in der elektrisch isolierenden Schicht zwischen Substrat und Elektrode kein elektrisches ITeId vorhanden ist, also das Potential in dieser Schicht konstant ist. Diese Spannung Uq hängt dabei lediglich von Materialeigenschaften der elektrisch isolierenden Schicht (Dielektrizitätskonstante) und von Schichtdicken unterschiedlich dotierter Schichten im Substrat und von deren Dotierungen ab. Mit einer Verschiebung der Elektrodenspannung von Uq weg verändert sich das Potentialmaximum im · Substrat ( Für das Potential sei hier und im folgenden stets die Richtung von der Bezugsspannung nach UQ als positiv angenommen, unabhängig von der Polarität von TIq).Diese Veränderung ist bei unterschiedlichen Parametern (Schichtdicken, Dotierungen und Dielektrizitätskonstanten) unterschiedlich.
Anhcaid der Figur 1 sei dies näher erläutert. In der Figur 1 sind Potentialverläufe, wie sie in einer vorstehend beschriebenen Anordnung auftreten, dargestellt. Auf einer Oberfläche eines mit einem Substratanschluß 01 versehenen Substrats 1 mit der Schichtdicke T ist eine elektrisch isolierende Schicht 2 mit zwoi verschiedenen Schichtdicken d«j und dp aufgebracht. An
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dieser Oberfläche befindet sich im Substrat eine dazu entgegengesetzt dotierte Schicht 3 mit der Schichtdicke t. Auf der elektrisch isolierenden Schicht ist eine Elektrode 4 aufgebracht. Rechts daneben zeigt die Kurve 11 den Potentialverlauf in der elektrisch isolierenden Schicht und im Substrat, wenn an der Elektrode die Spannung UQ anliegt. Es wird dabei ein Zustand im thermischen Gleichgewicht angenommen, bei dem die dem Substrat entgegengesetzt dotierte Schicht 3 völlig an Majoritätsträgern verarmt ist. ¥ie aus der Figur 1 hervorgeht, ist das Potential in der elektrisch isolierenden Schicht unabhängig von deren Dicke konstant. Das Potentialmaximum im Substrat liegt an der Oberfläche zur elektrisch isolierenden Schicht und ist mit M11 bezeichnet. Wird nun an die Elektrode eine Spannung U1 mit JU1I^ (UqJ oder mit zu TJ0 entgegengesetzter Polarität angelegt, so bildet sich unter der elektrisch isolierenden Schicht mit der dünneren Schichtdicke d- der Potentialverlauf 12 aus, während unter der elektrisch isolierenden Schicht mit der größeren Schichtdicke d2 der Potentialverlauf 13 entsteht. Die beiden Potentialmaxima M12 und JYLj5 liegen in beiden Fällen im Inneren des Substrats und haben einen Abstand 4 KL voneinander. Wird dagegen an die Elektrode eine Spannung IJp mit jUpj ^JIJqI angelegt, so entstehen die Potentialverläufe 14 und 15. Der Potentialverlauf 14 gehört zur dünneren elektrisch isolierenden Schicht und der Potentialverlauf 15 zur dickeren elektrisch Isolierenden Schicht. Die Potentlalmaxima I-L·. und M-Jt- haben einen Abstand Λ Mp voneinander und liegen an der Substratoberfläche zur elektrisch Isolierenden Schicht. Allgemein gilt dabei, daß für Spannungen U1 das absolute Potentialmaximum unter der dickeren elektrisch isolierenden Schicht liegt, während es für Spannungen Up jeweils unter der dünneren elektrisch isolierenden Schicht liegt. Weiter gilt ganz allgemein, daß die Potentialdifferenzen Δ M1 bzw. ά M2 rait wachsendem Abstand von U1 bzw. U2 von der Spannung UQ weg zunehmen. •Bei Annäherung der Spannung U1 bzw. U2 an die Spannung Uq nehmen die Differenzen Δ M1 bzw. Δ M2 ab und nehmen bei U1 = UQ bzw. U2 ss Uq den Wert O an. Die eben beschriebenen Verhältnisse gelten analog für den erweiterten Fall, daß für die elektrisch
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isolierende Schicht d^/£^ \ d2/£2 *η eier elektrisch isolierenden Schicht gilt. Für den Fall, daß keine entgegengesetzt zum Substrat dotierte Schicht vorhanden ist, sind die Verhältnisse ähnlich. Komplizierter werden die Verhältnisse nur dann, wenn die Schichtdicke der entgegengesetzt zum Substrat dotierten Schicht uneinheitliche Dotierung oder uneinheitliche Schichtdicke aufweist. Es gibt in diesem Pail dann nicht mehr nur eine Spannung UQ sondern zwei oder mehrere solche Spannungen. Bei kontinuierlicher Veränderung gibt es sogar einen Bereich von Spannungen Uq. Allgemein gilt nun, mit Ausnahme von etwaigen singulären lallen, daß sich bei Strukturen nach Figur 1 mit unterschiedlichen Schichtdicken der elektrisch isolierenden Schicht bzw. dotierter Schichten im Substrat und/oder bei Schichten im Substrat mit unterschiedlicher, insbesondere lateraler Dotierung sich unterschiedliche Potentialraaxima im Substrat ausbilden, wenn eine Elektrodenspannung an die Elektrode angelegt wird. Bei Änderung dieser Elektrodenspannung ändert sich auch im allgemeinen der Abstand /4M zwischen zwei unterschiedlichen Potentialmaxitoa. Der Effekt kann zum Aufbau von Informationsspeichern der eingangs genannten Art verwendet werden.
