DE3322533A1 - Vorrichtung zum lesen einer originalvorlage - Google Patents

Vorrichtung zum lesen einer originalvorlage

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    • H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means

Description

BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.
Derartige Vorrichtungen werden zum Beispiel in Faksimile-Systemen verwendet, insbesondere bei solchen Systemen, bei denen sich das Original in engem Kontakt mit der Lesevorrichtung befindet.
Bei einer solchen Vorrichtung mit engem Lesekontakt sind im allgemeinen eine Vielzahl hintereinander geschalteter Fotoelemente und eine Schaltung zum aufeinanderfolgenden Abgeben eines Signales an einem Ausgangsanschluß auf einem isolierenden Substrat aufgebracht. Die Länge der Fotoelementanordnung entspricht der Breite eines zu lesenden Originals. Das Bild des Originals wird mit einem BiIdverhältnis von 1 : 1 über eine optische Faseranordnung oder eine Linsenanordnung der Fotoelementanordnung zugeführt. Der optische· Weg bei einer solchen Vorrichtung ist nur kurz, wodurch sich eine stark verringerte Größe der Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage ergibt.
In Fig. 1 ist ein Schaltbild einer herkömmlichen Originallesevorrichtung mit engem Lesekontakt dargestellt, wie sie auch im Oberbegriff des Hauptanspruchs wiedergegeben ist. Aus einem fotoleitfähigen Film gebildete Fotoelemente 10 weisen im Ersatzschaltbild eine Fotodiode PD und einen parallel liegenden Kondensator auf. Schaltelemente 20 dienen zum Übertragen des Ausgangssignales eines jeweiligen Fotoelementes 10. Parasitäre Kapazitäten J50 sind durch Streukapazitäten derjenigen Zuleitungen gebildet, die jeweils ein Fotoelement 10 mit einem Schaltelement 20 verbinden. Diese Streukapazitäten sind die Eingangskapazitäten der Schaltelemente 20. Weiterhin sind eine Ladungsübertragungsschaltung 40, ein Lastwiderstand 50 und eine Spannungsquelle 60 vorhanden. Die Ladungsübertragungsschaltung 4o
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besteht aus Ladungsspeicherkondensatoren 41, Ladungsübertragungs-Schaltelementen 42 und Taktleitungen 43 und 44.
Wenn das Bild eines Originals auf die Fotoelemente 10 abgebildet wird, geben die Fotodioden PD Ströme ab, die die optische Intensität entsprechender Bildteile wiedergeben. Diese Ströme führen zum Speichern von Ladungen in den parasitären Kapazitäten 30. Die Ladungen der parasitären Kapazitäten 30 werden in die Ladungsspeicherkondensatoren 41 übertragen, wenn die Schaltelemente 20 durch Anlegen eines geeigneten Signals an den Steueranschluß Tl geschlossen werden. An die Taktleitungen 43 und 44 wird über die Anschlüsse T2 und T3 eine Wechselspannung gegeben, um die Ladungsübertragungs-Schaltelemente 42 aufeinanderfolgend zu betreiben. Dadurch übertragene Signalladungen werden verschoben, und zwar nach rechts in Fig. 1 und dann über den Lastwiderstand 50 entladen, was zu einer Ausgangsspannung an einem Anschluß T4 führt. Diese Anordnung kann als Eimerkettenanordnung bezeichnet werden.
