DE2553633C2 - Optoelektronische Sensoranordnung - Google Patents

Description

nische Sensoranordnung an einer Oberfläche eines mit 40 spielsweise aus der Veröffentlichung »Charge Coupled

Device Scanner Having Simultaneous Readout, Optical Scan and Data Rate Enhancement« von W. F. Bankowski und J. D.Tartamella in IBM Techn. Disci. Bull., Vol. 16, Nr. 1, Juli 1973, S. 173 - 174 hervor.

Als Auslcseschieberegister wird vorzugsweise eine ladungsgekoppelte Verschiebevorrichtung verwendet, die auf der Oberfläche des Substrats integriert ist. Ladungsgekoppelt Verschiebevorrichtungen sind in der DT-OS 22 01150 dargestellt und beschrieben.

Solche Verschiebevorrichuingen sind im wesentlichen so aufgebaut, daß auf einer Oberfläche eines Substrats aus dotiertem Halbleitermaterial eine elektrisch isolierende Schicht aufgebracht ist, die eine Reihe von Elektroden, die durch schmale Spalte voneinander getrennt sind, trägt. Es lassen sich Verschiebevorrichtungen für Zwei-, Drei-, Vier-Phasen-Betrieb usw. unterscheiden. Bei Verschiebevorrichtungen für den Zwei- bzw. Vier-Phasen-Betrieb bildet jeweils eine Gruppe von vier aufeinanderfolgenden Elektroden einen Speicherplatz. Bei einer Verschiebevorrichtung für den Drei-Phasen-Betrieb bildet jeweils eine Gruppe von drei aufeinanderfolgenden Elektroden in der Reihe einen Speicherplatz, leder Bildpunkt des eindimensionalen optoelektronischen Sensors wird in einen solchen Speicherplatzeingelesen.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, in einer Sensoranordnung der eingangs genannten Art den Schutz gegen Überbestrahlung zu verbessern.

wenigstens einem Substratanschluß versehenen Substrats aus dotiertem Halbleitermaterial mit einem eindimensionalen optoelektronischen Sensor, einem Überlaufkanal entlang einer Längsseite der Bildpunktreihe des eindimensionalen optoelektronischen Sensors zum Schutz gegen Überbestrahlen und mit mindestens einem Parallel-Serien-Ausleseschieberegister, das entlang der anderen Längsseitc der Bildpunktreihe angeordnet ist und in das die PMdpunkte parallel auslesbar sind.

Eindimensionale optoelektronische Sensoren eier eingangs genannten Art bestehen im wesentlichen aus einer Reihe von MIS-Kondensatoren an der Oberfläche des Substrats. Jeder dieser MIS-Kondensatoren ist dabei so aufgebaut, daß auf der Oberfläche des Substrats eine elektrisch isolierende Schicht aul gebracht ist, die eine Elektrode trägt. Mindestens bei jedem MIS-Kondensator muß eine lichtdurchlässige Stelle vorhanden sein, durch die Licht in das Substrat eindringen kann. Durch Licht werden im Substrat Ladungsträger erzeugt. Legt man eine entsprechende Spannung zwischen Substratanschluß und der Elektrode eines MIS-Kondensators, können diese Ladungsträger in diesem Kondensator im Substrat unter der Kondensatorelektrodc gesammelt werden. In einem praktischen Beispiel ist ein solcher eindimensionaler optoelektronischer Sensor so aufgebaut, daß auf der Oberfläche des Substrats eine lichtdurchlässige elektrisch isolierende Schicht aufge-

Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß jeweils wischen zwei benachbarten Bildpunkten ein Überlaufelement in Form eines MIS-Kondensators mit Abstand zu diesen auf der Substratoberfläche angeordnet ist, dessen Speicherbereich an der Substratoberfläche unter seiner Kondensatorelektrode über einen festen oder einstellbaren Potentialwert im Substrat mit dem Liberlaufkanal verbunden ist.

In einer vorteilhaften Ausführungsform ist die optoelektronische Sensoranordnung so ausgebildet, daß ίο Hie Bildpunkte und die Überlaufelemente durch Bereiche dünnerer Schichtdicke in der elektrisch isolierenden Schicht definiert sind und von einem Streifen aus lichtdurchlässigen elektrisch leitenden Material überdeckt sind, daß die Überlaufelemente bis mindestens an den Rand des Überlaufkanals heranreichen und daß der Zwischenraum zwischen Überlaufkanal und dem Streifen von einer Transfer-Elektrode überdeckt ist.

Die Anordnung hat den Vorteil, daß die einzelnen Bildpunkte des eindimensionalen optoelektronischen Sensors erheblich besser voneinander getrennt sind, da ein Informationsfluß von einem Bildpunkt zum nächsten nicht möglich ist. Die Auflösung der Sensorunordnung gegenüber herkömmlichen Anordnungen der eingangs genannten Art wird nicht erheblich beeinträchtigt. Die Anordnung kann überdies ohne erhebliche zusätzliche Verfahrensschritte wie eine herkömmliche Sensoranordnimg hergestellt werden.

Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbcispiels in der Figur näher erläutert.

Die Figur zeigt in Draufsicht einen Ausschnitt aus einem Ausfiihrungsbeispiel einer Sensoranordnung.

In der Figur ist in Draufsicht ein Ausschnitt einer bevorzugten Ausführungsform einer vorstehend angegebenen Sensoranordnung dargestellt. Die gesamte Anordnung befindet sich auf einer Oberfläche einer lichtdurchlässigen, elektrisch isolierenden .Schicht I, die auf einer Oberfläche eines Substrats aus dotiertem Halbleitermaterial mit Substratanschluß aufgebracht ist. Diese elektrisch isolierende Schicht 1 weist innerhalb der durch die Linien 2 bzw. 3 umrahmten Bereiche eine dünnere Schichtdicke als außerhalb auf. Günstig isi es dabei, wenn die Schichtdicke außerhalb der durch die Linien 2 bzw. 3 definierten Bereiche möglichst groß gegenüber der dünneren Schichtdicke im Inner· n dieses Bereichs gewählt wird. Die Bildpunkte des eindimensionalen optoelektronischen Sensors sind durch die Verliefungen 31 bis 36 in der Oberfläche der elektrisch isolierenden Schicht definiert. Die kanalartigcn Vertielungen 4 und 5 bilden die Übertragungskanäle zweier Isdungsgekoppelter Verschiebevorrichtungen. die als Ausleseschieberegister dienen. Dazu wird jedoch später noch Näheres erläutert. Entlang der dem Übertragungskanal 4 gegenüberliegenden Längsseitc der Bildpunkt- reihe des eindimensionalen Sensors ist der Überlaufkanal entlanggeführt, der aus einer entgegengesetzt zum Substrat dotierten Leitung 6 an der Substratoberfläche besteht. Diese Leitung ist mil einem hier nicht gezeichneten Anschlußkoniakt versehen, jeweils zwisehen zwei Bildpunkten des eindimensionalen Sensors ist ein Überlaufelement angeordnet. Die Überlaufelemente sind mit den Bezugszeichen 51 bis 57 versehen und bestehen wie die Bildpunkte aus Bereichen dünnerer elektrisch isolierender Schicht. Aul der elektrisch isolierenden Schicht befindet sich ein Streifen 7 aus lichtdurchlässigem, elektrisch leitendem Material, der die Vertiefungen 31 bis 37 bzw. 51 bis 57 in der elektrisch isolierenden Schicht überdeckt Der Zwischenraum zwischen Überiaufkanal und einem Streifen 7 ist durch eine Transfer-Elektrode 10 überdeckt. Dazu wird später noch Näheres erläutert. Die Vertiefungen 3i bis 36 sind über dazu grabenartige Vertiefungen 41 bis 46 in der elektrisch isolierenden Schicht mit dem Kanal 4 verbunden. Diese grabenartigen Vertiefungen definieren lnformationsübertragungskapäle zum Übertragen der in den Bildpunkten gespeicherten Information in die entsprechenden Speicherplätze des Ausleseschieberegisters. Allgemein können als Ausleseschieberegister alle Arten von ladungsgekoppelten Verschiebevorrichtungen verwendet werden. Der Abstand zweier Bildpunkte des eindimensionalen Sensors wird durch die Speicherplatzlänge (in der Regel drei bis vier Elektroden) der ladungsgekoppelt Verschiebevorrichtung bestimmt. Der Bildpunkiabstand läßt sich durch Verwendung zweier Ausleseschiebcregister auf folgende Weise erheblich verringern: Das erste Ausleseschieberegister ist eine ladungsgekoppelte Verschiebevorrichtung mit vier Elektroden pro Speicherplatz. In jeden Speicherplatz sind zwei Bildpunkte des Sensors auslesbar, wobei ein Bildpunkt unter eine, der andere unter eine übernächste der vier Elektroden des Speicherplatzes atislesbar ist und wobei diese beiden Elektroden in allen Speicherplätzen den gleichen Platz in der Elektroden-Vicrcrgruppe einnehmen. In jedem Speicherplatz ist der Speicherbereich unter der einen dieser beiden Elektroden, die in allen Speicherplätzen denselben Platz in der Elektroden Vicrcrgruppe einnimmt, unmittelbar auslesbar. Diese Speicherbereiche werden in das /weite Ausleseschieberegisier parallel ausgelesen.

Im Ausführungsbeispiel nach der Figur ist nun eine solche Auslesevorrichtung mit zwei Ausleseschieberegislern verwendet. Die kanalartige Vertiefung 4 bildet den Übertragungskanal des ersten und die kanalartige Vertiefung 5 den Übertragungskanal des /weiten Ausleseschieberegisters. Die kanalartige Vertiefung 4 ist über grabenartige Vertiefungen 61 bis 63 in der elektrisch isolierenden Schicht mit der kanalartigen Vertiefung 5 verbunden. Diese grabenartigen Vertiefungen definieren ebenfalls lnformationsüberiragungsk.inäle zur parallelen Übertragung der Information vom ersten Ausleseschieberegistcr zum zweiten. Über der kanalartigen Verliefung 4 in der elektrisch isolierenden Schicht sind die Elektroden 401 bis 404 der ladimgsgekoppelten Verschiebevorrichtung aufgebracht. Jeweils eine Vierergruppc von Elektroden 401 bis 404 bilden einen Speicherplatz dieser Verschiebevorrichtung. Die Elektroden 402 und 404 befinden sich bei den schmalen grabenartigen Vertiefungen 41 bis 46 in der elektrisch isolierenden Schicht und überdecken diese bis nahe an den Streifen 7. Jeweils die mil gleichen Bezugszeichen versehenen Elektroden sind über Taktleitungen 410 bis 440 elektrisch leitend miteinander verbunden. Das zweite Ausleseschiebercgister ist wie das erste Ausleseschieberegister als ladungsgekoppelt Verschiebevorrichtung ausgebildet, d. h. über der kanalartigen Verliefung 5 in der elektrisch isolierenden Schicht sind Elektroden 501 bis 504 aufgebracht, wobei jeweils eine Vierergruppc von Elektroden 501 bis 504 einen Speicherplatz bildet. Jede der Elektroden 502 befindet sich bei einer der schmalen grabenartigen Vertiefungen 61 bis 63 und überdeckt diese bis nahe an die Elektrode 404. |edc der Elektroden 404 des ersten Ausleseschieberegisters befindet sich bei einer dieser grabenartigen Vertiefungen 61 bis 63 und ist ebenfalls über die kanalartige Vertiefung 4 seitlich erweitert und über-

deckt dabei die grabenartige Vertiefung. Über den Zwischenräumen zwischen den Elektroden 402 und 404 des ersten Ausleseschieberegislers und dem Streifen 7 ist von beiden elektrisch isoliert eine Transfer-Elektrode 8 und über den Zwischenraum zwischen den Elektroden 404 des ersten Ausleseschieberegislers und den Elektroden 502 des zweiten Ausleseschieberegisters ist ebenfalls von diesen elektrisch isoliert eine zweite Transfer-Elektrode 9 aufgebracht. Die mit gleichen Bezugszeichen versehenen Elektroden des Auslese-Schieberegisters sind durch Taktleitungen 510 bis 540 elektrisch leitend miteinander verbunden. Über den Zwischenraum zwischen dem Streifen 7 und der dotierten Leitung 6 ist von beiden elektrisch isoliert die Transfer-Elektrode 10 aufgebracht. Diese Transfer-Elektrode besteht aus zwei Elektrodenstreifen 101 und 102. Der Grund für diese spezielle Ausführungsform wird im folgenden noch näher erläutert. Grundsätzlich genügt jedoch auch ein einziger Elektrodenstreifen als Überlaufkanal.

Das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel wird vorzugsweise folgendermaßen hergestellt: Auf eine Oberfläche eines Substrats aus p(n)-doiiertem Silizium mit einer Dotierung von etwa ΙΟ¹⁴- 10¹⁶cm-³ wird eine Siliziumdioxidschicht von einer Schichtdicke von etwa 1 μιη (Dickoxid) aufgebracht. Diese Schicht wird im von der Linie 2 und der Linie 3 umrahmten Bereich weggeätzt. Durch erneutes Oxidieren wird in diesem Bereich eine Siliziumdioxidschicht von etwa 0,1 μηι (Dünnoxid) erzeugt. Nun wird auf dieser Oberfläche eine Polysiliziumschicht von einer Schichtdicke von etwa 0,6 μιη aufgebracht. Diese Schicht wird zunächst über den Bereich der noch zu erzeugenden Leitung 6 weggeätzt. Nun wird die Oberfläche einer Ionenimplantation ausgesetzt, wodurch die Polysiliziumschicht dotiert und damit leitend gemacht wird, und wodurch die dotierte Leitung 6 selbstjustierend hergestellt wird. Anstatt einer Ionenimplantation kann auch Diffusion verwendet werden. Die Dünnoxidschicht ist dann aber im Bereich 6 mit wegzuätzen (dies ist bei Verwendung der Ionenimplantation nicht notwendig, wenn mit hinreichend hoher Energie gearbeitet wird). Die Dotierung des Überlaufkanals und des Polysiliziums wird etwa 10'⁹ cm-³ oder größer gewählt. Als Implantations- bzw. Diffusionsstoffe können beispielsweise Phosphor(Bor)-lonen bzw. -Atome bei p(n)-dotiertem Substrat verwendet werden. Nach der Dotierung wird die Polysiliziumschicht bis auf die Elektroden 402 bis 404 bzw. 501 bzw. 504, die Taktleitungen 440, 520 und 540, den Streifen 7 und dem Polysilizium-Elektrodenstreifen 102 der Überlaufelektrode 10 weggeätzt. Durch Oxidation werden nun diese Polysiliziumteiie mit einer Siliziumdioxidschicht von einer Schichtdicke von etwa 03 μιτι bedeckt. Es werden nun Kontaktlöcher für die Anschlußkontakte der Taktleitungen aus Polysüizium, den Streifen 7, den Streifen 101 und über den Elektroden 402 zur Herstellung der Verbindung dieser Elektroden mit der Taktleitung 420 geschaffen. In der Figur sind nun die Kontaktlöcher für die Elektroden 402 angedeutet und mit den Bezugszeichen 4020 versehen. Die übrigen Kontaktlöcher werden nahe an einem Ende der Taktleitungen aus PolysHizium, des Streifens 7 und des Streifens 101 angebracht Auf dieser Oberfläche werden nun durch Aufbringen von Metall-Lagen, beispielsweise durch Bedampfen der Oberfläche mit Aluminium unter Verwendung von Bedampfungsmasken, die Elektroden 401 und 403 mit den sie verbindenden Taktleitungen 410 und 430. die Elektroden 501 und 503 mit den sie verbindenden Taktleitungen 520 und 530, die Transfer-Elektroden 8 und 9, der zweite Elektrodenstreifen des Überlaufgates 10, die Taktleitung 420, die über die Kontaktlöcher 4020 geführt ist, und die Anschlußkontakte über den noch freien Kontaktlöchern aufgebracht. Die Transfer-Elektrode 8 überlappt den seitlichen Längsrand des Streifens 7 und die seitlichen Ränder der Elektroden 402 und 404, die Transferelektrode 9 überlappt die seitlichen Ränder der Elektroden 404 und 502 und der zweite Elektrodenstreifen 102 der Transfer-Elektrode 10 überlappt den anderen Längsrand des Streifens 7 und den einen Längsrand des ersten Elektrodenstreifens des Überlaufgates.

Typische Lateralabmessungen für die beschriebene Anordnung sind folgende: Größe der Bildpunkte 6 χ 30 μιη, dabei 6 μιτι in Reihenlängsrichtung und 30 μιη quer dazu, Breite der Überlaufelemente in Reihenlängsrichtung 5 μιη, quer dazu 46 μιτι. Abstand eines Überlaufelements von einem benachbarten Bildpunkt 4 μηι, Breite der Elektroden der Ausleseschieberegister: 12 μιη für Polysiüzium-Elektroden und 10 μιη für Aluminium-Elektroden, alle Überlappungen 2 μιη. Alle übrigen Maße können aus der Zeichnung mit Hilfe des Maßstabs entnommen werden.

Allgemein wird eine angegebene Sensoranordnung so betrieben, daß der Sensor und der Überlaufkanal in an sich bekannter Weise betrieben werden, d. h. an den Polysiliziumstreifen 7 wird zumindest während der Bildaufnahme eine Spannung angelegt, die unter den Bildpunkten 31 bis 36 und den Überlaufelementen 51 bis 57 Potentialmulden für die vom Licht erzeugten Informationsladungsträger im Substrat erzeugt. Man kann dabei getakteten Betrieb und Dauerbetrieb unterscheiden, d. h. beim Taktbetrieb wird diese Spannung nur während der Bildaufnahme angelegt, während sie im Dauerbetrieb stets am Streifen 7 anliegt. Der Überlaufkanal wird so betrieben, daß an ihn eine Spannung angelegt wird, die einer sehr tiefen Potentialmulde für die Informationsladungsträger entspricht und daß an die Transferelektrode 10 eine Spannung angelegt wird, die einen bestimmten Potentialwert zwischen den Potentialmulden der Überlaufelemente und der Potentialmulde im Überlaufkanal erzeugt. Dieser Potentialwert wird vorzugsweise so eingestellt, daß keine Potentialschwelle zwischen der durch die Spannung am Streifen 7 erzeugten Potcntialmulde und der Potentialmulde des Überlaufkanals vorhanden ist. Allerdings schadet eine nicht allzu große Potentialschwelle nicht Wichtig ist, daß sie so klein ist daß von den Bildpunkten her eingeflossene Überschußladungsträger abfließen können bzw. die Potentialmulde des Überlaufelements selbst überfließt

Im Ausführungsbeispiel nach der Figur besteht die Überlaufelektrode aus zwei Elektrodenstreifen 101 und 102, wobei die Elektrode 101 aus Polysilizium besteht. Dies ist vorteilhaft da mit einer Polysilizium-Elektrode eine Potentialschwelle sehr genau (bis auf 0,2 Volt) eingestellt werden kann. Die andere Elektrode aus Metall dient nur zur Überbrückung des Zwischenraumes zwischen dieser Polysilizium-Elektrode und dem Streifen 7. Die Bildpunkte des Sensors werden parallel in das Ausleseschieberegister ausgelesen und aus diesem seriell ausgeschoben. Wenigstens während dieses Ausschiebens wird der Sensor in Bikteufnahmezustand gesetzt Nachdem die Information aus dem Ausleseschieberegister ausgeschoben ist, wird der Sensor erneut ausgelesen. Im Ausruhrf<gsbeispiel nach der Figur werden zum Auslesen des Sensors in das

Ausleseschieberegister an die Elektroden des Registers Spannungen so angelegt, daß die Speicherbereiche unter den beiden Elektroden in jedem Speicherplatz, in den ausgelesen wird, in Speicherzustand gesetzt sind, d. h. unter diesen Elektroden befinden sich während dieser Zeit tiefere Potentialmulden für die Informalionsladungstrüger als unter den Nachbarelcktroden. In diese Speicherbereiche wird der Sensor ausgelesen. In der Figur sind dies die Speicherbereiche unter den Elektroden 402 und 404. Der Speicherbereich unter der einen der beiden Elektroden (Elektroden 404) wird jedoch sofort in den entsprechenden Speicherplatz des zweiten Auslcseschiebcregisters ausgelesen. In der Figur sind dies die Speicherbereiche unter den Elektroden 502. Anschließend wird die in beiden

Ausleseschieberegistern gespeicherte Information seriell aus beiden Registern ausgelesen. Nachdem die Information aus den Schieberegistern ausgelesen ist, wird der Sensor erneut ausgelesen. Im Ausführungsbeispiel erfolgt das Auslesen über die beiden Transfer-Elektroden. Während der Bildaufnahme werden an diese beiden Transfer-Elektroden Spannungen angelegt, die Potentialsdiwellen erzeugen.so daß ein Ladiingslluß von den Bildpunkten /um Ausleseschieberegister und vom Ausleseschiebercgister zum /weiten Ausleseschicberegister nicht möglich ist. Beim Auslesen werden an die beiden Transfer-Elektroden Spannungen angelegt, die diese Potentialschwellen abbauen, so daß ein Ladungsfluß ermöglicht wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:

1. Optoelektronische Sensoranordnung an einer Oberfläche eines mit wenigstens einem Substratanschluß versehenen Substrats aus dotiertem HaIbfeitermaterial mit einem eindimensionalen optoelektronischen Sensor, einem Überlaufkanal entlang einer Längsseite der Bildpunktreihe des eindimensionalen optoelektronischen Sensors zum Schutz gegen Überbestrahlen und mit mindestens einem Parallel-Serien-Ausleseschieberegister, das entlang der anderen Längsseite der Bildpunktreihe angeordnet ist und in das die Bildpunkte parallel auslesbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils zwischen zwei benachbarten Bildpunkten ein Überlaufelement (51 bis 57) in Form eines MIS-Kondensators mit Abstand zu diesen auf der Substratoberfläche angeordnet ist und dessen Speicherbereich an bracht wird, die an den Stellen der Kondensatorelektroden dünnere Schichtdicke aufweist als außerhalb. Auf die Oberfläche dieser elektrisch isolierenden Schicht ist ein durchgehender Streifen aus lichtdurchlässigem, elektrisch leitendem Material aufgebracht, der sämtliche Stellen, an denen die elektrisch isolierende Schicht dünnere Schichtdicke aufweist, bedeckt. Durch Anlrgen einer entsprechenden Spannung zwischen Substratanschluß und diesem Streifen wandern dann die vom Licht erzeugten Ladungsträger unter die Sereiche der dünneren elektrisch isolierenden Schicht.

Bei Sensoren tritt allgemein das Problem auf, daß durch Überbestrahlen mit Licht zu viele Ladungsträger erzeugt werden, die von den MIS-Kondensatoren nicht mehr aufgenommen bzw. gehalten werden können. Diese zuviel erzeugten Ladungsträger werden an das Substrat abgegeben und können bei Nachbarkondensatoren zu erheblichen Informationsverfälschungen oder gar zur Zerstörung der Information führen. Sensoren

Kondensator- 20 weisen deshalb in der Regel eine Schutzvorrichtung gegen Überbestrahlen auf. Bei einem eindimensionalen optoelektronischen Sensor der eingangs genannten Art besieht eine solche Schutzvorrichtung in der Regel aus einem Überlaufkanal. Dieser ist entlang einer Längssei-25 te der MIS-Kondensatorreihe in einem Abstand von ^J den MIS-Kondensatoren entlanggeführt. Er kann beispielsweise aus einer entgegengesetzt zum Substrat dotierien Leitung mit Anschlußkontakt bestehen. Ein Beispiel für einen solchen Überlaufkanal in Form einer sindfdaß die Überlaufelemente bis mindestens an 30 dotierien Leitung ist in der Veröffentlichung »Blooming

der Substratoberfläche unter seiner elektrode über einen festen einstellbaren Potentialwert im Substrat mit dem Überlaufkanal verbunden ist.

2. Optoelektronische Sensoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bildpunkte und Überlaufelemente durch Bereiche dünnerer Schichtdicke in der elektrisch isolierenden Schicht definiert sind und von einem Streifen aus lichtdurch-2en, elektrisch leitenden Material überdeckt

den Rand des Überlaufkanals heranreichen und daß der Zwischenraum zwischen Überlaufkanal und dem Streifen von einer Transfer-Elektrode (10) überdeckt ist.

Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoeleklro-Supprcssion in Charge-Coupled-Area Imaging Devieces« von C. H. S e q u i η in HST]. Okt. 1972, S. 1923 bis 1926 beschrieben. Das Funktionsprinzip eines Sensors mit Überlaufkanal liegt darin, daß die überschüssige Ladung über eine Potentialschwelle, die einstellbar sein kann, in eine Pote; lialsenke fließt.

Es ist bekannt, die Bildpunkte eindimensionaler optoelektronischer Sensoren parallel in ein Parallel-Serien-Ausleseschiebercgister einzulesen. Dies geht bei