In der Figur 2 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines solchen Informationsspeichers dargestellt. Auf dem Substrat 20, beispielsweise *p~dotiertes Silizium, rait dem Substratanschluß 21 ist eine gestufte elektrisch isolierende Schicht 22, beispielsweise aus Siliziumdioxid, mit den beiden Schichtdicken d., und do aufgebracht. Diese elektrisch isolierende Schicht trägt eine Elektrode 23. An der Oberfläche des Substrats ist ein gegenüber dem Substrat hochdotiertes Kontaktgebiet 24 im Substrat, das mit einem extern zugänglichen ohmschen Anschlußkontakt 25 versehen ist, das entgegengesetzt zum Substrat dotiert ist und aus demselben Material wie das Substrat besteht, vorhanden. Dieses Gebiet 24 befindet sich dabei am Rand der Elektrode *und zwar auf der Elekfcrodenseite, unter der die größere Schichtdicke dp vorhanden ist. Die Betriebsweise des in Figur 2 dargestellten Informationsspeichers ist folgende: An den Substratansobluß wird eine Bezugsspannung U angelegt. An die Elektrode 23 wird I?A 9/710/4157
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eine Spannung U2 mit iuQ|< |U2| angelegt. Me Spannung UQ ist bei diesem Informationsspeicher durch die Bezugsspannung gegeben. Die Polarität der Spannung Up ist so zu wählen, daß ihr Vorzeichen mit dem der Majoritätsträger des dotierten Substrats übereinstimmt. Die im Substrat gezeichnete Kurve 26 gibt den örtlichen Verlauf des Potentialsinaximunis M wieder. Die Kurve weist unter der Stufe in der elektrisch isolierenden Schicht einen Sprung von der Größe Δ M auf. Der betragsmäßig größere Potentialwert liegt dabei unter der dünneren elektrisch isolierenden Schicht. Zum Einlesen von Infornation wird nun an das Kontaktgebiet 24 über den Anschluß 25 eine Spannung Uy bezüglich der Besvugsspannung angelegt, die entweder betragsisäßig größer als das betragomäßig kleinste Potentialmaximum im Substrat unter der Elektrode 25 oder betragstcäßig kleiner ist bzw. entgegengesetztes Vorzeichen wie dieses Potentialmaximuta aufweist, angelegt. Iw ersteren Pail können keine Ladungsträger in den Bereich unter der dünneren elektrisch isolierenden Schicht fließen, während im zweiten Pail Ladungen dorthin einfließen können. Der durchgezogene Teil der Kurve 26 unter dem Kontakt ·- gebiet 24 gilt für den ersten Pail, während der gestrichelt gezeichnete 1SeIl für den zweiten Fall gilt. Zum Speichern der eingelesenen Information wird an das Kontaktgebiet eine Spannung angelegt, die betragsmäßig größer als das kleinste .Potentialmaximum im Substrat ist. Zum Anniesen der Information wird die Elektrodenspannung U2 in Richtung der Spannung Uq oder darüber hinaus verändert, während an das Kontaktgebiet eine Spannung angelegt wird, die betragsraäßig größer al3 das kleinste PotentialraaxinaiTD ist. Durch Veränderung der Elektrodenspannung in Richtung von Uq wird die Differenz A M zwischen den beiden Potentialmaxinia verringert, so daß eventuell vorher eingebrachte Ladungsträger in das Kontaktgebiet abfließen und somit die Information ausgelesen wird.
Pur den Informationsspeicher nach Figur 2 können zum Beispiel folgende V/er to angenommen werden: p-äotierterj Siliziuuisubstrat mit einer Dotierung von 5 . 10 J cm J und mit einer Dicke T = 400 /Uin, η-dotiertes Silizium mit einer Dotierung von VPA 9/710/4137
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1 . 10 cm als Kontaktgebiet, Siliziumdioxid als elektrisch isolierende Schicht mit d1 = 50 nm und d2 = 300 nm. Als Elektrodenspannung kann "beim Einlesen und Speichern eine Spannung von 15 Volt und beim Auslesen eine Spannung von 5 Volt verwendet werden. Bei einer Elektrodenspannung von 15 Volt hat dabei das Potentialmaxiraum unter der dünneren elektrisch isolierenden Schicht einen Wert von etwa 13 Volt, während es unter der dickeren elektrisch isolierenden Schicht einen Wert von etwa 6 Volt aufweist. Bei der Elektrodenspannung von 5 Volt hat das Potentialmaxiraum unter der dünneren elektrisch isolierenden Schicht einen Wert von etwa 4 Volt, während es unter der dickeren Schicht einen Viert von etwa 1 Volt aufweist. Danach hat A M hier nur noch den Wert von 3 Volt. Beim Einlesen muß also die Spannung am Kontaktgebiet entweder großer oder kleiner als 6 Volt sein, während sie beim .Speichern größer als 6 Volt sein rauß. Beim Auslesen muß die Spannung ato Kontaktgebiet größer als 1 Volt sein. In der Praxis macht man die Spannung am Kontaktgebiet zumindest beim Speichern und Auslesen möglichst groß, beispielsweise größer als 30 Volt.
In der Figur 3 ist eine Variante eines Informationsspeichers nach Jrigur 2 dargestellt. Sie unterscheidet sich vom Informationsspeicher nach Figur 2 lediglich dadurch, daß unter der Elektrode an der Substratoberfläche zur elektrisch isolierenden Schicht das Substrat bis zu einer Tiefe t umdotiert ist. Diese umdotierte Schicht ist mit dom Bezugszeichen 27 versehen. Die übrigen aufbauenden Teile entsprechen denen des Informationsspeichers der Figur 2 und sind deshalb mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Beim Betrieb des in Figur 3 dargestellten Informationsspeichers sind die in Figur 1 dargestellten Potentialverläufe maßgebend. Danach besteht ein Hauptunterschied zum vorher beschriebenen Informationsspeicher darin, daß Uq sich jetzt wesentlich von der Bezugsspannung· am Substratanschluß unterscheidet. Ansonsten wird dieser Informationsspeicher analog wie der nach Figur 2
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betrieben. Beim Aufbau des Inforraationsspeicbers können als Beispiel folgende Werte verwendet werden: p-dotiertes Siliziumsubstrat mit einer Dotierung von 5 . 10 cm und einer Dicke von T = 400/um, η-dotierte Schiebt mit einer Dotierung von
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10 cm und einer Schichtdicke t = 1/Uib, elektrisch isolierende Schicht aus Siliziumdioxid mit d1 = 120 nm und d9 = 1200 nm
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und eine Dotierung des Kontaktgebietes von 10 cm ■ . Als Elektrodenspannung beim Einlesen und Speichern kann dabei eine Spannung von 30 ToIt verwendet werden, was zu einem Potentialtoaxitnum unter der dünneren elektrisch isolierenden Schicht von etwa 28,4YoIt und unter der dickeren elektrisch isolierenden Schicht von etwa 18,5 Volt führt. Dies entspricht einem Wert von Δΐΐ von 9,9 Volt. Beim Auslesen kann eine Elektrodenspannung von 10 Volt verwendet werden. Diese Spannung führt zu einem Potentialmaximum von 9»5 Volt unter der dünneren und von 6,1 Volt unter der dickeren elektrisch isolierenden Schicht, also zu einer Abnahme von Λ M auf 3,2 Volt. Die Spannung am Kontaktgebiet muß den Bedingungen des zu Figur 2 beschriebenen Verfahrens analog geniigen. Vorzugsweise wählt man die Spannung am Kontaktgebiet zumindest beim Speichern und Auslesen größer als 30 Volt.
