NL8302132A - Inrichting voor het aflezen van een origineel. - Google Patents
Inrichting voor het aflezen van een origineel. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8302132A NL8302132A NL8302132A NL8302132A NL8302132A NL 8302132 A NL8302132 A NL 8302132A NL 8302132 A NL8302132 A NL 8302132A NL 8302132 A NL8302132 A NL 8302132A NL 8302132 A NL8302132 A NL 8302132A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- film transistors
- electrodes
- display device
- transistors
- photoelectric converting
- Prior art date
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional array, or a combination of one-dimensional arrays, or a substantially one-dimensional array, e.g. an array of staggered elements
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1931—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays with scanning elements electrically interconnected in groups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
Description
* Inrichting voor het aflezen van een origineel.
De uitvinding heeft betrekking op een origineel-afleesinrichting gebruikt bij een facsimilestelsel.
In het bijzonder heeft de uitvinding betrekking op een origineel-afleesinrichting van het contacttype.
5 In het algemeen zijn bij een contacttype origineel-afleesinrichting een aantal foto-elektrische omzetele-menten en een schakeling voor in opeenvolging naar een uitgangs-klem schakelbaar verbonden elementen gevormd op hetzelfde isolerende substraat. De lengte van de foto-elektrische omzetelement-10 reeks is gelijk gemaakt aan de breedte van een af te lezen origineel. Het beeld van het origineel wordt overgedragen naar de reeks met een beeldverhouding van 1:1, via een optisch vezelstelsel of lensinrichting. Bij deze soort van inrichting is de lengte van de optische baan nodig voor het vormen van een 15 beeld, verminderd met het resultaat dat de afmetingen van de origineel-afleesinrichting sterk zijn verminderd.
Figuur 1 toont een schakeling van een gebruikelijke contacttype origineel-afleesinrichting. In figuur 1 is met 10 een aantal foto-elektrische omzetelementen aangegeven ge-20 vormd met een fotogeleidende film, waarbij elk element de equivalente schakeling heeft van een fotodiode PD en een parallel verbonden condensator. Met de verwijzing 20 zijn schakelelementen aangegeven gebruikt voor het overdragen van de uitgangssignalen van de respectievelijke foto-elektrische omzetelementen 10, ter-25 wijl de verwijzingen 30 parasitaire capaciteiten aangeven welke worden gevormd door de strooicapaciteiten van geleiders welke de foto-elektrische omzetelementen 10 verbinden met de schakelelementen 20 en de ingangscapaciteiten van de schakelelementen 20, terwijl men een ladingsoverdraagketen 40 ziet, evenals een be-30 lastingsweerstand 50 en een voorspanningsbron 60. De ladingsoverdraagketen 40 bestaat uit ladingsopzamelcondensatoren 41, la-dingsoverdraagschakelelementen 42 en kloklijnen 43 en 44.
Wanneer het beeld van een origineel is gevormd 8302132 r <f 2 op de foto-elektrische omzetelementen 10, worden stromen representatief voor de optische intensiteit van overeenkomende delen van het beeld opgewekt door de fotodioden PD. Deze stromen veroorzaken het opzamelen van ladingen in de parasitaire capaciteiten 5 30. De ladingen op de parasitaire capaciteiten 30 worden over gedragen naar de ladingsopzamelcondensatoren 41 wanneer de schakel-elementen 20 worden gesloten door toevoer van een geschikt signaal naar de klem Tl. Een wisselende spanning wordt toegevoerd aan de kloklijnen 43 en 44 via de klemmen T2 en T3 voor het doen werken 10 van de ladingsoverdraagschakelelementen 42 in opeenvolging. De aldus overgedragen signaalladingen worden verschoven (naar rechts in figuur 1.) en worden aldus ontladen via de belastingsweerstand 50, waardoor een uitgangsspanning wordt gevormd op de klem T4.
Deze inrichting kan een BBD (Bucket Brigade Device) worden 15 genoemd.
