DE2527597B2 - Eindimensionale optoelektronische abtastvorrichtung - Google Patents
Eindimensionale optoelektronische abtastvorrichtungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung, bei der aul
6s einer elektrisch isolierenden Unterlage wenigstens ein
wenigstens während des Betriebes seitlich gegen seine Umgebung für die Informationsladungsträger elektrisct
isolierter, als Sensor dienender Streifen aus dotierten
Halbleitermaterial aufgebracht ist, der wenigstens eine
lichtdurchlässige elektrisch isolierende Schicht trägt auf der wenigstens in Abständen Elektroden aufgebracht
sind, die elektrisch leitend miteinander verbunden sind,
bei der wenigstens an einer Streifenlängsseite Sensorausgänge zum parallelen Auslesen der im Streifen unter
den Elektroden gespeicherten, von licht erzeugten Information vorhanden sind, bei der wenigstens ei»
parallel einlesbares Datenschieberegister mit Paralleleingängen vorhanden ist und bei der jeder Sensorausgang über je einen für die Informationsladungsträger
leitenden Kanal in dem ein elektronischer Schalter angeordnet ist. mit genau einem Paralleleingang des
Datenschieberegisters verbunden ist
Eindimensionale Abtastvorrichtungen der eingaags genannten Art sind bekannt Beispielsweise wird eine
solche eindimensionale Abtastvorrichtung in der Veröffentlichung »Charge-Coupled Device Scanner Having
Simultaneous Readout. Optical Scan And Data Rate
Enhancement« von W.F. Bankowski und J.D. Tartamella in IBM Technical Disclosure Bulletin
Vol. 16. Nr. 1. Juni 1973. S. 173 bis 174 beschrieben. Allgemein müssen bei Sensoren Schutzmaßnahmen
gegen Oberbelichten vorgenommen werden. Zu starke Belichtung eines Sensors führt nämlich dazu, daß mehr
Ladungsträger erzeugt werden als unter den Sensorelektroden festgehalten werden können.
Diese zuviel erzeugten Ladungsträger breiten sich im Substrat aus und führen bei den Nachbarsensuren zur
Informationsverfälschung. In der Veröffentlichung »Blooming Suppression in Charge Coupled Area
Imaging Devices« von G H. S e q u i η in BSTJ, Oktober
1972. S. 1923 bis 1926 wird eine Schutzmaßnahme für
Sensoren angegeben. Dort werden in einem seitlich entlang der Sensoren geführten, dotierten Überiaufkanal die zuvie1 erzeugten Ladungsträger gesammelt und
abgeführt Bei Abtastvorrichtungen der eingangs genannten Art ist die Verwendung eines Überlaufkanals
jedoch nur möglich, wenn nur ein Schieberegister an einer Streifenlängsseite des Sensors angeschlossen ist.
Der Überlaufkanal kann dann entlang der anderen Streifenlängsseite angeordnet werden. Im Hinblick auf
eine hohe Auflösung des Sensors ist es jedoch von Vorteil wenn an beiden Längsseiten des Sensors
Schieberegister angeschlossen sind, so wie es in der erstgenannten Veröffentlichung auf Seite 173 in der
F i g. 1 dargestellt ist In diesem Fall ist die Verwendung eines Überlaufkanals nicht möglich.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Abtastvorrichtung der eingangs genannten Art anzugeben, bei der die bei Überbelichtung zmiel erzeugten
Ladungsträger ohne Verwendung eines Überlaufkanals abgeführt werden können.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß zwischen die
Sensorausgänge und die elektronischen Schalter ein parallel ein- und auslesbares Überlauf-Schieberegister
geschaltet ist, welches an jedem Speicherplatz einen Paralleleingang und einen Parallelausgang aufweist und
bei dem zwischen diesen Speicherplätzen wenigstens ein Zwischenspeicherplatz vorhanden ist und daß jeder
Sensorausgang über einen, für die Informationsladungsträger leitenden Kanal, in dem ein elektronischer
Schwellwertschalter mit steuerbarem Schwellwert angeordnet ist, mit genau einem dieser Paralleleingänge
und jeder dieser Parallelausgänge über den für die Informationsladungsträger leitenden Kanal, in dem der
elektronische Schalter angeordnet ist, mit genau einem der Paralleleingänge des Datenschieberegisters verbunden ist
Vorteilhaft ist es dabei, wenn das Überlauf-Schieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung besteht
S _ Vorteilhaft und zweckmäßig ist es dabei, wenn das
Überlauf-Schieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung für Zwei-Phasen-Betrieb besteht welche dadurch gebildet ist, daß auf der elektrisch
isolierenden Unterlage wenigstens ein zweiter Streifen
aus dem dotierten Halbleitermaterial aufgebracht ist
der mindestens eine elektrisch isolierende Schicht trägt,
auf oder entlang der Streifenlängsrichtung wenigstens
eine Reihe von durch Spalte voneinander getrennte Elektroden aufgebracht ist, wobei die Elektroden der
Reihe nach abwechselnd auf dünnerer und dickerer elektrisch isolierender Schicht liegen und daß unter
jeder übernächsten der Elektroden in der Reihe, die auf
dünnerer elektrischer isolierender Schicht liegen, jeweils einer der Paralleleingänge und Parallelausgänge
zo vorhanden sind.
