DE2822746C2 - - Google Patents
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Description
Die Erfindung geht aus von einer Ladungsverschiebeanordnung gemäß
dem Oberbegriff von Anspruch 1.
Bei einer Ladungsverschiebeanordnung, die im Englischen als CCD
oder Charge-Coupled Device oder als BBD oder Bucket Brigade
Device bezeichnet wird, handelt es sich um eine Halbleiterschaltung,
in der eine elektrische Ladung an einem Ende eingegeben,
dann durch eine Gruppe von Steuersignalen beliebig bis
zum anderen Ende verschoben und dort entnommen wird. In gewissen
Fällen und insbesondere bei der Ausführung der Ladungsverschiebeanordnung
als Filter ist es erforderlich, die Menge an
in einem Punkt der Ladungsverschiebeanordnung gespeicherten
Ladungen zu messen, und zwar nichtdestruktiv.
Eine Ladungsverschiebeanordnung (im folgenden auch mit der englischen
Abkürzung CCD bezeichnet) ist ein integriertes System,
das ein p- oder n-dotiertes Halbleiter
substrat, welches mit einer dünnen Isolierschicht bedeckt
ist, deren Dicke in der Größenordnung von 0,1 µm liegt,
und leitende Elektroden aufweist, die auf der Isolierschicht
regelmäßig angeordnet sind. Solche Systeme gehören
daher zur Familie der MOS-Schaltungen, da ihre Struktur vom
Metall-Oxid-Halblieter-Typ ist, oder, allgemeiner, zur Familie
der MIS-Schaltungen vom Metall-Isolator-Halbleiter-
Typ.
Die gespeicherten und verschobenen Ladungen in einer CCD
bestehen aus Minoritätsträgern, die in Potentialmulden
festgehalten werden, welche unter gewissen Elektroden erzeugt
werden, wenn diese auf passende Potentiale gebracht
werden. Zum Verschieben dieser Ladungen von einer Elektrode
zur nächsten wird die Potentialmulde von der ersten Elektrode
zur zweiten Elektrode verschoben. Die Verschiebungsrichtung
wird festgelegt, indem entweder eine zusätzliche Elektrode
oder dotierte Gebiete in dem Substrat oder aber feste
Ladungen, unterschiedliche Oxiddicken usw. derart vorgesehen
werden, daß die Potentialmulden einen unsymmetrischen
Verlauf aufweisen.
Eine CCD enthält je nach Lage des Falles drei, zwei oder
sogar nur eine einzige Taktleitung, und zwar entsprechend
der Art der Einrichtungen, die die Unidirektionalität der
Ladungsverschiebung bewirken. Im folgenden werden, lediglich
aus Erläuterungsgründen, nur CCDs mit drei Taktleitungen
betrachtet, die auch als 3-Phasen-CCD bezeichnet werden,
wenn auf die Anzahl der Taktimpulse statt auf die Anzahl der
sie übertragenden Verbindungen Bezug genommen wird.
Bezüglich weiterer Einzelheiten über solche Ladungsverschiebeanordnungen
wird auf den Aufsatz von W. S. Boyle und G. E. Smith
"Charge Coupled Semiconductor Devices" verwiesen, der in
der Zeitschrift "The Bell System Technical Journal",
April 1970, S. 587 bis 593, veröffentlicht worden ist.
Bezüglich der Anordnungen vom BBD-Typ wird auf den Aufsatz
von F. L. J. Sangster und K. Teer "Bucket-Brigade-Electronics-
News Possibilities for Delay, time-Axis Conversion and
Scanning" verwiesen, der in der Zeitschrift "IEEE Journal of
Solid-State Circuits", Band SC-4, Nr. 3, Juni 1969,
S. 131 bis 136, veröffentlicht worden ist.
Ein Anwendungfall dieser Anordnung ist die Ausführung als Filter für
elektrische Signale. In diesem Fall kann eine besondere CCD mit
geteilten Steuerelektroden (Gateelektroden) benutzt werden, in welcher
gewisse Verschiebeelektroden zweigeteilt sind, wobei
die beiden Teile im allgemeinen ungleiche Längen haben.
In einem solchen Filter ist es erforderlich, die unter jedem
Teil der geteilten Steuerelektrode gespeicherte Ladung zu messen,
ohne sie zu löschen.
Es sind bereits Ladungsverschiebeanordnungen gemäß dem Oberbegriff
von Anspruch 1 bekannt (Aufsatz von K. R. Hense und T. W. Collins "Linear
Charge-Coupled Devise Signal-Processing Techniques" in der Zeitschrift "IEEE
Journal of Solid-State Circuits", Band SG-11, Nr. 1, Februar 1976, S. 197-202, die diese
Funktion erfüllen. Ihr Prinzip wird im folgenden noch ausführlicher
angegeben, an dieser Stelle sei aber bereits angegeben,
daß sie das auf einer Taktleitung übertragene
Ladungsverschiebesignal während des Verschiebungstaktes ausnutzen
und daß dieses Signal entweder durch Ladungsverstärker oder
durch Schaltungen mit festpunktloser Steuerelektrode gemessen
wird. Diese Ladungsverschiebeanordnungen arbeiten aber nicht zufriedenstellend.