De bovenbeschreven schakelelementen 20 en ladingsoverdraagschakelelementen 42 kunnen MOS-transistors zijn, vervaardigd met gebruik van gewone geintegreerde-schakelingstech-nieken. Een MOS-transistor is geschikt als een schakelelement in 20 een origineel-afleesinrichting doordat hij een relatief hoge schakelsnelheid heeft en kan werken met een relatief lage spanning. Om echter de bovenbeschreven contacttype origineel-afleesinrichting te verwezenlijken, is het nodig dat de foto-elektrische omzetelementen 10 en IC-chips inclusief de schakelelementen 25 20 en de ladingsoverdraagketens 40 worden gemonteerd op hetzelfde substraat en worden verbonden via draadhechting of dergelijke, met het resultaat dat het aantal verbindingen per origineel-afleesinrichting bijzonder groot is. Dit is een groot obstakel bij het verminderen van de fabrikagekosten van de inrichting en het 30 verbeteren van de betrouwbaarheid daarvan.
De bovenbeschreven moeilijkheid kan worden opgeheven door het gebruik van een techniek waarbij de schakelelementen 20 en de ladingsoverdraagketen 40 worden gevormd onder gebruik van dunne-filmtransistors. Dat wil zeggen, dat de schakel-35 elementen 20 en de ladingsoverdraagketen 40 zijn gevormd door 8302132 3 * s.
gebruik van hetzelfde proces als bij de foto-elektrische omzet-elementen 10. Dit lost het bovenbeschreven probleem op. Evenwel heeft de aldus geconstrueerde inrichting nog steeds nadelen in praktisch gebruik, doordat een dunne-filmtransistor een veel ge-5 ringere sehakelsnelheid heeft dan een MOS-transistor vervaardigd volgens geïntegreerde- ketentechnieken. Buitendien kan deze niet bij een lage spanning werken. Dit betekent dat zijn werkkarak-teristieken nog onvoldoende zijn om zulk een transistor volledig aanvaardbaar te maken als een schakelelement in een origineel-10 afleesinrichting.
In verband met het bovenstaande is een doel van de uitvinding te voorzien in een origineel-afleesinrichting waarbij de voordelen van zowel dunne-filmtransistors als MOS-transistors effectief worden verwezenlijkt zodanig dat een origi-15 neel-afleesinrichting wordt gevormd welke een origineel document kan aflezen met een hoge snelheid en met grote betrouwbaarheid, maar welke een eenvoudige constructie heeft en kan worden vervaardigd met lage kosten.
In de origineel-afleesinrichting volgens de 20 uitvinding zijn filmtransistors, gevormd voor respectievelijke foto-elektrische omzetelementen, verdeeld in een aantal groepen met de poortelektroden van de dunne-filmtransistors in elke groep met elkaar verbonden. Schakelsignalen worden toegevoerd naar de verbindingspunten van de poortelektroden in een tijdopeenvolging.
25 De uitgangselektroden van de filmtransistors in oneven groepen worden verbonden in een vooraf bepaalde volgorde via een eerste stel van gemeenschappelijke verbindingslijnen, terwijl de uitgangselektroden van de filmtransistors in even groepen worden verbonden in een vooraf bepaalde volgorde via een tweede stel van gemeen-30 schappelijke verbindingslijnen. Organen voor het tijdelijk opslaan van foto-elektrische signalen zijn aangebracht voor de gemeenschappelijke verbindingslijnen, en foto-elektrische omzetsignalen opgeslagen in de tijdelijke opslagorganen door de bovenbeschreven schakelwerking, worden afgelezen door schakelketens samengesteld 35 uit MOS-transistors.