In dor Figur 4 ist eine Variante des Informationsspeichers nach Figur 3 dargestellt. Sie unterscheidet sich von den beiden vorstehend beschriebenen Informationsspeichern dadurch, daß das lOntaktgebiet 24 durch ein Kontaktgebiet 28 mit dem ohmschen Anschlußlcontakt 29 ersetzt ist. Dieses Kontaktgebiet 28 besteht ebenfalls aus einem entgegengesetzt zum Substrat hochdotierten Gebiet im Substrat. Es befindet sich an der Oberfläche des Substrats an dem Elektrodenrand, unter dem die elektrisch isolierende Schicht die dünnere Schichtdicke d-j aufweist. Alle übrigen Bezugszeichen sind wie in der Figur 3 beibehalten. Es sind auch bier wieder die in Figur 1 dargestellten Potentialverläufe maßgebend. Dieser Informationsspeicher wird so betrieben, daß zum Einlesen von Information an die Elektrode eine Spannung bezüglich der Bezugsspannung am Substratanschluß 21 angelegt wird, die betragsmäßig kleiner als die Spannung UQ VPA 9/710/4137
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ist. Der örtliche Verlauf des Potentialmaximuras M unter der Elektrode ist durch die Kurve 46 dargestellt. An der Stufe der elektrisch isolierenden Schicht ist ein Potentialunterschied von A M vorhanden und das absolute Potentialmaximuro befindet sich jetzt unter der dickeren elektrisch isolierenden Schicht. An das Kontaktgebiet wird während des Einlesens eine Spannung angelegt, die betragsraäßig größer als das kleinste Potentialmaximum oder kleiner als dieses ist. Die Kurve 46 ist für den ersten Fall durchgezogen unter das Kontaktgebiet fortgesetzt, während sie für den zweiten Fall gestrichelt darunter fortgesetzt ist. Hur im zweiten Pail können Ladungen unter die dickere elektrisch isolierende Schicht fließen. Beim Speichern von Information wird an das Kontaktgebiet eine Spannung angelegt, die betragsmäßig größer als das kleinste Potent ialmaicimum ist. Zum Auslesen von Information wird die Elektrodenspannung in Richtung der Spannung Uq oder darüber hinaus verschoben. Dadurch verringert sich die Differenz Δμ oder kehrt sich sogar um. Beim Auslesen ist wiederum darauf zu achten, daß die Spannung· am Kontaktgebiet betragsmäßig größer als das betragsmäßig kleinste auftretende Potentialmaximum gewählt wird.
Es können als Beispiel folgende Werte angenommen werden:
14 -5 p-dotiertes Silizium mit einer Dotierung von 5 . 10 rcm , η-dotiertes Silizium für die Schicht mit einer Dotierung von
15 —3
10 cm und einer Schichtdicke t = 3/um, Substratdicke I1 = 400/urn? Kontaktgebiet aus η-dotiertem Silizium mit einer Dotierung von 1 . 10" cm , Siliziumdioxid als elektrisch isolierende Schicht mit α.. = 120 nm und dp = 1200 nm.. Als Elektrodenspannung kann beim Einlesen und Speichern eine Spannung von 0 YoIt, was zu einem Potentialmaximum von 3,3 Volt unter der dünneren elektrisch isolierenden Schicht und zu einem Potentialmaximum unter der dickeren elektrisch isolierenden Schicht führt, verwendet v/erden. Zum Auslesen kann als Elektrodenspannung 30 Volt angenommen werden, was au einem Potentialmaximum von 29,6 Volt unter der dünneren elektrisch isolierenden Schicht und au einem VPA 9/710/4137
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-ti.
Potentialmaximum von 27,3 Volt unter der dickeren elektrisch isolierenden Schicht führt. &}ϊ ändert sich dabei von 4,1 Volt "bei O Volt Elektrodenspannung nach -2,3 Volt bei 30 Volt Elektrodenspannung. Die Spannung am Kontaktgebiet wählt man analog wie bei den vorstehend beschriebenen Verfahren und wählt sie zumindest beim Speichern und Auslesen größer als 30 Volt.'
Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Informationsspeichers kann anstatt oder zusätzlich zu der Dicke der elektrisch isolierenden Schicht ebensogut die Dielektrizitätskonstante £ dieser Schicht geändert werden. Wesentlich ist dabei, daß der Quotient £/d entweder zunimmt oder abnimmt. Vorteilhaft ist es allgemein, wenn die Änderung £/d nicht abrupt erfolgt, sondern kontinuierlich über das ganze Element hinweg. In diesem Fall steht dann ein größerer Bereich zur Speicherung der Informationsladung zur Verfügung. Voraussetzung dafür ist natürlich, daß geeignete Herstellungsverfahren vorhanden sind. Als Substrat kann auch η-dotiertes Halbleitermaterial, beispielsweise η-dotiertes Silizium, verwendet werden. Beim Betrieb solcher Elemente muß dann nur die Polarität der Betriebsspannungen geändert werden.
