DE2930180C2 - - Google Patents
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine photoelektrische In
formationseingabeeinrichtung gemäß dem Oberbegriff des
Patentanspruchs 1.
Photoelektrische Informationseingabeeinrichtungen werden
beispielsweise bei Fernsehkameras eingesetzt oder können
als Eingabeeinheit von Faksimilegeräten, digitalen Kopier
geräten usw. oder als sonstige Bildleseeinrichtung dienen.
Hierbei sind Informationseingabeeinrichtungen bekannt, die
mit Kombinationen aus Photodioden und Metalloxid-Halblei
ter-Feldeffekttransistoren oder mit Ladungsübertragungs
einrichtungen arbeiten. Allerdings unterliegt die maximale
Größe solcher Informationseingabeeinrichtungen herstel
lungstechnisch bedingten engen Grenzen, so daß zur Abbil
dung einer Vorlage auf der Informationseingabeeinrichtung
eine Verkleinerungsoptik notwendig ist, die nicht nur den
erforderlichen Aufwand erhöht, sondern auch das maximale
Auflösungsvermögen herabsetzt. Würden andererseits zur
Vermeidung dieses Nachteils mehrere Informationseingabe
einrichtungen nebeneinander gesetzt, so erfordert auch
dies größeren Aufwand. Darüber hinaus ist in den Grenzbe
reichen zwischen den einzelnen Informationseingabeeinrich
tungen keine Bilderfassung möglich, so daß Informationen
verloren gehen.
Aus der US-PS 41 00 573 ist eine Informationseingabeein
richtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 be
kannt, mit der das Wärmestrahlungsbild des interessieren
den Objekts erfaßt werden soll. Hierbei besteht die keil
förmige Umsetzerschicht aus ferroelektrischem Material,
dessen lokale Polarisation durch ein rampenförmiges Signal
auf der Gegenelektrode fortschreitend umgekehrt wird. Die
notwendige Polarisationsspannung ist dabei abhängig von
der Intensität des die jeweiligen Abschnitte der Informa
tionseingabeeinrichtung bestrahlenden thermischen Bilds.
Da die Informationseingabeeinrichtung allerdings nur zur
Erfassung eines thermischen Bilds ausgelegt ist, ist ihr
Einsatzbereich beschränkt.
Weiterhin ist aus der DE-PS 12 14 720 eine Umsetzeinrich
tung zur Umwandlung eines Lichtsignals in ein entsprechen
des elektrisches Signal bekannt, deren Wandlereinheit aus
mehreren parallelen Halbleiterschichten besteht, zwischen
denen sich zwei parallele ebenen Sperrübergänge entgegenge
setzter Polung ausbilden. Die einfallenden Lichtstrahlen
bewirken hierbei eine lokale Beseitigung der Sperrwirkung
des einen Sperrübergangs, so daß in diesen Bereichen ein
Stromfluß quer zur Wandlereinheit erfolgen kann. Zur Er
zielung einer aufeinanderfolgenden Abfragung der einzelnen
Wandlereinheitsbereiche ist an die durchgehende obere
Deckschicht ein kontinuierlich in Längsrichtung der Wand
lereinheit abnehmendes elektrisches Potential angelegt,
während an die rückseitige, ebenfalls durchgehende Schicht
eine Rampenspannung angelegt wird.
Schließlich zeigt die DE-AS 21 31 342 einen Bildaufnehmer
mit matrixförmig angeordneten Aufnahmeelementen, deren
lichtempfindliche Bereiche jeweils durch Transistoren
gebildet werden. Die Transistoren sind mit den Zeilen- und
Spaltenelektroden nicht direkt, sondern kapazitiv über
zwischenliegende Isolierschichten gekoppelt. Bei dieser
Transistor-Informationseingabeeinrichtung können sich al
lerdings die eingangs bereits diskutierten Probleme erge
ben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Informa
tionseingabeeinrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patent
anspruchs 1 zu schaffen, die sich bei verhältnismäßig
großer Abtastfläche durch hohes Auflösungsvermögen und
hohe Empfindlichkeit auszeichnet.
Diese Aufgabe wird mit den im kennzeichnenden Teil des
Patentanspruchs 1 genannten Merkmalen gelöst.
Durch den lichbestrahlten Ladungserzeugungsabschnitt und
den Ladungstransportabschnitt wird bei der erfindungsge
mäßen photoelektrischen Informationseingabeeinrichtung ein
dem einfallenden Licht entsprechender Ladungsfluß er
reicht, der durch die Isolierschichten in Ladeströme umge
setzt wird. Hierdurch wird bei großem Auflösungsvermögen
eine hohe Empfindlichkeit erzielt. Die Wandlereinheit läßt
sich hierbei großflächig ausbilden, so daß eine entspre
chende große Abtastfläche bereitgestellt ist.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausfüh
rungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher
beschrieben.