Die Schaltelemente 20 und die Ladungsübertragungs-Schaltelemente 42 sind MOS-Transistoren, die mit üblichen Methoden für integrierte Schaltkreise hergestellt sind. MOS-Transistoren eignen sich als Schaltelemente in Vorrichtungen zum Lesen einer Originalvorlage deswegen als Schaltelemente, da sie eine relativ hohe Schaltgeschwindigkeit bei verhält-" nismäßig geringer Spannung aufweisen. Bei einer Originallesevorrichtung mit geringem Leseabstand, wie sie eingangs beschriäoen ist, ist es jedoch erforderlich, daß die Fotoelemente 10 und IC-Chips mit den Schaltelementen 20 und der Ladungsübertragungsschaltung 40 auf demselben Substrat angeordnet sind und über gebondete oder andere Anschlüsse miteinander verbunden sind. Dies führt dazu, daß die Zahl von Verbindungen bei einer solchen Originallesevorrichtung sehr hoch ist. Solche Vorrichtungen lassen sich dadurch nicht billig und mit großer Zuverlässigkeit herstellen.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs anzugeben, die einfach aufgebaut ist, dadurch billig und zuverlässig herstellbar ist und die dennoch eine hohe Lesegeschwindigkeit zuläßt.
Die erfindungsgemäße Lösung ist im Hauptanspruch kurzgefaßt wiedergegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Die Erfindung zeichnet sich im wesentlichen durch zwei neue LO Merkmale aus. Das eine besteht darin, daß für die Schaltelemente genauso wie für die Fotoelemente Dünnfilmtransistoren und keine MOS-Transistoren mehr verwendet werden. Dadurch können diese Elemente mit derselben Technik hergestellt werden, wodurch bereits eine hohe Anzahl von Verbindungen entfällt. Gemäß dem zweiten wesentlichen Merkmal sind die Schaltelemente und damit die Fotoelemente in Gruppen zusammengefaßt, die in besonderer Art und Weise kontaktiert sind. Durch das gruppenweise Schalten entfällt eine Vielzahl weiterer Anschlüsse, so daß insgesamt nur noch etwa ein Zwanzigstel der früher nötigen Anschlüsse erforderlich ist. Dies erhöht die einfache Herstellbarkeit und Zuverlässigkeit erfindungsgemäßer Vorrichtungen ganz erheblich im Vergleich zu bekannten Vorrichtungen.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung hat jedoch nicht nur den Vorteil, daß die Zahl der Anschlüsse erheblich verringert ist, sondern auch den weiteren Vorteil, daß für die Fotoelemente und die Schaltelemente dieselbe Betriebsspannung anwendbar ist. Im Gegensatz dazu weisen bei herkömmlichen Vorrichtungen die MOS-Transistoren für die Schaltelemente niedrige Betriebsspannung und die Dünnfilm-Fotoelemente hohe Betriebsspannung a.uf. Dies führte zu einer Gefährdung der MOS-Transistoren.
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Das Zusammenfassen von Schaltelementen zu Gruppen hat nicht nur den Vorteil, daß die Anzahl von Anschlüssen verringert wird, sondern auch denjenigen, daß eine hohe Lesegeschwin- - digkeit erhalten bleibt. Durch die Wahl von Dünnfilm-Schaltelementen statt MOS-Transistor-Schaltelementen wird nämlich die Schaltzeit eines einzelnen Schaltelementes erhöht, welcher Nachteil aber durch die gruppenweise Schaltung vermieden ist.
Eine erfindungsgemäße Vorrichtung ist so aufgebaut, daß die Gate-Elektroden der Dünnfilm-Schalttransistoren jeweils in einer der genannten Gruppen zusammengefaßt sind. In zeitlicher Reihenfolge wird an diese Gruppen von Gate-Elektroden ein Schaltsignal gelegt, wodurch an den Ausgangselektroden der zugehörigen Transistoren ein Signal abgegeben wird. In der Vorrichtung bestehen geradzahlige und ungeradzahlige Gruppen. Die Ausgangselektroden der Filmtransistoren in ungeradzahligen Gruppen sind in festgelegter Reihenfolge mit einem ersten Satz gemeinsamer Verbindungsleitungen kontaktiert, während die Ausgangselektroden der Pilmtransistoren in den geradzahligen Gruppen in ebenfalls vorbestimmter Ordnung mit einem zweiten Satz gemeinsamer Verbindungsleitungen kontaktiert sind. In zeitweiligen Speichern werden die auf den gemeinsamen Verbindungsleitungen verschobenen Signalladungen gespeichert. Durch die eingangs beschriebene Auslesemethoden werden die Signale aus diesen Speichern durch aus MOS-Transistoren gebildete Leseschalter ausgelesen.