In Fig.5 ist ein erfinduncsgenäßer Inforaationsspeicher dargestellt, bei dem auf unterschiedliches d/£ auf der elektrisch isolierenden Schicht verzichtet werden kann. Auf einen Substrat 50, beispielsweise η-dotiertes Silizium, mit Substratanschluß 51 ist eine elektrisch isolierende Schicht mit konstanter Schichtdicke und konstanter Dielektrizitätskonstante aufgebracht. Das Substrat 50 ist in zwei nebeneinander liegende Hälfte I und II unterteilt, wobei die Hälfte II höher dotiert ist als die Hälfte I. Auf eier elektrisch isolierenden Schicht ist über beiden Hälften eine Elel-Ltrode 53 aufgebracht. An der Oberfläche des Substrats ist ein gegenüber dem Substrat hochdotiertes Kontaktgebiet 54 in Substrat, dos mit einem extern zugänglichen ohrafichen Arschlußkoritnkt ^3 versehen ist, dos entgegengesetzt zum Substrat dotiert ist und das aus denselben Material wie das Substrat besteht, vorbanden. Dieses Gebiet 54 befindet sich da-
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bei am Rand der Elektrode und ganz im höher dotierten Bereich II des Substrats. Es gibt in diesem Fall zwei Elektrodenspannungen U0J und Uqtj.j bei denen in. der elektrisch isolierenden Schicht kein Feld vorhanden ist. Uqj sei die Spannung, bei der in der elektrisch isolierenden Schicht I kein elektrisches Feld vorhanden ist, und Uqjj die Spannung, bei der über dem Bereich II in der elektrisch isolierenden Schicht kein Feld vorhanden ist. Für Elektrodenspannungen mit |uj<. j uoil oc3-er zu ^o I en"^5e~ gengesetzter Polarität ergeben sich ähnliche Potentialverteilungen, wie sie in den Kurven 11 bzw. 12 der Fig.1 dargestellt sind. Das Potentialraaximum ist dabei im Bereich II betragsmäßig größer als im Bereich I und liegt in beiden Fällen im Inneren des Substrats. Venn man mit der Elektrodenspannung von Uqj wegrückt, wird die Differenz M zwischen den beiden Potentialmaxima größer. Für Elektrodenspannungen U > UnTT ergeben sich ähnliche Poten-
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tialverteilungen, wie sie in den Kurven 13 bzw. 14 dargestellt sind. Das Potentialmaximum ist dabei im Bereich II betragsmäßig größer als im Bereich I und liegt in beiden Fällen an der Substratoberfläche. YJenn man mit der Elektrodenspannung U von Uqjj wegrückt,'wird die Differenz ΔΪΊ zwischen den Potentialmaxima größer. Für Elektrodenspannungen zwischen Uqj und Uqjj sind die Verhältnisse komplizierter. Es ist jedoch auch dort ein Betrieb möglich. Auf eine nähere Erörterung wird verzichtet, da der Fachmann die dortigen Verhältnisse anhand der Lösung der Poissongleichung unter den schon angegebenen Rand- und Nebenbedingungen selbst untersuchen kann.
Der Informationsspeicher nach Fig.5 wird nun so betrieben,, daß zum Einlesen von Information an die Elektrode 53 eine Elektrodenspannung angelegt wird und daß an das Kontaktgebiet'54 eine Spannung U^ angelegt wird, die entweder größer oder kleiner als das betragsmäßig kleinste Potentialmaximum bei dieser Elektrodenspannung gewählt wird. Die Kurve 56 gibt den Verlauf des Potentialmaximums M unter der Elektrode 54 mit dem Potentialsprung Δ,Ι-1 an dor Trennfläche zwischen dem Gebiet I und dem Gebiet II und unter dem Kontaktgebiet 54 an." Dabei ist für das Kontaktgebiet 54 der erste Fall gestrichelt und der zweite Fall
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durchgehend gezeichnet. Während des Speicherns wird an das Kontaktgebiet eine Spannung angelegt, die betragsmäßig größer als das betragsmäßig kleinste Potentialnaximuni ist. Zum Auslesen der Information wird die Elektrodenspannung in eine Richtung verschoben, bei der die Potentialdifferens IJJi verkleinert wird. An das Kontaktgebiet wird dabei eine Spannung angelegt, die wiederum betragsmäßig größer als das betragsmäßig kleinste Potentialmaximum gewählt wird.
Für diesen Informationsspeicher können folgende Daten verwendet werden: η-dotiertes Silizium als Substrat, nit einer Dotierung von 5*10 /cm"^ im Bereich I und einer Dotierung von 5·10 /cm~J im Bereich II und mit einer Dicke T = 400/um. p-dotiertes Silizium als Kontaktgebiet mit einer Dotierung von 1.10" /cm , Siliziumdioxid als elektrisch isolierende Schicht mit einer Schichtdicke von 120 mn. Zum Einlesen und Speichern kann eine Elektrodenspannung von -15 Volt, die ein Potentia!maximum von -13,5 ToIt im Bereich I und von -10 YoIt im Bereich II, also eine PotentialdifferenK von 3,5 Volt, erzeugt, verwendet werden. Als Elektrodenspannung zum Auslesen sind -5 Volt geeignet, wodurch ein Potentialmaximum von -4 Volt im Bereich I und von -2,5VoIt im Bereich II erzeugt v/ird. Die Potentialdiffercnz Λ.Μ verringert sich dabei auf 1,5 Volt. Die Spannung am Kontaktgebiet 54 wählt man zumindest während des Speicherns und Auslesens vorsugsv/eise größer als -20 Volt.
In Fig.6 ist ein Informationsspeicher dargestellt, bei dein auf einera dotierten Substrat 60 mit SubstratAnschluß 61 eine elektrisch isolierende Schicht 62 mit konstanter Schichtdicke und konstanter Dielektrizitätskonstante aufgebracht ist, die eine Elektrode 63 trägt. An Rande eier Elektrode ist wiederum ein entgegengesetzt zum Substrat hochdotiertes Kontaktgebiet 64 mit ohmschem Anschlußkontakt 65 vorhanden. Im Substrat befindet sich an der Oberfläche zur elektrisch isolierenden Schicht eine Schicht 66 aus dotiertem Halbleitermaterial, die entgegengesetzt zum Substrat dotiert ist und die das Kontoktgebiet berührt.
