DE2539624A1

DE2539624A1 - Treiberschaltung fuer einen transistorverstaerker

Info

Publication number: DE2539624A1
Application number: DE19752539624
Authority: DE
Inventors: Kenji Yokoyama
Original assignee: Nippon Gakki Co Ltd
Current assignee: Nippon Gakki Co Ltd
Priority date: 1974-09-06
Filing date: 1975-09-05
Publication date: 1976-03-25
Also published as: JPS5810884B2; GB1525751A; NL7509954A; JPS5129853A

Description

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TELEGRAMMADRESSE: PATLAW MÖNCHEN

N-49-1O27O5

NIPPON GAKKI SEIZO KABUSHIKI KAISHA, 10-1 Nakazawa-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka-ken, Japan

Treiberschaltung für einen Transistorverstärker.

Die Erfindung bezieht sich auf einen Verstärker mit einer Treiberschaltung, wobei der Verstärker Feldeffekttransistoren oder bipolare Transistoren verwendet. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Treiberschaltung für einen Transistor in einem Verstärker der oben bezeichneten Art.

Es sei zunächst auf Fig. 1 verwiesen, wo ein Beispiel einer Treiberschaltung gemäß dem Stand der Technik dargestellt ist, und die in einem Gegentaktverstärker verwendet wird. Dieser bekannte Verstärker besteht aus folgenden Elementen: Einer Treiberschaltung bestehend aus einem Feldeffekttransistor Q1 einer n-Kanalbauart und einem FET-Q2 einer p-Kanalbauart,

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und einer Lexstungsverstarkungsschaltung, die als sogenannte komplementär symmetrische Gegentaktschaltung mit Eintaktausgang aufgebaut ist, und zwar unter Verwendung eines FET-Q3 der n-Kanalbauart und eines FET-Q4 der p-Kanalbauart. Diese FET-Qt und Q2 sind mit ihren Torelektroden gemeinsam an eine Eingangsklemme "IN" angelegt und ihre Senkenelektroden stehen mit einer positiven Spannungsversorgung +B bzw. einer negativen Spannungsversorgung -B in Verbindung, Die Quellenelektroden der FETs Q1 und Q2 sind über Widerstände R1 bzw. R2 mit den Torelektroden der FETs Q3 und Q4 bzw. den Spannungsversorgungen +B und -B verbunden. Die Senkenelektroden der FETs Q3 und Q4 liegen an den Spannungsversorgungen +B bzw. -B und ihre Quellenelektroden sind miteinander Ober Widerstände R3 und R4 mit einer Ausgangsklemme "OUT¹* verbunden.

Diese bekannte Treiberschaltung hat den Nachteil, daß ihr Ausgangssignal eine Wellenform besitzt, welches verglichen mit der Wellenform des Eingangssignals verzerrt ist. Wenn das an die Eingangsklemme IN angelegte Eingangssignal die in Fig. 2A gezeigte Wellenform besitzt, so haben die sich ergebenden Senkenströme der FETs Q3 und Q4 verzerrte Wellenformen, wie sie in den Fig. 2B und 2C dargestellt sind. Infolgedessen wird das an die Ausgangsklemme 0OT gelieferte Ausgangssignal in entsprechender Weise verzerrt', verglichen mit der Wellenform des Eingangssignals. Dies liegt an der Tatsache, daß während der Periode, in welcher die FETs Qi und Q2 im nicht leitenden Zustand gehalten werden, die Ausgangsimpedanz der Treiberschaltung, d.h. die !impedanzen zwischen den Quellenelektroden der FETs Q1 und Q2 und der Erde, viel größer sind verglichen mit denjenigen während der Periode, wo die FETs Q1 und Q2 im leitenden Zustand gehalten sind, und es liegt ferner daran, daß.wesentliche Streutorkapazitäten (hauptsächlich verursacht durch Innenkapazitäten zwischen dem Tor und den

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Quellenelektroden) der FETs Q3 bzw. Q4 vorhanden sind. Es dauert somit eine lange Zeit, bevor die Elektrizität entladen ist, welche die Streutorkapazität aufgeladen hat während der Periode, in welcher die FETs Q1 und Q2 im leitenden Zustand gehalten sind. Demgemäß wird die Abfallzeit\ des Ausgangssignals oder die Senkenströme der FETs Q3 und Q4 wesentlich länger werden als die Anstiegszeit, was eine verzerrte Wellenform für das Ausgangssignal zur Folge hat.

Die Erfindung bezweckt daher, einen Verstärker mit einer Treiberschaltung vorzusehen, wobei keinerlei Verzerrung der Wellenform des verstärkten Signals auftritt. Die Erfindung bezweckt ferner, eine Treiberschaltung für einen Transistor in einem Verstärker der oben beschriebenen Bauart anzugeben, und zwar in einem einfacheren Aufbau als obige Schaltung.

