DE2536311A1

DE2536311A1 - Ladungsuebertragungsvorrichtungen

Info

Publication number: DE2536311A1
Application number: DE19752536311
Authority: DE
Inventors: Amr Mohamed Mohsen
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1974-08-16
Filing date: 1975-08-14
Publication date: 1976-02-26
Also published as: NL7509763A; BE832351A; CA1028426A; IT1041569B; FR2282165A1; US4010484A; JPS5144881A

Description

BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAMER ZWIRNER · HIRSCH

PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN

Postadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089) 883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237

Western Electric Company, Incorporated A.M. Mohsen

New York, N.Y., USA

Ladun&sübertragyingsvorrichtungren Me Erfindung betrifft Ladungsübertragungsvorrichtungen.

Man hat in Halbleiterbauelementen einen Schieberegisterbetrieb durch elektrisch gesteuertes Verschieben lokalisierter Anhäufungen von Ladungen (Ladungspaketen) in einem Halbleitermedium erreicht. Solche Ladungspakete werden steuerbar durch den Halbleiter übertragen, und zwar mit Hilfe von zugeführten Taktspannungsimpulsen, welche elektrische Ladungen von einem Speicherplatz zu dem nächsten Speicherplatz im Halbleiterbauelement übertragen. Ein solches Halbleiterschieberegister ist seiner Wirkung nach eine Art Ladungsübertragungsvorrichtung (nach dem englischen Ausdruck charge transfer device auch mit CTD abgekürzt). Diese Vorrichtungen finden Verwendung als Verzögerungsleitungen und optische Abbildungsvorrichtungen.

Ladungsübertragungsvorrichtungen fallen in zwei Hauptkategorien, die sogenannte "Ladungsgekoppelte Vorrichtung" (nach dem englischen Ausdruck charge-coupled device auch CCD abgekürzt) und die integrierten Schaltungsversionen der München: Kramer ■ Dr.Weser · Hirsch — Wiesbaden: Bliimbacti - Dr. Bergen · Zwirner

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"Eimerkettenvorrichtung¹¹ (nach.dem englischen Ausdruck bucketbrigade device auch mit BBD abgekürzt). In beiden Kategorien definiert ein räumlich periodisches Elektroden-Metallisierungsmuster auf einer Hauptfläche eines mit elektrisch isolierendem Oxiöjoedeckten Halbleiterkörpers eine Reihe von integrierten MOS- (metal-oxide-semiconducter, das heißt Metall-Oxid-Halbleiter) artigen Kondensatorzonen, die als Übertragungsplätze dienen, sodaß lokalisierte elektrische Ladungsanhäufungen (oder Teile davon) im Halbleiter, die auf ein Eingangssignal hin entstehen, sequentiell zwischen benachbarten MOS-Kondensatorzonen. durch den Halbleiter geschoben werden können, und zwar unter den Einfluß einer Folge von elektrischen Spannungsimpulsen (Takt), die an die Elektroden angelegt werden. Die Ladungspakete werden abhängig von einem Signal anfangs am Eingangsende einer Kette solcher MOS-Kondensatorzonen entsprechend einem Strom digitaler oder analoger Signalinformation, beispeilsweise in Form von signalgesteuerten injizierten Ladungen, in einen ersten Übertragungsplatz der CTD injiziert, und zwar zu den der Taktspannungsimpulsfolge entsprechenden Zeitpunkten. Bekanntlich kann die Taktspannungsimpulsfolge im Zusammenhang mit solchen CTD's dreiphasig, zweiphasig oder einphasig sein, wie es beispielsweise in 4-9 Bell System Technical Journal, April 1970, Seiten 587-593, bzw. in den US-Patentschriften 3 651 349 und 3 796 932 beschrieben ist.

Es versteht sich natürlich, daß bei den heutigen HaIbleiterladungsübertragungsvorrichtungen gewöhnlich das Halbleitermedium Silizium und das Oxid Siliziumdioxid ist. Generell können

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jedoch auch andere geeignete Halbleiter-Isolator-Kombinationen verwendet -werden. Dementsprechend kann sich insbesondere der Ausdruck "Oxid" (und folglich "MOS") in Verbindung mit CTD's auf irgendeinen solchen geeigneten Isolator beziehen.