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Diese Schicht ist in zwei nebeneinander liegende Hälften I1 und II' unterteilt, wobei nur die Hälfte I' das Kontaktgebiet berührt. Die Hälfte II' ist höher dotiert als die Hälfte I1. Außerdem ist die Hälfte I' niedriger dotiert als das Kontalctgebiet. Die Schichtdicke t dieser Schicht ist geringer als die Schichtdicke des Substrats. Dieser Inforraationsspeicher wird wie der nach Fig.5 betrieben. Lediglich die anzulegenden Spannungsv/erte und ihre Polarität sind anders zu wählen. Als Beispiel können folgende Werte angenommen v/erden: p-dotiertes Silizium mit einer Dotierung von 8.10 ·*/cm und einer Dicke T = 400 /um als Substrat, für die Schicht η-dotiertes Silizium mit einer Schicht-
15 —3 dicke von 1/um, einer Dotierung 8.10 "/cm iro Bereich I1 und.
16·10 ^/cnT* im Bereich II' und Siliziumdioxid mit einer Schichtdicke von 12N nm als elektrisch isolierende Schicht. Zum Einlesen und Speichern kann eine Elekirodenspannung von 0 YoIt gegenüber dem Bezugspotential am Substratanschluß angelegt werden, wodurch ein absolutes Potentialmaximum von 3,3 Volt im Bereich I1 und 7,9 Volt im Bereich II' erzeugt wird. Dies entspricht einer Potentialdifferenz Λ,Μ von 4,6 Volt. Zum Auslesen kann eine Spannung Up von 30 Volt gegenüber der Bezugsspannung angelegt werden, wodurch ein absolutes Potentialraaximum von 27,5 Volt im Bereich I1 und von 30,7 Volt im Bereich IIf erzeugt wird. M hat sich dabei um 1,4 Volt auf 3,2 Volt verringert. Die Spannung am Kontalctgebiet wird wenigstens beim Speichern und Auslesen größer als 30 Volt gewählt.
In Fig.7 ist ein Informationsspeicher dargestellt, bei dem auf einem dotierten Substrat 70 mit Substratanschluß 71 ebenfalls eine elektrisch isolierende Schicht 72 mit konstanter Schichtdicke und konstanter Dielektrizitätskonstante aufgebracht ist, die eine Elektrode 73 trägt. Am Rande der Elektrode ist wiederum ein entgegengesetzt zum Substrat dotiertes Kontaktgebiet 74 mit ohmschem Anschlußkontakt 75 vorhanden. Im Substrat befindet sich auf der Oberfläche zur elektrisch isolierenden Schicht eine Schicht 77 aus dotiertem Halbleitermaterial, die entgegengesetzt zun Substrat dotiert ist und die das Kontalctgebiet berührt. Diese Schicht ist wiederum in zwei nebeneinander liegende Hälften I" und II" unterteilt, wobei nur die Hälfte VPA 9/710/4137 709818
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I" das Kontaktgebiet berührt. Die Hälfte II" weist eine größere Schichtdicke als die Hälfte I" auf. Die gesamte Schicht ist homogen dotiert und v/eist eine niedrigere Dotierung als das Kontaktgebiet auf. Für die Potentio!Verteilungen in diesem Informationsspeicher und für den Betrieb gelten dieselben Bedingungen v/ie für den Informationsspeicher nach Fig. 5 bzw. nach Fig. 6. Der Bereich IK entspricht den Bereichen I bzw. I' und der Bereich II" den Bereichen II bzv/. II'.
Es seien zwei Beispiele angegeben:
1. p-dotiertes Siliziumsubstrat mit einer Dotierung von 10 /cm~^ und mit einer Dicke T = 400 /um, η-dotiertes Silizium mit einer Dotierung von 10 /cm als Schicht 76, mit einer Schichtdicke von 1 /um im Bereich I" und von 9/um im Bereich II" und eine Silizlumdioxidschicht von 100 nrn als elelctrisch isolierende Schicht. Zum Einlesen und Speichern kann eine Elektrodenspan-
• nung von 30 Volt verwendet v/erden, wodurch ein Potentialmaximum von 29,1 Volt im Bereich I" und von 29,7 Volt im Bereich II" erzeugt wird. Dies ergibt eine Potentialdifferenz AM von 0,6.VoIt. Zum Auslesen wird eine Elektrodenspannung von 10 Volt angelegt, wodurch ein Potentialmaximum von 9,5 Volt im Bereich I" und von 10 Volt im Bereich II" erzeugt wird. Die Potentialdifferenz hot sich danach beim Auslesen um 0,1 Volt auf 0,5 Volt verringert. Die Spannung am Kontaktgebiet wird wenigstens beim.Speichern und Auslesen größer als 30 Volt gewählt.
2. p-dotiertes Siliaiuiasubstrat mit einer Dotierung von 8.10 "/cm
und einer Dicke T = 400/um, η-dotiertes Silizium mit einer
15/ ~)
Dotierung von 8·10 · /cm als Schicht 7o mit einer Schichtdicke von 1 /um im Bereich I" und von 5/uri im Bereich II" und mit einer Siliziumdioxidschicht von 120 nm Schichtdicke als elektrisch isolierende Schicht. Zum Einlesen und Speichern kann eine Elektrodenspannung von 0 Volt verwendet werden, wodurch im Bereich I" ein PotentißIraoxinura von 3,3 Volt und in Bereich II" ein Potentia!maximum von 59 Volt erzeugt wird, war»
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einer Potentialdifferenz A M von 55,7 Volt entspricht. Zum Auslesen kann eine Spannung von 30 YoIt verwendet werden, wodurch ein Potentialmaximum von 27,5 Volt in Bereich I" und von 77,4 Volt im Bereich II" erzeugt wird. Die Potentialdifferenz λ M verringert sich danach beim Auslesen um 5,8 Volt auf 49,9 Volt. Die Si^annung am Kontaktgebiet wird wenigstens beim Speichern und Auslesen vorzugsweise größer als 30 Volt gewählt.