Für den Fall, daß das Datenschieberegister aus einer
ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung besteht ist es von Vorteil, wenn es höchstens bis auf die
Parallelausgänge einen zum Überlauf-Schieberegister
identischen Aufbau aufweist
Vorteilhafterweise ist dabei die Abtastvorrichtung so aufgebaut daß die Sensorausgänge, die Parallelein- und
Parallelausgänge der Schieberegister und die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen diesen dadurch
gebildet sind, daß die Streifen aus dem dotierten
Halbleitermaterial wenigstens an den entsprechenden Stellen durch Leitungen aus dem dotierten Halbleitermaterial miteinander verbunden sind, daß sämtliche
elektronischen Schalter dadurch gebildet sind, daß quer
über die Leitungen zwischen Datenschieberegister und Überlauf-Schieberegister ein von diesen durch mindestens eine elektrisch isolierende Schicht getrennter erster
Elektrodenstreifen mit einem Anschluß zum Anlegen eines Schaltimpulses gelegt ist und daß sämtliche
Schwellwertschalter dadurch gebildet sind, daß quer
über die Leitungen zwischen Überlauf-Schieberegister und Sensor, ebenfalls von diesen durch mindestens eine
elektrisch isolierende Schicht getrennt ein zweiter Elektrodenstreifen mit einem Anschluß zum Anlegen
von Schwellspannungen gelegt ist
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung gehen aus weiteren Unteransprüchen hervor.
Die erfindungsgemäße Abtastvorrichtung hat den Vorteil, daß die bei Überbelichtung zuviel erzeugten
Ladungsträger auch bei zu beider. Seiten des Sensors angeordneten Datenschieberegistern abgeführt werden
können. Die Abtastvorrichtung kann außerdem so hergestellt werden, daß keine zusätzlichen Verfahrensschritte gegenüber herkömmlichen Abtastvorrichtun-
gen notwendig sind.
Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels in den Figuren näher erläutert
Fig.! zeigt in Draufsicht ein Ausführungsbeispiel
einer Abtastvorrichtung;
6*. F i g. 2 zeigt einen Querschnitt längs der Schnittlinie
I-I in der F i g. 1 und unter den Elektroden den örtlichen
Verlauf des Oberflächenpotentials bei verschiedenen Betriebsbedingungen;
F i g. 3 zeigt acht Impulsdiagramme über die Zeit t;
F i g. 4 zeigt einen Querschnitt entlang der Schnittlinie H-II in der Fig. 1 und unter den Elektroden den
örtlichen Verlauf des Oberflächenpotentials zu zwei verschiedenen Zeitpunkten.
