DE2527597C3 - Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine eindimensic m\e optoelektronische Abtastvorrichtung, bei der at einer elektrisch isolierenden UnterInge wenigstens en wenig! ens während des Betriebes seitlich gegen sein UnXing für die Informationsladungsträger elektnsc Arier als Sensor dienender Streifen aus dotiert«

lalbleitermaterial aufgebracht ist, der wenigstens eine ichtdurchlässige elektrisch isolierende Schicht trägt, auf ter wenigstens in Abständen Elektroden aufgebracht lind, die elektrisch leitend miteinander verbunden sind, jei der wenigstens an einer Streifenlängsseite Sensor- S jusgänge zum parallelen Auslesen der im Streifen unter den Elektroden gespeicherten, von Licht erzeugten Information vorhanden sind, bei der wenigstens ein parallel einlesbares Datenschieberegister mit Paralleleingängen vorhanden ist und bei der jeder Sensorausgang über je einen für die Informationsladungsträger leitenden Kanal, in dem ein elektronischer Schalter angeordnet ist, mit genau einem Paralleleingang des Datenschieberegisters verbunden ist

Eindimensionale Abtastvorrichtungen der eingangs genannten Art sind bekannt Beispielsweide wird eine solche eindimensionale Abtastvorrichtung in der Veröffentlichung »Charge-Coupled Device Scanner Having Simultaneous Readout, Optical Scan And Data Rate Enhancement« von W.F. Bankowski und J. D. ίο Tartamella in IBM Technical Disclosure Bulletin Vol. 16, Nr. 1, Juni 1973, S. 173 bis 174 beschrieben. Allgemein müssen bei Sensoren Schutzmaßnahmen gegen Überbelichten vorgenommen werden. Zu starke Belichtung eines Sensors führt nämlich dazu, daß mehr Ladungsträger erzeugt werden als unter den Sensorelektroden festgehalten werden können.

Diese zuviel erzeugten Ladungsträger breiten sich im Substrat aus und führen bei den Nachbarsensoren zur Informationsverfälschung. In der Veröffentlichung »Blooming Suppression in Charge Coupled Area Imaging Devices« von C. H. S e q u i η in BSTJ, Oktober 1972, S. 1923 bis 1926 wird eine Schutzmaßnahme für Sensoren angegeben. Dort werden in einem seitlich entlang der Sensoren geführten, dotierten Überlaufkanal die zuviel erzeugten Ladungsträger gesammelt und abgeführt. Bei Abtastvorrichtungen der eingangs genannten Art ist die Verwendung eines Überlaufkanals jedoch nur möglich, wenn nur ein Schieberegister an einer Streifenlängsseite des Sensors angeschlossen ist. Der Überlaufkanal kann dann entlang der anderen Streifenlängsseite angeordnet werden. Im Hinblick auf eine hohe Auflösung des Sensors ist es jedoch von Vorteil, wenn an beiden Längsseiten des Sensors Schieberegister angeschlossen sind, so wie es in der erstgenannten Veröffentlichung auf Seite 173 in der F i g. 1 dargestellt ist. In diesem Fall ist die Verwendung eines Überlaufkanals nicht möglich.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Abtastvorrichtung der eingangs genannten Art anzugeben, bei der die bei Überbelichtung zuviel erzeugten Ladungsträger ohne Verwendung eines Überlaufkanals abgeführt werden können.

Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß zwischen die Sensorausgänge und die elektronischen Schalter ein parallel ein- und auslesbares Überlauf-Schieberegister geschaltet ist, welches an jedem Speicherplatz einen Paralleleingang und einen Parallelausgang aufweist und bei dem zwischen diesen Speicherplätzen wenigstens ein Zwischenspeicherplatz vorhanden ist und daß jeder Sensorausgang über einen, für die Informationsladungsträger leitenden Kanal, in dem ein elektronischer Schwellwertschalter mit steuerbarem Schweiiwert angeordnet ist, mit genau einem dieser Paralleleingänge und jeder dieser Parallelausgänge über den für die Informationsladungsträger leitenden Kanal, in dem der elektronische Schalter angeordnet ist, mit genau einem der Paralleleingänge des Datenschieberegisters verbünden ist