In dem ersten Fall können nämlich die
Leistungen, die von dem Verstärker hinsichtlich der Betriebsgeschwindigkeit
verlangt werden, nicht mit einem in
der für die CCDs angewandten Technologie integrierten Verstärker
erzielt werden; daraus folgt, daß die Meßschaltung
auf einem unabhängigen Träger außerhalb des Chips der
CCD hergestellt werden muß. In dem zweiten Fall ist
es erforderlich, den Zyklus der an die CCD angelegten Spannungen
zu ändern, um ihn an die Schaltung mit festpunktloser
Steuerelektrode anzupassen, wobei diese Anpassung zu einer
Verschlechterung des Wirkungsgrades der CCD führt.
Es sind zwar bereits eine Schaltung zur Messung des Ladezustands
eines Akkumulators (DE-PS 24 05 151) und eine Schaltungsanordnung
zur Auslösung eines elektrischen Schaltvorganges in Abhängigkeit
von einer vorbestimmten Elektrizitätsmenge (DE-AS
20 41 800) bekannt, diese eignen sich jedoch nicht zur Messung
der Ladung in einer Ladungsverschiebeanordnung. Das Messen der
Ladung in einer Ladungsverschiebeanordnung ist nämlich ein ganz
besonderes Problem, weil die Ansprechzeit der Meßschaltung zehnmal
kürzer sein muß als die Anstiegszeit des zu messenden Signals,
welche in der Größenordung von 100 ns liegt, was weiter
unten noch näher begründet ist. Die Meßschaltung muß daher
eine Ansprechzeit von 10 ns haben. Diese Forderung erfüllt weder
die bekannte Schaltung zum Messen des Ladezustands eines
Akkumulators noch die bekannte Schaltungsanordnung zur Auslösung
eines elektrischen Schaltvorganges in Abhängigkeit von
einer vorbestimmten Elektrizitätsmenge.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Ladungsverschiebeanordnung
gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 so auszubilden, daß sie
leicht in der für Ladungsverschiebeanordnungen geeigneten Technologie
hergestellt und somit auf dem CCD-Trägerchip untergebracht
werden kann, ohne daß eine Modifizierung der Taktsignale
der Ladungsverschiebeanordnung erforderlich ist.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden
Teil von Anspruch 1 angegebenen Merkmale in Verbindung mit den
Merkmalen gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung bilden den Gegenstand
der Unteransprüche.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden unter
Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 schematisch den bekannten Aufbau
einer 3-Phasen-Ladungsverschiebeanordnung
oder -CCD,
Fig. 2 eine erste bekannte Meßschaltung
für die in einer CCD gespeicherte
Ladung;
Fig. 3 eine zweite bekannte Meßschaltung
für die in einer CCD gespeicherte
Ladung;
Fig. 4 das Prinzipschaltbild der Ladungsverschiebeanordnung
nach der Erfindung,
Fig. 5 vier Diagramme zur Erläuterung der
Betriebsweise der Ladungsverschiebeanordnung nach
Fig. 4,
Fig. 6 eine weitere Ausführungsform der Ladungsverschiebeanordnung
nach der Erfindung,
Fig. 7 vier Diagramme zur Erläuterung der
Betriebsweise der Ladungsverschiebeanordnung nach
Fig. 6,
Fig. 8 schematisch eine Ausführungsform mit
einer Meßschaltung in Form einer
CCD,
Fig. 9 schematisch eine Ladungsverschiebeanordnung, die als
Transversalfilter ausgeführt
ist,
Fig. 10 eine weitere Ausführungsform der als Transversalfilter
ausgeführten
Ladungsverschiebeanordnung und
Fig. 11 noch eine weitere Ausführungsform
der als Tansversalfilter
ausgeführten Ladungsverschiebeanordnung.
Bei der Ladungsverschiebeanordnung nach der Erfindung wird in
deren Meßschaltung die Spannung integriert, welche an den Klemmen
eines zwischen die Taktleitung und die Verschiebeelektrode
eingefügten Widerstandes während des Anlegens des Ladungsverschiebesignals
auftritt. Zum Integrieren enthält die Meßschaltung
einen MOS-Transistor mit einer Source-, einer Gate- und
einer Drainelektrode, der Widerstand ist zwischen die Gateelektrode
und die Sourceelektrode geschaltet, und ein Kondensator
ist mit der Drainelektrode verbunden.
Eine 3-Phasen-CCD ist in Fig. 1 gezeigt. Sie enthält ein Halbleiter
substrat 2 (beispielsweise aus n-dotiertem Silizium),
das von einer dünnen Isolierschicht 4 (beispielsweise aus
Siliziumoxid) bedeckt ist, auf der metallische Elektroden 6
angeordnet sind. Die Einrichtungen, mit denen diese Elektroden
auf geeignete Potentiale gebracht werden, bestehen aus einer
Anordnung 8 aus drei Generatoren, die als Signale jeweils Spannungsimpulse
(oder -phasen) R₁, R₂, R₃ liefern, welche über drei
Taktleitungen L₁ bzw. L₂ bzw. L₃ übertragen
werden.
Die Unidirektionalität der Ladungsverschiebung wird durch die
Verwendung einer Verschiebeelektrode erreicht, der ein Verschiebesignal
zugeführt wird. Im folgenden wird zur Vereinfachung
der Bezeichnungen angenommen, daß das Verschiebetaktsignal
das Signal R₂ ist, welches durch die Leitung L₂ übertragen
wird.