6302132 * ^ * 4
Bij het aldus verkrijgen van de uitgangen van de foto-elektrische omzetelementen kan de filmtransistor-schakeltijd worden gemaakt om overeen te komen met een tijdperiode gelijk aan de afleestijden van een aantal foto-elektrische omzet-5 elementen, waardoor aldus de relatief langzaam schakelende film-transistors volledig aanvaardbaar zijn gemaakt voor dit doel. Buitendien wordt de totale snelheid van het leveren van de uitgangssignalen bepaald door de schakelsnelheid van de MOS-transistors als bovenbeschreven. Buitendien is het aantal verbindingslijnen 10 tot een minimum beperkt tot een aantal, dat equivalent is aan het aantal gemeenschappelijke verbindingslijnen welke zich uitstrekken naar de uitgangselektroden van de filmtransistors.
De uitvinding zal aan de hand van de tekening in het volgende nader worden toegelicht.
15 Figuur 1 is een equivalente schakeling van een gebruikelijke origineel-afleesinrichting.
Figuur 2 is een equivalente schakeling van een voorbeeld van een origineel-afleesinrichting volgens de uitvinding.
20 Figuur 3 is een tijdschema gebruikt bij het beschrijven van een voorbeeld van de werking van de inrichting van figuur 2.
Figuren 4A en 4B zijn een bovenaanzicht en een dwarsdoorsnede respectievelijk van een voorbeeld van de licha-25 melijke constructie van een origineel-afleesinrichting volgens de uitvinding.
Hierna worden voorkeursuitvoeringen van de inrichting volgens de uitvinding toegelicht.
Figuur 2 toont een schakeling van een origineel-30 afleesinrichting volgens de uitvinding, welke voor het gemak van het beschrijven is voorzien van twaalf foto-elektrische omzetelementen. In figuur 2 zijn elementen en schakelingen welke in functie overeenkomen met die zoals reeds beschreven aan de hand van figuur 1, aangegeven met overeenkomende verwijzingscijfers en zullen 35 niet opnieuw worden beschreven.
8302132 « s 5
In figuur 2 tonen 10a tot 101 equivalente schakelingen van foto-elektrische omzetelementen. Schakelele-menten 20a tot 201, welke zijn uitgevoerd met dunne film-transis-tors, zijn verbonden met de foto-elektrische omzetelementen 10a 5 tot 101 respectievelijk. De schakelelementen 20a tot 201 zijn verdeeld in verscheidene groepen (drie groepen in dit voorbeeld) en de poorten van de schakelelementen in elke groep zijn met elkaar verbonden. De aldus in groepen verbonden poorten zijn verbonden met de respectievelijke uitgangslijnen 71 tot 74 van een schuif-10 register 70.
De uitgangselektroden van de schakelelementen 20a tot 20c en 20g tot 20i van de oneven groepen zijn respectievelijk verbonden met de gemeenschappelijke verbindingslijnen 81, 82 en 83. Overeenkomstig zijn de uitgangselektroden van de schakelele-15 menten 20d tot 2Of en 20j tot 201 van de even groepen verbonden met respectievelijke gemeenschappelijke verbindingslijnen 84, 85 en 86. De gemeenschappelijke verbindingslijnen 81 tot 86 zijn verbonden met ingangselektroden van MOS-transistors 101 tot 106 respectievelijk waarbij parasitaire capaciteiten 91 .tot 96 respec-20 tievelijk behoren bij de respectievelijke lijnen 81 tot 86. De parasitaire capaciteiten 91 tot 96 zijn combinaties van de uitgangs-capaciteiten van de schakelelementen (dunne-filmtransistors) 20a tot 201, de strooicapaciteiten van de gemeenschappelijke verbindingslijnen 81 tot 86 en de ingangscapaciteiten van de MOS-25 transistors 101 tot 106. De poortelektroden van de MOS-transistors 101 tot 106 zijn verbonden met de uitgangsklemmen van een schuif-register 110, en de uitgangselektroden daarvan zijn met elkaar verbonden.
In de aldus gevormde origineel-afleesinrichting 30 worden signaalladingen opgezameld op de parasitaire capaciteiten 30a tot 301 overgedragen naar de respectievelijke parasitaire capaciteiten 91 tot 96 wanneer de schakelelementen 20a tot 201 respectievelijk worden ingeschakeld. Daarna worden de MOS-transistors 101 tot 106 aangedreven door het schuifregister 110, zodat de 35 signalen optreden op de uitgangsklem T4.