Verteilhaft ist es dabei, wenn das Überlauf-Schieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung besteht

Vorteilhaft und zweckmäßig ist es dabei, wenn das Überlauf-Schieberegister aus einer laöüngsgekoppelten Übertragungsvorrichtung für Zwei-Phasen-Betrieb besteht, welche dadurch gebildet ist daß auf der elektrisch isolierenden Unterlage wenigstens ein zweiter Streifen aus dem dotierten Halbleitermaterial aufgebracht ist, der mindestens eine elektrisch isolierende Schicht trägt, auf oder entlang der Streifenlängsrichtung wenigstens eine Reihe von durch Spalte voneinander getrennte Elektroden aufgebracht ist, wobei die Elektroden der Reihe nach abwechselnd auf dünnerer und dickerer elektrisch isolierender Schicht liegen und daß unter jeder übernächsten der Elektroden in der Reihe, die auf dünnerer elektrischer isolierender Schicht liegen, jeweils einer der Paralleleingänge und Parallelausgänge vorhanden sind.

Für den Fall, daß das Datenschieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung besteht, ist es von Vorteil, wenn es höchstens bis auf die Parallelausgänge einen zum Überlauf-Schieberegister identischen Aufbau aufweist

Vorteilhafterweise ist dabei die Abtastvorrichtung so aufgebaut, daß die Sensorausgänge, die Parallelein- und Parallelausgänge der Schieberegister und die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen diesen dadurch gebildet sind, daß die Streifen aus dem dotierten Halbleitermaterial wenigstens an den entsprechenden Stellen durch Leitungen aus dem dotierten Halbleitermaterial miteinander verbunden sind, daß sämtliche elektronischen Schalter dadurch gebildet sind, daß quer über die Leitungen zwischen Datenschieberegister und Überlauf-Schieberegister ein von diesen durch mindestens eine elektrisch isolierende Schicht getrennter erster Elektrodenstreifen mit einem Anschluß zum Anlegen eines Schaltimpulses gelegt ist und daß sämtliche Schwellwertschalter dadurch gebildet sind, daß quer über die Leitungen zwischen Überlauf-Schieberegister und Sensor, ebenfalls von diesen durch mindestens eine elektrisch isolierende Schicht getrennt, ein zweiter Elektrodenstreifen mit einem Anschluß zum Anlegen von Schwellspannungen gelegt ist.

Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung gehen aus weiteren Unteransprüche τ hervor.

Die erfindungsgemäße Abtastvorrichtung hat den Vorteil, daß die bei Überbelichtung zuviel erzeugten Ladungsträger auch bei zu beiden Seiten des Sensors angeordneten Datenschieberegistern abgeführt werden können. Die Abtastvorrichtung kann außerdem so hergestellt werden, daß keine zusätzlichen Verfahrensschritte gegenüber herkömmlichen Abtastvorrichtungen notwendig sind.

Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels in den Figuren näher erläutert.

F i g. 1 zeigt in Draufsicht ein Ausführungsbeispiel einer Abtastvorrichtung;

F i g. 2 zeigt einen Querschnitt längs der Schnittlinie I-I in der F i g. 1 und unter den Elektroden den örtlichen Verlauf des Oberflächenpotentials bei verschiedenen Betriebsbedingungen;

F i g. 3 zeigt acht Impulsdiagramme über die Zeit t;

F i g. 4 zeigt einen Querschnitt entlang der Schnittlinie H-H in der F i g. 1 und unter den Elektroden den örtlichen Verlauf des Oberflächenpotentials zu zwei verschiedenen Zeitpunkten.