Eine Variante eines Informationsspeichers nach Fig.7 besteht ■ darin, daß die Schichtdicke des Bereiches I" gleich 0 ist, mit anderen Worten, daß dieser Bereich die Dotierung des Substrats aufweist« Als Beispiel klnnen folgende Werte gewählt werden:
Ί <5 . —3 p-dotiertes Siliziumsubstrat mit einer Dotierung von 8*10 "Vom und mit einer Dicke T = 400/um, η-dotierter Bereich II" mit
15/ —3
einer Dotierung von 8*10 /cm und einer Schichtdicke von 1 /um, Siliziundioxid mit einer Schichtdicke von 300 nm als elektrisch isolierende Schicht. Zum Einlesen und Speichern kann eine Elektrodenspannung von 20 Volt angelegt werden, wodurch ein Potentialmaxiinum von 17,9 Volt in der Schicht und von 7,8 Volt außerhalb erzeugt wird, was einer Potentialdifferenz von 10,1 Volt entspricht. Zum Auslesen kann eine Elektrodenspannung von 10 Volt angelegt werden, wodurch ein Potentialraaximum von 10,6 Volt im Bereich II" und 2,8 Volt außerhalb erzeugt wird. Dadurch wird die Potentialdifferenz beim Auslesen in 2,3 Volt auf 7,8 Volt verringert. Die Spannung am Eontaktgebiet wird wenigstens beim Speichern und Auslesen größer als 20 Volt gewählt .
Jeder der Informationsspeicher nach den Fig. 1 bis 4 kann mit einem Informationsspeicher nach den Fig.·5 bis 7 bzw. der Variante nach Fig.7 kombiniert werden. Die Letzteren können auch miteinander kombiniert werden.
Anstatt p-dotiertes Substrat kann auch η-dotiertes Substrat verwendet worden.
Bei den Informationsspeichern noch den Fig.5 bis 7 und der
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Variante ist es nicht notwendig, daß die auf die Substratoberfläche bezogene Flächendichte der Dotierung, wie dort angegeben, sprunghaft vom Kontaktgebiet seitlich weg zunimmt, sondern sie kann auch kontinuierlich zunehmen. .
Es sei an dieser Stelle ausdrücklich darauf hingewiesen, daß die in den Figuren angegebenen Beispiele spezielle Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Informationsspeichers darstellen. Nach der eingangs angegebenen Lehre sind auch komplexere Strukturen möglich.
Erfindungsgemäße Informationsspeicher lassen sich auf sehr einfache t/eise zu einer Speichernatris organisieren. In der Fig.8 ist in Draufsicht eine solche OrganisationsforEi angegeben. In ein Substrat 80 aus dotiertem Halbleitermaterial sind in Abständen nebeneinander hochdotierte Leitungen 81 bis 83, die entgegengesetzt zum Substrat dotiert sind, als Spaltenleitungen vorhanden. Auf der Oberfläche des Substrats ist eine hier nicht gezeichnete elektrisch isolierende Schicht vorhanden. Darauf sind in Abständen quer über die Spaltenleitungen Streifen 84 und 85 aus elektrisch leitendem Material als Zeilenleitungen
nebeneinander angeordnet. Die Speicherelemente sind gestrichelt umrahmt und mit den Bezugszeichen 814 bis 835 versehen. Die Fig.9 bis 16 zeigen im Querschnitt entlang der Schnittlinie A-A in Fig.8 den Aufbau einer solchen Speichermatrix für die verschiedenen, in den Fig. 2 bis 7 dargestellten Ausführungsbeispiele. Den Fig. 9 und 10 liegt der in Fig.2 dargestellte Informationsspeicher zugrunde. Die dotierten Leitungen 81 bis 83 übernehmen hier und in den folgenden Figuren die Rolle des Kon~ taktgebietes, d.h. alle Informationsspeicher in einer Spalte sind an ein gemeinsames Kontaktgebiet angeschlossen. In Fig.9 ist die elektrisch isolierende Schicht 87 dreigestuft. In den Bereichen der eigentlichen Speicherelemente 815 bis 835 ist diese Schicht entsprechend Fig.2 abgestuft. Jeweils im Zwischenbereich zwischen zwei, dieser Bereiche 815 bis 835 weist die elektrisch isolierende Schicht wenigstens unter der Zeilenleitung
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eine höhere Schichtdicke d^ auf als sonst. Dies dient zur Trennung der einzelnen Speicherelemente voneinander. In Fig.10 erfolgt diese Trennung mittels einer "Channel-Stop"-Diffusion, d.h. parallel zu den Spaltenleitungen sind hochdotierte Kanäle 91 eindiffundiert, die dieselbe Dotierungsart v/ie das Substrat aufweisen. In Fig. 10 sind zudem die Speicherelemente 815 bis 835 nicht auf der einen gleichen Seite der Spaltenleitung angeordnet. Die Speicherelemente 815 bis 835 sind in Fig.10 links Ton den zugehörigen Spaltenleitungen 81 und 83 und das. Speicherelement 825 rechts von der zugehörigen Spaltenleitung 82 angeordnet .
In Fig.11 ist ein Speicherelement nach Fig.2 zugrunde gelegt. Eine Trennung zwischen den einzelnen Elementen ist nicht erforderlich, so daß die Schichtdicke in den Bereichen zwischen zwei Speicherelementen beliebig gewählt werden kann. Man kann sie daher gleich der größten oder kleinsten Schichtdicke im Speicherelement wählen, was die Herstellung erheblich vereinfacht. In Fig.11 ist die Schichtdicke in den Zwischenräumen gleich der größten Schichtdicke im Speicherelement gewählt. Analog v/ie in Fig. 11 kann eine Speichermatrix aufgebaut v/erden, v/enn das in Fig.4 dargestellte Speicherelement zugrunde gelegt wird. Die größere Schichtdicke im Bereich des Speicherelementes liegt dann über der Spaltenleitung.
