DE2526204A1 - Signalplatte fuer eine bildaufnahmeroehre - Google Patents

Signalplatte fuer eine bildaufnahmeroehre

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DE2526204A1
DE2526204A1 DE19752526204 DE2526204A DE2526204A1 DE 2526204 A1 DE2526204 A1 DE 2526204A1 DE 19752526204 DE19752526204 DE 19752526204 DE 2526204 A DE2526204 A DE 2526204A DE 2526204 A1 DE2526204 A1 DE 2526204A1
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    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36Photoelectric screens; Charge-storage screens
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    • H01J29/45Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen

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Description

It 3273
Sony Corporation, Tokyo / Japan
Signalplatte für eine Bildaufnahmeröhre
Die Erfindung betrifft eine Signalplatte für eine Bildaufnahmeröhre, insbesondere eine Signalplatte, die als photoleitendes Material entweder amorphes Selen oder Antimontrisulfid benutzt.
Es wurden bereits verschiedene Arten von Signalplatten zur Verwendung in Fernseh-Bildaufnahmeröhren beschrieben. Es ist beispielsweise bekannt, in einer Signalplatte Antimontrisulfid als photoleitendes Material zu benutzen. Die Signalplatte enthält dabei eine aus Glas bestehende Stirnplatte, eine transparente Elektrode aus Zinnoxyd sowie Antimontrisulfid.
Bildaufnahmeröhren mit derartigen Signalplatten sind in großem Umfange in Gebrauch; es ist jedoch bekannt, daß ihre Dunkelstrom-Eigenschaften sowie ihre Restbild-Charakteristik zu wünschen übrig lassen. Nachteilig ist ferner, daß Staub, der sich bei der Fertigung an die Oberfläche der Zinnoxyd-Schicht anlegt, die von der Bildaufnahmeröhre gelieferten Video-Ausgangssignale erheblich beeinträchtigt.
Eine andere bekannte Signalplatte benutzt hauptsächlich amorphes Selen. Die Verwendung dieses photoleitenden Materiales läßt eine Verbesserung der Restbild-Charakteristik erhoffen; es ergibt sich jedoch gleichzeitig eine beträchtliche Verkürzung der Lebens-
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dauer der Bildaufnahmeröhre aufgrund der niedrigen Kristallisations-Temperatur des amorphen Selen. Dieser Nachteil hat eine praktische Verwendung in größerem Umfange bisher verhindert.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, unter Vermeidung dieser Mängel der bekannten Ausführungen eine Signalplatte für eine Bildaufnahmeröhre zu schaffen, die sich durch eine verbesserte Dunkelstrom-Charakteristik, eine verbesserte Restbild-Charakteristik sowie eine lange Lebensdauer auszeichnet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zwischen der transparenten Elektrode und der photoleitenden Schicht eine transparente Zinkoxyd-Schicht vorgesehen ist, deren spezifischer Widerstand zwischen dem eines Leiters und dem eines Isolators liegt.
Als photoleitendes Material ist entweder amorphes Selen (Se) oder Äntimontrisulfid (Sb3S5) geeignet. Wird amorphes Selen verwendet, so wird es mit einem anderen Material dotiert, um die Eigenschaften zu verbessern. So werden beispielsweise Arsen (As) und Schwefel (S) zur Vergrößerung der Lebensdauer benutzt, während Telur (Te) die Empfindlichkeit gegenüber auftreffendem Licht größerer Wellenlänge verbessert. Da der spezifische Widerstand des Zinkoxyd (ZnO) so gewählt wird, daß er zwischen dem eines Leiters und dem eines Nichtleiters liegt, läßt sich die Signalplatte leicht herstellen, indem Zinkoxyd bei einer Signalplatte einer Bildaufnahmeröhre gemäß der US-(PS 3 772 552 verwendet wird.