In der F i g. 1 ist in Draufsicht ein Ausführungsbeispiel einer Abtastvorrichtung, hergestellt in einer Al-Si-Gate-Technologie, dargestellt. Der Sensor befindet sich im langgestrichelt umrahmten Bereich 1. Der langgestrichelt umrahmte Bereich 2 bildet das Überlauf-Schieberegister und der langgestrichelt umrahmte Bereich 3 das Datenschieberegister. Der Sensor ist dadurch gebildet, daß die lichtdurchlässige elektrisch isolierende Schicht Bereiche 11 bis 16 aufweist, in denen die Schichtdicke dieser elektrisch isolierenden Schicht kleiner ist als außerhalb. Darüber ist ein Streifen 10 aus Polysilizium geführt. Das Überlauf-Schieberegister und das Datenschieberegister sind aus ladungsgekoppelten Übertragungsanordnungen für Zwei-Phasen-Betrieb gebildet. Dazu sind über dem jeweiligen Übertragungskanal zunächst die Elektroden 22 und 24 bzw. 32 und 34, die aus Polysilizium bestehen, auf der elektrisch isolierenden Schicht aufgebracht Über den Zwischenräumen dieser Elektroden und über diesen Elektroden selbst sind Aluminiumelektroden 21 und 23 bzw. 31 und 33 auf dickerer elektrisch isolierender Schicht aufgebracht. Die jeweiligen Elektroden 21, 22, 23 und 24 sind durch entsprechende elektrische Leitungen 211, 221, 231 und 241 elektrischleitend miteinander verbunden. Dabei besteht die Leitung 221 aus Polysilizium, während die übrigen Leitungen aus Aluminium bestehen. Die aus Polysilizium bestehenden Leitungen 24 sind in diesem Ausführungsbeispiel über Kontaktlöcher 242 mit der elektrischen Leitung 241 verbunden. Dies ist hier lediglich aus Designgründen so durchgeführt. Jede andere Lösung, die den Betriebsablauf beim Betrieb nicht stört, ist hier zulässig. Entsprechend sind die Elektroden 31,32,33 und 34 des Datenschieberegisters durch die elektrischen Leitungen 311,321, 331 und 341 miteinander verbunden. Dabei sind die aus Polysilizium bestehenden Elektroden 32 und 34 durch Polysiliziumleitungen 321 und 341 und die aus Aluminium bestehenden Elektroden 31 und 33 durch die Aluminiumleitungen 311 und 331 verbunden. Die gesamte Anordnung in der F i g. 1 ist auf gemeinsamem dotierten Substrat, das eine zusammenhängende elektrisch isolierende Schicht trägt, die wenigstens im Sensorbereich lichtdurchlässig ist, aufgebracht. Die elektrisch isolierende Schicht weist innerhalb des durch die durchgezogene Linie 6 umrahmten Bereiches eine dünnere Schichtdicke auf als außerhalb. Dieser Bereich enthält auch die Bereiche 11 bis 16 des Sensors, die dessen eigentliche Elektrodenbereiche bilden. Die Elektroden 22 des Überlauf-Schieberegisters sind aus Platzgründen bis fast an diese Sensorelektroden herangeführt. Aus demselben Grund sind sie auf der anderen Seite bis fast an die Elektroden 32 des Datenschieberegisters herangeführt. Die Elektroden des Datenschieberegisters sind ebenfalls aus Platzgründen verlängert ausgeführt. Die Zwischenräume zwischen den Elektroden 11,13 und 15 und den Elektroden 22, sind durch eine streifenförmig ausgebildete Elektrode 4 überdeckt, die von den Polysiliziumelektruden 10 und 22 durch eine elektrisch isolierende Schicht getrennt ist. Ebenso sind die Zwischenräume zwischen den Elektroden 22 und 32 durch eine zweite streifenförmig ausgebildete Elektrode 5 überdeckt, die von den Elektroden ebenfalls durch eine elektrisch isolierende Schicht getrennt ist. Diese beiden Elektroden 4 und 5 sind im Ausführungsbeispiel aus Aluminium hergestellt. Die gesamte Anordnung kann auch so hergestellt werden, daß wenigstens außerhalb des Sensorbereiches 1 nur der durch die durchgezogene Linie 6 umrahmte Bereich dotiertes Halbleitermaterial enthält. Auf unterschiedliche Schichtdicke der elektrisch isolierenden Schicht kann dann wenigstens außerhalb des Sensorbereiches verzichtet werden. Zur Erhöhung der Auflösung des Sensors sind nur mit Elektroden 11, 13 und 15 an die Schieberegister angeschlossen. Die Elektroden 12,14 und 16 sind auf der anderen Seite des Sensors in derselben Weise an eine zu der gezeichneten Anordnung identische Anordnung angeschlossen. Da