8302132 j» * 6
De werking van deze inrichting zal verder worden beschreven aan de hand van de tijdschaal van figuur 3. Opgemerkt wordt dat de te beschrijven werking slechts wordt uitgevoerd nadat voldoende signaallading is opgezameld op de para-5 sitaire capaciteiten 30a tot 301.
Allereerst wordt het schuifregister 70 in werking gesteld voor het toevoeren van een schakelsignaal Sl naar de uitgangslijn 71. Als resultaat worden de schakelelementen 20a, 20b en 20c ingeschakeld, waarna de ladingen op de parasitaire 10 capaciteiten 30a, 30b en 30c worden overgedragen naar de parasitaire capaciteiten 91, 92 en 93 respectievelijk via de gemeenschappelijke verbindingslijnen 81, 82 en 83 respectievelijk. In dit geval moet de tijdbreedte van het schakelsignaal Sl lang genoeg zijn voor het overdragen van de volledige lading. De parasitaire 15 capaciteiten 91 tot 96 zijn veel groter in capaciteit dan de parasitaire capaciteiten 30a tot 30c. Aldus worden de signaalladingen snel en volledig overgedragen naar de capaciteiten 91, 92 en 93.
Wanneer het schakelsignaal S2 wordt toegevoerd aan de uitgangslijn 72 van het schuifregister 70, worden de schakel-20 elementen 20d, 20e en 20f ingeschakeld, als resultaat waarvan de signaalladingen op de parasitaire capaciteiten 30d, 30e en 30f worden overgedragen naar de parasitaire capaciteiten 94, 95 en 96 respectievelijk. Tegelijkertijd levert het schuifregister 110 schakelsignalen S5, S6 en S7 naar de poortelektroden van de MOS-25 tramsistors 101, 102 en 103 opeenvolgend, dat wil zeggen in een tijdopeenvolging, zodat de MOS-transistors 101, 102 en 103 opvolgend geleidend worden gemaakt voor het opvolgend overdragen van de ladingen opgeslagen op de capaciteiten 91, 92 en 93, naar de uitgangsklem T4, waardoor componenten van het uitgangssignaal S12 30 op tijdstippen t^, t£ en t^ worden geleverd.
Wanneer de ladingen volledig zijn overgedragen vanaf de capaciteiten 91, 92 en 93, wordt een schakelsignaal S3 toegevoerd aan de uitgangslijn 73 van het schuifregister 70, zodat schakelelementen 20g, 20h en 20i worden ingeschakeld. Als 35 resultaat worden de signaalladingen op de parasitaire capaciteiten 8302132 Λ 7 30g, 30h en 30i geleverd naar de capaciteiten 91, 92 en 93 respectievelijk. Dit betekent dat de capaciteiten 91, 92 en 93 opnieuw worden geladen. Op hetzelfde tijdstip levert het schuif-register 110 schakelsignalen S8, S9 en S1Q naar de poortelektroden 5 van de MOS-transistors 104, 105 en 106 in een tijdopeenvolging om de MOS-transistors 104, 105 en 106 opeenvolgend geleidend te maken. Als resultaat worden de ladingen opgeslagen op de capaciteiten 94, 95 en 96, geleverd naar de klem T4 in opeenvolging op tijdstippen t^, tg en tg zoals aangegeven in figuur 3.
10 Nadat de ladingen zijn overgedragen vanuit de capaciteiten 94, 95 en 96 als bovenbeschreven, wordt een schakel-signaal S4 toegevoerd naar de uitgangslijn 74 van het schuif-register 70 voor het inschakelen van de schakelelementen 20j, 20k en 201 zodat de signaalladingen op de parasitaire capaciteiten 15 30j, 30k en 301 worden overgedragen naar de parasitaire capaci teiten 94, 95 en 96 welke zijn ontladen als bovenbeschreven. Tegelijkertijd levert het schuifregister 110 de schakelsignalen S5, S6 en S7 aan de MOS-transistors 101, 102 en 103 in tijdvolgorde om de MOS-transistors 101, 102 en 103 opvolgend geleidend te maken, 20 zodat de ladingen opnieuw opgeslagen op de capaciteiten 91, 92 en 93, af te leveren naar de uitgangsklem T4 op de tijdstippen t?, tg en t9.