Es zeigt
Fig. 1 eine schematische perspektivische An
sicht eines Ausführungbeispiels der photoelektrischen
Wandlereinheit der Informationseingabeeinrichtung,
Fig. 2A, 2B und 2C Diagramme, die Ausführungs
beispiele für den Aufbau der photoelektrischen Umsetzer
schicht der photoelektrischen Wandlereinheit gemäß
Fig. 1 veranschaulichen,
Fig. 3 Schaubilder, die Funktion und Wirkungs
weise der photoelektrischen Wandlereinheit gemäß Fig. 1
veranschaulichen, wobei die Fig. 3A und 3D zeitliche
Diagramme von Eingangssignalen, die Fig. 3C ein zeitli
ches Diagramm von Ausgangssignalen und die Fig. 3B eine
schematische Darstellung eines Vorlagenbildmusters zeigen,
Fig. 4 ein Schaltbild mit Ausführungsformen
wesentlicher Bestandteile der Informationseingabeein
richtung,
Fig. 5 eine schematische perspektivische An
sicht eines weiteren Ausführungsbeispiels der photoelek
trischen Wandlereinheit der Informationseingabeeinrich
tung,
Fig. 6 ein Schaltbild mit weiteren Ausführungs
formen wesentlicher Bestandteile der Informa
tionseingabeeinrichtung und
Fig. 7 Signalverläufe von Signalen der Schal
tungsanordnung gemäß Fig. 6, wobei sich die Fig. 7A, 7D
und 7E auf Eingangssignale und die Fig. 7B und 7C auf
Ausgangssignale beziehen.
In Fig. 1 ist ein Ausführungsbeispiel einer photo
elektrischen Wandlereinheit 101 dargestellt, die ein
Substrat 102 einer gewünschten Länge und Breite so
wie eine aufeinanderfolgend darauf aufgebrachte Schicht
anordnung aus einer länglichen Gegenelektrode 103, einer
Isolierschicht 104, einer photoelektrischen Umsetzer
schicht 105, einer Isolierschicht 108 und getrennt von
einander als ebene Reihe auf der Isolierschicht 108 an
geordneten Bildelementelektroden 109 (E 1, E 2, . . . En)
umfaßt.
Die photoelektrische Umsetzerschicht 105 weist auf
der Seite der Isolierschicht 104 einen Ladungserzeugungs
abschnitt 106 zur Erzeugung von Ladungsträgern bei Ab
sorption von aktinischem Licht und auf der Seite der Iso
lierschicht 108 einen Ladungstransportabschnitt 107 zur
Erzielung eines effektiven Abtransportes der in dem La
dungserzeugungsabschnitt 106 gebildeten Ladung zu den
Bildelementelektroden 109 auf.
Bei der photoelektrischen Wandlereinheit 101 gemäß
Fig. 1 wird das die Information tragende Licht 112 durch
das Substrat 102 hindurchgeführt, da der Ladungserzeu
gungsabschnitt 106 auf der Seite des Substrats 102 ange
ordnet ist. Das Substrat 102, die Gegenelektrode 103 und
die Isolierschicht 104 bestehen daher aus Stoffen, die
für das aktinische Licht transparent sind, so daß dieses in
ausreichendem Maße von dem Ladungserzeugungsabschnitt
106 absorbiert wird.
Für aktinisches Licht im sichtbaren Wellenlängen
bereich kann das Substrat 102 z. B. aus Glas, transparen
ten keramischen Materialien, wie Magnesiumoxid bzw.
Magnesia, Berylloxid, Spinell oder Yttriumoxid, einzelnen
Kristallplatten sowie transparenten Kunststoffen, wie
Acrylharz, bestehen, während die Elektrode 103 aus dem
sogenannten ITO (In2O3 : SnO2 = 85 bis 98 : 15 bis 2), SnO2,
In2O3, Au, NiCr oder Al bestehen kann.
Beispiele für Stoffe, die zum Aufbau der Isolier
schicht 104 verwendet werden können, sind Poly-p-Xylol,
Polyurethan, Polycarbonat, Polyäthylen, SiO2, Si3N4 und
SiNO.
Der Aufbau der photoelektrischen Umsetzerschicht
105 ändert sich gleichmäßig von einem Ende der Gegen
elektrode 103 bis zu ihrem anderen Ende, und zwar derart,
daß die elektrischen Felder zwischen den Bildelementelek
troden 109 und der Gegenelektrode 103 abgestuft verlau
fen, obwohl das Potential zwischen den Elektroden gleich
förmig ist. Hierbei bestehen der Ladungserzeugungsab
schnitt 106 und der Ladungstransportabschnitt 107 aus
Stoffen, die derart gewählt sind, daß zwischen ihnen ei
ne steile Potentialschwelle gebildet wird.
Die Bildung einer solchen Potentialschwelle in der
photoelektrischen Umsetzerschicht 105 fördert das Auf
treten einer Schwellenspannung Vth in der Charakteristik
des Photostroms Ip als Funktion der anliegenden Spannung.
Das Auftreten dieser Schwellenspannung Vth bewirkt
die Beseitigung eines eventuellen Störstroms zwischen
der Gegenelektrode 103 und den jeweiligen Bildelement
elektroden.