In der F i g. 1 ist in Draufsicht ein Ausführungsbeispiel einer Abtastvorrichtung, hergestellt in einer Al-Si-Gate-Technologie,
dargestellt Der Sensor befindet sich im langgestrichelt umrahmten Bereich 1. Der langgestrichelt
umrahmte Bereich 2 bildet das Überlauf-Schieberegister und der langgestrichelt umrahmte Bereich 3 das
Datenschieberegister. Der Sensor ist dadurch gebildet, daß die lichtdurchlässige elektrisch isolierende Schicht
Bereiche 11 bis 16 aufweist, in denen die Schichtdicke dieser elektrisch isolierenden Schicht kleiner ist als
außerhalb. Darüber ist ein Streifen 10 aus Polysilizium geführt Das Oberlauf-Schieberegister und das Datenschieberegister
sind aus ladungsgekoppelten Übertragungsanordnungen für Zwei-Phasen-Betrieb gebildet
Dazu sind über dem jeweiligen Übertragungskanal zunächst die Elektroden 22 und 24 bzw. 32 und 34, die
aus Polysilizium bestehen, auf der elektrisch isolierenden Schicht aufgebracht Über den Zwischenräumen
dieser Elektroden und über diesen Elektroden selbst sind Aluminiumelektroden 21 und 23 bzw. 31 und 33 auf
dickerer elektrisch isolierender Schicht aufgebracht Die jeweiligen Elektroden 21, 22, 23 und 24 sind durch
entsprechende elektrische Leitungen 211, 221, 231 und
241 elektrischleitend miteinander verbunden. Dabei besteht die Leitung 221 aus Polysilizium, während die
übrigen Leitungen aus Aluminium bestehen. Die aus Polysilizium bestehenden Leitungen 24 sind in diesem
Ausführungsbeispiel über Kontaktlöcher 242 mit der elektrischen Leitung 241 verbunden. Dies ist hier
lediglich aus Designgründen so durchgeführt Jede andere Lösung, die den Betriebsablauf beim Betrieb
nicht stört, ist hier zulässig. Entsprechend sind die Elektroden 31,32,33 und 34 des Datenschieberegisters
durch die elektrischen Leitungen 311,321,331 und 341
miteinander verbunden. Dabei sind die aus Polysilizium bestehenden Elektroden 32 und 34 durch Polysiliziumleitungen
321 und 341 und die aus Aluminium bestehenden Elektroden 31 und 33 durch die Alumini
Umleitungen 311 und 331 verbunden. Die gesamte Anordnung in der F i g. 1 ist auf gemeinsamem dotierten
Substrat das eine zusammenhängende elektrisch isolierende Schicht trägt die wenigstens im Sensorbereich
lichtdurchlässig ist aufgebracht Die elektrisch isolierende Schicht weist innerhalb des durch die
durchgezogene Linie 6 umrahmten Bereiches eine dünnere Schichtdicke auf als außerhalb. Dieser Bereich
enthält auch die Bereiche U bis 16 des Sensors, die dessen eigentliche Elektrodenbereiche bilden. Die
Elektroden 22 des Überlauf-Schieberegisters sind aus Platzgründen bis fast an diese Sensorelektroden
herangeführt Aas demselben Grund sind sie auf der
anderen Sehe bis fast an die Elektroden 32 des Datenschieberegisters herangeführt Die Elektroden
des Datenschieberegisters sind ebenfalls aus Platzgründen verlangen ausgeführt Die Zwischenräume zwischen den Elektroden 11,13 and 15 and den Elektroden
22, sind durch eine streifenförmig aasgebildete Elektrode 4 überdeckt, die von den Polysffiziunielektroden 10
and 22 durch eine elektrisch isoDerende Schicht getrennt ist Ebenso sind die Zwischenräume zwischen
den Elektroden 22 and 32 durch eine zweite streifenförmig ausgebildete Elektrode 5 überdeckt die
von den Elektroden ebenfalls durch eine elektrisch isolierende Schicht getrennt ist Diese beiden Elektroden 4 and 5 sind im Ausfühnmgsbeispiel aus Aluminium
hergestellt. Die gesamte Anordnung kann auch so hergestellt werden, daß wenigstens außerhalb des
Sensorbereiches 1 nor der durch die durchgezogene Linie 6 umrahmte Bereich dotiertes Halbleitermateria!