Fig.12 zeigt den Aufbau einer Matrix, dem das in Fig.5 gezeigte Speicherelement zugrunde liegt. Dos Substrat ist entlang der Zeilenleitung abwechselnd in schwächer dotierte Bereiche I und höher dotierte Bereiche II unterteilt. Die Trennung der einzelnen Speicherelemente 815 bis 835 erfolgt.wieder dadurch, daß im Zwischenraum zwischen zwei solchen Elementen wenigstens unter der Zeilenleitung die elektrisch isolierende Schicht 87 eine größere Schichtdicke aufweist.
Fig.13 zeigt den Aufbau einer Matrix, dem das in Fig.6 dargestellte Speicherelement zugrunde liegt. Die Schichtdicke der elektrisch isolierenden Schicht 87 kann hierbei konstant blei- ! ben, da die Schichten 66 mit den Bereichen Ί1 und II1 schon VPA 9/710/4137 ,noo1c/nOM
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voneinander getrennt sind.
Fig.14 zeigt den Aufbau einer Speichermatrix, dem der in Fig. 7 dargestellte Informationsspeicher als Speicherelement zugrunde gelegt ist. Auch hier kann die elektrisch isolierende Schicht konstante Schichtdicke aufweisen, da die Schichten 76 mit den jeweiligen Bereichen I" und II" schon voneinander getrennt sind.
Fig. 15 zeigt den Aufbau einer Speichermatrinc, bei dein die beschriebene Variante zu den in Fig. 7 dargestellten Informationsspeicher als Speicherelement zugrunde gelegt ist. Die einseinen Speicherelemente müssen hier jedoch wieder voneinander getrennt v/erden. Dies geschieht wiederum dadurch, daß die elektrisch isolierende Schicht wenigstens unter der Zeilenleitung in jeweils den Bereichen zwischen zwei Speicherelementen eine höhere Schichtdicke als sonst aufweist.
18 Patentansprüche
15 Figuren
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    ( 1.^Informationsspeicher zum Speichern von Information in Form von elektrischen Ladungsträger mit mindestens einem dynamischen Speicherelement, das auf einer Oberfläche mindestens eines Substrates aus," mit einer vorgebbaren Grunddotierungsart dotierten Halbleitermaterial mit Substratanschluß angeordnet ist • und das mindestens einen MIS-Kondensator aufweist, bei dem auf der Substratoberfläche mindestens eine elektrisch isolierende Schicht, die mindestens eine Kondensatorelektrode trägt, vor-■ handen ist, dadurch ■ gekennzeichnet , daß das dynamische Speicherelement den MIS-Kondensator oder eine Nebeneinanderanordnung von mehreren, höchstens durch schmale Abstände voneinander getrennten MIS-Kondensatoren und mindestens ein Kontaktgebiet an der Substratoberfläche aufweist, das mit einem extern zugänglichen ohmschen Anschlußkontakt versehen ist, und das mindestens den Rand des oder mindestens eines der MIS-Kondensatoren berührt und das ein Material enthält, welches an Berührungsstellen mit dem Substrat mit der Grunddotierungsart Richtleiterwirkung besitzt,· daß in der elektrisch isolierenden Schicht im oder in den MIS-Kondensatoren die Werte des Zahlenverhältnisses €/d, wobei ε die Dielektrizitätskonstante und d die Schichtdicke der elektrisch isolierenden Schicht bedeutet "und/oder die Werte der auf die Oberfläche des Substrates bezogenen Flächendichte der Grunddotierungsart des Substrates im oder in den Bereichen des oder der MIS-Kondensatoren und/oder die Werte der auf die Oberfläche des Substrates bezogenen Flächendichte einer an die Substratoberfläche angrenzenden, zur Substratdotierungsart entgegengesetzt dotierten Schicht im Substrat örtlich unterschiedlich so gewählt sind, daß durch Anlegen einer in weiten Bereichen vorgebbaren Elektrodenspannung zwischen Substratanschluß und Elektrode die örtliche Verteilung der Beträge des Potentialmaximums im oder in den Bereichen des oder der MIS-Kondensatoren seitlich vom Kontaktgebiet weg mindestens einen Anstieg von einem Minimalwert auf einen Maximalwert aufweist.
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    Informationsspeicher nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichnet , daß die elektrisch isolierende Schicht im oder in den MIS-Kondensatoren außerhalb des Kontaktgebietes nicht, überall den gleichen Wert des Zahlenverhältnisses S/d aufweist, wobei für den Fall, daß das Substrat homogen dotiert ist, das Zahlenverhältnis vom Kontaktgebiet seitlich weg von einem höheren Wert auf einen niedrigeren Wert abnimmt und/oder daß wenigstens im oder in den Bereichen des oder der MIS-Kondensatoren die auf die .Substratoberfläche bezogene Flächendichte der Grunddotierungsart seitlich vom Kontaktgebiet weg wenigstens einen Abfall von einem vorgebbaren Wert auf einen niedrigeren Wert aufweist und/ oder daß die auf die Substratoberfläche bezogene Flächendichte der entgegengesetzt zum Substrat dotierten Schicht seitlich vom Kontaktgebiet weg wenigstens einen Anstieg von einem vorgebbaren Wert auf einen höheren Wert aufweist.
    3. Informationsspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge kennzeichnet , daß das Xontaktgebiet aus einem entgegengesetzt zum Substrat dotierten Bereich im Substrat besteht, das an die Oberfläche des Substrates angrenzt, dessen Dotierung höher als die übrigen im Substrat vorhandenen Dotierungen ist und das an der Oberfläche des Substrates den ohmschen Anschlußkontakt aufweist.
    4. Informationsspeicher nach Anspruch 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet , daß das Substrat mit Ausnahme des Kontaktgebietes nur die Grunddotierungsart mit homogener Dotierung aufweist.
    5. Informationsspeicher nach Anspruch 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet , daß im Substrat eine zu deren Dotierung entgegengesetzt homogen dotierte Schicht vorgebbarer fester Schichtdicke vorhanden ist, die mindestens im oder in den Bereichen des oder der MIS-Kondensatoren an die Substratoberfläche und an das Kontaktgebiet angrenzt und daß das übrige Substrat mit Ausnahme des Kontaktgebietes homogene Grunddotierungsart aufweist. ;
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    6. Informationsspeicher nach Anspruch 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet , daß das Zahlenverhältnis £/d der elektrisch isolierenden Schicht im oder in den MIS-Kondensatoren überall den gleichen Wert aufweist.