Mit diesem Aufbau ist es möglich, innerhalb der relativ langsamen Schaltzeit eines Filmtransistors den Signalinhalt mehrerer Fotoelemente auszulesen. Durch diese Maßnahme wird der Einfluß der geringen Schaltgeschwindigkeit aufgehoben, so daß die Vorrichtung trotz der Dünnfilm-Schaltelemente für den genannten Zweck voll verwendbar ist. . Die endgültige Geschwindigkeit zum Erzeugen des Ausgangs-
signals ist durch die MOS-Transistoren bestimmt, mit Hilfe derer wie bisher die Ladung aus den zeitweiligen Speichern ausgelesen wird. Die Zahl der Verbindungsleitungen zwischen dem Aufbau der Filmtransistoren und den MOS-Transistoren ist auf die Zahl verringert, die der Anzahl von gemeinsamen Verbindungsleitungen von den Ausgangselektroden der Filmtransistoren entspricht.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand von Figuren näher veranschaulicht.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Ersatzschaltbild einer bekanntenVorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage;
Fig. 2 ein Ersatzschaltbild eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage;
Fig. 3 ein Zeitdiagramm zum Erläutern der Funktionsweise der Vorrichtung gemäß Fig. 2; und
Fig. 4 A und 4B
eine Draufsicht und einen Längsschnitt durch ein Beispiel eines konkreten Aufbaus einer er
findungsgemäßen Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage.
Bei der Schaltung einer anmeldegemäßen Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage gemäß Fig. 2 sind nur zwölf Fotoelemenfce eingezeichnet. Die Elemente der Schaltung sind ihrer Funktion nach weitgehend gleich mit denen der Schaltung der Fig. 1, so daß gleiche Bezugszeichen verwendet sind und im folgenden nur Unterschiede beschrieben werden.
Die vorhandenen zwölf Fotoelemente, von denen Ersatzschaltbilder 10a - 101 dargestellt sind, sind an Schaltelemente 20a - 201 angeschlossen, die als Dünnfilmtransistoren ausgebildet sind. Die Schaltelemente sind in mehrere Gruppen,-im dargestellten Beispielsfall in vier Gruppen mit jeweils drei Schaltelementen unterteilt. Die Gates der Schaltelemente jeder Gruppe sind miteinander verbunden und an Ausgangsleitungen 71 - 74 eines Schieberegisters 70 angeschlossen.
Die Ausgangselektroden der Schaltelemente 20a - 20c einerseits und 2Oe - 2Oi andererseits, also der ersten und dritte Gruppe, das heißt von ungeradzahligen Gruppen, sind jeweils mit einer von drei Verbindungsleitungen 8l, 82 bzw. 83 verbunden. Entsprechend sind die Ausgangselektroden der Schaltelemente 2Od - 2Of einerseits und 2Oj - 201 andererseits, also der zweiten und vierten Gruppe, das heißt der geradzahligen Gruppen, mit gemeinsamen Verbindungsleitungen 84, 85 bzw. 86 verbunden. Das heißt, der Anschluß der Schaltelemente ist im Beispielsfall so festgelegt, daß jeweils das erste Schaltelement von links gesehen in einer ungeradzahligen Gruppe mit der Verbindungsleitung 8l und das jeweils erste Element in einer geradzahligen Gruppe mit der Verbindungsleitung 84 verbunden ist. Die gemeinsamen Verbindungsleitungen 8l - 86 sind mit Eingangselektroden von MOS-Transistoren 101 - I06 jeweils verbunden, wobei den Leitungen 8l - 86 jeweils parasitäre Kapazitäten 9I - 96 zugeordnet sind. Die parasitären Kapazitäten 9I - 96 sind Kombinationen der Ausgangskapazität eines jeden Schaltelements (Dünnfilmtransistor)20a - 201, der Streukapazität einer zugehörigen Leitung 8l - 86 und der jeweiligen Eingangskapazität der MOS-Transistoren 101 - I06. Die Gateelektroden der MOS-Transistoren 101 - IO6 sind mit den Eingangsanschlüssen eines Schieberegisters 110 verbunden,
während die Ausgangselektroden alle miteinander verbunden sind.
Bei der so aufgebauten Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage werden in den parasitären Kapazitäten 30a. - 301 gespeicherte Signalladungen in zugehörige parasitäre Kapazitäten 91 - 96 übertragen, wenn die Schaltelemente 20a - 201 betätigt werden. Danach werden die MOS-Transistoren 101 - ΙΟβ durch das Schieberegister 110 betrieben, so daß Ausgangssignale an einem Ausgangsanschluß T4 abgegeben werden.
Die Punktionsweise dieser Anordnung wird im folgenden an Hand des Zeitdiagramms der Pig. 3 näher erläutert. Es wird darauf hingewiesen, daß die beschriebene Punktion erst dann durchgeführt werden sollte, wenn genug Signalladung in den parasitären Kapazitäten 30a - 301 angesammelt ist.
Zunächst wird das Schieberegister 70 angesteuert, um ein Schaltsignal Sl an die Ausgangsleitung 7I zu geben. Dadurch schalten die Schaltelemente 20a, 20b und 20c durch, woraufhin die Ladungen der parasitären Kapazitäten 30a, 30b und 30c in die parasitären Kapazitäten 91, 92 bzw. 93 über die gemeinsamen Verbindungsleitungen 8l, 82 bzw. 83 übertragen werden. Die Länge des Schaltsignales Sl sollte lang genug sein, um das komplette Übertragen einer Ladung zu gewährleisten. Im Beispielsfall sind die Kapazitätswerte der parasitären Kapazitäten 9I - 96 erheblich größer als diejenigen der parasitären Kapazitäten 30a - 30c. Dadurch werden Signalladungen rasch und vollständig in die Kapazitäten 91* 92 und 93 übertragen.
Wird nach Abschluß des Schaltsignals Sl ein Schaltsignal S2 an die Ausgangsleitung 72 des Schieberegisters 70 gegeben, schalten die Schaltelemente 2Od, 2Oe und 2Of durch, woraufhin die Signalladungen von den parasitären Kapazitäten
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30e und JOf in die parasitären Kapazitäten 94, 95 bzw. 96 übertragen werden. Zur selben Zeit gibt das Schieberegister 110 Lesesignale S5, So und S7 an die Gate-Elektroden der MOS-Transistoren 101, 102 bzw. 103 in zeitlicher Reihenfolge, so daß die MOS-Transistoren 101, 102 und 103 der Reihe nach leitfähig werden und so der Reihe nach in den Kapazitäten 91* 92 bzw. 93 gespeicherte Ladungen an den Ausgangsanschluß T4 abgeben, wodurch Komponenten des Ausgangssignales S12 zu den Zeiten ti, t2 bzw. t3 abgegeben werden.
Wenn die Ladungen aus den Kapazitäten 91, 92 und 93 voll entladen sind, wird ein Schaltsignal S3 an die Ausgangsleitung 73 des Schieberegisters 70 gegeben, so daß die Schaltelemente 20g, 20h und 2Oi durchschalten. Daraufhin werden die Signalladungen der parasitären Kapazitäten 30g, 30h und 3Oi an die Kapazitäten 91, 92 bzw. 93 gegeben. Dies bedeutet, daß die Kapazitäten 9I, 92 und 93 wieder geladen werden. Zur selben Zeit gibt das Schieberegister in zeitlicher Reihenfolge Lesesignale S8, S9 und SlO an die Gate-Elektroden der MOS-Transistoren 104, 105 und ΙΟβ, wodurch diese aufeinanderfolgend leitfähig werden. Dadurch werden die in den Kapazitäten 94, 95 und 96 gespeicherten Ladungen aufeinanderfolgend zu Zeiten t4, t5 und t6 an den Anschluß T4 gegeben, wie dies in Fig. 3 dargestellt "ist.
Nachdem die Ladungen, wie oben beschrieben, aus den Kapazitäten 94, 95 und 96 übertragen sind, wird ein Schaltsignal S4 an die· Ausgangsleitung 74 des Schieberegisters 70 gegeben, um die Schaltelemente 2Oj, 20k und 201 durchzuschalten, so daß die Signalladungen aus den parasitären Kapazitäten 3Oj, 30k und 301 an die parasitären Kapazitäten 94, 95 und 96 übertragen werden, die,wie oben beschrieben, entleert worden sind. Gleichzeitig gibt das Schiebe- >
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register 110 in zeitlicher Reihenfolge die Lesesignale S5>
S6, und S7 anddie MOS-Transistoren 101, 102 und 103 und schaltet diese aufeinanderfolgend durch, so daß die wiederum in den Kapazitäten 91 j 92 und 93 gespeicherten Ladungen zu Zeitpunkten t7, t8 und t9 an den Ausgangsanschluß T4 gegeben werden.
Wenn die Kapazitäten 91* 92 und 93* wie oben beschrieben, entladen sind, gibt das Schieberegister 110 abschließend die Lesesignale S8, S9 und SlO in zeitlicher Reihenfolge wiederum an die Gate-Elektroden der MOS-Transistoren 104, 105 und und schaltet diese durch, woraufhin die in den Kapazitäten 94, 95 und 96 gespeicherten Ladungen wiederum, nunmehr zu Zeitpunkten tlO, tll und tl2 an den Ausgangsanschluß T4 gegeben werden. Alle Signale sind dann ausgelesen.
Wie aus dem Vorstehenden ersichtlich ist, ist die Einschaltdauer der Schaltelemente 20a - 201 bei einer anmeldegemäßen Vorrichtung lange und entspricht einem Mehrfachen der Lesezeit eines einzelnen Fotoelementes. Dadurch werden die eingangs geschilderten Schwierigkeiten von Dünnfilmtransistoren in bezug auf deren geringe Schaltgeschwindigkeit und hohen Widerstand überwunden. Da darüberhinaus das endgültige Auslesen der Signale durch MOS-Transistoren (101 - I06) erfolgt, die mit hoher Geschwindigkeit arbeiten, können alle Bits in sehr kurzer Zeit ausgelesen werden. Darüberhinaus ist es nicht erforderlich, die Fotoelemente mit den Schaltelementen gesondert zu verbinden, da die Schaltelemente 20a bis 201 und die gemeinsamen Verbindungsleitungen 81 - 86 auf demselben Substrat in Dünnfilm- oder Dickfilmtechnik mit den Fotoelementen 10 ausgebildet werden können. Wie bei der herkömmlichen Vorrichtung werden die Schaltelemente 20a bis 201 mit den Ausgangsleitungen 7I - 74 des Schieberegisters und die gemeinsamen Verbindungsleitungen 81 - 86 mit den MOS-Transistoren 101 - ΙΟβ durch Bonden oder dergleichen
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verbunden. Die Zahl erforderlicher Bonddrähte ist jedoch sehr gering. Bei einer Vorrichtung mit 2048 Fotoelementen, die in J2 Gruppen unterteilt sind, so daß jeweils die Gate Elektroden von 64 Schaltelementen in einer Gruppe zusammen gefaßt sind, ist die Zahl von Verbindungsdrähten zwischen den Schaltelementen und den Ladungsübertragungseinrichtungen 128, was etwa einem Zwanzigstel der Anschlußzahl der herkömmlichen Vorrichtung von Fig. 1 entspricht.
Eine konkrete Ausführungsform einer anmeldegemäßen Vorrichtung wird nun an Hand der Fig. 4A und 4B erläutert.
Auf einem Substrat 201 aus einem isolierenden Glas oder glasierter Keramik ist ein Metallfilm aus Chrom, Gold Aluminium oder Nickel mit einer Dicke von 100 - 500 nra durch Elektronenstrahlabscheidung aufgebracht. Aus einem solchen Film sind Elektroden 202, 203 und 204 in einem vorbestimmten Muster nach einem Fotolithografieverfahren aufgebracht. Die Elektroden haften dann besonders gut auf dem Substrat 201, wenn sie aus einem Chromfilm gebildet sind. Danach wird auf den Elektroden 203 und 204 ein Film eines Halbleitermaterials abgeschieden, wie aus amorphem Silizium, polykristallinem Silizium, Selen, Selen-Tellur, Selen-Arsen, Selen-Arsen-Tellur oder Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Zink-Selen, oder Zink-Cadmium-Tellur. Die Schicht wird durch maskieren und Vakuumabseheidung aufgebracht, so daß ein fotoleitfähiger Film 205 und ein Halbleiterfilm 20β gebildet werden. Es ist von besonderem Vorteil, die Filme 205 und 2θβ durch eine Schicht amorphen Siliziums mit einer Dicke von 0,1 - 1 um durch Glimment-
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ladung in Silan abzuscheiden. Danach wird ein transparenter1 elektrisch leitfähiger Film 207 einer Dicke von I50 nm durch DC-Sputtern von ITO (inpO·, und SnOp) aufgebracht, ' der durch Maskentechnik und Vakuumabseheidung oder durch
Fotolithografie auf ein vorgegebenes Muster gebracht wird. Auf diese Art und Weise werden Fotoelemente 10 so ausgebildet, daß die Elektroden 203 vom transparenten elektrisch leitfähigen Film 207 überlappt werden.
Über den Elektroden 204 wird ein isolierender Film 208 aus Siliziumdioxyd, Siliziumnitrid oder Glas durch Vakuumab- . scheidung, Fotu lithografie oder Dickfilmdruck aufgebracht. In dem isolierenden Film 2θ8 sind Durchgangslöcher zum Kontaktieren der Elektroden 204 vorhanden. Auf dem Halbleiter-
10' film 206 sind Gate-Elektroden 209 und auf dem Isolierfilm gemeinsame Verbindungsleitungen 210 von Chrom, Gold, Aluminium oder Nickel in Dünn- oder Dickfilmtechnik aufgebracht. Die Verbindungsleitungen 210 sind durch die Durchgangslöcher mit den Elektroden 204 verbunden. Die Gate-Elektroden 209 gehören zu Dünnfilmtransistoren. Die Enden der Elektroden sind mit dem Schieberegister 70 und die gemeinsamen Verbindungsleitungen 210 mit den MOS-Transistoren 100 durch Bonden verbunden. Sie können jedoch auch durch Löten oder durch einen flexiblen Leiter verbunden sein.
Aus dem vorstehenden ist ersichtlich, daß eine anmeldegemäße Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage Dünnfilmtransistoren aufweist, deren unerwünschte Eigenschaften jedoch durch eine besondere Anordnung unwirksam gemacht sind. Eine Vorlage kann dadurch sicher und schnell gelesen werden. Da ' darüberhina.us die Zahl von Verbindungs leitungen klein ist, kann die anmeldegemäße Vorrichtung billig hergestellt werden und arbeitet sehr zuverlässig.
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Claims (7)

  1. Dr. Jean-Pierre Jeser Lcrchcnstraßc 56
    Patentanwalt D-7100 Hciibronn
    FUXE-OOl
    P04-32466M/SK
    FUJI XEROX CO., LTD.