Zur Erreichung dieser Ziele sind insbesondere die in den Ansprüchen genannten Maßnahmen vorgesehen. Weitere Vorteile, Ziele und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen an Hand der Zeichnung; in der Zeichnung zeigt:

Fig. 1 eine elektrische Schaltung eines Verstärkers. einer bekannten Treiberschaltung;

Fig. 2A, 2B und 2 C Darstellungen: von: WellexLEorra^a^eßaa Eingangs-ist. signals bzw. der Senkenströme deir χιηγr^ferstürkeir Fig. 1 verwendeten.

Fig. 3 eine elektrische Schaltttrrgr ei erf indnngsge^sften. VeErsrtärtesrs?'

Fig. 4-10 elektrische Schaltungen weiterer Ausführungsbeispiele von erfindtingsgeafißen GegaesfcaSefeverstärkern.

ORIGINAL

6 098 I*/QTSSSr

-A-

Fig. 3 zeigt die Grundanordnung eines erfindungsgemäßen Verstärkers.

Komplementäre FETs, d.h. FET Q11 der n-Kanalbauart und FET Q12 der p-Kanalbauart, besitzen eine gemeinsame Verbindung an ihren Torelektroden zur Bildung der Eingangsklemme IN des Verstärkers. Die Senkenelektroden der FETs Q11 und Q12 sind mit einer positiven Spannungsversorgung +B1 bzw. einer negativen Spannungsversorgung -B1 verbunden und die Quellenelektroden dieser· FETs Q11 und Q12 sind miteinander über WiderständeR11 und R12 verbunden. Ein FET Q13 der n-Kanalbauart steht mit seiner Torelektrode mit dem Verbindungspunkt der Widerstände R11 und R12 in Verbindung, wobei dieser Verbindungspunkt die Ausgangsklemme einer aus FETs Q11 und Q12 bestehenden Treiberschaltung bildet. Die Senkenelektrode und die Quellenelektrode von FET Q13 stehen mit einer positiven Spannungsversorgung +B2 bzw. einer Ausgangsklemme OUT des Verstärkers in Verbindung, weichletztere über eine Last RL geerdet ist. Entsprechend den Bedingungen für die Schaltungskonstruktion kann eine einzige Spannungsversorgung gemeinsam als SpannungsVersorgungen +B1 und +B2 verwendet werden. Der FET Q13 bildet eine Leistungsverstärkungsschaltung des Verstärkers, der im B-Klassenbetrieb arbeitet.

Die Arbeitsweise des Verstärkers sei im Folgenden beschrieben. Nimmt man an, daß ein Eingangssignal beispielsweise gem. Fig. 2A an die Eingangsklemme . TN angelegt ist, so wird während einer positiven Halbwelle des Eingangssignals der FET Q11 "eingeschaltet" und der FET Q12 wird "ausgeschaltet", wohingegen während einer negativen Halbwelle der FET Q11 ausgeschaltet und der FET Q12 eingeschaltet ist. Das heißt entweder der FET Q11 oder der FET Q12 wird während eines vollständigen Zyklus des Eingangssignals im leitenden Zustand gehalten. Die Folge davon ist, daß die Ausgangsimpedanz der Treiberschaltung stets auf einem niedrigen Widerstandswert gehalten wird. Da diese niedrige Ausgangsimpedanz

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einen Ladekreis und einen Entladekreis, beide mit kleinen Zeitkonstanten, bildet, durch welche ein Ladestrom und ein Entladestrom der Streutorkapazität von FET Q13 fließt, so ist es möglich, die zur Ladung und Entladung der Streutorkapazität erforderliche Zeit zu verkürzen, d.h. es ist möglich, die Äbfallzeit und auch die Anstiegszeit des Senkenstroms von FET Q13 abzukürzen. Daher wird die Wellenformverzerrung des Ausgangssignals eliminiert. Es sei bemerkt, daß die FETs Q11 und Q13 der Fig. 3 durch npn-Bipolartransistoren ersetzt werden können, und daß der FET Q12 durch einen pnp-Bipolartransistor ersetzt werden kann, und zwar zusammen mit geeigneten BasisVorspannmitteln. Ein diese alternative Anordnung aufweisender Verstärker liefert ähnliche Funktionen, wie die Anordnung mit FETs.

Es seien im Folgenden einige Beispiele von Gegentaktverstärkern beschrieben, welche die vorliegende Erfindung verwenden.

Der Gegentaktverstärker gemäß Fig. 4 besteht aus folgenden Elementen: Einem Paar von Treiberschaltungen aus komplementären FETs Q21 und Q22 bzw. komplimentären FETs Q23 und Q24; eine Leistungsverstärkungsschaltung aus komplementären FETs Q25 und Q26 in einem komplementären symmetrischen Gegentaktaufbau mit Eintaktausgang.

Die Torelektroden der beiden FETs Q21 und Q22 bzw. der FETs Q23 und Q24 sind miteinder über Vorspannungsversorgungen E1 bzw. E2 mit einer gemeinsamen Eingangsquelle IN verbunden, die über einen Widerstand R27 des Verstärkers geerdet ist; die Senkenelektroden dieser FETs Q21, Q22, Q23 und Q24 sind mit einer positiven bzw. einer· negativen Spannungsversorgung +B1 bzw. -B1 verbunden. Die Torelektrode von FET Q25 steht mit dem Verbindungspunkt von Widerständen R21 und R22 in Verbindung und die Torelektrode von FET Q26 ist mit dem Verbindungspunkt der Widerstände R23 und R24 verbunden. Die Widerstände R21 und R22 verbinden

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die Quellenelektroden der FETs Q21 und Q22. Die Widerstände R23 und R24 verbinden die Quellenelektroden der FETs Q23 und Q24. Die Senkenelektroden der FETs Q25 und Q26 liegen an positiven bzw. negativen Spannungsversorgungen +B2 bzw. -B2, während die Quellenelektroden dieser FETs miteinander über Widerstände R25 und R26 verbunden sind, wobei deren Verbindungspunkt an der Ausgangsklemme OUT des Verstärkers liegt. Das Symbol RL stellt eine mit der Ausgangsklemme OUT verbundene Last dar. Entsprechend den Anforderungen der Schaltungskonstruktion kann als SpannungsVersorgungen +B1 und +B2 eine einzige Spannungsversorgung benutzt werden, und ebenfalls kann eine weitere einzige Spannungsversorgung als -B1 und -B2 verwendet werden.

Dieser Gegentaktverstärker arbeitet wie folgt. Während der positiven Halbwelle des an die Eingangsklemme IN angelegten Einganssignals werden die FETs Q21 und Q23 eingeschaltet, während die FETs Q22 und Q24 ausgeschaltet werden. Da eine positive Spannung von der Spannungsversorgung +B1 über FET Q21 an die Torelektrode von FET Q25 angelegt ist, erscheint in diesem Zustand an der Ausgangsklemme OUT eine positive Hälfte des Ausgangssignals. Ebenfalls wird in diesem Zustand die in der Streutorkapazität von FET Q26 gespeicherte Elektrizität oder Ladung über die niedrige Impedanz des leitenden FET Q23 entladen.

Andererseits spannt eine negative Hälfte eines an die Eingangs· klemme IN angelegten Eingangssignals die FETs Q22 und Q24 in den EIN-Zustand vor, und die FETs Q21 und Q23 in den AUS-Zustand. Das FET Q26 wird in EIN-Richtung vorgespannt, und zwar durch eine an seine Torelektrode angelegte negative Spannung von der Spannungsversorgung -B1 über das FET Q24, welches sich im leitenden Zustand befindet und das FET Q26 liefert an der Ausgangsklemme OUT ein negatives halbes Ausgangssignal. Gleichzeitig wird die in der Streutorkapazität von FET Q25 während der vorausgegangenen positiven Halbwelle des Eingangssignals gespeicherte Ladung schnell über die niedrige Impedanz des FET Q22, d.h. der

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Ausgangsimpedanz der Treiberschaltung, entladen. Infolgedessen werden die beiden Treiberschaltungen der FETs Q21 und Q22 und der FETs Q23 und Q24 geringe Ausgangs impedanz en während einer vollständigen Welle oder eines vollständigen Zyklusses des Eingangssignals haben, so daß sowohl die Ladezeit als auch die Entladezeit der Streutorkapazitäten der FETs Q25 und Q26 sehr kurz gemacht werden können. Auf diese Weise ist dieser Verstärker frei von Wellenverzerrungen.

Fig. 5 zeigt eine abgewandelte Ausbildung des Verstärkers gemäß Fig. 4. In diesem Verstärker sind die FETs Q21, Q22, Q23 und Q24 der Fig. 4 durch npn-Transistoren Tr21 und Tr23 bzw. durch pnp-Transistoren Tr22 und Tr24 ersetzt, und die Torelektroden der FETs Q25 und 026 stehen mit den Ausgangsklemmen der entsprechenden Treiberschaltungen in Verbindung. Ferner sind hier weitere Vorspannungsversorgungen E3 und E4 vorgesehen, die zwischen den Basiselektroden der Transistoren Tr21 und Tr22 und zwischen den Basiselektroden der Transistoren Tr23 und Tr24 liegen.