Wanneer de ladingen zijn geleverd vanaf de capaciteiten 91, 92 en 93 als bovenbeschreven, levert het schuif-25 register 110 uiteindelijk de schakelsignalen S8, S9 en S10 weer naar de poortelektroden van de MOS-transistors 104, 105 en 106 in tijdvolgorde om de MOS-transistors 104, 105 en 106 geleidend te maken, waarna de ladingen opgeslagen op de capaciteiten 94, 95 en 96, weer worden geleverd naar de uitgangsklem T4, hier op tijd-30 stippen t^, t^ en t^. Alle signalen zijn aldus afgelezen.
Zoals duidelijk is bovenstaande beschrijving, is bij de signaalafleesinrichting volgens de uitvinding de werktijd van de schakelelementen 20a tot 201 lang, verscheidene aflees-tijdperioden van een enkel foto-elektrisch omzetelement, waardoor 35 de bovenbeschreven moeilijkheden worden overwonnen, welke inherent 8302132 > v 8 zijn aan dunne-filmtransistors in verband met hun lage schakel-snelheid en hoge weerstand. Aangezien verder het uiteindelijke aflezen van de signalen aan de buitenzijde wordt uitgevoerd door MOS-transistors (101 tot 106) welke met een· hoge snelheid werken, 5 kunnen alle bits in een zeer korte tijd worden afgelezen. Aangezien buitendien de schakelelementen 20a tot 201 en de gemeenschappelijke verbindingslijnen 81 tot 86 kunnen worden gevormd op hetzelfde substraat waarbij gebruik wordt- gemaakt van dezelfde dunne of dikke film, welke de foto-elektrische omzetelementen 10 10 vormt, is verbinding van de foto-elektrische omzetelementen . naar de schakelelementen niet vereist. Verder moet zoals bij de gebruikelijke inrichting, draadhechting of dergelijke worden gebruikt voor het verbinden van de schakelelementen 20a tot 201 met de uit-gangslijnen 71 tot 74 van het schuifregister 70 en voor het verbin-15 den van de gemeenschappelijke verbindingslijnen 81 tot 86 met de MOS-transistors 101 tot 106. Evenwel is het aldus vereiste aantal draden zeer klein. Bijvoorbeeld is in een geval waar de inrichting is voorzien van 2048 foto-elektrische omzetelementen en de 2048 foto-elektrische omzetelementen zijn verdeeld in 32 groepen zodat 20 de poortelektroden van 64 schakelelementen in elke groep met elkaar zijn verbonden, het aantal verbindingsdraden tussen de schakelelementen en de ladingsoverdraagorganen 128, hetgeen ongeveer 1/20 is van het aantal bij de gebruikelijke inrichting van figuur 1.
Figuren 4a en 4B tonen de lichamelijke construc-25 tie van de bovenbeschreven inrichting, waarbij figuur 4B een dwarsdoorsnede is volgens de lijn A - A van figuur 4A.
In dit voorbeeld van een afleesinrichting volgens de uitvinding is een substraat 201 een isolerend glazen of keramisch substraat, waarvan het oppervlak is geglazuurd.