    No. 3-5> Akasaka. 3-chome, Minato-ku,
    Tokyo, Japan
    Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage
    Priorität: 4. Oktober 1982, Japan, Nr...'.iffi
    PATENTANSPRÜCHE
    [1/. Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage mit
    - einem Substrat (201),
    - Fotoelementen (10a - 101) mit jeweils
    — einer Schicht (205) eines fotoleitfähigen Materials, kontaktiert durch
    — eine untere Elektrode (202) auf dem Substrat und
    — eine obere Elektrode (207), die auf dem fotoleitfähigen Material aufgebracht ist,
    - mehreren Schalttransistoren (20, 20a - 201), wobei jeweils ein Fotoelement mit einer Eingangselektrode eines der Transistoren verbunden ist,
    - einer Mehrzahl zeitweiliger Speicher (41 j 91 - 96) zum vorübergehenden Speichern der durch die Schalttransistoren geschalteten Ausgangssignale der Fotoelemente, und
    - mehrere MOS-Transistoren (42;101 - ΙΟβ), von denen jeweils einer mit einem der zeitweiligen Speicher verbunden ist und zum Auslesen des vorübergehend gespeicherten Signales aus dem zugehörigen zeitweiligen Speicher dient,
    gekennzeichnet durch
    - Schalttransistoren (20a - 201), die als Filmtransistoren ausgebildet sind und in mehreren einander abwechselnden, geradzahligen und ungeradzahligen Gruppen angeordnet sind, wobei die Gates aller Transistoren innerhalb einer Gruppe untereinander verbunden sind,
    - ein erstes Schieberegister (70) zum Anlegen von Schaltsignalen (Sl - Sk) in zeitlicher Aufeinanderfolge an das gemeinsame Gate jeder Gruppe, - einen ersten Satz so vieler Verbindungsleitungen (81, 82, 83), wie Schalttransistoren innerhalb einer ungeradzahligen Gruppe vorhanden sind, wobei jeweils die Ausgangselektrode eines festgelegten Schalttransistors innerhalb jeder ungeradzahligen Gruppe mit einer der Leitungen verbunden ist,
    - einen zweiten Satz so vieler Verbindungsleitungen (84, 85, 86), wie Schalttransistoren innerhalb einer geradzahligen Gruppe vorhanden sind, wobei jeweils die Ausgangselektrode eines festgelegten Schalttransistors innerhalb jeder geradzahligen Gruppe mit einer der Leitungen verbunden ist,
    - einer Anzahl zeitweiliger Speicher (9I - 96), die der Gesamtzahl der Verbindungsleitungen entspricht, wobei jeweils ein zeitweiliger Speicher mit einer Verbindungsleitung verbunden ist, und
    - einem zweiten Schieberegister (110) zum Anlegen von Lesesignalen (S5 - SlO) in zeitlicher Reihenfolge an die Gates der MOS-Transistoren.
    -..FUXE-OOl-'
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß jeder der zeitweiligen Speicher eine einer zugehörigen Verbindungsleitung zugeordnete Streukapazität (91 - 96) ist.
  3. 3· Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jedem Fotoelement (10a - 101) eine zweite Streukapazität (30a - 301) zugeordnet ist, die mit der Ausgangselektrode des Fotoelements verbunden ist.
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 2 und 3* dadurch gekennzeichnet, daß der Kapazitätswert der den Verbindungsleitungen zugeordneten Streukapazitäten größer ist als derjenige der zweiten Streukapazitäten (30a - 301).
  5. 5· Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch, ein erstes Schieberegister (70), das die ersten Schaltsignale für eine Zeit abgibt, deren Länge mehreren Leseperioden für eines der Fotoelemente entspricht.
  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet , daß die Zahl der Leseperioden der Zahl von Fotoelementen innerhalb einer Gruppe entspricht.
  7. 7. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalttransistoren (20a - 201) Dünnfilmtransistoren sind.
DE3322533A 1982-10-04 1983-06-23 Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage Expired DE3322533C2 (de)

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DE3322533A Expired DE3322533C2 (de) 1982-10-04 1983-06-23 Vorrichtung zum Lesen einer Originalvorlage

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