Wenn eine positive Hälfte eines Eingangssignals an die Eingangsklemme IN angelegt wird, so werden die Transistoren Tr21 und Tr23 leitend gemacht, und somit wird der FET Q25 angesteuert und liefert eine positive Hälfte eines Ausgangssignals an der Ausgangsklemme OUT. Während einer negativen Halbwelle des Eingangssignals werden andererseits die Transistoren Tr22 und Tr24 eingeschaltet, so daß der FET Q26 angesteuert wird und es erscheint demgemäß eine negative Hälfte eines Ausgangssignals an der Ausgangsklemme OUT. Die weitere Arbeitsweise dieses Verstärkers ist im wesentlichen die gleiche wie diejenige des in Fig. 4 gezeigten Verstärkers, so daß eine weitere Beschreibung hier entfallen kann.

In Fig. 6 ist ein abgewandeltes Ausführungsbeispiel des Verstärkers gemäß Fig. 5 dargestellt. Die Unterschiede zwischen den Verstärkern gemäß Fig. 6 und gemäß Fig. 5

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bestehen darin, daß die FETs Q25 und Q26 der Fig. 5 durch komplementär symmetrische,bipolare Transistoren Tr25 und Tr26 ersetzt sind, und daß die Art der Verbindungen der Vorspannungsversorgungen E1 und E2 mit den Basiselektroden der Transistoren Tr21 und Tr24 geändert ist.

Dieses Verstärkerausführungsbeispiel arbeitet im wesentlichen in der gleichen Weise wie der unter Bezugsnahme auf Fig. 5 beschriebene Verstärker.

Fig. 7 zeigt ein Beispiel einer konkreten Anordnung der in Verbindung mit Fig. 6 beschriebenen VorspannungsVersorgungen E3 und E4. Das Vorspannungsversorgungsnetzwerk besteht aus folgenden Elementen: Einer einen konstanten Strom liefernden Schaltung einschließlich eines pnp-Transistors Tr27, eines Widerstands R27 und einer Serienschaltung einer Vielzahl von Dioden .D1; eine weitere einen konstanten Strom liefernde Schaltung umfaßt einen npn-Transistor Tr29, einen Widerstand R31 und eine Serienschaltung aus einerVielzahl von Dioden D2; eine Lastschaltung umfaßt einen pnp-Transistor Tr28, Widerstände R28, R29 und R30 und einen Kondensator C1, und wobei diese Elemente zwischen die einen konstanten Strom liefernden Schaltungen geschaltet sind; eine weitere Lastschaltung aus einem npn-Transistor T30, Widerständen R31, R32 und R33 und einem Kondensator C2, wobei diese Elemente ebenfalls zwischen diese einen konstanten Strom liefernde Schaltungen geschaltet sind. Die in Serie geschalteten Diodenverbindungen D1 und D2 sind über einen gemeinsamen Widerstand R34'zwischen die Spannungsversorgungen +Bt und -B1 geschaltet.

Die Spannungsabfalle am Transistor Tr28 und am Transistor Tr30 werden als die Vorspannungen (E3 und E4) für die Transistoren Tr21 und Tr22 bzw. für die Transistoren Tr23 und Tr24 verwendet.

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Ein weiteres Ausführungsbeispiel eines gemäß der Erfindung ausgebildeten Gegentaktverstärkers ist in Fig. 8 gezeigt. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Kollektorelektroden der Transistoren Tr22 und Tr23 mit den Emitterelektroden der Transistoren Tr26 und Tr25 verbunden und die Kollektorelektroden der letztgenannten Transistoren Tr25 und Tr26 liegen an Spannungsversorgungen +B1 bzw. -B1. Die übrige Anordnung ist die gleiche wie beim Verstärker gemäß Fig. 6.

Diese Anordnung hat den Vorteil, daß die Transistoren Tr22 und Tr23 mit relativ geringer Durchbruchspannung verwendet werden können.

In Fig. 9 wird nunmehr ein erfindungsgemäßer vierstufiger, galvanisch gekoppelter Gegentaktverstärker beschrieben.

Die Leistungsstufe und die Treiberstufe dieses Verstärkers haben im wesentlichen die gleichen Anordnungen wie des Verstärkers gemäß Fig. 4 mit der Ausnahme, daß in erster Linie die Widerstände R50 bzw. R51 zwischen die Torelektroden der FETs Q25 bzw. Q26 und die Verbindungspunkte der beiden Widerstände R21 und R22 bzw. der Widerstände R23 und R24 geschaltet sind.