enthält Auf unterschiedliche Schichtdicke der elektrisch isolierenden Schicht kann dann wenigstens außerhalb
des Sensorbereiches verzichtet werden. Zur Erhöhung S der Auflösung des Sensors sind nur mit Elektroden U
13 und 15 an die Schieberegister angeschlossen. Die Elektroden 12,14 und 16 sind auf der anderen Seite de:
Sensors in derselben Weise an eine zu der gezeichneter Anordnung identische Anordnung angeschlossen. Ds
ίο das Überlauf-Schieberegister zwischen zwei
Speicherplätzen mindestens einen Zwischenspeicher platz aufweisen muß, kann, um dies zu gewährleisten
nur jede vierte Elektrode des Registers 2 in F i g. 1 ar ein Sensorelement angeschlossen werden. Dadurch gibi
Μ das Schieberegister einen Minimalabstand zwischen der
Sensorelektroden vor. Die Auflösung des Sensors kanr verdoppelt werden, wenn man jeweils zwischen zwe
auf einer Seite angeschlossenen Sensorelektroden eine weitere Sensorelektrode vorsieht die auf der anderer
to Sensorseite an eine zur ersteren Anordnung identischer Anordnung angeschlossen ist.
In der F i g. 2 ist ein Querschnitt durch die in F i g. 1 dargestellte Anordnung längs der Schnittlinie Il
schematisch dargestellt Auf einem Substrat 20 au; dotiertem Halbleitermaterial, beispielsweise p-dotierte;
Silizium, mit einem Substratanschluß 201, ist eine lichtdurchlässige, elektrisch isolierende Schicht 26
beispielsweise aus Siliziumdioxid aufgebracht Diese elektrisch isolierende Schicht ist innerhalb der Begren
zungslinien 6 in Fi g. 1 dünner als außerhalb. Auf diese
elektrisch isolierende Schicht ist die Sensorelektrode 10 eine Elektrode 22 des Überlauf-Schieberegisters unc
eine Elektrode 32 des Datenschieberegisters aufge bracht Auf diese Elektroden ist eine zweite lichtdurchlässige,
elektrisch isolierende Schicht 27 beispiels weise ebenfalls aus S1O2 aufgebracht die über dem
Zwischenraum zwischen der Elektrode 10 und dei Elektrode 22 die streifenförmige Elektrode 4 und übei
dem Zwischenraum zwischen der Elektrode 22 und der Elektrode 32 die streifenförmige Elektrode 5 trägt Ir
der Fig.2 ist im Substrat jeweils der Verlauf des Oberflächenpotentials bei verschiedenen Betriebsbedingungen
gezeichnet Die Kurve 28 gibt den Verlaul des Oberflächenpotentials während der Belichtung des
Sensors an. Während der Belichtung wird durch Anlegen einer entsprechenden Spannung an die
Sensorelektrode 10 unter dem Elektrodenbereich 15 eine Potentialmulde für die Informationsladungsträger
erzeugt in der die durch Licht erzeugten Ladungsträger
gespeichert werden. An die Elektrode 4 wird während
dieser Zeh eine betragsmäßig kleinere Spannung als an die Sensorelektrode angelegt Sämtliche Elektroden des
Oberlauf-Schieberegisters werden durch eine Gleichspannung, die betragsmäßig größer als die an der
SS Elektrode 4 während der Belichtungszeit liegende Spannung ist vorgespannt Dadurch ist unter der
Elektrode 4 eine kleine Potentialschwelle für die Informationsladungsträger vorhanden. An die Elektrode 5 wird während der Belichtungszeit keine Spannung
oder eine negative Spannung bei p-dotiertem Substrat
bzw. eine positive Spannung bei n-dotiertem Substrat
angelegt Zuviel im Sensor erzeugte Ladung kann fiber die Potentialschwelle unter der Elektrode 4 unter die
Elektrode 22 des Oberlauf-Schieberegisters fließen und
abgeführt werden. Die hohe Potentialschwelle unter der
Elektrode 5 verhindert dabei das WeherflieBen der Ladung in das Datenschieberegister. Die Kurve 29 gibt
den Potentiaiverlanf beim Auslesen an. Beim Aaslesen
des Sensors muß die darunter gespeicherte Ladung Ober den Kanal des Überlauf-Schieberegisters hinweg
in das Datenschieberegister gebracht werden. Dazu ist es notwendig, daß das Oberflächenpotential bei
p-dotiertem Substrat vom Sensor zum Datenschieberegister hin zunimmt bzw. bei η-dotiertem Substrat vom
Sensor zum Datenschieberegister hin abnimmt Dies erreicht man dadurch, daß an die Sensorelektrode 10
beispielsweise die Spannung 0 anliegt, die Elektrode 4 eine Spannung, die zwischen der Spannung 0 und der
Gleichspannung an Elektrode 22 liegt, anlegt, daß man
die Elektroden des Datenschieberegisters mit einer Gleichspannung vorspannt, die betragsmäßig größer ist
als die Vorspannung an den Elektroden des Überlauf-Schieberegisters ist und daß an die Elektrode 5 eine
Spannung angelegt, die zwischen den beiden Vorspannungen liegt Die strichpunktierte Kurve 29 gibt den
Verlauf des Oberflächenpotentials während des Auslesens an. Während des Auslesens des Sensors dürfen sich
in der Speicherzelle des Überlauf-Schieberegisters über
die die Informationsladungsträger in das Datenschieberegister fließen, keine Überschußladungen befinden, die
die Information verfälschen. Das Überlauf-Schieberegister benötigt daher allgemein zwischen den
Speicherplätzen, über die die Informationsladungsträger in das Datenschieberegister fließen, wenigstens
einen Zwischenspeicherplatz, in dem die Überschußiadung waiirend des Auslesens gespeichert werden kann.