ίο das Überlauf-Schieberegister zwischen zwei Speicherplätzen mindestens einen Zwischenspeicherplatz aufweisen muß, kann, um dies zu gewährleisten, nur jede vierte Elektrode des Registers 2 in F i g. 1 an ein Sensorelement angeschlossen werden. Dadurch gibt das Schieberegister einen Minimalabstand zwischen den Sensorelektroden vor. Die Auflösung des Sensors kann verdoppelt werden, wenn man jeweils zwischen zwei auf einer Seite angeschlossenen Sensorelektroden eine weitere Sensorelektrode vorsieht, die auf der anderen

ao Sensorseite an eine zur ersteren Anordnung identischen Anordnung angeschlossen ist.

In der F i g. 2 ist ein Querschnitt durch die in F i g. 1 dargestellte Anordnung längs der Schnittlinie I-l schematisch dargestellt. Auf einem Substrat 20 aus

2j dotiertem Halbleitermaterial, beispielsweise p-dotiertes Silizium, mit einem Substratanschluß 201, ist eine lichtdurchlässige, elektrisch isolierende Schicht 26, beispielsweise aus Siliziumdioxid aufgebracht. Diese elektrisch isolierende Schicht ist innerhalb der Begrenzungslinien 6 in F i g. 1 dünner als außerhalb. Auf diese elektrisch isolierende Schicht ist die Sensorelektrode 10, eine Elektrode 22 des Überlauf-Schieberegisters und eine Elektrode 32 des Datensdiieberegisters aufgebracht. Auf diese Elektroden ist eine zweite lichtdurchlässige, elektrisch isolierende Schicht 27 beispielsweise ebenfalls aus SiCh aufgebracht, die über dem Zwischenraum zwischen der Elektrode 10 und der Elektrode 22 die streifenförmige Elektrode 4 und über dem Zwischenraum zwischen der Elektrode 22 und der Elektrode 32 die streifenförmige Elektrode 5 trägt. In der Fig.2 ist im Substrat jeweils der Verlauf des Oberflächenpotentials bei verschiedenen Betriebsbedingungen gezeichnet. Die Kurve 28 gibt den Verlauf des Oberflächenpotentials während der Belichtung des Sensors an. Während der Belichtung wird durch Anlegen einer entsprechenden Spannung an die Sensorelektrode 10 unter dem Elektrodenbereich 15 eine Potentialmulde für die Informationsladungsträger erzeugt, in der die durch Licht erzeugten Ladungsträger gespeichert werden. An die Elektrode 4 wird während dieser Zeit eine betragsmäßig kleinere Spannung als an die Sensorelektrode angelegt. Sämtliche Elektroden des Überlauf-Schieberegisters werden durch eine Gleichspannung, die betragsmäßig größer als die an dei

Elektrode 4 während der Belichtungszeit liegend« Spannung ist, vorgespannt. Dadurch ist unter de: Elektrode 4 eine kleine Potentialschwelle für di< Informationsladungsträger vorhanden. An die Elektro de 5 wird während der Belichtungszeit keine Spannunj oder eine negative Spannung bei p-dotiertem Substra bzw. eine positive Spannung bei η-dotiertem Substra angelegt Zuviel im Sensor erzeugte Ladung kann übe die Potentialschwelle unter der Elektrode 4 unter di Elektrode 22 des Überlauf-Schieberegisters fließen un abgeführt werden. Die hohe Potentialschwelle unter de Elektrode 5 verhindert dabei das Weiterfließen d< Ladung in das Datenschieberegister. Die Kurve 29 gil den Potentialverlauf beim Auslesen an. Beim Auslese