Die Vorspannungsversorgungen E1 und E2 zur Lieferung der Vorspannungen für die FETs Q21, Q22, Q23 und Q24 in der Treiberstufe bestehen aus den komplementären FETs Q31 und Q32, komplementären Transistoren Tr33 und Tr34, Dioden D31 und D32_f einem veränderbaren Widerstand VR1, einem Potentiometer VR2, Widerständen R52-R6O und Kondensatoren C50, C51 und C52. Der durch die Reihenschaltung der Transistoren Tr33 und Tr34 fließende Strom bleibt im wesentlichen konstant, so daß stabilisierte Vorspannungen an die Torelektroden von sowohl den FETs Q21 und Q22 bzw. den FETs Q23 und Q24 angelegt werden. Diese Vorspannungen können auch für optimale Betriebsbedingungen der FETs Q21-Q24 durch

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Einstellung des Potentiometers VR2 eingestellt werden.

Die Vor-Treiberstufe dieses Verstärkers umfaßt FETs Q35 und Q36, Widerstände R61-R64, eine Diode D33 und einen Kondensator C53. Die Senkenelektrode des FET Q35 steht direkt mit dem Gleitabgriff des Potentiometers VR2 in Verbindung, und ist in äquivalenter Weise direkt mit den Torelektroden der FETs Q21-Q24 gekoppelt, und zwar über die Kondensatoren C51 und C52 für das an Eingangsklemme IN des Verstärkers angelegte Eingangssignal(von einem Wechselstrom-Gesichtspunkt aus gesehen).

Die Eingangsstufe dieses Verstärkers ist mit Transistoren Tr37-Tr44, Widerständen R65-R7O, einem Kondensator C54 und einem Reostat (Regelwiderstand) VR3 bestückt. Die Transistoren Tr41 und Tr42 bilden eine Differentialverstärkerschaltung gemeinsam mit einer einen konstanten Strom liefernden Schaltung, die hauptsächlich aus den Transistoren Tr42 und Tr44 besteht. Die Eingangsklemme IN dieses Verstärkers ist über ein Netzwerk von Widerständen R71 und R72 mit der Basiselektrode des Transistors Tr41 verbunden, und die Basiselektrode des Transistors Tr42 und die Ausgangsklemme OUT dieses Verstärkers sind miteinander über ein Rückkopplungsnetzwerk aus Widerständen R73 und R74 gekoppelt.

Man erkennt ohne weiteres, daß dieser Verstärker das Eingangssignal ohne jegliche Wellenformverzerrung verstärken kann.

In Fig. 10 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines vierstufigen direkt gekoppelten (galvanisch gekoppelten) Gegentaktverstärker gezeigt, der aus einer Leistungsstufe, einer Treiberstufe,einer Vor-Treiberstufe und einer Eingangsstufe besteht.

Die Leistungsstufe und die Treiberstufe haben den in Verbindung mit Fig. 7 beschriebenen Aufbau. Die Vorspannungsversorgungen E1 und E2 zur Lieferung der Vorspannungen

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für die Basiselektroden der Transistoren Tr21 und Tr24 in der Treiberstufe haben folgenden Aufbau: Eine einen konstanten Strom liefernde Schaltung einschließlich eines Transistors Tr50, eine Diode D51, Widerstände R81, R82 und R83 und einen Kondensator C81; eine einen veränderbaren Gleichstromwiderstand aufweisende Schaltung bestehend aus einem Transistor Tr51, Widerständen R84 und R85, einem variablen Widerstand VR8 und Kondensatoren C3 und C82. Infolge des durch den Transistor Tr51 fließenden konstanten Strom wird ein Spannungsabfall zwischen dem Kollektor und den Emitterelektroden des Transistors Tr51 hervorgerufen, um als Vorspannung zu dienen. Der Wert dieser Vorspannung ist mittels des veränderbaren Widerstands VR8 einstellbar.