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Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung veranschaulicht. Es zeigen
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Signalplatte;
Fig. 2 ein Diagramm, das die Strom-Spannungs-Charakteristik einer Bildaufnahmeröhre mit einer Signalplatte gemäß Fig. 1 zeigt;
Fig. 3 eine teilweise geschnittene Perspektivansicht einer erfindungsgemäßen Signalplatte einer Farbbild-Aufnahmeröhre;
Fig. M ein Blockschaltbild der Schaltung mit der Farbbild-Aufnahmeröhre gemäß Fig. 3;
Fig. 5 einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Signalplatte;
Fig. 6 ein Diagramm, das die Lichtempfindlichkeits-Charakteristik einer Bildaufnahmeröhre mit der Signalplatte gemäß Fig. 5 zeigt;
Fig. 7 ein Diagramm, das die Gleichrichter-Charakteristik der Signalplatte gemäß Fig. 5 veranschaulicht;
Fig. 8 eine schematische Darstellung zur Erläuterung, wie die Kennlinie gemäß Fig. 7 aufgenommen wurde;
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-I1-
Fig. 9 ein Diagramm, das die Spannungs-Strom-Charakteristik der Bildaufnahmeröhre mit der Signalplatte gemäß Fig. 5 zeigt;
Fig. 10 ein Diagramm, das die Lichtempfindlich-
keits-Charakteristik der Bildaufnahmeröhre mit der Signalplatte gemäß Fig. 5 wiedergibt.
Fig. 1 zeigt die Grundstruktur einer erfindungsgemäßen Signalplatte. Eine Glasplatte 1 wird üblicherweise als Stirnplatte bezeichnet. Eine transparente Elektrode 2, die beispielsweise aus Zinnoxyd (SnO_) besteht, ist beispielsweise mittels eines Sprühverfahrens auf die Rückseite der Glasplatte 1 aufgebracht. Eine Schicht 3 aus Zinkoxyd (ZnO) 1st in einer Stärke von 100 bis 10 000 8 auf die transparente Elektrode 2 aufgebracht. Im vorliegenden Falle ist die Schicht 3 durch reaktives Zerstäuben in Argongas hergestellt. Schließlich ist auf die Zinkoxyd-Schicht 3 noch eine photoleitende Schicht 1J, beispielsweise aus Antimontrisulfid (Sb2S,) aufgebracht. Die so gebildete Signalplatte wird von einem in Richtung des Pfeiles 5 kommenden Elektronenstrahles getroffen, während Lichtinformationen, die aus der Richtunddes Pfeiles 6 kommen, durch die Glasplatte 1 und die weiteren Schichten von der Vorderseite der Glasplatte 1 her auf die photoleitende Schicht 4 fokussiert werden oder projiziert werden. Der transparenten Elektrode 2 wird von einer Spannungsquelle 7 über einen Widerstand 8 eine Vorspannung zugeführt. Ein Ausgangsanschluß 9 ist mit der transparenten Elektrode 2 verbunden.
Das Diagramm in Fig. 2 zeigt die Spannungs-Strom-Charakteristik einer Bildaufnahmeröhre mit der erfindungsgemäßen Signalplatte sowie die einer üblichen Bildaufnahmeröhre (wobei deren Signalplatte der in Fig. 1 ent-
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spricht, jedoch ohne die Zinkoxyd-Schicht 3). In der Abszisse des Diagramms gemäß Fig. 2 ist die Signalplatten-Spannung in Volt (V) und in der Ordinate der Signalplatten-Strom in nA aufgetragen. Die Kurve a^ ist die Strom-Spannungs-rCharakteristik der üblichen Bildaufnahmeröhre unter der Voraussetzung, daß kein Licht auf die Signalplatte auftrifft; die Kurve a~ zeigt die Strom-Spannungs-Charakteristik der üblichen Bildaufnahmeröhre unter der Bedingung, daß Licht mit einer Beleuchtungsstärke von 10 Lux auf die Signalplatte auftrifft. Die Kurven b^ und b„ zeigen die Stromspannungs-Charakteristik der Bildaufnahmeröhremit der erfindungsgemäßen Signalplatte unter denselben Bedingungen. Man erkennt aus dem Diagramm gemäß Fig. 2, daß sich die erfindungsgemäße Signalplatten-Struktur der Signalplatten-Struktur eines sperrenden Typs nähert, und zwar aufgrund ihrer P-Typphotoleitenden Schicht und ihrer N-Typ-Zinkoxyd-Schicht; die Strom-Spannungs-rCharakteristik wird unter dem Einfluß von auf die Signalplatte auftreffendem Licht nicht verschlechtert; die Strom-Spannungs-Charakteristik ohne Lichteinfall bzw. die Dunkelstrom-Charakteristik wird verbessert.