30 Een film van metaal zoals chroom, goud, aluminium of nikkel wordt gevormd op het substraat 201 tot een dikte van 1000 tot 5000 £ door elektronenbundel-vacuumopdamping. Aldus worden elektroden 202, 203 en 204 gevormd volgens een vooraf bepaald patroon onder gebruikmaking van fotolithografie. Teneinde voor de gevormde elektroden 35 een goede adhesiesterkte aan het substraat 201 te hebben, is het 8302132 & 9 ·* wenselijk de elektroden te vormen met een film van chroom. Dan wordt een film van een halfgeleidend materiaal zoals amorf silicium, polykristallijnsilicium, seleen, seleen-telluur, seleen-arseen, seleen-arseen-telluur of cadmiumsulfide, cadmiumselenide 5 of zink-seleen, of zink-cadmium-telluur gevormd op de elektroden 203 en 204 door masker en vacuumopdamping zodat een fotogeleidende film 205 en een halfgeleidende film 206 worden gevormd. Het is wenselijk dat de films 205 en 206 worden gevormd door een laag amorf silicium welke wordt gevormd tot een dikte van 0,1 tot l^um 10 door de gloei-ontlading van silaangas. Daarna wordt een transparante elektrisch geleidende film 207 gevormd met een dikte vein 1500 £ door gelijkspanningsverstuiving van ITO (1^0^ en Sn02), welke dan wordt afgesneden tot een vooraf bepaalde configuratie door fotolithografie of door maskervacuumopdamping. Op deze wijze worden 15 foto-elektrische omzetelementen. (10) gevormd op zodanige wijze dat de elektroden 203 de transparante, elektrisch geleidende film 207 overlappen.
In figuur 4 wordt met 208 een isolerende film • van siliciumdioxyde, siliciumnitride of glas aangegeven. De iso-20 lerende film 208 wordt gevormd door vacuumopdamping, fotolithografie of dikke-filmafdruk. Doorgaande gaten worden daarin gevormd voor multipele bedradingslagen op vooraf bepaalde plaatsen. Een dunne of dikke film van chroom, goud, aluminium of nikkel wordt gevormd volgens een vooraf bepaald patroon voor het vormen van 25 poortelektroden 209 en gemeenschappelijke geleiders 210. Aldus worden dunne- filmtransistors gevormd onder de poortelektroden 209. De einden van de elektroden 209 en de gemeenschappelijke geleiders i 210 worden verbonden met het schuifregister 70 en de MOS-transistors (100) door draadhechting. Evenwel kunnen zij ook worden aange-30 sloten door solderen of met een banddrager.
Zoals uit bovenstaande beschrijving duidelijk is, zijn bij de origineel-afleesinrichting volgens de uitvinding ongewenste eigenschappen van dunne-filmtransistors ineffectief gemaakt. Aldus kan met deze inrichting een origineel document 35 stabiel en snel worden afgelezen. Buitendien is de inrichting 8302132 “ 10 ' Jt v volgens de uitvinding, aangezien het aantal verbindingslijnen klein is, verbeterd in betrouwbaarheid en kan hij worden vervaardigd met geringe kosten.
8302132
Claims (5)
1. Inrichting voor het aflezen van een origineel waarbij een aantal onderelektroden is gevormd op een substraat, en fotogeleiders en transparante, elektrisch geleidende 5 bovenelektroden zijn gevormd op de onderelektroden voor het vormen van foto-elektrische omzetelementen, met het kenmerk, dat een aantal dunne-filmtransistors aanwezig is, waarbij een van de dun-ne-filmtransistors is gevormd voor elk van de foto-elektrische omzetelementen, terwijl elk van deze foto-elektrische omzetelemen-10 ten is gekoppeld met een ingangselektrode van een betreffende van de filmtransistors, en de filmtransistors zijn verdeeld in een aantal afwisselende even en oneven genummerde groepen waarbij poort-elektroden van elk van de filmtransistors in elke groep met elkaar zijn verbonden, een eerste schuifregister voor het toe-15 voeren van eerste schakelsignalen naar verbindingspunten van de poortelektroden van elke groep in tijdopeenvolging, een eerste stel verbindingslijnen waardoor de uitgangselektroden van telkens een van de dunne-filmtransistors in de oneven groepen zijn verbonden in vooraf bepaalde volgorde, een tweede stel verbindingslijnen 20 waardoor uitgangselektroden van de dunne-filmtransistors in de even groepen zijn verbonden in een vooraf bepaalde volgorde, een aantal tijdelijke opslagorganen, waarbij een van deze tijdelijke opslagorganen is voorzien voor elk van de eerste en tweede verbindingslijnen, voor het tijdelijk opslaan van de geschakelde 25 foto-elektrische omzetuitgangen, een aantal MOS-transistors, waarbij een van de MOS-transistors is gevormd voor en een ingangselektrode heeft welke is gekoppeld naar elk van de tijdelijke opslagorganen voor het aflezen van de foto-elektrische omzetuitgangen welke tijdelijk zijn opgeslagen, waarbij de uitgangselektroden van 30 de MOS-transistors met elkaar zijn verbonden, en een tweede schuif-register voor toevoer van tweede schakelsignalen naar de poort-elektroden van de MOS-transistors in tijdopeenvolging.
2. Origineel-afleesinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat elk van de tijdelijke opslagorganen is 35 voorzien van een strooicapaciteit behorende bij een betreffende 8302132 jr 12 L· 1* lijn van de eerste en tweede stellen van verbindingslijnen.
3. Origineel-afleesinrichting volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat elk van de foto-elektrische omzet-elementen in samenwerking daarmee, verbonden met een elektrode 5 daarvan waaraan de betreffende van de filmtransistors is verbonden, een tweede strooicapaciteit heeft en waarbij een capaciteits-waarde van de eerstgenoemde strooicapaciteit groter is dan een capaciteitswaarde van de tweede strooicapaciteit.
4. Origineel-afleesinrichting volgens conclu-10 sie 1, met het kenmerk, dat het eerste schuif register de eerste schakelsignalen'toevoert elk met een aktieve toestand voor een tijdperiode overeenkomend met een aantal afleesperioden voor afzonderlijke van de foto-elektrische omzetelementen.
5. Inrichting in hoofdzaak zoals beschreven 15 in de beschrijving en/of weergegeven in de tekening. 8302132
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175455A JPS5963869A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 原稿読取装置 |
| JP17545582 | 1982-10-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8302132A true NL8302132A (nl) | 1984-05-01 |
Family
ID=15996364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8302132A NL8302132A (nl) | 1982-10-04 | 1983-06-15 | Inrichting voor het aflezen van een origineel. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4566040A (nl) |
| JP (1) | JPS5963869A (nl) |
| DE (1) | DE3322533C2 (nl) |
| NL (1) | NL8302132A (nl) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59115668A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 読取印字複写装置 |
| US4673821A (en) * | 1983-09-27 | 1987-06-16 | Kyocera Corporation | Photoelectric converter device having reduced output noise |
| CA1263175A (en) * | 1984-05-28 | 1989-11-21 | Hideyuki Miyazawa | Image reader for image processing apparatus |
| FR2568077B1 (fr) * | 1984-07-17 | 1994-08-12 | Canon Kk | Appareil de lecture d'image. |
| DE3525572A1 (de) * | 1984-07-18 | 1986-01-30 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Bildleser fuer eine bildverarbeitungseinrichtung |
| JPH0683335B2 (ja) * | 1985-04-11 | 1994-10-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPS6245061A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-27 | Hitachi Ltd | 画像読取センサ基板 |
| US4797561A (en) * | 1985-08-31 | 1989-01-10 | Kyocera Corporation | Reading apparatus with improved performance |
| DE3751242T2 (de) * | 1986-01-24 | 1995-09-14 | Canon Kk | Photoelektrischer Wandler. |
| EP0251563A3 (en) * | 1986-06-17 | 1991-01-09 | Tokyo Electric Co. Ltd. | Photoelectric conversion device |
| JPS639358A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPS6395253U (nl) * | 1986-12-11 | 1988-06-20 | ||
| US5027226A (en) * | 1987-09-18 | 1991-06-25 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
| US5162191A (en) * | 1988-01-05 | 1992-11-10 | Max Levy Autograph, Inc. | High-density circuit and method of its manufacture |
| US5122881A (en) * | 1988-08-10 | 1992-06-16 | Hitachi, Ltd. | Solid-state imaging device with an amplifying FET in each pixel and an output capacitor in each row |
| KR960007914B1 (ko) * | 1992-12-26 | 1996-06-15 | 엘지전자 주식회사 | 밀착 영상 센서 |
| JPH08315579A (ja) * | 1995-05-16 | 1996-11-29 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | シリアルアクセスメモリ装置 |
| DE19956274A1 (de) * | 1998-11-26 | 2000-05-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | Vorlagenlesegerät |