Ein Paar von Transistoren Tr52 und Tr53 bildet eine Differentialverstärkerschaltung als Vor-Treiberstufe zusammen mit Widerständen R86-R91 und Kondensatoren C83 und C84. In der Eingangsstufe bildet ein Paar von Transistoren Tr54 und Tr55 und ein Kondensator C85 eine Differentialverstärkerschaltung zusammen mit Widerständen R92 und R93, und ein Konstantstromkreis besteht aus Transistor Tr56, Widerständen R94 und R95 und einer Serienschaltung von Dioden D52. Dieser Differentialverstärker besitzt einen Vorspannungslieferkreis aus Widerständen R96, R97 und R98, Dioden D53 und D54 und einem Potentiometer VR9. Die Basiselektroden der Transistoren Tr54 und Tr55 sind mit einer Eingangsklemme IN über ein Netzwerk aus Widerständen R99 und R100 sowie Kondensatoren C86 und C87 bzw. einer Ausgangsklemme über ein Rückkopplungsnetzwerk aus Widerständen R101, R102 bzw. R103 und Kondensatoren C88 bzw. C89 gekoppelt. Die Symbole C9O-C93 bezeichnen Kondensatoren, die Symbole F1 und F2 sind Sicherungen zum Schutz der Ausgangstransistoren Tr25 und Tr26 gegenüber einem zu großen Strom, der durch diese fließen könnte.

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Claims

ANSPRÜCHE

Verstärkerschaltung mit einer Treiberstufe und einer Ausgangsstufe, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberstufe (beispielsweise Q11, Q12) einen ersten Transistor (beispielsweise Q11) und einen zweiten dazu komplementären Transistor (beispielsweise Q12) aufweist, wobei die beiden Transistoren mit ihren ersten Elektroden an einer gemeinsamen Eingangsklemme IN des Verstärkers liegen, wobei die zweiten Elektroden dieser Transistoren gemeinsam mit einem Ausgangspunkt dieser Treiberstufe verbunden sind, und wobei die dritten Elektroden dieser Transistoren an einer ersten Spannungsversorgung (+Bi)bzw. einer zweiten eine entgegengesetzte Polarität zur ersten Spannungsversorgung aufweisenden Spannungsversorgung (-B1) liegen, und wobei

die Ausgangsstufe (beispielsweise Q13) einen dritten Transistor (Q13) aufweist, dessen erste Elektrode mit dem Ausgangspunkt der Treiberstufe, dessen zweite Elektrode mit der Ausgangsklemme OUT des Verstärkers und dessen dritte Elektrode mit einer dritten Spannungsversorgung verbunden sind.
2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor ein Feldeffekttransistor (beispielsweise Q11) mit einem Kanal einer ersten Leitfähigkeitsart ist, und daß der zweite Transistor ein zweiter Feldeffekttransistor (beispielsweise Q12) mit einem Kanal einer zweiten Leitfähigkeitsart entgegengesetzt zur ersten Leitfähigkeitsart ist, und wobei beim ersten und zweiten Feldeffekttransistor die Torelektroden, Quellenelektroden und Senkenelektroden den ersten bzw. zweiten bzw. dritten Elektroden der erwähnten ersten bzw. zweiten Transistoren entsprechen.

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3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Transistor ein Feldeffekttransistor (Q13) ist, dessen Torelektrode bzw. Quellenelektrode bzw. Senkenelektrode der ersten bzw. zweiten bzw. dritten Elektrode des erwähnten dritten Transistors entspricht.
4. Verstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Feldeffekttransistor zur n-Kanal-Bauart gehört, der zweite Feldeffekttransistor zur p-Kanal-Bauart gehört,und daß die erste Spannungsversorgung eine positive und die zweite Spannungsversorgung eine negative Polarität besitzt.
5. Verstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Feldeffekttransistor zur n-Kanal-Bauart gehört und die dritte Spannungsversorgung eine positive Polarität besitzt.
6. Verstärker, insbesondere nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüqhe, gekennzeichnet durch: Eine erste Treiberstufenschaltung mit einem ersten und einem zum ersten komplementären zweiten Transistor, wobei die ersten Elektroden der beiden Transistoren gemeinsam mit einem Eingangspunkt der ersten Treiberstufenschaltung verbunden sind, wobei die zweiten Elektroden der genannten Transistoren gemeinsam an einem Ausgangspunkt der ersten Treiberstufenschaltung liegen, und wobei die dritten Elektroden der genannten Transistoren mit einer ersten Spannungsversorgung bzw. einer zweiten Spannungsversorgung verbunden sind, welchletztere eine entgegengesetzte Polarität zur ersten Spannungsversorgung besitzt,

eine zweite,einen dritten und vierten Transistor aufweisende TreiberStufenschaltung, wobei die ersten Elektroden der dritten und vierten Transistoren gemeinsam an einem Eingangspunkt dieser zweiten Treiberstufenschaltung liegen, wobei die zweiten Elektroden gemeinsam an einem Ausgangspunkt dieser zweiten Treiberstufenschaltung liegen, und wobei die dritten Elektroden