des Sensors muß die darunter gespeicherte Ladung über den Kanal des Überlauf-Schieberegisters hinweg in das Datenschieberegister gebracht werden. Dazu ist es notwendig, daß das Oberflächenpotential bei p-dotiertem Substrat vom Sensor zum Datenschieberegister hin zunimmt bzw. bei η-dotiertem Substrat vom Sensor zum Datenschieberegister hin abnimmt. Dies erreicht man dadurch, daß an die Sensorelektrode 10 beispielsweise die Spannung 0 anliegt, die Elektrode 4 eine Spannung, die zwischen der Spannung 0 und der Gleichspannung an Elektrode 22 liegt, anlegt, daß man die Elektroden des Datenschieberegisters mit einer Gleichspannung vorspannt, die betragsmäßig größer ist als die Vorspannung an den Elektroden des Überlauf-Schieberegisters ist und daß an die Elektrode 5 eine Spannung angelegt, die zwischen den beiden Vorspannungen liegt. Die strichpunktierte Kurve 29 gibt den Verlauf des Oberflächenpotentials während des Auslesens an. Während des Auslesens des Sensors dürfen sich in der Speicherzelle des Überlauf-Schieberegisters über die die Informationsladungsträger in das Datenschieberegister fließen, keine Überschußladungen befinden, die die Information verfälschen. Das Überlauf-Schieberegister benötigt daher allgemein zwischen den Speicherplätzen, über die die Informationsladungsträger in das Datenschieberegister fließen, wenigstens einen Zwischenspeicherplatz, in dem die Überschußladung während des Auslesens gespeichert werden kann. In dem in F i g. 1 angegebenen Überlauf-Schieberegister sind solche Zwischenspeicherplätze unter den Elektroden 24 zu gewissen Zeitpunkten vorhanden. Es ist dann lediglich darauf zu achten, daß zu solchen Zeitpunkten ausgelesen wird. Zweckmäßig ist es dabei, wenn man während des Auslesens wenigstens die Taktimpulse für die Elektroden 21 unterbricht.

In der Fig. 3 ist in acht Impulsdiagrammen über die Zeit I ein Impulsfahrplan für den Betrieb der Abtastvorrichtung dargestellt. Es ist dabei p-dotiertes Substrat vorausgesetzt. Im Diagramm I sind die Taktimpulse für die Elektroden 23 und 24 dargestellt. Sie sind einer Gleichspannung U\ überlagert. Die Diagramme Il und UI zeigen einzeln die Taktimpulse für die Elektroden 21 und 22. Sie sind ebenfalls einer Gleichspannung U\ überlagert. Die Impulse des Diagramms I sind gegenüber denen der Diagramme Il und IU um eine Impulsbreite nach rechts phasenverschoben. Im Diagramm IV sind die Taktimpulse für die Elektroden 33 und 34 und im Diagramm V die Taktimpulse für die Elektroden 31 und 32 des Datenschieberegisters dargestellt. Diese Impulse sind einer Gleichspannung Ui überlagert, die größer als die Gleichspannung Ui, beispielsweise doppelt so groß ist. Die Impulse des Diagramms IV sind gegenüber denen des Diagramms V um eine Impulsbreite nach rechts phasenverschoben. Diagramm Vl gibt die an die Sensorelektrode 10 anzulegenden Spannungen an. Die Diagramme VIl und VIII geben die an die Elektrode 4 und die Elektrode 5 anzulegenden Spannungen an. Zum Zeitpunkt Ti seien die Ladungen der Sensoren parallel in das Datenschieberegister transportiert worden. Besitzt der Fotosensor N Elemente, so wird mit N Takten 7' die Information seriell ausgelesen. Mit Beginn des Taktes N + 1 werden die Ladungen unter den Sensoren wieder über das Überlauf-Schieberegister