Zum Messen der Ladung, die unter einer Elektrode einer solchen
Anordnung gespeichert ist, sind zwei Schaltungen vorgeschlagen
worden, die das Signal R₂ ausnutzen, das der Verschiebeelektrode
zugeführt wird. Diese bekannten Schaltungen sind
in den Fig. 2 und 3 dargestellt. In Fig. 2 wird eine CCD 10
durch eine Anordung 12 aus drei Schaltungen gesteuert, von
denen eine Verschiebesignale R₂ liefert, die an jede dritte
Elektrode angelegt werden. Die Schaltung zum Messen der in
der CCD gespeicherten Ladung enthält einen Verstärker 16 und
einen Kondensator 18 in Gegenkopplungsschaltung. Der nichtinvertierende
Eingang des Verstärkers 16 empfängt eine Referenz
spannung V ref. Der invertierende Eingang wird auf das
Potential der Taktleitung gebracht, das in dem dargestellten
Fall fest ist: manche CCDs sind nämlich so aufgebaut, daß
das Potential von gewissen Taktleitungen fest ist, was insbesondere
bei der CCD der Fall ist, die in der US-PS 40 05 377
beschrieben ist. Es sei außerdem auf den oben erwähnten Aufsatz von K. R. Hense
und T. W. Collins, "Linear Charge-Coupled Device Signal-
Processing Techniques", verwiesen.
Es sei außerdem
beachtet, daß die Schaltungen dieser Art das periodische
Rücksetzen des Kondensators 18 auf null erfordern, damit dieser
nicht den Betrieb der CCD stören kann, von welcher eine
Elektrode direkt mit dem Kondensator verbunden ist.
Der Verstärker 16 ist ein Ladungsverstärker, der aus einem
Operationsverstärker besteht. Er hat die Aufgabe, die durch
den Phasengenerator R₂ an die Verschiebeelektrode der CCD
abgegebene Ladung zu verstärken, die ein Abbild der Ladung
ist, welche unter der schraffierten Elektrode der CCD gespeichert
ist.
Damit die durch eine solche Schaltung vorgenommene Messung
genau ist, ist es erforderlich, daß die Ansprechzeit des
Verstärkers wenigstens zehnmal kleiner ist als die des zu
messenden Signals, die in der Größenordnung von 100 ns
liegt. Ein Verstärker mit einer Anstiegszeit von 10 ns
kann aber in der für die CCDs geeigneten Integrationstechnik
nicht hergestellt werden. Er muß daher als eine unabhängige
Schaltung außerhalb des Integrationschips der CCD hergestellt
werden.
Bei der bekannten Schaltung von Fig. 3 handelt es sich um
eine Schaltung mit festpunktloser Steuerelektrode. Sie enthält
einen Transistor 20, der zwischen einer Leitung 21, die
an einer Gleichspannung liegt, und der Verschiebeelektrode
einer CCD 22 angeordnet ist. Die Gateelektrode dieses
Transistors ist mit der Leitung L₂ verbunden, welche das Signal R₂ überträgt.
Die Elektrode der CCD ist durch ein elektrisches Ersatzschaltbild
dargestellt, d. h. durch einen Kondensator 26,
dessen Wert von der Ladungsmenge abhängig ist, die unter
der Oberfläche des Halbleiters angehäuft ist. Die Schaltung
enthält außerdem einen Transistor 28. Die Spannung V₂ erscheint
an den Klemmen des Kondensators 26. Die Spannung
V₃ erscheint am Ausgang. Die Anordnung ist auf dem Chip der
CCD integriert, in der die Ladung zu messen ist.
Diese Schaltung arbeitet folgendermaßen. Der Transistor 20
verhält sich zwischen der Leitung 21 und der Elektrode wie
ein Schalter. Der Transistor 28 liest die Spannung V₃ zwischen
der Taktleitung und dem Substrat der CCD, das im allgemeinen
an Masse liegt. Wenn der Transistor 20 durch Anlegen
des Impulses R₂ leitend wird, nimmt die Spannung V₂ den
Wert der Gleichspannung der Leitung 21 an. Wenn der Transistor
28 nicht mehr leitend ist, bleibt die angelegte Spannung
praktisch unveränderlich, es wird aber eine elektrische
Ladung unter die Elektrode der CCD, d. h. in den Kondensator 26
eingegeben, wodurch der Wert der Spannung V₂, der an den Klemmen
des Kondensators 26 gelesen werden kann, verschoben wird.
Diese Verschiebung Δ V₂ ist proportional zu der integrierten
Ladungsmenge in dem Kondensator 26 der CCD. Die durch den Transistor
28 gelesene Spannung V₃ ist das Abbild der Spannung V₂
und infolgedessen auch das Abbild der gespeicherten Ladung.
Damit die Ladungsverschiebung in der CCD unter den üblichen
Bedingungen weitergehen kann, muß die Spannung V₂ wieder auf
null gebracht werden. Die Schaltung benötigt daher einen für
die CCD spezifischen Verschiebephasenzyklus. Diese Modifizierung
ist für die Leistungen der CCD im allgemeinen von Nachteil.
Die im folgenden beschriebene Meßschaltung beseitigt diese Nachteile.
Ihr Prinzip basiert auf der Änderung der scheinbaren Kapazität
der CCD gegenüber der Verschiebeelektrode, wenn während des
Anlegens des Verschiebetaktsignals eine Ladung zu dieser Elektrode
geleitet oder von dieser Elektrode weggeleitet wird. Von
der Verschiebeelektrode her gesehen erscheint nämlich die CCD
wie eine Anordung aus zwei in Reihe geschalteten Kondensatoren,
von denen der erste, der einen festen Wert C ox hat,
der zwischen die Elektrode und das Substrat eingefügten Oxidschicht
entspricht, während der zweite, der einen veränderlichen
Wert C s hat, der oberflächlichen Verarmungszone entspricht,
die sich wie eine in Sperrichtung betriebene Diode
verhält, deren Kapazität von der Vorspannung abhängig ist.
In einer CCD ist diese Vorspannung die Potentialdifferenz,
die zwischen der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche und dem Substrat
auftritt. Diese Potentialdifferenz ist aber von der durch
die CCD in dieser Zone gespeicherten Ladung abhängig. Diese
Kapazitätsänderung verursacht die Änderung der Ladezeitkonstante
der Elektrode, wobei diese Zeitkonstante durch das
Produkt aus der Kapazität und dem Wert eines mit der Elektrode
in Reihe geschalteten Widerstandes festgelegt ist. Wenn die
an den Klemmen dieses Widerstandes auftretende Spannung integriert
wird, hängt die erhaltene Größe von der Zeitkonstante
ab und spiegelt somit schließlich die durch die CCD
gespeicherte Ladungsmenge wider.
Die Meßschaltung ist gemäß Fig. 4
einer CCD 30 zugeordnet. Eine einzige
Elektrode dieser CCD ist in Form eines elektrischen Ersatzschaltbildes
dargestellt, welches zwei Kondensatoren,
einen mit dem festen Wert C ox und einen mit dem veränderlichen
Wert C s, enthält und einen Ersatzkondensator 31 mit der Kapazität
C₂ bildet. Die Meßschaltung enthält einen Widerstand 32
mit dem Wert R, der mit der Taktleitung L₂, welche das Ver
schiebesignal R₂ überträgt, verbunden ist, einen MOS-Transistor 34,
der eine Sourceelektrode s, eine Gateelektrode g und eine Drainelektrode d
aufweist, und einen Kondensator 36 mit der Kapazität C m, welchem
eine Nullrücksetzeinrichtung 37 zugeordnet ist. Das Ausgangssignal
der Meßschaltung wird an der Verbindung S abgenommen.
Die Punkte a und b bezeichnen die Enden des Widerstandes
32, qs bezeichnet die in dem Speicherkondensator C s ge
speicherte Ladung (d. h. die zu messende Ladung), qm bezeichnet
die Ladung des Kondensators 36, V gs bezeichnet
die Spannung zwischen der Gateelektrode g und der Sourceelektrode
s des Transistors 34 und I ds den zwischen der
Drainelektrode d und der Sourceelektrode s fließenden Strom.
Diese Schaltung arbeitet folgendermaßen: Die Zeitkonstante τ
der Schaltung, die aus dem Widerstand 32 mit dem Wert R und
dem Ersatzkondensator 31 mit dem Wert C₂ gebildet ist, ist
gleich RC₂. Der Kondensator 31 wird aus zwei in Reihe angeordneten
Kondensatoren mit den Werten C ox bzw. C s gebildet,
wobei der letztgenannte Wert von der gespeicherten Ladungsmenge
qs abhängig ist. Es gilt somit:
Zwei verschiedenen Werten q′s und q″s der gespeicherten Ladungsmenge
entsprechen zwei Werte τ′ und τ″ der Zeitkonstante
τ, mit τ″<τ′, wenn gilt q″ s<q′ s.
Die Entwicklung der elektrischen Größen, die in der Schaltung
von Fig. 4 erscheinen, kann anhand der Diagramme von Fig. 5
verfolgt werden.
Fig. 5a zeigt die Entwicklung der Potentiale, die in den Punkten
a bzw. b auftreten. Das Potential in dem Punkt a ist dasjenige,
das aus dem Anlegen des Taktsignals R₂ resultiert.
Es sei angemerkt, daß dieses Potential nicht konstant ist, wie
im Stand der Technik, der in Fig. 2 gezeigt ist. Die Entwicklung
des Potentials in dem Punkt b ist für zwei Werte τ′ und τ″
der Zeitkonstante dargestellt, mit τ″<τ′. Die Differenz zwischen
den Potentialen in den Punkten a und b bildet die an
den Transistor 34 angelegte Spannung V gs. Sie ist in Fig. 5b
für die beiden Zeitkonstanten τ′ und τ″ dargestellt. Bei dem
Transistor 34 wird vorausgesetzt, daß er eine Schwellenspannung
V s besitzt, unterhalb welcher kein Strom von der Sourceelektrode
zur Drainelektrode fließt. Für diejenigen Werte der Spannung
V gs, die größer als V s sind, ändert sich der Strom I ds in
der in Fig. 5c angegebenen Weise für dieselben beiden Zeit
konstanten. Die Ladung qm, die das Integral des Stroms I ds
in dem Kondensator 36 darstellt, ändert sich in der in Fig. 5d
dargestellten Weise. Der Endwert, der für den Wert τ″ der
Zeitkonstante erhalten wird, ist größer als derjenige, der dem
Wert τ′ der Zeitkonstante entspricht. Wenn die in dem Kondensator
C s gespeicherte Ladung qs zunimmt, nimmt deshalb die in
dem Kondensator 36 gespeicherte Ladung qm ebenfalls zu.
Die Änderungen dieser verschiedenen Größen können quantitativ
folgendermaßen genau angegeben werden:
Die Schaltung, die aus dem Widerstand 32 mit dem Wert R und
dem Kondensator 31 mit dem Wert C₂ besteht, empfängt einen
Spannungsimpuls R₂, der exponentiell ansteigt und dessen Anstiegszeit
durch den Verschiebesteuertakt festgelegt ist.