Die photoelektrische Umsetzerschicht 105 mit der
steilen Potentialschwelle zwischen dem Ladungserzeugungs
abschnitt 106 und dem Ladungstransportabschnitt 107 läßt
sich z. B. in der in den Fig. 2A und 2B dargestellten Wei
se erhalten, indem der Ladungserzeugungsabschnitt 106
aus einer äußerst dünnen Schicht aus SeTe mit einem
Telluranteil von 5 bis 50 Atom% und der Ladungstrans
portabschnitt 107 aus Selen hergestellt werden. In die
sem Falle muß der Ladungserzeugungsabschnitt 106 nicht
notwendigerweise auf der Lichteintrittsseite der photo
elektrischen Umsetzerschicht 109 angeordnet sein, son
dern kann auch in der in Fig. 2C dargestellten Weise in
nerhalb der photoelektrischen Umsetzerschicht 105 eine
Position einnehmen, bei der das aktinische Licht die
SeTe-Schicht in zufriedenstellendem Umfang erreicht.
Die Wärmebeständigkeit der photoelektrischen Um
setzerschicht 105 läßt sich verbessern, indem z. B. Ar
sen mit einem Anteil von 0,2 bis 10 Atom% bei der Bil
dung des Ladungserzeugungsabschnitt 106 und des Ladungs
transportabschnitts 107 hinzugesetzt wird, oder indem
dünne Schichten mit einer Stärke von 0,025 µm bis 0,1 µm
aus einer Selen-Arsen-Legierung, die Arsen mit einem An
teil von 0,2 bis 5 Atom% enthält, an den Grenzflächen
zwischen der photoelektrischen Umsetzerschicht 105 und
den Isolierschichten 104, 108 vorgesehen werden.
In den Fig. 2A, 2B und 2C ist jeweils über der
Abszisse die Dicke t der photoelektrischen Umsetzer
schicht 105 als Funktion des über der Ordinate in Atom%
aufgetragenen Selengehaltes A dargestellt, wobei die
Lichteinfallsseite durch einen Pfeil x gekennzeichnet
ist.
Die Isolierschicht 108 muß nicht notwendigerweise
Transparenz für das aktinische Licht aufweisen und kann
aus jedem der vorstehend bereits in Verbindung mit der
Isolierschicht 104 beschriebenen Stoffe bestehen.
Die Bildelementelektroden 109 sind entsprechend
der Anzahl n der erforderlichen Bildelemente aufgeteilt
und können aus aufgedampftem
Aluminium oder Gold bestehen.
Die unterteilte Anordnung der Bildelementelektro
den 109 kann entweder durch Verwendung einer Metallmaske
mit dem gewünschten Anordnungsmuster der getrennten
Elektroden oder durch gleichmäßiges Aufdampfen, dem die
Bildung des Musters durch ein Photo-Ätzverfahren folgt,
erhalten werden. Falls die Isolierschicht 108 in uner
wünschter Weise durch die bei dem Photo-Ätzverfahren ver
wendeten Chemikalien angegriffen wird, kann es erforder
lich sein, die Elektrode 103 in Form der Bildelement
elektroden auszubilden, wobei die Elektroden 109 dann
als kontinuierliche Gegenelektrode ausgebildet werden.
Außerdem muß die Elektrode 109 transparent sein,
wenn das Substrat 102 aus einem lichtundurchlässigen Ma
terial, wie z. B. Aluminium, besteht.
Nachstehend wird unter Bezugnahme auf die Fig. 3A, 3B, 3C und 3D näher auf die Funktion und Wirkungs
weise der photoelektrischen Wandlereinheit 101 gemäß
Fig. 1
eingegangen.
In Fig. 3A ist ein stufenförmiges Steuersignal S 10
dargestellt, das über einen Eingangsanschluß 110 der
photoelektrischen Wandlereinheit 101 zugeführt wird und
aus einer Folge von n Spannungsimpulsen besteht, die je
weils den Schwellenspannungen zwischen der Gegenelektrode
103 und den Bildelementelektroden 109 entsprechen. Hier
bei ist die erste Stufenspannung gleich der Schwellen
spannung V 1 zwischen der Gegenelektrode 103 und einer
Bildelementelektrode E 1, während die zweite Stufenspan
nung gleich der Schwellenspannung V 2 zwischen der Gegen
elektrode 103 und einer Bildelementelektrode E 2 und die
n-te Stufenspannung gleich der zwischen der Gegenelek
trode 103 und einer Bildelementelektrode En herrschenden
Schwellenspannung Vn ist, wobei gilt: V 1 < V 2 < . . . <
Vn. Die Stufenspannungen V 1, V 2, . . . Vn können durch
kontinuierliche und gleichmäßige Steigerung der Dicke
der photoelektrischen Umsetzerschicht 105 derart ge
wählt werden, daß sie durch V 1 = V 1, V 2 = V 1 + Δ V -1,
. . ., Vn = V 1 + Δ Vn - 1 gegeben sind. Das einen regel
mäßigen Anstieg der Spannung innerhalb einer Zeit Δ t
(= t k - t k - 1) zeigende Steuersignal S 10 kann somit als
Eingangssignal bzw. Treibersignal zur Ansteuerung der
photoelektrischen Wandlereinheit 101 verwendet werden.
Wenn das Steuersignal S 10 gemäß Fig. 3A dem Ein
gangsanschluß 110 der photoelektrischen Wandlereinheit
101 zugeführt wird und diese mit dem durch ein Vorlagen
muster gemäß Fig. 3B hindurchtretenden Licht beauf
schlagt wird, wobei L einen
hellen Bereich und D einen
dunklen Bereich bezeichnen, werden über den Ausgangsan
schluß 111 zeitserielle Impulssignale W 1, W 2 . . .,
Wn in der in Fig. 3C dargestellten Weise entsprechend
der Anzahl der hellen Bereiche L erhalten.
Im einzelnen wird durch ein dem Eingangsanschluß
110 während einer Zeitdauer t 0 - t 1 zugeführtes Span
nungssignal P 1 mit der Spannung V 1 ein Photostrom Ip
zwischen der Gegenelektrode 103 und der Bildelement
elektrode E 1 erzeugt, da der Bereich der Bildelement
elektrode E 1 dem Licht ausgesetzt und die Spannung V 1
gleich der Schwellenspannung zwischen den Elektroden
ist. Dieser Photostrom Ip tritt jedoch nicht als statio
närer Strom, sondern als Ausgleichsstrom auf, da die
photoelektrische Umsetzerschicht 105 an ihren beiden
Enden durch die Isolierschichten 104 und 108 elektrisch
gesperrt ist.
Auf diese Weise gibt die Bildelementelektrode E 1
aufgrund des Anliegens der Schwellenspannung V 1 und des
Lichteinfalls einen Photostrom Ip ab, der wiederum die
elektrische Aufladung der Isolierschichten 104 und 108
bewirkt und bei Sättigung der Aufladung unterbrochen
wird bzw. endet. Dieser Photostrom wird nicht an ande
ren Bildelementelektroden erzeugt, da in diesem Stadium
die Schwellenwerte nicht erreicht werden. Dementspre
chend wird über den Ausgangsanschluß 111 das in Fig. 3C
dargestellte Ausgangssignal W 1 während der Zeitdauer
von t 0 bis t 1 abgegeben und repräsentiert die Informa
tion an der Bildelementelektrode E 1.
Während der darauffolgenden Eingabe eines Span
nungssignals P 2 mit der Spannung V 2 über den Eingangs
anschluß 110 während der Zeitdauer von t 1 bis t 2 wird
an der Bildelementelektrode E 2, deren Schwellenspannung
gleich V 2 ist, ein Photostrom Ip erzeugt, jedoch erfolgt
keine Erzeugung eines Photostroms in anderen Bereichen
als den Bildelementelektroden E 1 und E 2, da an den ande
ren Bildelementelektroden die Schwellenwerte nicht er
reicht sind.
Obwohl an der Bildelementelektrode E 1 die deren
Schwellenwert übersteigende Spannung V 2 anliegt und
außerdem Lichteinfall erfolgt, ist der in Abhängig
keit von dem Spannungssignal P 2 auftretende Photostrom
vernachlässigbar klein, da die Aufladung der Isolier
schichten 104 und 108 durch den aufgrund des Spannungs
signals P 1 erzeugten Photostrom bereits abgeschlossen
ist.
Während der Zeitdauer von t 1 bis t 2 wird über den
Ausgangsanschluß 111 somit das in Fig. 3C dargestellte
Ausgangssignal W 2 als Informationssignal bezüglich der
Bildelementelektrode E 2 abgegeben. In Abhängigkeit von
dem dem Eingangsanschluß 110 zugeführten Steuersignal
S 10 gibt somit jede den hellen Bereichen zugeordnete
Bildelementelektrode einen Photostrom Ip ab, wenn das
der Schwellenspannung der Bildelementelektrode entspre
chende erste Spannungssignal Pk anliegt, so daß auf die
se Weise die Ausgangssignale W in zeitserieller
Folge über den Ausgangsanschluß 111 abgegeben werden.
Durch Belichtung der photoelektrischen Wandlereinheit
101 mit dem durch eine Bildvorlage mit einem Muster ge
mäß Fig. 3B hindurchtretenden Licht und Anlegen des
Steuersignals S 10 gemäß Fig. 3A an den Eingangsanschluß
110 werden somit diesem Muster entsprechende Signale S 11
über den Ausgangsanschluß 111 erhalten.
Die Dauer Δ t des Spannungssignals P ist länger als
die für die Beendigung bzw. bis zum Abklingen des zwi
schen der Gegenelektrode 103 und einer jeweiligen Bild
elementelektrode E fließenden Photostromes Ip erforder
liche Zeit (Ladezeit) gewählt, damit die Bildung von
Störsignalen in den dunklen Bereichen vermieden wird.
Das der photoelektrischen Wandlereinheit 101 zuge
führte Signal ist nicht zwangsläufig auf das stufenarti
ge Steuersignal S 10 gemäß Fig. 3A beschränkt, sondern
kann auch die Form des in Fig. 3D dargestellten Steuer
signals S 12 annehmen, das aus direkten Spannungsimpuls
signalen Q besteht, die jeweils eine Impulspause Δ t 1
aufweisen.