ίο hinweg in das Datenregister verschoben. Dazu werden während der Übertragungszeit vom Zeitpunkt Tn₊ι bis zum nächstfolgenden Zeitpunkt Ti die Taktimpulse unterbrochen. An die Elektroden 21, 23 und 24 des Überlauf-Schieberegisters werden in dieser Zeit die Gleichspannung U\ und an die Elektroden 22 die maximale Taktspannung angelegt. An die Elektroden 33 und 34 des Datenschieberegisters wird während dieser Zeit die Spannung Ui und an die Elektroden 31 und 32 die maximale Taktspannung angelegt. An die Sensorelektrode 10 wird die Spannung 0 Volt, an die Elektrode 4 eine Spannung Ua, die zwischen der Gleichspannung U\ und der maximalen Taktspannung für die Elektroden des Überlauf-Schieberegisters liegt und an die Elektrode 5 eine Spannung (A die zwischen den maximalen

Taktspannungen für die Elektroden des Überlauf- und Datenschieberegisters liegt. Während des Ausschiebens der information aus dem Dalenschieberegister, also zwischen den Zeitpunkten 7Ί und dem nächstfolgenden Zeitpunkt Tn+ \ wird an die Sensorelektrode 10 eine

positive Spannung Ui angelegt, während an die Elektrode 4 eine kleinere positive Spannung U'a angelegt wird. An die Elektrode 5 wird die Spannung 0 oder sogar eine negative Spannung angelegt. Sämtliche angegebenen Spannungen beziehen sich auf ein

Bezugspotential, auf welches der Substratanschluß 201 gelegt ist.

In der Fig. 4 ist ein Querschnitt durch das Überlauf-Schieberegister der in Fig. 1 dargestellten Abtastvorrichtung entlang der Schnittlinie II-1I darge-

stellt. Auf dem Substrat 20 befindet sich die elektrisch isolierende Schicht 26, auf der die Elektroden 22 und 24 aufgebracht sind. Diese Elektroden sind mit der elektrisch isolierenden Schicht 27 überzogen, die die Elektroden 21 und 23 trägt. Die gestrichelt gezeichnete Kurve 40 gibt den örtlichen Verlauf des Oberflächenpotentials während der Zeitdauer Tn₊I-J_n in Fig. 3 an während die durchgezogene Kurve 41 den örtlichen Verlauf des Oberflächenpotentials während des Auslesens angibt. Die überschüssigen Ladungsträger sine

während der Dauer Tn ₊ I-Jn in die tiefsten Potential mulden unter den Elektroden 24 der Kurve 40 geflossen wo sie während des Auslesens in den Potentialmulder der Kurve 41 unter den Elektroden 24 gespeicher werden.
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Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche: bis auf die Parallelausgänge einen zum ^itar identischen Aufbau auf-

1. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung, bei der auf einer elektrisch isolierenden Unterlage wenigstens ein, wenigstens während des Betriebes seitlich gegen seine Umgebung für die Informationsladungsträger elektrisch isolierter, als Sensor dienender Streifen aus dotiertem Halbleitermaterial aufgebracht ist, der wenigstens eine lichtdurchlässige elektrisch isolierende Schicht trägt, auf der wenigstens in Abständen Elektroden aufgebracht sind, die elektrisch leitend miteinander verbunden sind, bei der wenigstens an einer Streifenlängsseite Sensorausgänge zum parallelen Auslesen der im Streifen unter den Elektroden gespeicherten, von Licht erzeugten Information vorhanden sind, bei der wenigstens ein parallel einlesbares Datenschieberegister mit Paralleleingängen vorhanden ist und bei der jeder Sensorausgang über je einen für die Informationsladungsträger leitenden Kanal, in dem ein elektronischer Schalter angeordnet ist, mit genau einem Paralleleingang des Datenschieberegisters verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Sensorausgänge und die elektronischen Schalter ein parallel ein- und auslesbares Überlauf-Schieberegister (2) geschaltet ist, welches an jedem Speicherplatz (22) einen Paralleleingang und einen Parallelausgang aufweist, und bei dem zwischen diesen Speicherplätzen wenigstens ein Zwischenspeicherplatz (24) vorhanden ist, und daß jeder Sensorausgang über einen, für die Informationsladungsträger leitenden Kanal, in dem ein elektronischer Schwellwertschalter mit steuerbarem Schwellwert angeordnet ist, mit genau einem dieser Paralleleingänge und jeder dieser Parallelausgänge über den für die Informationsladungsträger leitenden Kanal, in dem der elektronische Schalter angeordnet ist, mit genau einem der Paralleleingänge des Datenschieberegisters verbunden ist.

2. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Überlauf-Schieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung besteht.

3. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Überlauf-Schieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung für Zwei-Phasen-Betrieb besteht, welche dadurch gebildet ist, daß auf der elektrisch isolierenden Unterlage wenigstens ein zweiter Streifen aus dem dotierten Halbleitermaterial aufgebracht ist, der mindestens eine elektrisch isolierende Schicht trägt, auf der entlang der Streifenlängsrichtung wenigstens eine Reihe von durch Spalte voneinander getrennte Elektroden aufgebracht ist, wobei die Elektroden der Reihe nach abwechselnd auf dünnerer und dickerer elektrisch isolierender Schicht liegen und daß unter jeder übernächsten der Elektroden in der Reihe, die auf dünnerer elektrisch isolierender Schicht Hegen, jeweils einer der Paraüeleingänge und Parallelausgänge vorhanden ist.

4. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der das Datenschieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung besteht, dadurch gekennzeichnet, daß das Datenschieberegister f Eindimensionale optoelektronische Abtastvor-• μ ma nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet daß die Sensorausgänge, die Parallelein- A a.i^änee der Schieberegister und die elektrisch ?"?

S Verbindungen zwischen diesen dadurch Set sinddaß die Streifen aus dem dotierten Halblei erma erial wenigstens an den entsprechenden Seilen durch Leitungen aus dem dotierten mlbleUermaterial miteinander verbunden s.nd daß samt iche elektronischen Schalter dadurch gebildet a aTr auer über die Leitungen zwischen ⁵A" ' ibSster und Überlauf-Schieberegister °Γνοη° d e em du^erch mindestens eine elektrisch fsolierende Schicht getrennter erster tlektroden-. IZl mit einem Anschluß zum Anlegen eines c ! u "_m™Lsbelegt ist und daß sämtliche Schwell-^SCf'Ster dadurch gebildet sind, daß quer über STStngef tischen Überlauf-Schieberegister und Sensor ebenfalls von diesem durch mindestens e?ne dektrisch isolierende Schicht getrennt em zweiter Elektrodenstreifen mit einem Anschluß zum Züegen von Schwellspannungen gelegt ,st

6 Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf e^iem gemeinsamen Substrat aus dotiertem Halbleitermaterial eine zusammenhangende elektrisch isolierende Schicht aufgebracht .st die wenigstens im Sensorbereich Undurchlässig ist und daß der zweite und der im Datensch.ebereg.ster enthaltene dritte Streifen aus dotiertem Halble.termaterial und die Leitungen zwischen den entsprechenden Stellen dadurch hervorgehoben sind, daß die elektrisch isolierende Schicht dort eine dünnere Schichtdicke als sonst aufv/eist.

7. BndimenrioMle optoelektronische AbtastvoP richtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensor so aufgebaut ist, daß dfe elektrisch isolierende Schicht auf dem Streifen aus dotKem Halbleitermaterial des Sensors der Reihe nach in Abständen abwechselnd dünnere und dickere Schichtdicke aufweist, und daß deren Oberfläche mit einer Polysiliziumschicht überzogen tat wobei die Sensorausgänge nur unter Stellen mi STrer elektrisch isolierender Schicht angebracht 'ι

ιEindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 dadurch Sennzeichnet, daß an beiden Längsseiten des iJeifens aus dotiertem Halbleitermaterial des Sensors eweils ein Überlauf-Schieberegister und en, Datenschieberegister angeordnet sind und daß aul Sieita etaer Streifenseite nur unter jeder zweiter Etek ode ein Sensorausgang vorhanden .st, wöbe unter jeder Elektrode nur ein e.nz.ger Sensoraus gang vorhanden ist.