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mit der erwähnten ersten Spannungsversorgung bzw. der erwähnten zweiten Spannungsversorgung in Verbindung stehen,

eine Ausgangsstufenschaltung, die einen fünften Transistor und einen zum fünften Transistor komplementären sechsten Transistor aufweist, wobei diese beiden Transistoren mit ihren ersten Elektroden mit den entsprechenden Ausgangspunkten der ersten bzw. zweiten Treiberstufenschaltungen verbunden sind, und wobei ihre zweiten Elektroden gemeinsam an einer Ausgangsklemme des Verstärkers liegen, und wobei ihre dritten Elektroden in entsprechender Weise mit einer dritten Spannungsversorgung bzw. einer vierten Spannungsversorgung von entgegengesetzter Polarität zur dritten Spannungsversorgung in Verbindung stehen,

und wobei eine Eingangsklemme des Verstärkers mit den Eingangspunkten von sowohl den ersten und zweiten TreiberStufenschaltungen in Verbindung steht.
7. Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und dritten Spannungsversorgungen aus einer einzigen gemeinsamen Spannungsversorgung bestehen, und daß die zweiten und vierten Spannungsversorgungen aus einer weiteren einzigen gemeinsamen Spannungsversorgung bestehen.
8. Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der dritte Transistor ein erster bzw. dritter Feldeffekttransistor sind, von denen jeder einen Kanal mit einer ersten Leitfähigkeitsart besitzt, und wobei der zweite Transistor und der vierte Transistor zweite und vierte Feldeffekttransistoren sind, von denen jeder einen Kanal mit einer zweiten Leitfähigkeitsart entgegengesetzt zur ersten Leitfähigkeitsart aufweist, und wobei die genannten vier Feldeffekttransistoren sämtlich mit ihren Torelektroden bzw. Quellenelektroden

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bzw. Senkenelektroden, den ersten bzw. zweiten bzw. dritten Elektroden der erwähnten ersten, zweiten, dritten und vierten Transistoren entsprechen.
9. Verstärker nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der fünfte und sechste Transistor Feldeffekttransistoren sind, wobei der sechste Feldeffekttransistor komplementär zum fünften Feldeffekttransistor ausgebildet ist, und wobei die fünften und sechsten Feldeffekttransistoren jeweils mit ihren Torelektroden, Quellenelektroden und Senkenelektroden den entsprechenden ersten, zweiten und dritten Elektroden der fünften und sechsten Transistoren entsprechen.
10. Verstärker nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten, dritten und fünften Feldeffekttransistoren zur n-Kanal-Bauart gehören, daß die zweiten, vierten und sechsten Feldeffekttransistoren zur p-Kanal-Bauart gehören, daß die ersten und dritten Spannungsversorgungen beide positive Polarität haben, und daß die zweiten und vierten Spannungsversorgungen beide negative Polarität besitzen.
11. Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor und der dritte Transistor ein erster •bipolarer Transistor und ein dritter bipolarer Transistor sind, wobei der zweite Transistor und der vierte Transistor ein zweiter bipolarer Transistor und ein vierter bipolarer Transistor sind, die komplementär zu den ersten und dritten bipolaren Transistoren sind, und wobei schließlich der fünfte und sechste Transistor ein fünfter bipolarer Transistor und ein sechster bipolarer Transistor komplementär zum fünften bipolaren Transistor sind.

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12. Verstärker nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten, dritten und fünften bipolaren Transistoren zur npn-Bauart gehören, daß der zweite, vierte und sechste bipolare Transistor zur pnp-Bauart gehört, daß die erste und dritte Spannungsversorgung beide positive Polarität haben, und daß die zweiten und vierten Spannungsversorgungen beide negative Polarität besitzen.
13. Verstärker nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine erste Vorspannungsversorgung zum negativen Vorspannen der Torelektroden des ersten und zweiten Feldeffekttransistors bezüglich der Eingangsklemme des Verstärkers, und eine zweite Vorspannungsversorgung zur positiven Vorspannung der Torelektroden des dritten und vierten Feldeffekttransistors bezüglich der Eingangsklemme des Verstärkers.
14. Verstärker nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch eine erste Vorspannungsversorgung zur positiven Vorspannung der Basiselektrode des ersten bipolaren Transistors bezüglich der Eingangsklemme des Verstärkers, eine zweite Vorspannungsversorgung zur negativen Vorspannung der Basiselektrode des vierten bipolaren Transistors bezüglich der Eingangsklemme des Verstärkers, eine dritte Vorspannungsversorgung zur negativen Vorspannung der Basiselektrode des zweiten bipolaren Transistors bezüglich der Basiselektrode des ersten bipolaren Transistors,

und eine vierte Vorspannungsversorgung zur positiven Vorspannung der Basiselektroden des dritten bipolaren Transistors bezüglich der Basiselektrode des vierten bipolaren Transistors.

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15. Verstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor und der dritte Transistor ein erster bipolarer Transistor und ein dritter bipolarer Transistor sind, daß der zweite Transistor und der vierte Transistor ein zweiter bipolarer Transistor und ein vierter bipolarer Transistor sind, die jeweils komplementär zum ersten und dritten bipolaren Transistor sind, und wobei ferner bei den genannten vier bipolaren Transistoren die Basiselektroden, die Emitterelektroden und die Kollektorelektroden jeweils den entsprechenden ersten, zweiten und dritten Elektroden der ersten, zweiten, dritten und vierten Transistoren entsprechen.
16. Verstärker nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der fünfte und sechste Transistor Feldeffekttransistoren sind, und daß ein sechster Feldeffekttransistor komplementär zum fünften Feldeffekttransistor ausgebildet ist, wobei beim fünften und sechsten Feldeffektransistor jeweils die Torelektroden, Quellenelektroden und Senkenelektroden den entsprechenden ersten, zweiten und dritten Elektroden der fünften und sechsten Transistoren entsprechen.
17. Verstärker nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und dritten bipolaren Transistoren zur npn-Bauart gehören, daß die zweiten und vierten bipolaren Transistoren zur pnp-Bauart gehören, daß der fünfte Feldeffekttransistor zur n-Kanal-Bauart gehört, und daß der sechste Feldeffekttransistor zur p-Kanalbauart gehört, und wobei die ersten und dritten Spannungsversorgungen beide positive Polarität und die zweiten und vierten SpannungsVersorgungen beide negative Polarität besitzen.

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- Io ~
18. Verstärker nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch eine erste Vorspannungsversorgung zur negativen Vorspannung der Basiselektrode des ersten bipolaren Transistors bezüglich der Eingangsklemme des Verstärkers, eine zweite Vorspannungsversorgung zur positiven Vorspannung der Basiselektrode des vierten bipolaren Transistors bezüglich der Eingangsklemme des Verstärkers, eine dritte Vorspannungsversorgung zur negativen Vorspannung der Basiselektrode des zweiten bipolaren Transistors bezüglich der Basiselektrode des ersten bipolaren Transistors und eine vierte Vorspannungsversorgung zur positiven Vorspannung der Basiselektrode des dritten bipolaren Transistors bezüglich der Basiselektrode des vierten bipolaren Transistors.
19. Verstärker nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine erste TreiberStufenschaltung mit einem ersten bipolaren Transistor und einem zweiten bipolaren, zum ersten bipolaren Transistor komplementären Transistor, wobei die Basiselektroden der beiden bipolaren Transistoren gemeinsam mit einer Eingangsklemme des Verstärkers verbunden sind, während die Emitterelektroden gemeinsam an einem Ausgangspunkt dieser Treiberstufenschaltung liegen, und wobei Kollektorelektroden vorgesehen sind,

eine zweite Treiberstufenschaltung mit einem dritten bipolaren Transistor und einem vierten,zum dritten komplementären bipolaren Transistor, wobei der dritte und vierte bipolare Transistor mit ihren Basiselektroden gemeinsam mit der Eingangsklemme des Verstärkers in Verbindung stehen, während die Emitterelektroden gemeinsam am Ausgangspunkt dieser zweiten Treiberstufenschaltung liegen, und wobei Kollektorelektroden vorgesehen sind,

eine Ausgangsstufenschaltung einschließlich eines fünften bipolaren Transistors und eines komplementär zum fünften Transistor ausgebildeten sechsten bipolaren Transistors,

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wobei die fünften und sechsten bipolaren Transistoren beide mit ihren Basiselektroden mit dem Ausgangspunkt der ersten Treiberstufenschaltung bzw. dem Ausgangspunkt der zweiten Treiberstufenschaltung in Verbindung stehen, und wobei die Emitterelektroden gemeinsam an einer Ausgangsklemme des Verstärkers liegen und Kollektorelektroden vorgesehen sind,

eine erste Spannungsversorgung, die mit den Kollektorelektroden der beiden erwähnten ersten und fünften bipolaren Transistoren verbunden ist, und eine zweite Spannungsversorgung mit entgegengesetzter Polarität zur ersten Spannungsversorgung, wobei diese zweite Spannungsversorgung mit den Kollektorelektroden der beiden vierten und sechsten bipolaren Transistoren in Verbindung steht, und wobei die Kollektorelektrode des erwähnten zweiten bipolaren Transistors mit.der erwähnten Emitterelekrode des fünften bipolaren Transistors verbunden ist, und wobei die Kollektorelektrode des vierten bipolaren Transistors an der Emitterelektrode des sechsten bipolaren Transistors liegt.

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