| ITBG20010012A1 (it) * | 2001-04-27 | 2002-10-27 | Nastrificio Angelo Bolis Spa | Nastro ornamentale per legature e decorazioni in genere predisposto all'arriciatura spontanea e/o facilitata dei suoi tratti e suo procedime |
| US20040246355A1 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-09 | Ji Ung Lee | Storage capacitor array for a solid state radiation imager |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3989956A (en) * | 1974-05-16 | 1976-11-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Charge transfer binary counter |
| US4120035A (en) * | 1977-08-16 | 1978-10-10 | International Business Machines Corporation | Electrically reprogrammable transversal filter using charge coupled devices |
| JPS55124358A (en) * | 1979-03-17 | 1980-09-25 | Ricoh Co Ltd | Picture information reading system |
| JPS5672573A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Ricoh Co Ltd | Self-scanning type photodiode array and its picture information read system |
| US4390791A (en) * | 1980-03-31 | 1983-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state photoelectric transducer |
| DE3112907A1 (de) * | 1980-03-31 | 1982-01-07 | Canon K.K., Tokyo | "fotoelektrischer festkoerper-umsetzer" |
| US4405857A (en) * | 1980-03-31 | 1983-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state photoelectric converter |
| JPS5711568A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Reader for original |
| JPS58195373A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-14 | Nec Corp | 固体光電変換装置 |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP57175455A patent/JPS5963869A/ja active Pending
-
1983
- 1983-06-15 NL NL8302132A patent/NL8302132A/nl not_active Application Discontinuation
- 1983-06-21 US US06/506,265 patent/US4566040A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-06-23 DE DE3322533A patent/DE3322533C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3322533A1 (de) | 1984-04-05 |
| DE3322533C2 (de) | 1986-03-06 |
| US4566040A (en) | 1986-01-21 |
| JPS5963869A (ja) | 1984-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8302132A (nl) | Inrichting voor het aflezen van een origineel. | |
| US4461956A (en) | Solid-state photoelectric converter | |
| JPS6251550B2 (nl) | ||
| US4589026A (en) | Image sensor | |
| JPS6156912B2 (nl) | ||
| NL194140C (nl) | Halfgeleiderinrichting met matrixbedradingssectie en foto-elektrische omzetfunctie. | |
| JPH022304B2 (nl) | ||
| EP0267591B1 (en) | Photoelectric converter | |
| JPS6313348B2 (nl) | ||
| US4788445A (en) | Long array photoelectric converting apparatus with insulated matrix wiring | |
| KR940006933B1 (ko) | 콘택 영상 센서 | |
| JPH03120947A (ja) | イメージセンサ | |
| EP0233020B1 (en) | Switch array apparatus for use in a photoelectric conversion device | |
| US4797571A (en) | Contact type image sensor | |
| JPS61263156A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| US4916326A (en) | Long array photoelectric converting apparatus with reduced crosstalk | |
| JPH0546137B2 (nl) | ||
| JPH0328871B2 (nl) | ||
| JPS6051274B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| EP0005590A1 (en) | Charge coupled device | |
| JP2591346B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JP2939505B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH0462466B2 (nl) | ||
| JPH0420305B2 (nl) | ||
| JPS59168771A (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BB | A search report has been drawn up | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| BV | The patent application has lapsed |