Wie im Falle des Steuersignals S 10 werden n Span
nungsimpulse (Q 1, Q 2, . . ., Qn) des Steuersignals S 12
derart gewählt, daß sie jeweils den Schwellenspannungen
zwischen der Gegenelektrode 103 und den einzelnen Bild
elementelektroden der photoelektrischen Wandlereinheit
101 entsprechen.
Wie Fig. 3D zu entnehmen ist, ist das
Spannungssignal Q 1 gleich der Schwellenspannung V 1 zwi
schen der Gegenelektrode 103 und der Bildelementelektro
de E 1 gewählt, während das Spannungssignal Q 2 gleich der
Schwellenspannung V 1 + Δ V 1 zwischen der Gegenelektrode
103 und der Bildelementelektrode E 2 gewählt ist.
Bei dem Steuersignal S 12 ist die Dauer Δ t
jedes Spannungsimpulses Q 1, Q 2, . . ., Qn in ähnli
cher Weise wie die Dauer jeder Stufenspannung bei
dem Steuersignal S 10 gewählt, während die Impulspause
Δ t 1 zwischen den aufeinanderfolgenden Spannungsimpul
sen Q kürzer als die zum Entladen der von dem Photostrom
zwischen der Gegenelektrode 103 und einer jeweiligen
Bildelementelektrode 109 angesammelten Ladung zwischen
den Isolierschichten 104 und 108 erforderliche Zeit ge
wählt ist.
Obwohl bei der photoelektrischen Wandlereinheit
101 gemäß Fig. 1 die photoelektrische Umsetzerschicht
105 auf beiden Seiten durch die einschließenden Isolier
schichten 104 und 108 elektrisch gesperrt ist, kann die
Isolierschicht zur Verhinderung eines stationären Photo
stromes in der photoelektrischen Umsetzerschicht 105
auch nur auf der Lichteinfallsseite vorgesehen sein.
In diesem Falle muß die Isolierschicht natürlich für
das aktinische Licht durchlässig sein, da sie näher bei
der Lichtquelle als der Ladungserzeugungsabschnitt 106
angeordnet ist.
In Fig. 4 ist eine Treiberschaltung zur Ansteue
rung der photoelektrischen Wandlereinheit 101 gemäß
Fig. 1 dargestellt, die einen Impulsgenerator OSC 1, ei
nen mit dem Impulsgenerator OSC 1 verbundenen Zähler
CNT 1, der zeitserielle Signale über eine Vielzahl
von Ausgangsanschlüssen in Abhängigkeit von den von dem
Impulsgenerator OSC 1 zugeführten Eingangsimpulssignalen
abgibt, ein ebenfalls mit dem Ausgang des Impulsgenera
tors OSC 1 verbundenes Verzögerungsglied DLY 1, das die
von dem Impulsgenerator OSC 1 zugeführten Eingangssigna
le um eine bestimmte Zeitdauer verzögert, einen Opera
tionsverstärker OP 1, ein UND-Verknüpfungsglied AND 1 und
Widerstände Ri aufweist.
Wenn n Impulssignale entsprechend der Anzahl P 1,
P 2 . . ., Pn der Bildelementelektroden von dem Impuls
generator OSC 1 in Form des Signals S 10 abgegeben werden,
werden eine entsprechende Anzahl der Schalter des Zäh
lers CNT 1 aufeinanderfolgend geschlossen, so daß auf
einanderfolgend Ausgangssignale entsprechend dem Signal
S 10 über die Ausgangsanschlüsse O 1-On abgegeben wer
den, die mit dem negativen Eingangsanschluß des Opera
tionsverstärkers OP 1 jeweils über n Widerstände R 1, R 2,
. . ., Rn verbunden sind, welche unterschiedliche Wider
standswerte aufweisen, die in Abhängigkeit von den
Schwellenspannungen Vth zwischen der Gegenelektrode 103
und den jeweiligen Bildelementelektroden E 1, E 2, . . .,
En der photoelektrischen Wandlereinheit 101 bestimmt
sind.
In Abhängigkeit von den aufeinanderfolgend über
die Ausgangsanschlüsse O 1-On des Zählers CNT 1 abgege
benen Signalen gibt der Operationsverstärker OP 1 das
stufenförmige Steuersignal S 10 gemäß Fig. 3A oder das
Signal S 12 gemäß Fig. 3D ab, das der photoelektrischen
Wandlereinheit 101 über deren Eingangsanschluß zuge
führt wird.
Wenn die photoelektrische Wandlereinheit 101 z. B.
mit dem durch das Vorlagenmuster gemäß Fig. 3B hindurch
getretenen Licht belichtet wird, wird von der photoelek
trischen Wandlereinheit 101 das in Fig. 3C dargestellte
Signal S 11 erhalten, das aus einer Folge zeitseriel
ler Impulse W 1, W 2, . . ., Wn besteht.
Das derart erhaltene Signal S 11 wird dem negativen
Eingangsanschluß eines weiteren Operationsverstärkers
OP 2 zugeführt, dessen Ausgangssignal wiederum einem Ein
gang des UND-Verknüpfungsgliedes AND 1 zugeführt wird.
Dem anderen Eingang des UND-Verknüpfungsgliedes
AND 1 werden die von dem Impulsgenerator OSC 1 abgegebe
nen Signale zugeführt, so daß über den Ausgang des UND-
Verknüpfungsgliedes AND 1 die dem Bildmuster der Vorlage
entsprechenden Signale zeitlich aufeinanderfolgend
abgegeben werden.
Wie vorstehend erläutert, gibt die photoelektri
sche Informationseingabeeinrichtung in Abhängigkeit von
dem über ihren gesamten Lichtempfangsbereich bzw. ihre
gesamte Lichtaufnahmefläche erfolgenden Lichteinfall die
photoelektrisch umgesetzten Signale zeitseriell
über den Ausgangsanschluß 111 bei Anliegen des Steuer
signals gemäß Fig. 3A oder 3D ab und eignet sich daher
insbesondere als optische Informationseingabeeinrichtung
für zeitserielle Datenausgabegeräte, wie z. B. für
ein Tintenstrahl-Aufzeichnungsgerät, ein digitales Ko
piergerät oder ein Faksimile-Gerät.
Fig. 5 zeigt in schematischer perspektivischer Dar
stellung eine weitere, vorzugsweise verwendete Ausfüh
rungsform der photoelektrischen Wandlereinheit.
Die photoelektrische Wandlereinheit gemäß Fig. 5
weist einen Aufbau auf, der insbesondere den Erforder
nissen einer Hochgeschwindigkeits-Bildreproduktion an
gepaßt ist, die sich mit der lediglich einen Ausgangsan
schluß aufweisenden photoelektrischen Wandlereinheit ge
mäß Fig. 1 nur bedingt erzielen läßt.
Der Aufbau der photoelektrischen Wandlereinheit ge
mäß Fig. 5 entspricht demjenigen der photoelektrischen
Wandlereinheit gemäß Fig. 1, jedoch mit der Ausnahme,
daß die Gegenelektrode 503 elektrisch in k Abschnitte
unterteilt ist, die jeweils mit einem Ausgangsanschluß
511-1, 511-2, . . ., bzw. 511-k versehen sind, und daß
m Eingangsanschlüsse 510-1, 510-2 . . ., 510-m vorge
sehen sind, die gemeinsam mit einer Vielzahl von der
derart unterteilten Gegenelektrode jeweils gegenüber
liegenden Bildelementelektroden verbunden sind, so daß
das Funktionsprinzip dieser Anordnung grundsätzlich das
gleiche wie im Falle der photoelektrischen Wandlerein
heit gemäß Fig. 1 ist.
Bei der photoelektrischen Wandlereinheit gemäß
Fig. 5 werden in Abhängigkeit von der gleichzeitigen
Zuführung der Steuersignale zu den m Eingangsanschlüssen
510-1, 510-2, . . ., 510-m und dem von der Seite des Sub
strats 502 her einfallenden optischen Informationsträger
signal 512 über die k Ausgangsanschlüsse 511-1, 511-2
. . ., 511-k die entsprechenden Ausgangssignale erhalten,
die einer Ausgabeeinrichtung, wie z. B. einem Tinten
strahl-Schreiber oder -drucker, mit oder ohne zeitlich
aufeinanderfolgende bzw. serielle Neuanordnung zugeführt
werden.
In Fig. 6 ist eine weitere, vorzugsweise verwende
te Ausführungsform der Informationseingabeeinrichtung
in Verbindung mit einem Schaltbild schematisch darge
stellt.
Im allgemeien läßt sich eine Verbesserung des Auf
lösungsvermögens durch Vergrößerung der Anzahl der Bild
elementelektroden je Einheitslänge erzielen, jedoch hat
die sich aus einer solchen Vergrößerung der Elektroden
zahl ergebende Verringerung des Elektrodenabstands im
allgemeinen eine höhere Störsignaleinstreuung zwischen
den Elektroden, eine Vergrößerung der Gefahr des Auftre
tens von elektrischen Leckverlusten zwischen den Elek
troden und erhöhte Schwierigkeiten bei der Anbringung
von Zuleitungen an den Elektroden zur Folge. Die Schal
tungsanordnung gemäß Fig. 6 dient insbesondere zur Ver
meidung solcher Nachteile.
Die photoelektrische Wandlereinheit 601 gemäß
Fig. 6 entspricht mit der Ausnahme, daß sie mit zwei
Eingangsanschlüssen A und B versehen ist, im wesentli
chen der photoelektrischen Wandlereinheit 101 gemäß
Fig. 1 und basiert daher im wesentlichen auf dem gleichen
Funktionsprinzip wie die photoelektrische Wandlereinheit
101. In Fig. 6 ist mit DIV ein Impulsteiler zur Fre
quenzteilung der eine bestimmte Frequenz aufweisenden
Impulssignale bezeichnet, während die anderen Symbole
die gleiche Bedeutung wie im Falle der Schaltungsanord
nung gemäß Fig. 4 haben.
Bei Anliegen eines von einem Impulsgenerator OSC 2
abgegebenen Steuersignals S 20 gemäß Fig. 7A, das aus
2n Impulsen entsprechend der Anzahl 2n der Bildelement
elektroden 607 (a 1, a 2, . . ., an, b 1, b 2, . . ., bn) be
steht, gibt der Impulsteiler DIV durch jeweils abwech
selnde Auswahl der Impulse Signale S 21 und S 22 ab, die
jeweils aus n zeitseriellen Impulsen bestehen und
einem Zähler CNT 2 bzw. einem Zähler CNT 3 zugeführt wer
den.
Durch die Zuführung der n Impulse zu dem Zähler
CNT 2 werden die darin angeordneten n Schalter aufeinan
derfolgend geschlossen, so daß entsprechende zeit
serielle Signale über die Ausgangsanschlüsse 11 - 1 n
des Zählers CNT 2 abgegeben werden.
Gleichermaßen werden durch die Zuführung der n
Impulse zu dem Zähler CNT 3 die darin vorgesehenen n
Schalter aufeinanderfolgend geschlossen, so daß ent
sprechend zeitserielle Signale über die Ausgangs
anschlüsse 21 - 2 n des Zählers CNT 3 abgegeben werden.
Die Ausgangsanschlüsse 11 - 1 n des Zählers CNT 2
sind mit dem negativen Eingangsanschluß eines Operations
verstärker OP 3 jeweils über Widerstände R 1, R 2, . . .,
Rn verbunden, die unterschiedliche Widerstandswerte auf
weisen, welche in Abhängigkeit von den Schwellenspannun
gen Vth zwischen der Gegenelektrode 603 und den jeweili
gen Bildelementelektroden a 1, a 2, . . . an der photo
elektrischen Wandlereinheit 601 festgelegt sind.
Gleichermaßen sind die Ausgangsanschlüsse 21 - 2 n
des Zählers CNT 3 mit dem negativen Eingangsanschluß ei
nes weiteren Operationsverstärkers OP 4 jeweils über Wi
derstände R 1′, R 2′, . . ., Rn′ verbunden, die ebenfalls
verschiedene Widerstandswerte aufweisen, welche in Ab
hängigkeit von den Schwellenspannungen Vth zwischen der
Gegenelektrode 603 und den jeweiligen Bildelementelek
troden b 1, b 2, . . ., bn der photoelektrischen Wandler
einheit 601 festgelegt sind.
Bei Zuführung der zeitseriellen Ausgangs
signale über die Ausgangsanschlüsse 11 - 1 n des Zählers
CNT 2 gibt somit der Operationsverstärker OP 3 das aus
Impulsen unterschiedlicher Beträge bestehende Signal
S 23 gemäß Fig. 7D ab und führt es dem Eingangsanschluß
A der photoelektrischen Wandlereinheit 601 zu.
Gleichermaßen gibt bei Zuführung der zeit
seriellen Ausgangssignale über die Ausgangsanschlüsse
21 - 2 n des Zählers NCT 3 der Operationsverstärker OP 4
das aus Impulsen unterschiedlicher Beträge bestehende
Signal S 24 gemäß Fig. 7E ab und führt es dem Eingangs
anschluß B der photoelektrischen Wandlereinheit 601 zu,
wobei die Impulse des Signals S 24 sich von denjenigen
des Signals S 23 unterscheiden.
Die Signale S 23 und S 24 lassen sich folgender
maßen definieren. Das Signal S 23 besteht aus n Span
nungsimpulsen, deren Spannungswert sich ausgehend von
einer Anfangsspannung V aufeinanderfolgend um Δ , Δ ,
. . . erhöht, wobei die Ausgangsspannung V gleich der
Schwellenspannung an der Bildelementelektrode a 1, die
Spannung V + Δ V 2 gleich der Schwellenspannung an der
Bildelementelektrode a 2 und schließlich die Spannung
V + Δ V n - 1 (n ist hierbei ungeradzahlig und gleich oder
größer als 3) gleich der Schwellenspannung an der Bild
elementelektrode an a n sind.
Das Signal S 24 besteht gleichermaßen aus n Span
nungsimpulsen, deren Spannungswert sich ausgehend von
einer Anfangsspannung V + Δ V 1 aufeinanderfolgend um
Δ , Δ , . . ., erhöht, wobei die Anfangsspannung
V + Δ V 1 gleich der Schwellenspannung an der Bildele
mentelektrode b 1, die Spannung V + Δ V n - 1 (n ist hierbei ge
radzahlig und gleich oder größer als 2) gleich der
Schwellenspannung der Bildelementelektrode b n sind.
Außerdem ist die zeitliche Steuerung der Zuführung des
Signals S 24 zu dem Eingangsanschluß B mit der Beendi
dung der Zuführung des Signals S 23 zu dem Eingangsan
schluß A synchronisiert.
Die photoelektrische Wandlereinheit 601 gibt so
mit über ihren Ausgangsanschluß in Abhängigkeit von den
Signalen S 23 und S 24 dem Bildmuster entsprechende Aus
gangssignale ab, die dem negativen Eingangsanschluß ei
nes Operationsverstärkers OP 5 zugeführt werden.
In Abhängigkeit von diesen Signalen führt der
Operationsverstärker seinerseits Ausgangssignale einem
jeweiligen Eingang eines UND-Verknüpfungsgliedes AND 2
und eines UND-Verknüpfungsgliedes AND 3 zu.
Dem jeweils anderen Eingang der UND-Verknüpfungs
glieder AND 2 und AND 3 werden die Ausgangssignale des
Impulsteilers nach einer geeigneten Verzögerung durch
ein Verzögerungsglied DLY 2 und DLY 3 zugeführt.
Auf diese Weise werden die von dem Operationsver
stärker OP 5 abgegebenen Signale und die Signale der
Verzögerungsglieder über die UND-Verknüpfungsglieder
AND 2 und AND 3 in synchronisierter Form über ein ODER-
Verknüpfungsglied OR einer Ausgabeeinrichtung oder ei
ner Speichereinrichtung zugeführt.
Claims (4)
1. Photoelektrische Informationseingabeeinrichtung mit
einer photoelektrischen Wandlereinheit (101; 501; 601),
die eine photoelektrische Umsetzerschicht (105; 505; 605)
aufweist, welche zwischen einer linearen Anordnung von n
Bildelementelektroden (109; 509; 607) und einer der Anord
nung der Bildelementelektroden gegenüberliegenden Gegen
elektrode (103; 503; 603) angeordnet ist und eine gleich
mäßig sich von einem Ende zu dem anderen Ende der Gegen
elektrode ändernde Dicke besitzt und mit einer Steuerein
richtung (Fig. 4; Fig. 6), die den Elektroden Steuerspan
nungen veränderlicher Amplitude derart zuführt, daß ent
sprechend der jeweiligen Spannungsamplitude nur die dem
Bereich einer jeweils bestimmten Bildelementelektrode
zugeordnete Schwellenspannung überschritten wird und somit
den von dem photoelektrischen Umsetzerabschnitt aufgenom
menen optischen Signalen entsprechende elektrische Signale
erhalten werden, dadurch gekennzeichnet, daß die photo
elektrische Umsetzerschicht (105; 505; 605) aus einem auf
der Seite einer für einfallendes Licht durchlässigen Elek
trode befindlichen Ladungserzeugungsabschnitt (106; 506)
und einem zur Erzielung eines effektiven Transportes der
in dem Ladungserzeugungsabschnitt erzeugten Ladung dienen
den Ladungstransportabschnitt (107; 507) besteht und daß
zwischen der photoelektrischen Umsetzerschicht und der
Gegenelektrode oder/und den Bildelementelektroden Isolier
schichten ( 104, 108; 504, 508; 604, 606) angeordnet sind.
2. Photoelektrische Informationseingabeeinrichtung
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegen
elektrode (503) in eine Vielzahl von Abschnitten unter
teilt ist, die jeweils einer Vielzahl von Bildelement
elektroden (509) gegenüberliegend angeordnet sind.
3. Photoelektrische Informationseingabeeinrichtung
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils
Gruppen aus n Bildelementelektroden gemeinsam elektrisch
miteinander verbunden sind.
4. Photoelektrische Informationseingabeeinrichtung
nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Steuereinrichtung eine Impulsgeneratorschaltung
OSC 1; OSC 2, DIV) zur Erzeugung einer Anzahl der
Bildelementelektroden entsprechenden Anzahl von zeitlich
seriellen Impulsen, einen Zähler (CNT 1; CNT 2, CNT 3), der
in Abhängigkeit von den Ausgangsimpulsen der Impulsgene
ratorschaltung über n Ausgangsanschlüsse (0₁-0 n ; 1 1 -
1 n , 2 1 - 2 n ) zeitlich aufeinanderfolgende Ausgangssigna
le abgibt, eine Anzahl n von Widerständen (R 1 - R n ;
R′ 1 - R′n), die jeweils mit einem Ausgangsanschluß des
Zählers verbunden sind und Widerstandswerte aufweisen,
welche jeweils an den Schwellenspannungen zwischen der Ge
genelektrode und einer zugeordneten Bildelementelektrode
entsprechen, und einen mit den Widerständen in Reihe ge
schalteten Operationsverstärker (OP 1; OP 3, OP 4) zur Zu
führung der Ausgangssignale zu den Bildelementelektroden
aufweist.
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---|---|---|---|
JP9104978A JPS5518151A (en) | 1978-07-26 | 1978-07-26 | Input device of photo electric conversion information |
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DE2930180C2 true DE2930180C2 (de) | 1987-06-19 |
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ID=14015639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPS5518151A (de) |
DE (1) | DE2930180A1 (de) |
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US4567529A (en) * | 1983-10-26 | 1986-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image sensor |
US4779963A (en) * | 1986-05-30 | 1988-10-25 | Gretag Aktiengesellschaft | Optical image amplifier apparatus |
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JPS5221065B2 (de) * | 1972-07-26 | 1977-06-08 | ||
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US4100573A (en) * | 1976-09-20 | 1978-07-11 | Berger J Louis | Thermal imaging transducer and system |
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1978
- 1978-07-26 JP JP9104978A patent/JPS5518151A/ja active Granted
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