In dem in F: g. 1 angegebenen Überlauf-Schieberegister
sind solche Zwischenspeicherplätze unter den Elektroden 24 zu gewissen Zeitpunkten vorhanden. Es ist dann
lediglich darauf zu achten, daß zu solchen Zeitpunkten ausgelesen wird. Zweckmäßig ist es dabei, wenn man
während des Auslesens wenigstens die Taktimpulse für die Elektroden 21 unterbricht
In der F i g. 3 ist in acht Impulsdiagrammen aber die
Zeit f ein Impulsfahrplan für den Betneb der Abtastvorrichtung dargestellt Es ist dabei p-dotiertes
Substrat vorausgesetzt Im Diagramm I sind die Taktimpulse für die Elektroden 23 und 24 dargestellt Sie
sind einer Gleichspannung Lh überlagert Die Diagramme II und III zeigen einzeln die Taktimpulse für die
Elektroden 21 und 22. Sie sind ebenfalls einer Gleichspannung Ut überlagert Die Impulse des
Diagramms 1 sind gegenüber denen der Diagramme H und III um eine Impulsbreite nach rechts phasenverschoben.
Im Diagramm IV sind die Taktimpulse für die Elektroden 33 und 34 und im Diagramm V die
Taktimpulse für die Elektroden 31 und 32 des Datenschieberegisters dargestellt Diese Impulse sind
einer Gleichspannung Lb überlagert, die größer als die Gleichspannung Lh, beispielsweise doppelt so groß ist
Die Impulse des Diagramms IV sind gegenüber denen des Diagramms V am eine Impulsbreite nach rechts
phasenverschoben. Diagramm VI gibt die an die Sensorelektrode 10 anzulegenden Spannungen an. Die
Diagramme VII und VIII geben die an die Elektrode 4 und die Elektrode 5 anzulegenden Spannungen an. Zum
Zeitpunkt Γι seien die Ladungen der Sensoren parallel in das Datenschieberegister transportiert worden.