Die nachstehende Tabelle I zeigt die Restbild-Charakteristik einer üblichen Bildaufnahmeröhre und einer mit dieser erfindungsgemäßen Signalplatte ausgerüsteten neuen Bildaufnahmeröhre:
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- 6 -Tabelle I
nach 3 Rastern nach 15 Rastern nach 63 Rastern
Stand del·
Technik
n% 5, Π 2,05g
Erfindung 17* 3,1* 0,56*
Wie aus Tabelle I hervorgeht, verbessert die erfindungsgemäße Signalplatte wesentlich die Restbild-Charakteristik der Bildaufnahmeröhre.
Die erfindungsgemäße Signalplatte mit der Zinkoxyd-Schicht kann in der Farbbild-Aufnahmeröhre der US-PS 3 772 552 Verwendung finden. Wie Fig. 3 zeigt, enthält die Signalplatten-Struktur der Farbbild-Aufnahmeröhre eine Stirnplatte 10, einen Farbfilter F, eine dünne Glasplatte 11, zwei Index-Elektroden A (bestehend aus den Elektrodenelementen A1, A2 ....A ) und B (bestehend aus den Elektrodenelementen B1, B2 B ), eine Zinkoxyd-Schicht 12 und eine photoleitende Schicht 13· Die Elektroden A und B sind transparente leitende Schichten, die beispielsweise aus Zinnoxyd mit Antimongehalt bestehen; ihre Elemente sind parallel zueinander und abwechselnd, beispielsweise in der Reihenfolge A1, B1, A2, Bp .... A., B. A , B vorgesehen. Die Elektroden
£·· J- J- XX XX
A und B sind mit Anschlüssen T. bzw. Tß, die zu äußeren Kreisen führen, verbunden. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Elektroden A und B so angeordnet, daß die Längsachsen ihrer langgestreckten Elemente quer zur horizontalen Abtastrichtung des Elektronenstrahles verlaufen.
§09 8 82/07 08
Der durch die Glasplatte 11 von den Elektroden A und B getrennte Filter P besteht aus Rot-, Grün- und Blau-Filterelementen FR, FQ und Fg, die in einer sich zyklisch wiederholenden Folge FR, Fß, Fß, FR, FG, Fß .... und parallel zur Längsrichtung der Elemente der Elektroden A und B derart angeordnet sind, daß Jeweils eine Dreier-Gruppe eines Rot-, Grün- und Blau-Filterelementes FR, FQ und Fß einem Paar benachbarter Elektrodenelemente A. und B. gegenüberliegt. So lange die Elemente der Elektroden A und B und die Elemente des optischen Filters F in Längsrichtung aufeinander ausgerichtet sind, d.h. parallel zueinander verlaufen, und so lange die Dreier-Gruppen von Filterelementen PD. P„ , Fn eine Abstandsteilung besitzen, d.h. sich
K U UuU D
über eine Strecke in Richtung der Breite erstrecken, die gleich der Abstandstellung bzw. dem Abstand aufeinanderfolgender Paare von Elektrodenelementen A^, B. ist, ist die relative Positionierung der Farbfilterelemente und der Elektrodenelemente in Querrichtung nicht kritisch. Die Farbbild-Aufnahmeröhre mit der Signalplatten-Struktur gemäß Fig. 3 ist wie in Fig. dargestellt an eine äußere Schaltung angeschlossen.
Die Schaltung gemäß Fig. 4 enthält einen Transformator 14, dessen Primärwicklung 15 mit einer Impulssignal-Quelle 16 verbunden ist, deren Polarität bei jedem horizontalen Abtastvorgang umgekehrt wird. Eine Sekundärwicklung 17 des Transformators 14 ist an beiden Enden mit den Anschlüssen T. und T~ der Signalplatte gemäß Fig. 3 verbunden. Einer Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 17 wird über einen Widerstand eine Signalplatten-Vorspannung +B zugeführt; diese Anzapfung ist ferner mit einem Signalkreis verbunden,
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der einen Kondensator 19 enthält. Das Signal gelangt über diesen Kondensator 19 und einen Vorverstärker 20 zu einem Tiefpaßfilter 21 und einem Bandfilter 22. Das Ausgangssignal des Bandfilters 22 wird einer Addierstufe 23, einer Verzögerungsleitung 21I (eine horizontale Abtastperiode, IH) und einer Subtraktionsstufe 25 zugeführt. Das Signal der Verzögerungsleitung 24 gelangt zur Addierstufe 23 und zur Subtraktionsstufe 25. Man erhält damit von der Addierstufe 23 ein Parbtonsignal C, von der Subtraktionsstufe 25 ein Index-Signal I und vom Tiefpaßfilter 21 ein Helligkeitssignal Y.
Da die Punktion der Farbbildaufnahmeröhre mit der in Fig. 3 dargestellten Signalplatte in der US-PS 3 772 552 im einzelnen beschrieben ist, kann hier darauf verzichtet werden. Durch das Vorhandensein der Zinkoxyd-Schlcht 12 in der Signalplatte gemäß Fig. 3 können jedoch - zusätzlich zu den anhand von Fig. 1 beschriebenen Vorteilen - die Signale zwischen den Elektroden A und B durch die Zinkoxyd-Schicht 12 aufgenommen werden, so daß der Spalt zwischen den Elektroden bis zu einem gewissen Grad vergrößert werden kann, was seine Fertigung vereinfacht. Dies ist besonders deshalb vorteilhaft, da der Widerstand der photoleitenden Schicht 13 in Richtung ihrer Breite groß ist, so daß die Informationen der photoleitenden Schicht 13, die den Spalten zwischen den Elektroden A und B entsprechen, die Elektroden A und B nicht erreichen können, wenn die Zinkoxyd-Schicht 12 nicht vorhanden ist. Wird die Zinkoxy.d-Schicht 12 vorgesehen, so kann beispielsweise der Spalt zwischen den transparenten Elektroden A und B bis &uf ? Mikron vergrößert werden, ohne daß die Funktion der Farbbild-AufnahmerShre verschlechtert wird (demgegenüber beträgt der Spalt bei den bekannt©« Ausführungen höchstens 4 Mikron). Es genügt t
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daß der Widerstand der Zinkoxyd-Schicht 12 zwischen
106 und 101^ liegt.
5/
Anhand von Fig. 5 sei nun ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert. Es enthält eine Stirnplatte j durch die Licht hindurchtreten kann, beispielsweise eine Glasplatte 30. Auf einer Oberseite der Glasplatte 30 ist eine lichtdurchlässige leitende Schicht 31 vorgesehen, beispielsweise aus SnO2 oder In2O,. Eine transparente Zinkoxyd-Schicht 32 (ZnO) befindet sich auf der Schicht 31. Eine amorphe Selenschicht 33» die einen geeigneten Anteil wenigstens von Arsen und Schwefel enthält, befindet sich auf der Schicht 32. Erforderlichenfalls wird auf der Selenschicht 33 zur Verhinderung eines Durchtritts der Elektronenstrahlen noch eine Schicht 3^ aus Antimontrisulfid (Sb3S5) vorgesehen. Das ganze Gebilde stellt die Signalplatten-Struktur 35 für eine Bildaufnahmeröhre dar. Wird die amorphe Selenschicht 33 mit ihrem Arsen- und Schwefelzusatz als photoleitendes Material verwendet, so verhindert man hierdurch eine Kristallisation innerhalb eines wirksamen Temperaturbereiches und man erreicht dadurch eine Verlängerung der Lebensdauer der Bildaufnahmeröhre. Die Restbild-Eigenschaften können auf den gleichen günstigen Werten gehalten werden wie bei alleiniger Verwendung von amorphem Selen. Vorzugsweise liegt der Gehalt von Arsen und Schwefel als Arsentrisulfid bei 5 bis 25 Gew.-i. Mit Vergrößerung des Zusatzes von Arsen und Schwefel verringert sich die Lebensdauer. Bei einem zu hohen Zusatz wird jedoch die Empfindlichkeit verschlechtert. Bei der Herstellung ist es zweckmäßig, Arsen und Schwefel gleichzeitig dem Selen zuzusetzen. Man kann auch außer diesem Zusatz von Arsen
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- ίο -
und Schwefel dem Selen noch eine gewisse Menge Tellur (Te) beisetzen. Es wird dann möglich, daß das photoleitende Material eine erhöhte Empfindlichkeit gegenüber den längeren Lichtquellen (Rotlicht) erhält. In diesem Falle wird das Tellur vorzugsweise nahe der Zinkoxyd-Schicht 32 in Form von Punkten t zugesetzt (vgl. Fig. 5).
Tabelle 2
! Empfind
lichkeit
auf
SnO2
Se ■ Se : As
10 Gew.?
Se: As
20 Gew.?
Se:As2S^
6 Gew.?
Se:As2S
12 Gew.?
Se:As2S,
25 Gew.?
Rest-
jbild
auf
ZnO
1 bis 0,7 bis 1,5 bis 0,8 bis 0,7 0,4
\ *
1 iÖO
j OO
! OO
3 fi<o
£2 O
Φ Φ
>^
kleiner
als
10*
kleiner
als
.10*
einige
10?
kleiner
als
10?
kleiner
als
10?
kleiner
als
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ro
• bis
Q »5 h
O
bis
1 h
2
bis
3 h
:
1
bis
2 h
10
bis
20 h
mehr
als
einige
100 h
i'
Ms
2 fa
- ; 50
bis
100 h
mehr
als
einige
100 h
mehr
als
einige
100 h
Die vorstehende Tateelle II zeigt die Empfindlichkeit, das Hestbild uxsd die Lebensdauer von bekannten Bildatifnahn^röhren mit dem üblichen photoleitenden Material (das amorphes Selen als Hauptteil hat) imä die entsprechenden Werte einer Bildauf-
S09882/070S
- li -
nahmeröhre mit dem erfindungsgemäßen photoleitenden Material. Bei dem bekannten photoleitenden Material sind in der Tabelle wiedergegeben die Fälle einer bloßen Verwendung von amorphem Selen (Se), einer Mischung von Se und As (Se : As), die aus amorphem Selen und 10 Gew.-% Arsen bzw. aus amorphem Selen und 20 Gew.-? Arsen besteht; als Beispiele für das erfindungsgemäße photoleitende Material sind angegeben, daß dem amorphen Selen Zusätze von Arsen und Schwefel (Se : AspS,) beigegeben sind, und zwar 6 Gew.-?, 12 Gew.-? bzw. 25 Gew.-?. Die Empfindlichkeit wird dabei als 1 bezeichnet, wenn das photoleitende Material nur das amorphe Selen enthält; das Restbild zeigt die Dämpfung des Photostromes in % nach 3 Rastern; die Lebensdauer ist auf eine Temperatur von 80°C bezogen und zeigt den Fall, daß die jeweiligen photoleitenden Materialien unmittelbar als überzug auf die SnOp-Schicht bzw. auf die erfindungsgemäße ZnO-Schicht aufgetragen sind.
Wie aus der vorstehenden Tabelle II hervorgeht, wird die Empfindlichkeit des aus Se : As bestehenden photoleitenden Materiales vergrößert und seine Lebensdauer verlängert, wenn der Zusatz an As erhöht wird; die Lebensdauer selbst ist jedoch verhältnismäßig gering. Wird der Zusatz an As größer als 20 Gew.-? gewählt, so treten Akkumulationserscheinungen auf, die bei ASpS§ bekannt sind.
Bei dem erfindungsgemäßen photoleitenden Material Se : ASpS, wird dagegen das Auftreten dieser Akkumulationserscheinungen verhindert und die Lebensdauer wesentlich vergrößert, ohne daß die Empfindlichkeit verkleinert wird. Wird das photoleitende Material direkt auf die ZnO-Schicht
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aufgebracht, so wird die Lebensdauer erheblich vergrößert gegenüber dem Fall, in dem die photoleitende Schicht unmittelbar auf die SnO2-Schicht aufgebracht wird. Der Grund hierfür mag darin liegen, daß das Arsen und der Schwefel eine Kristallisation des amorphen Selen verhindern, wobei die ZnO-Schicht verhindert, daß die das Arsen und Schwefel enthaltende amorphe Selenschicht 33 von der Oberfläche her kristallisiert; auf diese Welse wird die Kristallisation der amorphen Selenschicht 33 als Ganzes vermieden. Wird zuviel As„S-. zugesetzt, so wird die Empfindlichkeit verringert; der Gehalt an AspS, liegt daher vorzugsweise unter 25 Gew.-%.
Das Diagramm gemäß Fig. 6 zeigt die Lichtempfindlichkeits-Citarakteristik der Bildaufnahmeröhre mit der erfindungsgemäßen Signalplatte. Die voll ausgezogene Kurve I stellt 4en Fall Se : AeS dar, bei dem somit als photo-1 eitendes Material amorphes Selen mit einem Zusatz von Arsen ued Schwefel verwendet wirdj die gestrichelte Linie II gibt den Fall Se : AsSTe wieder, wobei als photoleitendes Material amorphes Selen mit einem Zusatz von Arsen, Schwefel und Tellur benutzt wird. Man erkennt aus dem Diagramm geaäfi Fig. 6, daS der Zusatz von Tellur die Empfindlichkeit bei größeren Wellenlängen erhöht.
Bei der erfindungsgemäßen Signalplatte zeigt die Spannurxgs-Strom-Kennlinie der Signalplatte eine gewisse Dioden-Charakteristik. Das Diagram gemäß Fig* ? veranschaulicht die Spannungs-Stroui-Charakteristik der Signalplatte. Dieses Diagramm wird durch folgende Messung gewonnes;.Wie Fig, 8 zeigt, ist die SnO-Schicht 32 auf die SnOg-Scnicht 31 aufgebracht, Die aaorphe Selenschicht 33, enthaltend Arsen ναιά Schwefels ist als Überzug auf die Schicht 32 aufgebracht» Eine Qoldschieht ^O {Au) befindet
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sich als überzug auf der Schicht 33· Eine Aluminiumschicht 41 ist auf der Schicht 40 vorgesehen. Die Stromänderungen, die sich bei einer Änderung der zwischen den Schichten 4l und 31 angelegten Spannung E ergeben, werden durch ein Amperemeter A gemessen. Im Diagramm gemäß Fig. 7 zeigt die gestrichelte Kurve C. den Fall, daß die Schicht 31 als negative Elektrode benutzt wird; die voll ausgezogene Kurve C2 veranschaulicht den Fall, daß die Schicht 31 als positive Elektrode verwendet wird. Der Grund für die Dioden-Charakteristik dürfte darin liegen, daß die ZnO-Schicht 32 N-Typ aufweist und daß sich an der Grenzfläche zwischen der Schicht 32 und der mit einem Tellur-Zusatz versehenen amorphen Selenschicht 33 eine PN-Grenzschicht ausbildet.
Das Diagramm der Fig. 9 zeigt die Spannungs-Strom-Charakteristik einer erfindungsgemäßen Signalplatte (gemäß Fig. 5) unter dunklen und hellen Bedingungen. Die voll ausgezogenen Linien dp und d^ zeigen den Photostrom und den Dunkelstrom für den Fall, daß sich zwischen der amorphen Selenschicht 33 und der SnOp-Schicht 31 die ZnO-Schicht 32 befindet; die gestrichelten Kurven e^ und e~ veranschaulichen dagegen den Fall, daß die amorphe S elenschicht 33 unmittelbar auf die SnOp-Schicht 31 aufgebracht ist. Die Photostrom-Charakteristik ist hierbei für den Fall aufgenommen, daß die photoleitende Schicht mit 10 Lux beleuchtet wird.
Wie sich aus dem Diagramm gemäß Fig. 9 ergibt, kann die Dunkelstrom-Charakteristik in dem Falle, in dem die ZnO-Schicht 32 zwischen der amorphen Selenschicht 33 und der SnOp-Schicht 31 vorgesehen ist, wesentlich verbessert werden, ohne daß die Photostrom-Charakteristik verändert wird, verglichen mit dem Fall, in dem die amorphe Selen-
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schicht 33 unmittelbar auf die SnO»-Schicht 31 aufgebracht wird. Im allgemeinen vergrößert sich der Dunkelstrom bei einem Zusatz von Tellur (Te). Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird jedoch der Dunkelstrom selbst bei einem Zusatz von Tellur verbessert.
Das Diagramm gemäß Fig. 10 veranschaulicht die Lichtempfindlichkeits-Charakteristik einer Bildaufnahmeröhre mit der in Fig. 5 dargestellten erfindungsgemäßen Signalplatte. Eine gestrichelte Kurve f. veranschaulicht den Fall j daß zwischen der amorphen Selenschicht 33 und der SnO2-Schicht 31 eine ZnO-Schicht 32 vorhanden ist, während die voll ausgezogene Linie f2 den Fall wiedergibt, daß die amorphe Selenschicht 33 unmittelbar auf die SnO„-Schicht aufgebracht ist. Man erkennt aus dem Diagramm gemäß Fig. 10, daß die Lichtempfindlichkeit in beiden Fällen im wesentlichen diselbe ist.
Durch die Erfindung erhält man somit eine Signalplatte zur Verwendung in einer Bildaufnahmeröhre, bei der die photoleitende Schicht, die hauptsächlich aus amorphem Selen besteht, dazu benutzt wird, um das Restbild klein zu machen; hierbei wird eine Kristallisation der photoleitenden Schicht verhindert, ohne daß die Empfindlichkeit verkleinert wird; gleichzeitig wird die Lebensdauer vergrößert ,
6Q9882/07GS

Claims (12)

  1. Patentansprü ehe
    / 1./signalplatte für eine Bildaufnahmeröhre, enthaltend ^-^ eine transparente Elektrode zur Abnahme einer Bildinformation sowie eine photoleitende Schicht, dadurch gekennzeichnet, d"aß zwischen der transparenten Elektrode und der photoleitenden Schicht eine transparente Zinkoxyd-Schicht vorgesehen ist, deren spezifischer Widerstand zwischen dem eines Leiters und dem eines Isolators liegt.
  2. 2. Signalplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht aus P-Typ-Material besteht.
  3. 3. Signalplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht aus Antimontrisulfid besteht.
  4. 4. Signalplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht hauptsächlich aus amorphem Selen besteht.
  5. 5. Signalplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Elektrode zwei kammartige Elektroden enthält, die mit je einem Signal-Ausgangsanschluß versehen sind.
  6. 6. Signalplatte nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht aus Antimontrisü3,fid besteht.
    509882/0708
  7. 7. Signalplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht einen Gehalt von Schwefel und Arsen besitzt.
  8. 8. Signalplatte nach Anspruch 7> dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Schwefel und Arsen in Form von Arsentrisulfid vorliegt und zwischen 5 und 25 Gew.-% beträgt.
  9. 9· Signalplatte nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht weiterhin Tellur enthält.
  10. 10. Signalplatte nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Farbfilter mit streifenförmigen Farbfilterelementen vorgesehen ist.
  11. 11. Signalplatte nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufeinanderfolge der streifenförmigen Farbfilterelemente der Aufeinanderfolge der Elektrodenpaare entspricht.
  12. 12. Signalplatte nach Anspruch dadurch gekennzeichnet, daß die Zinfcoxyd-Schicht einen Widerstand zwischen 10 und 10 ■ besitzt.
    nachträglich
    geändert
    509882/0708
    L e e r s e i t e
DE2526204A 1974-06-14 1975-06-12 Signalplatte für eine Bildaufnahmeröhre Expired DE2526204C2 (de)

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