In der deutschen Patentanmeldung P 24· 4-3 118.3 ist eine Eingangsschaltung zum Injizieren von Ladungen in eine Halbleiterübertragungsvorrichtung beschrieben, bei welcher das Ladungspaket-Eingangssignal der Halbleiter-Ladungsübertragungsvorrichtung im ■wesentlichen unabhängig von den Oberflächeneigenschaften des Halbleiters gemacht werden konnte, und zwar durch periodische übertragung signalunabhängiger Eingangsladungen von einer Ladungsquellenzone (Eingangsdiode) auf den ersten Übertragungsplatz der CTD und durch anschließende Übertragung signalabhängiger Ladungen von diesem ersten CTD-Übertragungsplatz zurück zur Ladungsquelle. Dadurch war das resultierende Eingangs- (Signal-) Ladungspaket im ersten Übertragungsplatz, das dann anschließend ins Innere der CTD übertragen wurde, im wesentlichen unempfindlich gegenüber den veränderlichen Halbleiteroberflächenkanaleigenschaften der Halbleiteroberfläche in der Umgebung der Eingangsdiode. Die das gegenwärtige Signal darstellende resultierende Eingangsladung eines gegebenen Paketes war noch etwas verringert durch das Rauschen der an den ersten Übertragungsplatz angelegten Taktspannungen. Auch war die Linearität des Verhältnisses zwischen resultierender Eingangssignalladung und Signalspannung zwar wesentlich verbessert, aber nicht so gut, wie sie für bestimmte kommerzielle Anwendungen für eine analoge Signalverarbeitung wie für analoge Verzögerungsleitungen, Transversalfilter, Zeitkompressoren und -expander erwünscht ist.

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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Ladungübertragungsvorrichtung verfügbar zu machen, bei welcher diese Nachteile verringert werden können.

Zur Lösung dieser Aufgabe ist erfindungsgemäß eine Ladungsübertragungsvorrichtung vorgesehen, die ein Ladungsübertragungsmedium umfaßt und in diesem einen Eingangsteil der Vorrichtung mit verschiedenen Zonen in folgender Eeihenfolge: Eine Eingangszone zum Injizieren von Ladung in das Medium, eine Bezugszone und eine Signalzone, der ein Ladungsübertragungsteil der Vorrichtung folgt. Das Potential der Signalzone ist durch ein Eingangssignal steuerbar, woduch die Signalzone dazu dient, von der Eingangszone entsprechend dem Eingangssignal durch die Bezugszone injizierte Ladung für eine anschließende übertragung in den Übertragungsteil zu sammeln. Die Bezugszone vermag eine Bezugspotentialzone zu erzeugen, und zwar sowohl zur Ladungsübertragung von der Eingangszone zur Signalzone als auch zur Erzeugung einer Potentialbarriere gegen das Zurückfließen von Ladung in der Signalzone zur Eingangszone hin.

Jede dieser Zonen kann eine ihr betriebsmäßig zugeordnete ELektrode aufweisen. Ss kann eine Vorrichtung zur Erregung der der Eingangszone zugeordneten Elektrode vorgesehen sein, um periodisch Ladung in das Medium zu injizieren, eine Vorrichtung zur Errggung der der Bezugszone zugeordneten Elektrode, um die Bezugszone auf dem Bezugspotential zu halten, und eine Vorrichtung zur Erregung der der Signalzone zugeordneten Elektrode dem Eingangssignal entsprechend. Es können Elektroden vorgesehen sein,

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die dem Ladungsiibertragungsteil der Vorrichtung betriebsmäßig zugeordnet sind, und Vorrichtungen zur Erregung dieser Elektroden mit aktiven und passiven Spannungsphasen für eine Ladungsübertragung durch das Medium. Die Spannungen aktiver und passiver Phase an den den letzteren Elektroden zugeordneten Zonen in dem Medium haben die Amplitude V + V bzw. V . Die Bezugssparmung V für das Bezugspotential liegt im Betrieb im Bereich von V bis V + V . Die Vorrichtung zur Erregung der Eingangszonenelektrode dient zur Erzeugung einer Spannung in der Eingangszone, die lediglich für eine vorbestimmte Zeit während einer aktiven Spannungsphase der Vorrichtung zur Erregung der Elektroden des Übertragungsteils im Bereich von V bis V_r liegt und ansonsten größer als V ist. Das Eingangssignal ist im Betrieb vorzugsweise so beschaffen, daß das Spannungspotential der Signalzone im Bereich V bis 1/2(V +V +V )liegt.

Diejenigen Elektroden, die der Bezugszone, der Signalzone und den ersten beiden Zonen des Ladungsübertragungsteils der Vorrichtung zugeordnet sind, können in der Ladungsubertragungsrichtung der Vorrichtung wenigstens etwa zweimal solang sein wie die anderen Elektroden in diesem Teil, und die anderen Elektroden haben in Ladungsubertragungsrichtung im wesentlichen dieselbe Länge.

Die Elektroden können in einer Richtung, die parallel zur Oberfläche des Mediums, aber senkrecht zur Ladungsubertragungsrichtung verläuft, alle im wesentlichen dieselbe Breite haben.

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Das Ladungsübertragungsmedium kann ein elektrisch halbleitendes Medium sein.

Bei einer erfindungsgemäß aufgebauten Vorrichtung kann die Menge der Ladung, die in die Signalzone injiziert und von dieser zur weiteren Verschiebung durch die CTD gesammelt wird, eine lineare Funktion der (das heißt, linear proportional zur) Differenz zwischen der Signalzonenspannung und der Bezugszonenspannung sein. Auf diese Weise kann diese Ladungsmenge im wesentlichen unabhängig sein von dem unvermeidlichen relativ hohen elektrischen Rauschwert in den Taktimpulsspannungen, die dem CTD-Körper zugeführt werden.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen näher erläutert. In der zugehörigen Zeichnung zeigen:

Fig. 1 ein Querschnittdiagramm einer erfindungsgemäßen Dreiphasen-Halbleiter-Ladungsübertragungsvorrichtung;

Fig. 2 zum besseren Verstehen der Betriebsweise der Vorrichtung nach Fig. 1 eine Darstellung von Spannungen in Abhängigkeit von der Zeit;

Fig. 3 ein Querschnittsdiagramm eines Teils einer erfindungsgemäßen Zweiphasen-Halbleiter-Ladungsübertragungsvorrichtung; und

Fig. 4 ein Querschnittdiagramm eines Teils einer erfindungsgemäßen Einphasen-Halbleiter-Ladungsübertragungsvorrichtung.

Aus Gründen der Klarheit ist keine der Zeichnungen notwendigerweise maßstabsgerecht, jedoch mit der Ausnahme, daß die

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ORIGINAL INSPECTED

Elektrodenbreiten für jede der Fig. 1, 3 und 4 in horizontaler Richtung im selben realtiven Maßstab dargestellt sind.

In Fig. 1 umfaßt eine Dreiphasen-Halbleiter-Ladungsübertragungsvorrichtung 10 ein einkristallines p-leitendes Siliziumhalbleitermedium 11. Auf der Oberfläche 12 dieses Mediums 11 ist eine isolierende Oxidschicht 13 niedergeschlagen,

beispielsweise etwa 1500 A dickes Siliziumdioxid, das bei beispielsweise etwa 1100° C thermisch gezüchtet worden ist. Ein Paar N⁺-Zonen 11.1 und 11.2 sind an der Oberfläche 13 gebildet, um als Eingangsdiodenzone 11.1 bzw. Ausgangsdiodenzone 11.2 zu dienen. Die Diodenzonen 11.1 und 11.2 können starke Donator-

18 dotierungen bis zu einer Menge zwischen etwa 10 Atome pro

und 10 Atome pro cnr enthalten, beispielsweise etwa 10 pro cnr, während der Volumenteil des Siliziummediums 11 starke Akzeptordotierungen bis zu einer Menge zwischen etwa 10 Atome pro cm* und etwa 10 Atome pro cnr enthält, beispielsweise etwa 5x10 pro cnr .

Die Oxidschicht 13 enthält ein Paar öffnungen, und zwar eine für eine ohmschenKontaktbildende Elektrode E^ zur Herstellung eines äußeren elektrischen Kontaktes für die Eingangsdiodenzone 11.1 und die andere für eine ohmschenKontaktbildende Elektroden E zur Herstellung eines äußeren elektrischen Kontaktes für die Ausgangsdiodenzone 11.2. Zwischen diesen Elektroden ist eine Reihe von Elektroden E , E , E_x,, E₀, e^, e., e_o, e_x,...e., e_o,

r S I c. 0 I e~ 0 'C-

^e3' ^er ^anS^eor<3-^ne"^t· ^i e ^m^ ^E (Großbuchstabe) bezeichneten Elektroden sind in der x-Richtung (die in der Richtung von E, nach

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λ λ Ό ο υ J ι ι

E verläuft, nämlich parallel zur Oberfläche 12 des Mediums in Ladungsübertragungsausbreitungsrichtung) vorteilhafterweise wenigstens zweimal sobreit wie die mit e (Kleinbuchstabe) bezeichneten Elektroden, die im wesentlichen gleich breit sind. Dadurch sind die unterhalb E und E liegenden Eingangszonen ausreichend breit, um genügend Ladung für eine nachfolgende Übertragung selbst bei einem maximalen Signal zu speichern. Die Längen dieser Elektroden können jedoch parallel zur Zeichnungsebene (ebenfalls parallel zur Oberfläche 12 des Mediums 11) alle gleich sein. Die Breiten dieser letzteren (e-Typ) Elektroden können im Bereich von etwa 5 Mikrometer bis 30 Mikrometer, typischerweise bei etwa 10 Mikrometer liegen. Den Elektroden werden Spannungen von einer Spannungsquelle 15 zugeführt, mit welcher diese verbunden sind.

Im Betrieb ist der vorteilhafterweise gemeinsame Spannungspegel V (Fig. 2) der TaktimpulsSpannungsphasen (φ., φ ρ und (J)₇) zu etwa 1 Volt gewählt, während die gemeinsame Spannungsimpulshöhe V dieser Taktimpulse vorteilhafterweise etwa 15 Volt beträgt. Der Bezugsspannungspegel V kann etwa 5 Volt sein, und diese selbe Spannung V kann sowohl der Elektrode E_r auf der Eingangsseite der CTD 10 als auch der Elektrode e_r auf deren Ausgangsseite zugeführt werden. Der Spannungswert für die Eingangsdiodenspannung (auf E^ geführt) wird vorteilhafterweise so gewählt, daß die Eingangsdiodenspannung lediglich während einer Impulsphase (t_Q-tx|) während der aktiven Phase (V +V ) des Taktimpulses ψ, zwischen V_r und V₀ liegt und ansonsten wenigstens etwas größer als V_O+V_ ist. Die Impulsphase der Eingangs-

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diode tritt somit auf, während die Taktphasen φ. und φ~ beide ruhen (das heißt, sich auf einem Wert befinden, der gleich V_Qist) Die Eingangsdiodenspannung beträgt während des Zeitraums "^₀-t^, der Eingangsimpulsphase, etwa 3 Volt, während der Eingangsdiodenwert ansonsten (außerhalb des Zeitabschnitts t -t^) etwa 17 Volt beträgt. Diese letztere Spannung von 17 Volt kann jedoch solange reduziert werden, wie sie auf einem Wert gehalten wird, der größer als V ist. Die der Elektrode E zugeführte

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Signaispannung ist vorteilhafterweise so eingestellt, daß sie im Bereich zwischen V und V + -p (V + V - V) liegt, und zwar abhängig vom Signal, das heißt, ein ITull-Analogsignal wird durch V und ein maximales Analogsignal durch -^r (V + V + V_) dargestellt. Somit reicht die der Elektrode Ε_ρ zugeführte Bezugsspannung V aus, um ein Bezugspotential in der Bezugsgatterzone (unterhalb der Elektrode E₃₇) zu erzeugen, die an der Bezugsgatterzonen-Signalzonen-Grenzfläche eine Spannungsbarriere bildet. So dient die Bezugs spannung V₃₇ auch dazu, die elektrische Ladung innerhalb der Signalzone in Übereinstimmung mit der Signalspannung V zu halten. Auf diese Weise hat man gemessen, daß die von der Eingangsdiodenzone 11.1 zum CTD-iCö'rper injizierten Ladungen (pro Zyklus der Taktphaseninpulse) eine getreue analoge Darstellung der (mittleren) Signalspannung während des Zeitabschnitts t-t^ sind, und zwar mit einem ITichtlinearitäts-(li'ehler-)wert von weniger als etwa 4-0 dB,bezogen auf das Signal.

Es versteht sich, daß die Elektroden der CTD 10 vorteilhafterweise so hergestellt werden sollten, daß sie die nächst benachbarten Elektroden beiderseits überlappen, und zwar mit geeigneter beidseitiger Isolation, wie sie in dieser Technik be-

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.* i. b ο Ό J I I

kannt ist. Dadurch wird eine im wesentlichen vollständige Ladungsübertragung von einer zur anderen Seite des Halbleitermediuais unterhalb dieser Elektroden sichergestellt.

Es versteht sich außerdem, daß die verschiedenen Spannungen V_Q, V , V und die Taktspannungen φ^, «^, φχ elektrische Potentiale sind, die im Halbleitermedium 11 genau unterhalb der entsprechenden Elektroden erzeugt werden, denen die Spannungen von der Spannungsquelle 15 zugeführt werden, und daß die von der Quelle 15 zu den Elektroden gelieferten entsprechenden Spannungen etwas größer als diese Potentiale sind (aufgrund der Spannungsabfälle über dem Isolator 13).

Bei einer Ziveiphasen-Vorrichtung 30 (Fig. 3) erzeugen die Spannungstaktphasen φ,, und <{)p Spannungspotentiale in dem Halbleitermedium, welche zwischen V_Q im linken Teil eines Übertragungsplatzes während der passiven Phase von §^ in der Taktimpulsfolge und V +V im rechten Teil eines Übertragungsplatzes während der aktiven Phasen von ψ^, variieren. Bei einer Einphasen-Vorrichtung 40 (Fig. 4-) variieren die Spannungspotentiale zwischen V und (V +V ), und zwar wieder im linken bzw. rechten Teil eines Platzes während der passiven bzw. aktiven Phase der Taktiüipulsfolge. Pur die Einzelheiten des Volumenteils der Einphasenvorrichtung 4-0 (das heißt, des Teils rechts von der Elektrode E) kann auf die Beschreibung der Fig. 13 in der bereits erwähnten US-Patentschrift 3 796 932 verwiesen werden.

Bei bestimmten Anwendungen (Gleichtaktsignaleingang), bei welchen die gewünschte Signaleingangsinformation in Form der

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Differenz V-V vorliegt (in "welchem Fall der Bezugspegel der Bezugszone variieren kann), ist es vorteilhaft, daß beide

Elektroden E und E auf dem selten Oxidniveau der Schicht 13 sr

angeordnet sind. Wenn diese Elektroden voneinander getrennt liegen, sollte eine (nicht dargestellte) Hilfselektrode, die von E und E jeweils isoliert ist und diese überspannt, zügefügt werden, um in der Zone unterhalb E und E glatte Potentialbarrieren und folglich glatte Ladungsübertragungen zu erzeugen.

Man glaubt, daß der relativ niedrige Rauschwert und die Linearität zwischen analogen Ladungspaketen und der Signalspannung, die erreicht werden können auf wenigstens2£^laktoren beruhen. Einen Paktor stellen die relativ glatten vertikalen Kanten der Potentialbarrieren des der Elektrode E zugeordneten Platzes im Halbleitermedium dar. Ein weiterer Faktor ist die relative Unempfindlichkeit einer in einem Eingangsladungspaket gesammelten Ladungsmenge gegenüber den unvermeidlichen Rauschspannungen in den Taktimpulsspannungen, die dem Innenteil der Vorrichtung zugeführt werden, da beide den Elektroden E und E (den einzigen Elektroden, die der Ladungsmenge in den Eingangsladungspaketen zugeordnet sind) zugeführten Spannungen unabhängig von Taktimpulsspannungen sind.

Selbstverständlich sind zahlreiche Abwandlungen möglich. Beispielsweise kann (anstelle eines p-leitenden) ein n-leitender Halbleiter für das massive Halbleitermediuiii 11 verwendet werden, und zwar in Verbindung sowohl mit einer Umkehr der Polari-

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täten der zugefülirten Spannungen als auch mit einigen möglichen Änderungen der Größe der zugeführten Spannungen in Abhängigkeit von den Eigenschaften des Halbleitermediums, wie es in dieser Technik bekannt ist. Wenngleich nur Oberflächenkanalhalbieiterbauelemente ausführlich beschrieben worden sind, können außerdem Volurienkanal-Vorrichtungen erfindungsgemäß verwendet werden, das heißt solche, bei welchen die Ladungsübertragung in einer ganzen, aber dünnen (etwa 1 Mikrometer) Halbleiterschicht stattfindet, deren Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des massiven Halbleitersubtrats ist. Schließlich kann es sich bei den Elektroden um beiderseits isolierte, stark dotierte polykristalline Siliziumelektroden handeln, wie sie in der Technik bekannt sind.

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Claims

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Western Electric Company, Incorporated A.M. Mohsen 2 New York, N.T., USA

PATE Ή TA N SPRÜCHE

Ladungsübertragungsvorrichtung mit einem Ladungsübertragungsmedium, einer Eingangszone in dem Medium zum Injizieren von Ladung in das Medium und einem Ladungsübertragungsteil für die Übertragung von Ladung über das Medium, dadurch gekennzeichnet , daß eine Bezugszone (E) und eine Signalzone (S) vorgesehen sind, auf welche der Ladungsübertragungsteil (E^, E2, e,, ...) der Vorrichtung (1O) folgt, daß das Potential der Signalzone durch ein Eingangssignal (S) steuerbar- ist, sodaß die Signalzone von der Eingangszone (E^, 11.1) durch die Bezugssone injizierte Ladung dem Eingangssignal entsprechend für eine anschließende Übertragung in den Übertragungsteil zu sarxmeln vermag, und daß die Bezugszone eine Bezugspotentialzcne zu erzeugen vermag, die sowohl der Ladungsübertragung von der Eingangszone zur Signalzone als auch der Erzeugung einer Potentialbarriere gegen das Zurücklaufen der in der Signalzone befindlichen Ladung zur Eingangszone hin dient.

2.) Ladungsübertragungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch München: Kramer · Dr.Weser · Hirsch — Wiesbaden: Blumbach · Dr. Bergen · Zwirner

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gekennzei chnet , daß jede Zone eine ihr betriebsmäßig zugeordnete Elektrode E,, E , E aufweist,

CX S. S

und daß eine Einrichtung (15, V^) zum Erregen der der Eingangszone zugeordneten Elektrode vorgesehen ist, um periodisch Ladung in das Medium (11) zu injizieren, sowie eine Einrichtung (15, V ) zum Erregen der der Bezugszone zugeordneten Elektrode, um die Bezugszone auf Bezugspotential (V_r) zu halten, und eine Einrichtung (S) zur Erregung der der Signalzone zugeordneten Elektrode entsprechend dem Eingangssignal.

3·) Ladungsübertragungsvorrichtung nach Anspruch 2, mit dem Ladungsübertragungsteil der Vorrichtung betriebsmäßig zugeordneten Elektroden und nit einer Einrichtung zum Erregen dieser Elektroden mit aktiven und passiven Spannungsphasen zur übertragung von Ladung über das Medium, dadurch gekennzeichnet , daß die Spannungen aktiver und passiver Phase an Zonen in dem Medium (11), die diesen Elektroden zugeordnet sind, die Größe V + V bzw. V aufweisen, daß die Bezugsspannung V für das Bezugspotential im Bereich von V bis V +V liegt, und daß die Einrich-

o op

tung zur Erregung der Eingargszonenelektrode in der Eingangszone eine Spannung zu erzeugen vermag, die lediglich für eine vorbestiinmte Zeit während einer aktiven Spannungsphase der Einrichtung zur Erregung der Elektroden des übertragungsteils E^, E₂, e^, e₂, e* im Bereich von V bis V liegt und ansonsten größer als V₃₇ ist.

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M-.) Vorrichtung nach Anspruch. 3₅ dadurch gekennzeichnet , daß das Eingangssignal im Betrieb derart ist, daß das Spannungspotential der Signalzone im Bereich von V_r his 1/2(V_r + V_Q + V) liegt.

5.) Ladungsübertragungsvorrichtung nach Anspruch 3 oder 4-, dadurch gekennzeichnet , daß diejenigen Elektroden, welche der Bezugszone, der Signalzone und den ersten beiden Zonen (E^, E^) des Ladungsübertragungsbereiches der Vorrichtung zugeordnet sind, in der Ladungsübertragungsrichtung in der Vorrichtung wenigstens zweimal so lang sind wie die anderen Elektroden in diesem Teil, und daß die anderen Elektroden in der Ladungsübertragungsrichtung im wesentlichen dieselbe Länge aufweisen.

6.) Ladungsübertragungsvorrichtung nach Anspruch 3 5 4- oder 5» dadurch gekennzeichnet , daß die Elektroden in einer Eichtung, die parallel zur Oberfläche des Mediums, aber senkrecht zur Ladungsübertragungsrichtung verläuft, alle im wesentlichen dieselbe Breite haben.

7.) Ladungsübertragungsvorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzei-ch net , daß es sich bei dem Medium (11) um ein elektrisch halbleitendes Medium handelt.

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