Wenn angenommen wird, daß die Anstiegszeitkonstante des Ver
schiebetaktsignals gleich RC₂ ist, was der optimale Fall ist,
hat die an den Klemmen des Widerstands R abgegriffene Spannung
V gs folgende Form:
wobei t die Zeit und V h die Amplitude der Verschiebeimpulse
ist.
Für den Strom I ds, der sich aus dem Anliegen dieser Spannung
zwischen der Gateelektrode und der Sourceelektrode des MOS-
Transistors 34 ergibt, der im Sättigungsbetrieb arbeitet, kann
geschrieben werden:
wobei
Z₁ die Breite der Gateelektrode des Transistors 34 ist,
L₁ ihre Länge
μ die Beweglichkeit der Ladungsträger,
C o die Kapazität der Gateelektrode pro Oberflächen einheit, und
V s die Schwellenspannung des Transistors 34.
Z₁ die Breite der Gateelektrode des Transistors 34 ist,
L₁ ihre Länge
μ die Beweglichkeit der Ladungsträger,
C o die Kapazität der Gateelektrode pro Oberflächen einheit, und
V s die Schwellenspannung des Transistors 34.
Die gespeicherte Ladung in dem Kondensator mit dem Wert C₁
ist das Integral dieses Stroms zwischen den Zeitpunkten, in
welchen die Spannung V gs größer ist als die Spannung V s.
Die Spannung V₁, die an den Klemmen des Meßkondensators 36
für eine bestimmte Ladung erscheint, ist umgekehrt proportional
zu der Oberfläche dieses Kondensators. Wenn dieser Kondensator
aus einem Belag mit der Länge L₂ und der Breite Z₁,
die gleich der der Gateelektrode des Transistors 34 ist, besteht,
gilt im wesentlichen:
mit
x₁ = t₁/RC₂
x₂ = t₂/RC₂
wobei t₁ und t₂ die Zeiten darstellen, zwischen denen gilt V gs<V s (vgl. Fig. 5b).
x₁ = t₁/RC₂
x₂ = t₂/RC₂
wobei t₁ und t₂ die Zeiten darstellen, zwischen denen gilt V gs<V s (vgl. Fig. 5b).
Schließlich werden, wenn man die Parameter R, C₂, V s, μ kennt, für
die Längen L₁ und L₂ Werte gewählt, welche folgende Gleichung
erfüllen:
In einer etwas anderen Ausführungsform, die in Fig. 6 dargestellt
ist, enthält die Meßschaltung außerdem einen Verstärker
40 mit der Verstärkung -1, der zwischen die Taktleitung L₂
und die Sourceelektrode s des MOS-Transistors 34 geschaltet
ist. Die anderen Elemente bleiben unverändert und tragen die
gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 5.
Das Vorhandensein des Verstärkers 40 modifiziert die Arbeitsweise
der Schaltung, die den Diagrammen von Fig. 7 entspricht,
in welchen die Bezeichnung und die dargestellten Größen
die gleichen wie in Fig. 5 sind. Das Potential des Punktes a,
der hinter dem Verstärker 40 angeordnet ist, bildet sich in
der entgegengesetzten Richtung zu dem Potential des Punktes b
aus (Fig. 7a). Die Spannung V gs (Fig. 7b) zeigt einen Verlauf,
der sich von dem von Fig. 5b ziemlich unterscheidet, wobei
der Strom I ds aber eine analoge Form hat. Es ist zu erkennen,
daß in dieser Ausführungsform die Ladung qm für den Wert τ″
der Zeitkonstante kleiner ist, als für den Wert τ′, was bedeutet,
daß sich die gemessene Ladung qm, im Gegensatz zu der
ersten Ausführungsform, in zu der gespeicherten Ladung qs
entgegengesetzter Richtung ändert.
Nach dieser Beschreibung sollen die wesentlichen Einrichtungen der
Ladungsverschiebeanordnung nochmals zusammengefaßt dargestellt werden. Wenn
die Taktleitung auf veränderlichem Potential ist, ist der in
dem Widerstand fließende Strom die Überlagerung von zwei Strömen,
dem Ladestrom des Kondensators, der durch die Elektrode
der CCD gebildet wird und dessen Messung nutzlos ist, und
dem Strom, der mit der Ladungsverschiebung zwischen aufeinanderfolgenden
Elektroden verknüpft ist und bei dem es sich um
den Nutzstrom handelt. Diese beiden Ströme haben vergleichbare
Amplituden. Einer der Gründe der Verwendung der Schaltung
von Fig. 2 allein bei Taktleitungen mit konstantem Potential
besteht darin, daß in diesem Fall der erste Strom verschwindet
und nur der Nutzstrom gemessen wird.
Die Erfindung besteht darin, die Überlagerung der beiden Ströme
zu messen, indem beachtet wird, daß der erste von ihnen immer
derselbe ist und daher nur eine Gesamtverschiebung aller
Meßsignale verursacht.
Es sei hinzugefügt, daß der Fachmann immer bestrebt ist, eine
konstante Referenzspannung zu suchen, wenn ein Signal verstärkt
werden soll (was in der Schaltung von Fig. 2 erfolgt).
Die Erfindung bricht mit diesem Bestreben, indem als Referenzspannung
die veränderliche Spannung gewählt wird, die in
Fig. 5a dargestellt ist.
Da die zum Aufbauen der Meßschaltung in der Ladungsverschiebeanordnung nach der Erfindung benutzten Einrichtungen hauptsächlich ein MOS-Transistor und
ein Kondensator sind, die in der für CCDs geeigneten Technologie
hergestellt werden können, ist es vorteilhaft, die Meßschaltung
in CCD-Form herzustellen, und zwar auf dem Träger
der zu messenden CCD selbst. Wie weiter oben angegeben, ist
diese Ausführungsform bei den bekannten Schaltungen, die
einen Differenzverstärker mit großer Verstärkung benützen,
der durch eine Integrierkapazität zur Schleife geschaltet
ist, unmöglich.
Diese Ausführungsform der Ladungsverschiebeanordnung nach der Erfindung ist in Fig. 8 dargestellt.
Die CCD, bei welcher die Ladung gemessen werden soll, die sie
unter jeder der in P₂ vereinigten Steuerelektroden speichert,
trägt wieder die Bezugszahl 30. Die Meßschaltung enthält
einen zwischen die Taktleitung L₂ und eine der Verschiebeelektroden
eingefügten Widerstand 32 und eine Meß-CCD 44, die ein Halb
leitersubstrat 46 enthält, welches gleich dem der zu messenden
CCD ist, ein dotiertes Gebiet 48 (das beispielsweise p-dotiert
ist, wenn das Substrat n-dotiert ist), eine Eingangselektrode 50,
die mit dem Widerstand 32 und mit der Verschiebeelektrode der
zu messenden CCD verbunden ist, wobei die Anordnung 48-50
der Sourceelektrode eines MOS-Transistors äquivalent ist;
eine erste Elektrode 52, die mit der Taktleitung L₂ verbunden ist
und als Gateelektrode dient; eine Elektrode 54, die den Speicherkondensator
bildet; Elektroden 56, welche Einrichtungen
zur Verschiebung der in die Anordnung eingegebenen Ladung
bilden; ein zweites dotiertes Gebiet 58; und schließlich eine
Elektrode 60, wobei die Anordnung 58-60 als Drainelektrode
dient.
Vorteilhafterweise können die Taktphasen der Meß-CCD 44 mit
den Taktphasen der CCD 30 synchron sein. Zu diesem Zweck
genügt es, die Elektrode 54 mit der geeigneten Taktleitung
der CCD 30 zu verbinden. Das Meßsignal ist dann an dem Ausgang
der Meß-CCD 44 in Zeitpunkten verfügbar, die mit den Phasen
R₁ oder R₂ oder R₃ der Haupt-CCD synchron sind, je nach der
Anzahl der Steuerelektroden der Meß-CCD 44.
Es ist zu erkennen, daß in dieser Ausführungsform die Nullrück
setzeinrichtungen mit den Verschiebeeinrichtungen vereinigt
sind, was ein weiteres besonderes Merkmal der Ladungsverschiebeanordnung nach
der Erfindung gegenüber denen des Standes der Technik ist,
die in der oben genannten US-PS 40 05 377 und in dem o. g.
Aufsatz von Hense und Collins beschrieben sind, bei denen zusätzliche
Einrichtungen zum Nullrücksetzen vorgesehen werden müssen.
Ein weiteres Merkmal der Ladungsverschiebeanordnung nach der Erfindung
ist die Ausnutzung der Speicherung und
des Nullrücksetzens der Eingangsstufe einer CCD für die Verstärkung.
Diese Ausnutzung ist nicht üblich, denn
gewöhnlich wird eine Spannung, die eine Funktion der einzugebenden
Information ist, während einer konstanten Abtastzeit
angelegt, während der die Eingangsspannung sich praktisch
nicht entwickelt; hier wird eine schnell veränderliche Spannung
während der gesamten Änderungszeit angelegt, wobei die
Abtastperiode (Taktperiode der CCD) deutlich größer ist als
die Zeit des Vorhandenseins des Nutzsignals.
Die hier beschriebene Schaltung ist vorteilhaft verwendbar,
um die Ladung zu messen, die in einer als Transversalfilter
mit zwei geteilten Steuerelektroden ausgeführten CCD gespeichert ist.
Ein solches Filter ist in Fig. 9 schematisch dargestellt. Es
hat einen Eingang 70, eine Elektrodenanordnung 72, Taktschaltungen 74,
76 und 78, die mit Taktleitungen L₁, L₂, L₃ verbunden sind, von
denen jede mit jeder dritten Elektrode verbunden ist. Die dargestellte
CCD gehört zu demjenigen Typ von CCDs, die Verschiebeelektroden
enthalten, welche aus einer zweigeteilten
Steuerelektrode bestehen, wobei die Breiten der Steuerelektroden
und damit die Kapazitäten ungleich sind. Diese Steuerelektroden
tragen die Bezugszahl 80. Jeder Steuerelektrodenteil
ist mit der Taktleitung L₂ verbunden, die daher aus zwei
Halbleitungen besteht, welche mit der Taktschaltung 76 verbunden
sind.
Zur Theorie der Arbeitsweise eines solchen Filters wird
bezüglich näherer
Einzelheiten auf den Aufsatz von D. D. Buss, D. R. Collins
u. a. "Transversal Filtering Using Charge Transfer Devices"
verwiesen, der in der Zeitschrift "IEEE Journal of Solid-State
Circuits", Band SC-8, Nr. 2, April 1973, S. 133 bis 145, erschienen
ist.
In jeder der beiden Halbleitungen L₂,
die mit den zweigeteilten Steuerelektroden 80 verbunden sind, ist eine
Ladungsmeßschaltung angeordnet. Die beiden Meßschaltungen
tragen die Bezugszahlen 82 und 84. Ihre Ausgänge sind in einer
Schaltung 86 vereinigt, die eine Addier- oder eine Subtrahierfunktion
erfüllen kann, gegebenenfalls mit einer gewissen Ver
stärkung.
Zwei Ausführungsformen sind in den Fig. 10 und 11 für den
bereits beschriebenen Fall dargestellt, in welchem die Meßschaltung
die Form einer CCD hat.
In der ersten Ausführungsform (Fig. 10) sind die beiden Meß-CCDs gleich.
Sie tragen die Bezugszahlen 90 und 92. Sie sind mit zwei Widerständen
94 und 96 verbunden, die in die Halbleitungen L₂ eingefügt
sind. Eine Taktschaltung 98 gibt ein Verschiebetaktsignal
R₂ an die beiden Teile einer der Verschiebeelektroden der
Filter-CCD 100 ab. Eine Taktschaltung 102, die ein Signal R₁ über
eine Leitung L₁ abgibt, dient sowohl zur Steuerung der Meß-CCDs
90 und 92 als auch zur Steuerung der Filter-CCD 100.
Die Ausgänge der Meß-CCDs 90, 92 sind mit den Plus- und Minuseingängen
eines Differenzverstärkers 104 verbunden, dessen Ausgang
S ein Differenzsignal liefert. Die Verwendung eines solchen
Differenzverstärkers ergibt sich aus der Notwendigkeit,
daß für eine Filter-CCD Ausdrücke zu berechnen sind, in denen
die Differenz der unter zwei Teilen ein und derselben Steuerelektrode
gespeicherten Ladungen vorkommt.
In der zweiten Ausführungsform (Fig. 11) sind die beiden Meß-CCDs zu einer einzigen
Meß-CCD 103 mit zwei Eingangselementen zusammengefaßt, von
denen das erste aus einem dotierten Gebiet 105 und einer Steuerelektrode
106 und das zweite aus einem dotierten Gebiet 108 und
einer Steuerelektrode 110 besteht. Weitere Einrichtungen werden
wie in der vorangehenden Ausführungsform benutzt, nämlich
eine Taktschaltung 98, die die beiden Halbleitungen L₂ versorgt,
und zwei Widerstände 94 und 96. Das erste Eingangselement der
Meß-CCD 103 ist mit dem Widerstand 94 verbunden, während das zweite
Element mit dem Widerstand 96 über einen Verstärker 111 mit
der Verstärkung -1 verbunden ist. Das Ausgangssignal wird
über ein dotiertes Gebiet 112 abgegeben, das als Ausgangsdiode
dient. Diese Periode wird über einen MOS-Transistor 114 passend vorgespannt,
der mit einer Leitung 116 verbunden ist, die sich
auf einem passenden Potential befindet. Ein MOS-Transistor 118
gestattet, das Ausgangssignal der Meß-CCD zu lesen.
Die Arbeitsweise dieser Schaltung ergibt sich aus dem, was
bereits weiter oben dargelegt worden ist, da die Meß-CCD
103 mit ihrem Eingangselement 105, 106 wie die in Fig. 4
dargestellte Schaltung arbeitet und da dieselbe Meß-CCD
mit ihrem Eingangselement 108, 110 wie die in Fig. 6 dargestellte
Schaltung arbeitet. Da die Ladungsänderungen für
diese beiden Ausführungsformen in Gegenphase sind, ist das
Ausgangssignal der Meß-CCD 103 eine Funktion der Differenz der
unter jedem Steuerelektrodenteil der CCD 100 gemessenen La
dungen.
Die hier beschriebene Ladungsverschiebeanordnung eignet sich besonders zum Minimieren der Aus
wirkungen von technischen Unzulänglichkeiten bei der Herstellung
von Filtern. Es ist bekannt, daß diese Unzulänglichkeiten
Fehler verursachen, die die in dem Filter aufgezeichnete
Impulsantwort beeinflussen. Zum Minimieren dieser Fehler
besteht eine Methode darin, eine Linearkombination von n auf derselben
CCD aufgezeichneten Impulsantworten zu bilden. Da die Ausgangssignale
der n Meß-CCDs synchron sein sollen, um in jedem
Zeitpunkt kombiniert werden zu können, ist es zweckmäßig, die
Ausgangssignale der n Filter derart zu verzögern, daß sie
gleichzeitig erscheinen. Die hier beschriebene Ladungsverschiebeanordnung gestattet, diese Ver
zögerungsoperation bequem auszuführen, indem einfach auf die
Anzahl der Steuerelektroden jeder Meß-CCD eingewirkt
wird. Es sei angemerkt, daß die Erläuterung der Arbeitsweise,
die für den Fall einer CCD angegeben worden ist, direkt auf
ein BBD anwendbar ist, dessen Steuerelektrodenmetallisierungen
diejenigen einer CCD mit zwei Taktleitungen sind. Die Diode,
die in der CCD durch ein elektrisches Feld induziert wird,
ist in dem BBD durch eine Anode ersetzt, die bei der Fertigung
der Anordnung hergestellt wird.
Claims (8)
1. Ladungsverschiebeanordnung, die Ladungsverschiebeelektroden
aufweist, welche mit einer Taktleitung (L₂) verbunden sind, die
ein Ladungsverschiebesignal überträgt, und eine Schaltung zum
Messen der unter wenigstens einer Verschiebeelektrode gespeicherten
Ladung, mit einem Widerstand (32), der zwischen
die Taktleitung (L₂) und die Verschiebeelektroden eingefügt
ist, dadurch gekennzeichnet, daß
die Meßschaltung außerdem enthält:
einen MOS-Transistor (34), der eine Sourceelektrode (s), eine Gateelektrode (g) und eine Drainelektrode (d) aufweist, wobei die Sourceelektrode (s) mit dem der Taktleitung (L₂) benachbarten Ende (a) des Widerstands (32) und die Gateelektrode (g) mit dem der Verschiebeelektrode benachbarten Ende (b) des Widerstands (32) verbunden ist, und
einen Kondensator (36), der mit der Drainelektrode (d) des MOS-Transistors (34) verbunden ist.
einen MOS-Transistor (34), der eine Sourceelektrode (s), eine Gateelektrode (g) und eine Drainelektrode (d) aufweist, wobei die Sourceelektrode (s) mit dem der Taktleitung (L₂) benachbarten Ende (a) des Widerstands (32) und die Gateelektrode (g) mit dem der Verschiebeelektrode benachbarten Ende (b) des Widerstands (32) verbunden ist, und
einen Kondensator (36), der mit der Drainelektrode (d) des MOS-Transistors (34) verbunden ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein
Verstärker (40) mit der Verstärkung -1 in die Sourceverbindung
des MOS-Transistors (34) eingefügt ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß dem Kondensator (36) eine Nullrücksetzeinrichtung (37)
zugeordnet ist.
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Schaltung zum Messen der unter wenigstens einer Verschiebeelektrode
gespeicherten Ladung außer dem Widerstand (32) eine
Meßladungsverschiebeanordnung (44) aufweist mit:
einem Halbleitersubstrat (46), welches gleich dem der Ladungsverschiebeanordnung (30) ist, deren Ladungen gemessen werden sollen,
einem dotierten Gebiet (48),
einer Eingangselektrode (50), die mti dem Widerstand (32) und der Verschiebeelektrode verbunden ist, wobei die aus dem dotierten Gebiet (48) und der Eingangselektrode (50) bestehende Anordnung als Sourceelektrode (s) des MOS-Transistors dient,
einer ersten Elektrode (52) die mit der Taktleitung (L₂) verbunden ist und als Gateelektrode (g) dient,
einer Elektrode (54), die den Speicherkondensator bildet, weiteren Elektroden (56), welche Einrichtungen zur Verschiebung der in die Anordnung (30) eingegebenen Ladung bilden;
einem zweiten dotierten Gebiet (58), und
noch einer weiteren Elektrode (60), wobei die aus dem zweiten dotierten Gebiet (58) und der noch weiteren Elektrode (60) bestehende Anordnung als Draineelektrode (d) dient.
einem Halbleitersubstrat (46), welches gleich dem der Ladungsverschiebeanordnung (30) ist, deren Ladungen gemessen werden sollen,
einem dotierten Gebiet (48),
einer Eingangselektrode (50), die mti dem Widerstand (32) und der Verschiebeelektrode verbunden ist, wobei die aus dem dotierten Gebiet (48) und der Eingangselektrode (50) bestehende Anordnung als Sourceelektrode (s) des MOS-Transistors dient,
einer ersten Elektrode (52) die mit der Taktleitung (L₂) verbunden ist und als Gateelektrode (g) dient,
einer Elektrode (54), die den Speicherkondensator bildet, weiteren Elektroden (56), welche Einrichtungen zur Verschiebung der in die Anordnung (30) eingegebenen Ladung bilden;
einem zweiten dotierten Gebiet (58), und
noch einer weiteren Elektrode (60), wobei die aus dem zweiten dotierten Gebiet (58) und der noch weiteren Elektrode (60) bestehende Anordnung als Draineelektrode (d) dient.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet
durch ihre Ausführung als Transversalfilter mit zweigeteilten,
Verschiebeelektroden bildenden Steuerelektroden (80) und durch
zwei Meßschaltungen (82, 84), die jeweils mit jedem der beiden
Teile einer Steuerelektrode verbunden sind.
6. Anordnung anch Anspruch 4 oder 5, gekennzeichnet durch zwei
Meßladungsverschiebeanordnungen (90, 92), von denen die eine
mit einem der Teile einer zweigeteilten Steuerelektrode und
die andere mit dem anderen Teil der zweigeteilten Steuerelektrode
verbunden ist, wobei der Ausgang der beiden Meßladungs
verschiebeanordnungen (90, 92) mit einem Differenzverstärker
(104) verbunden ist.
7. Anordnung nach Anspruch 4 oder 6, gekennzeichnet durch
eine einzige Meßladungsverschiebeanordnung (103) mit zwei
parallel geschalteten Eingangselementen (105, 106; 108, 110),
wobei eines dieser Elemente direkt mit einem von zwei Widerständen
(94, 96) verbunden ist, und das andere Element über
einen Verstärker (111) mit der Verstärkung -1 mit dem anderen
Widerstand (96) verbunden ist.
8. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Meßladungsverschiebeanordnung (44, 103)
oder die Meßladungsverschiebeanordnungen (90, 92) Taktschaltungen
(76, 98, 102) besitzen, die mit den Taktschaltungen
der Ladungsverschiebeanordnungen, deren Ladung gemessen werden
soll, synchron sind.
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