    7. Informationsspeicher nach Anspruch 4 oder 5» dadurch gekennzeichnet , daß im oder dnden MIS-Kondensatoren E konstant ist.
    8. Informationsspeicher nach Anspruch 6, dadurch g e k e η η zeichnet , daß das Substrat mit Ausnahme des Kontaktgebietes nur die Grunddotierungsart aufweist.
    9. Informationsspeicher nach Anspruch 6, dadurch g e k e η η zeichnet , daß das Substrat außerhalb des Kontaktgebietes und der entgegengesetzt dazu dotierten Schicht homogen mit der Grunddotierungsart dotiert ist.
    10. Informationsspeicher nach Anspruch 7, dadurch g e k e η η zeichnet , daß die Schichtdicke entlang einer vorgebbaren Richtung vom Kontaktgebiet seitlich weg im oder in den MIS-Kondensatoren monoton entweder zunimmt oder abnimmt.
    11. Informationsspeicher nach Anspruch 8, dadurch g e k e η η zeichnet , daß das Substrat im Bereich des oder der MIS-Kondensatoren in zwei nebeneinanderliegende unterschiedlich homogen dotierte Hälften unterteilt ist, wobei nur die eine Hälfte an das Kontaktgebiet angrenzt und die Dotierung darin höher als in der anderen Hälfte ist.
    12. Informationsspeicher nach Anspruch 9, dadurch g e k e η η zeichnet , daß die entgegengesetzt zum Substrat dotierte Schicht in zwei unterschiedlich homogen dotierte Hälften unterteilt ist, wobei nur die schwächer dotierte Hälfte an das Kontaktgebiet angrenzt.
    13. Informationsspeicher nach Anspruch 9, dadurch g e k e η η
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    zeichnet , daß die entgegengesetzt zum Substrat dotierte Schicht homogen dotiert ist und in zwei unterschiedlich dicke Hälften unterteilt ist, wobei nur die dünnere Hälfte an das Kontaktgebiet angrenzt.
    14. Informationsspeicher nach Anspruch 9, dadurch g e k e η η zeichnet , daß die entgegengesetzt zum Substrat dotierte Schicht homogen dotiert ist und konstante Schichtdicke aufweist und daß sie in einem Abstand vom Kontaktgebiet weg angeordnet ist«
    15· Informationsspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet , daß mehrere Speicherelemente matrixförmig in Zeilen und Spalten auf gemeinsamem Substrat angeordnet sind, daß die Kontaktgebiete der einzelnen ' Elemente einer Spalte zu einer einzigen gemeinsamen Spaltenleitung in Form eines dotierten Streifens im Substrat, der einen ohmschen Anschlußkontakt aufweist und der an den Elementen an der Spalte vorbeigeführt ist, entartet ist, und daß die Elektroden der Elemente in einer Zeile zu einer einzigen Zeilenleitung in Form eines Streifens aus elektrisch leitendem Material, der auf elektrisch isolierender Schicht über alle Elemente einer Zeile hinweggeführt ist, entartet sind.
    16. Informationsspeicher nach Anspruch 15 und einem der Ansprüche
    9, 10, 11 oder 14, dadurch gekennzeichnet , daß die Schichtdicke der elektrisch isolierenden Schicht wenigstens unter der Zoilenloitung zwischen zwei benachbarten Elementen die größte Schichtdicke aufweist.
    17. Informationsspeicher nach Anspruch 15 und einem der Ansprüche 9, 10 oder 14, dadurch gekennzeichnet , daß mindestens unter der Zeilenleitung im Bereich zwischen zwei benachbarten Elementen das Substrat an der Oberfläche höher dotiert ist.
    18. Verfahren zum Betrieb eines Informationsspeichers nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet , daß
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    an den Substratanschluß eine Bezugsspannung angelegt wird, daß zum Einlesen von Information in das Speicherelement an die Elektrode eine Elektrodenspannung U bezüglich der Bezugsspannung angelegt wird, die eine Potentialmaxiraumdifferenz A M im MIS-Kondensatorbereich erzeugt und daß an das Kontaktgebiet eine Spannung angelegt wird, die entweder betragsmäßig größer oder kleiner als der Betrag des Minimalwertes ist, daß zum Speichern an das Kontaktgebiet eine Spannung angelegt wird, die betragsmäßig größer als der Betrag des Minimalwertes ist und daß zum Auslesen von Information die Elektrodenspannung so verändert wird, daß A M verkleinert wird, wobei dabei an das Kontaktgebiet eine Spannung angelegt wird, die betragsmäßig größer als der neue Minimalwert ist.
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DE19752543628 1975-09-30 1975-09-30 Informationsspeicher zum speichern von information in form von elektrischen ladungstraegern und verfahren zu seinem betrieb Granted DE2543628A1 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2912858A1 (de) * 1979-03-30 1980-10-09 Siemens Ag Niederohmige leitung

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2060997A (en) * 1978-01-03 1981-05-07 Erb D M Stratified charge memory divide
DE2842588A1 (de) * 1978-09-29 1980-04-17 Siemens Ag Hochintegrierbares, dynamisches speicherelement
JPS57157562A (en) * 1981-03-24 1982-09-29 Fujitsu Ltd Semiconductor memory

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2232765A1 (de) * 1971-07-06 1973-01-18 Ibm Monolithisch integrierbare speicherzelle und verwendung derselben zum aufbau eines datenspeichers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2232765A1 (de) * 1971-07-06 1973-01-18 Ibm Monolithisch integrierbare speicherzelle und verwendung derselben zum aufbau eines datenspeichers

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IEEE J. of Solid-State Circuits, Bd. 5c-8, 1973, Nr. 5, S. 319-323 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2912858A1 (de) * 1979-03-30 1980-10-09 Siemens Ag Niederohmige leitung

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