Besitzt der Fotosensor N Elemente, so wird mit /VTakten T die Information seriell ausgelesen. Mit
Beginn des Taktes N + 1 werden die Ladungen unter den Sensoren wieder über das Überlauf-Schieberegister
hinweg in das Datenregister verschoben. Dazu werden während der Übertragungszeit vom Zeitpunkt Tn+, bis
zum nächstfolgenden Zeitpunkt Γι die Taktimpulse unterbrochen. An die Elektroden 21, 231 und 24 des
Überlauf-Schieberegisters werden in dieser Zeit die Gleichspannung U\ und an die Elektroden 22 die
maximale Taktspannung angelegt An die Elektroden 33 und 34 des Datenschieberegisters wird während dieser
Zeit die Spannung Lk und an die Elektroden 31 und 32 die maximale Taktspannung angelegt An die Sensorelektrode
10 wird die Spannung 0 VoSt an die Elektrode 4 eine Spannung Lh, die zwischen der Gleichspannung
U\ und der maximalen Taktspannung für die Elektroden des Überlauf-Schieberegisters liegt und an die Elektrode
5 eine Spannung Lk, die zwischen den maximalen Taktspannungen für die Elektroden des Überlauf- und
Datenschieberegisters liegt Während des Ausschiebens der Information aus dem Datenschieberegister, also
zwischen den Zeitpunkten Γι und dem nächstfolgenden Zeitpunkt Tn+ ι wird an die Sensorelektrode 10 eine
positive Spannung Lh angelegt während an die Elektrode 4 eine kleinere positive Spannung //'4
angelegt wird. An die Elektrode 5 wird die Spannung 0 oder sogar eine negative Spannung angelegt. Sämtliche
angegebenen Spannungen beziehen sich auf ein Bezugspotential, auf welches der Substratanschluß 201
gelegt ist
In der Fig.4 ist ein Querschnitt durch das
IJberlauf-Schieberegister der in F i g. 1 dargestellten
Abtastvorrichtung entlang der Schnittlinie 11-11 darge-
steflt Auf dem Substrat 20 befindet sich die elektrisch isolierende Schicht 26, auf der die Elektroden 22 und 24
aufgebracht sind. Diese Elektroden sind mit der elektrisch isolierenden Schicht 27 überzogen, die die
Elektroden 21 und 23 trägt Die gestrichelt gezeichnete Kurve 40 gibt den örtlichen Verlauf des Oberflächenpotentials
während der Zeitdauer Tn+^ - iN in F ig. 3 an,
während die durchgezogene Kurve 41 den örtlichen Verlauf des Oberflächenpotentials während des Auslesens
angibt Die überschüssigen Ladungsträger sind während der Dauer Tn+, - i* in die tiefsten Potentialmulden
unter den Elektroden 24 der Kurve 40 geflossen wo sie während des Auslesens in den Potentialmulder
der Kurve 41 unter den Elektroden 24 gespeichen werden.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
709518/2!
Claims (8)
1. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung, bei der auf einer elektrisch isolierenden
Unterlage wenigstens ein, wenigstens während des Betriebes seitlich gegen seine Umgebung für die
Infonnationsladungsträger elektrisch isolierter, als Sensor dienender Streifen aus dotiertem Halbleitermaterial aufgebracht ist der wenigstens eine
lichtdurchlässige elektrisch isolierende Schicht trägt auf der wenigstens in Abständen Elektroden
aufgebracht sind, die elektrisch leitend miteinander verbunden sind, bei der wenigstens an einer
Streifenlängsseite Sensorausgange zum parallelen Auslesen da im Streifen unter den Elektroden
gespeicherten, von licht erzeugten Information vorhanden sind, bei der wenigstens ein parallel
einlesbares Datenschieberegister mit Paralleleingängen vorhanden ist und bei der jeder Sensorausgang über je einen für die Infonnationsladungsträger leitenden Kanal in dem ein elektronischer
Schalter angeordnet ist mit genau einem Paralleleingang des Datenschieberegisters verbunden ist
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Sensorausgänge und die elektronischen Schalter ein
parallel ein- und auslesbares Überlauf-Schieberegister (2) geschaltet ist welches an jedem Speicherplatz (22) einen Paralleleingang und einen Parallelausgang aufweist und bei dem zwischen diesen
Speicherplätzen wenigstens ein Zwischenspeicherplatz (24) vorhanden ist und daß jeder Sensorausgang über einen, für die Informationsladungsträger
leitenden Kanal, in dem ein elektronischer Schwellwertschalter mit steuerbarem Schwellwert angeordnet ist mit genau einem dieser Paralleleingänge und
jeder dieser Parallelausgänge über den für die Infonnationsladungsträger leitenden Kanal, in dem
der elektronische Schalter angeordnet ist mit genau einem der Paralleleingänge des Datenschieberegisters verbunden ist
2. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet
daß das Überlauf-Schieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung besteht.
3. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet
daß das Überlauf Schieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung für Zwei-Phasen-Betrieb besteht welche dadurch gebildet ist
daß auf der elektrisch isolierenden Unterlage wenigstens ein zweiter Streifen aus dem dotierten
Halbleitermaterial aufgebracht ist der mindestens eine elektrisch isolierende Schicht trägt auf der
entlang der Streifenlängsrichtung wenigstens eine Reihe von durch Spalte voneinander getrennte
Elektroden aufgebracht ist wobei die Elektroden der Reihe nach abwechselnd auf dünnerer und
dickerer elektrisch isolierender Schicht liegen und daß unter jeder übernächsten der Elektroden in der
Reihe, die auf dünnerer elektrisch isolierender Schicht liegen, jeweils einer der Paralleleingänge
und Parallelausgänge vorhanden ist
4. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der
das Datenschieberegister aus einer ladungsgekoppelten Übertragungsvorrichtung besteht dadurch
gekennzeichnet daß das Datenschieberegister
höchstens bis auf die Parallelausgänge einen zum
Überlauf-Schieberegister identischen Aufbau aufweist
5. Eindimensionale optoelektronische Abtastvor-S richtung nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet daß die Sensorausgange, die Parallelein-
und -ausginge der Schieberegister und die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen diesen dadurch
gebildet sind, daß die Streifen aus dem dotierten
ίο Halbleitermaterial wenigstens an den entsprechenden Stellen durch Leitungen aus dem dotierten
Halbleitermaterial miteinander verbunden sind, daß sämtliche elektronischen Schalter dadurch gebildet
sind, daß quer über die Leitungen zwischen
is Datenschieberegister und Oberlauf-Schieberegister
ein von diesem durch mindestens eine elektrisch isolierende Schicht getrennter erster Elektrodenstreifen mit einem Anschluß zum Anlegen eines
Schaltimpulses gelegt ist und daß sämtliche Schwell
wertschalter dadurch gebildet sind, daß quer über
die Leitungen zwischen Überlauf-Schieberegister und Sensor ebenfalls von diesem durch mindestens
eine elektrisch isolierende Schicht getrennt ein zweiter Elektrodenstreifen mit einem Anschluß zum
Anlegen von Schwellspannungen gelegt ist
6. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet
daß auf einem gemeinsamen Substrat aus dotiertem Halbleitermaterial eine zusammenhängende elek
trisch isolierende Schicht aufgebracht ist die
wenigstens im Sensorbereich lichtdurchlässig ist und daß der zweite und der im Datenschieberegister
enthaltene dritte Streifen aus dotiertem Halbleitermaterial und die Leitungen zwischen den entspre-
chenden Stellen dadurch hervorgehoben sind, daß die elektrisch isolierende Schicht dort eine dünnere
Schichtdicke als sonst aufweist
7. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet daß der Sensor so aufgebaut ist daß die elektrisch isolierende Schicht auf dem Streifen
aus dotiertem Halbleitermaterial des Sensors der Reihe nach in Abständen abwechselnd dünnere und
dickere Schichtdicke aufweist und daß deren
Oberfläche mit einer Polysiliziunischicht überzogen
ist wobei die Sensorausgänge nur unter Stellen mit dünnerer elektrisch isolierender Schicht angebracht
sind.
8. Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet daß an beiden Längsseiten des Streifens aus dotiertem Halbleitermaterial des
Sensors jeweils ein Überlauf-Schieberegister und ein Datenschieberegister angeordnet sind und daß auf
SS jeweils einer Streifenseite nur unter jeder zweiten Elektrode ein Sensorausgang vorhanden ist wobei
unter jeder Elektrode nur ein einziger Sensorausgang vorhanden ist
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752527597 DE2527597C3 (de) | 1975-06-20 | Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752527597 DE2527597C3 (de) | 1975-06-20 | Eindimensionale optoelektronische Abtastvorrichtung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2527597A1 DE2527597A1 (de) | 1976-12-23 |
| DE2527597B2 true DE2527597B2 (de) | 1977-04-14 |
| DE2527597C3 DE2527597C3 (de) | 1977-12-08 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0384286A1 (de) * | 1989-02-20 | 1990-08-29 | Nec Corporation | Ladungsübertragungsvorrichtung, frei von Nachbildern auf Grund von elektrischen Restladungen |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0384286A1 (de) * | 1989-02-20 | 1990-08-29 | Nec Corporation | Ladungsübertragungsvorrichtung, frei von Nachbildern auf Grund von elektrischen Restladungen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2527597A1 (de) | 1976-12-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |