DE951578C - Photoleitfaehiger Schirm fuer Fernsehaufnahmeroehren - Google Patents

Photoleitfaehiger Schirm fuer Fernsehaufnahmeroehren

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DE951578C DER8418A DER0008418A DE951578C DE 951578 C DE951578 C DE 951578C DE R8418 A DER8418 A DE R8418A DE R0008418 A DER0008418 A DE R0008418A DE 951578 C DE951578 C DE 951578C
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen photoleitfähigen Schirm für Fernsehaufnahme- oder Kameraröhren.
Eine p'hotoleitfähiige Bildaufnahmeröhre ist eine Röhre mit einem Schirm, der eine transparente Unterlage besitzt, welche zunächst mit einein leitenden Überzug oder einer Signalplatte versehen wird und sodann mit einer Schicht eines photoleitfähigen Materials auf diesem Überzug, wobei die photoleitfähige Schicht also in Kontakt mit dem zuerst erwähnten leitfähigen Überzug steht. Eine derartige Schirmelektrode wird innerhalb eines evakuierten Kolbens angebracht, wobei die photoleitfähiige Schicht dem Elektronenstrahlerzeuger zugewendet ist, der einen im wesentlichen senkrecht zur Schirmfläche verlaufenden Elektronenstrahl erzeugt. Zur Erzeugung der Abtastbewegung des Elektrooenstrahles längs dicht benachbarter paralleler Linien auf der Schirmfläche können elektrostatische oder elektromagnetische Felder benutzt werden. Die Strahlelektronen werden verzögert, so daß sie die Schirmoberfläche mit geringer Geschwindigkeit erreichen. Aus dem Strahl werden Elektronen auf der photoleitfähigen Schirmoberfläche abgelagert, so daß diese im wesentlichen Kathodenpotential annimmt. Bei diesem Potential wird der Rest der Strahlelektronen zum Kathodenstrahlerzeuger zurückreflektiert. Der leitfähigen Signalplatte des Schirmes wird eine Spannung zugeführt, die um mehrere Volt von dem Kathodenpotential abweicht, welches sich auf der photoleitfähigen Oberfläche bildet. Auf. diese Weise wird eine Potentialdifferenz zwischen den beiden Seiten des photoleitfähigen Überzuges hergestellt. Wegen der photoleitfähigen Eigenschaften des benutzten Schirmmaterials fließt, wenn Licht auf den photoleitfähigen Überzug
fokussiert wird, durch den Film an den belichteten Stellen ein Strom hindurch und lädt diese Stellen in Richtung des Potentials des leitfähigen Films. Die nicht belichteten Stellen des Schirmes zeigen je nach dem spezifischen Widerstand des photoleitfähigen Stoffes bei Dunkelheit einen geringen oder gar keinen Stromdurchtritt und bleiben daher auf dem durch den Strahl gebildeten Kathodenpotential. Durch den die belichteten Stellen des Schirmes ίο abtastenden Elektronenstrahl werden die belichteten Schirmstellen auf Kathodenpotential zurückgeführt. Da die Signalplatte kapazitiv mit der abgetasteten Fläche des Schirmes gekoppelt ist, wird durch die durch den Strahl bewirkte jeweilige Ladung des Schirmes auf Kathodenpotential eine Spannungsänderung im Kreis der Signalplatte hervorgerufen. Diese Spannungsänderung ist das Ausgangssignal dier Röhre.
Ein photoleitfähiges Material muß, um mit Erfolg für einen Aufnahmeschirm in einer Fernsehaufnahmeröhre benutzt werden zu können, einen genügend großen Dunkelwiderstand besitzen, um eine Speichenvirkuiig zu ergeben, da die Spannungen, welche auf der photoleitfähigien Oberfläche des Schirmes durch den Elektronenstrahl gebildet werden, an den nicht belichteten Schiirmstellen bestehen bleiben müssen. Wenn das photoleitfähige Sahirmmaterial einen geringen Dunkelwiderstand hat, 'entlädt der Dunkelstrom durch, dieses Material den Schirm an den dunklen ''Stellen und bringt somit ein Ausgangsisignal wie von den beleuchteten Schinmstellen hervor.
Die Benutzung von amorphem Selen in Bildaufnahmeröhren hat sich als erfolgreich erwiesen und ist in der deutschen Patentschrift 821 092 beschrieben. Amorphes Selen ist ein photoleitfähiges Material mit guter Empfindlichkeit für Photoröh'renzwecke und besitzt ferner 'einen genügend geringen Dunkelwiderstand, ist jedoch in seiner Spektralempfindliohkedt praktisch auf Blau und Grün beschränkt, während es für Rot ausgesprochen" unempfindlich, ist. Ein photoleitfähiger Schirm für eine Bildaufnahimeröhre, der- aus Antimontrisulfid durch Verdampfung im Vakuum hergestellt ist, zeigt jedoch leine sehr gute Rotempfindlichkeit. Für Farbfernsebzwecke ebenso wie für Anwendungszwecke, bei denen die Beleuchtung größtenteils im roten Spektralbereich liegt, ist es "erwünscht, 'eine photoleitfähige Röhre zu besitzen, die für rotes Licht !empfindlich ist. Antimontrisulfid ist unglücklicherweise ein Beispiel für ein photoempfindliches Material, welches in seiner gewöhnlichen Form einen geringeren Dunkelwiderstand besitzt, als er für Bildaufnahmeröhren erwünscht ist. Wenn auch der Widerstand dieses Materials nicht so gering ist, daß 'eine Speicherung verhindert wird, so· ist er doch so gering, daß ein übergroßer Teil des Strahlstromes lediglich zur Speisung des Dunkelstromes verbraucht wird. Ferner muß ein photoleitfähiger Schirm einer Aufnahmeröhre, der aus Antimontrisulfid-hergestellt ist, dünn sein, um eine genügende Empfindlichkeit für den Betrieb dieser Aufnahmeröhre zu ergeben. Ein dicker Schirm aus Antimontrisulfid hat eine niedrige Empfindlichkeit, weil die Ladungsträger eine sehr kurze Reichweite besitzen. In einem dünneren Schirm wird die Empfindlichkeit erhöht, weil das Licht die gesamte Dicke des Schirmes durchsetzen kann und daher Ladungen frei machen kann, die anderweitig innerhalb des Schirmes, eingefangen werden würden. Jedoch besitzt einsolcher dünner Schirmüberzug auch eine hohe Kapazität zwischen seiner dem Elektronenbeschuß ausgesetzten Fläche und der Signalplatte, so daß der Elektronenstrahl bei einer einzigen Überstreichung die gespeicherten Signale nicht völlig löschen kann. Dies führt zu einer Zeitverzögerung, die in dem fernübertragenen Bild erkennbar ist. Auch dem Antimontrisulfid ist eine Verzögerung der Photoleitfähigkeit eigen, welche störende Nacnwirkungserscheinungen (sogenannte Schwänze) in dem fernübertragenen Bild hervorruft.
Ein Zweck der Erfindung besteht daher darin, einen photoleitfähigen Schirm für die Benutzung in einer Fernsiehaufnahmeröhre zu schaffen, welcher genügend rotempfindlich ist.
Ein weiterer Zweck der Erfindung ist die Schaffung 'eines Schirmes für eine photoleitfähige Aufnahmeröhre mit einem geringen Dunkelstrom und einem Minimum an Zeitverzögerung.
Außerdem bezweckt die Erfindung, eine photoleitfähige Schirmelektrode für eine Fernsehaufnahmeröhre aus rotempfindlichem photoleitfähigam Material anzugeben.
Ferner hat die Erfindung noch den Zweck, eine Aufnahmeröhre mit einem Schirm aus Antimontrisulfid mit ausreichendem Dunkelwiderstand und nicht zu hoher Kapazität anzugeben.
Die Erfindung bezieht sich auf einen photoleitfähigen Schirm für eine Bildaufnahmeröhre, bei welchem ein transparenter leitfähiger Film in too innigem Kontakt mit einer Schicht photoleitfähigen Materials steht, und ist dadurch gekennzeichnet, daß das photoleitfähige Material von einer dielektrischen Schicht, in der die Ladungsträger große Reichweite haben, bedeckt ist.
Fig. ι ist ein Schnitt durch eine photoleitfähige Aufnahmeröhre gemäß der Erfindung;
Fig. 2 stellt einen Schnitt durch den Schirm der Röhre nach Fig. 1 dar.
Die Röhre nach Fig. 1 besitzt einen entlüfteten no Kolben 10, innerhalb dessen ein Elektronenstrahlerzeuger 12 und eine Schirmelektrode 14 angeordnet sind. Der Strahlerzeuger 12 liefert einen Elektronenstrahl 15, der den Schirm 14 abtastet. Der 'Strahlerzeuger selbst ist von üblicher Ausbildung und besteht im wesentlichen aus einer Heizwicklung 26, ■einer Kathode 16, einem Steuergitter 18 und aus den Bieschleunigungselektroden 20 und 24. Diese Elektroden 20 und 24 wirken auch bei der Fokussierung des Strahles 15 mit. ·
Die Elektronen im Strahl 15 werden magnetisch mittels der Spule 28 auf die Schirmelektrode 14 fokussiert. Die Spule 28 ist um den Kolben 10 herum angeordnet. Ein mit 30 bezeichnetes Ablenkjoch enthält im wesentlichen zwei Ablenkspulenpaare, wobei innerhalb jeden Spulenpaares die
beiden Einzelspulen in Serie zueinander an Sägezahngeneratoren angeschlossen sind, so daß der Strahl auf dem Schirm in der Zeilenrichtung und in der Bdldrichtung abgelenkt wird. Derartige Ablenkeinrichtungen sind bekannt und stellen keinen Teil der Erfindung dar. Während des Betriebes der Röhre werden die Spannungen den verschiedenen Elektroden in der in Fig. ι angegebenen Höhe zugeführt. Spannungen in dieser Höhe sind für den ίο Betrieb der Röhre geeignet, müssen jedoch nicht notwendig die angegebenen Werte besitzen.
Die Beschleunigungs- und Fokussierungselektrode 24 kann aus einem leitenden Innenüberzug des Kolbens 10 bestehen. Der leitende Innenüberzug reicht nahezu bis zur Schirmelektrode 14. Mit dem Innenüberzug 24 ist ein feinmascMges Gitter 32 verbunden, welches innerhalb der Röhre an dem Ring 34 angebracht ist, der seinerseits in den Röhrenkolben 10 eingeschmolzen ist.
Die Schirmelektrode 14 besteht im wesentlichen aus 'einer als Träger dienenden transparenten Unterlage 36, die z.B. aus Glas bestehen kann und die in Fig. ι durch die ebene Stirnfläche des Kolbens 10 gebildet wird. Diese Trägerplatte für den Schirm kann auch getrennt vom Glasboden im Kolben 10 angebracht werden, und zwar in geringem Abstand von der Stirnfläche 36. Die Trägerplatte 36 ist auf ihrer dem Elektronenstrahlerzeuger 12 zugewendeten Seite mit 'einem transparenten leitfähigen Überzug, d. h. einer Signalplatte 42 versehen. Ein derartiger leitfähiger Überzug kann auf beliebige Weise hergestellt werden, beispielsweise durch Verdampfung eines Metalls -oder aus einem Stoff, wie Zinnoxyd. Der Überzug 42 ist mit je einer dünnen Schicht 44 von photoleitfähigem 'Stoff und dieelektrischem Material 45 versehen.
Für den Betrieb der Röhre werden den verschiedenen Elektroden geeignete Spannungen zugeführt. Der Elektronenstrahl 15, welcher dadurch entsteht, tastet 'die Oberfläche der Schicht 45 ab. Dabei trifft der Strahl 15 auf den Schirm 14 im wesentlichen mit der Spannung Null, d.h. mit dem Kathodenpotential auf. Die Elektronen lagern sich auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht 45 ab und bringen diese auf ein Gleichgewichtspotential, welches dem Kathoden- oder Erdpotential nahekommt. Die leitfähige Signalplatte 42 ist über die Leitung 46 und über 'einen Widerstand 48 an eine Spannung 50 angeschlossen, so daß an der Signalplatte 42 eine positive Spannung von ι ο bis 20 Volt gegenüber dem Gleichgewichtspotential auf der Sichicht45 erzeugt wird. Wenn der Schirm 14 belichtet wird, werden seine hellen Stellen leitfähig, und es fließt wegen der Potentialdifrerenz, die senkrecht zu der Ebene der Überzüge 44 und 45 besteht, an diesen hellen Stellen ein 'Strom zwischen der positiven Signalplatte 42 und der abgetasteten Oberfläche des Überzuges 45. Durch diesen Strom wird die abgetastete Oberfläche der Schicht 45 auf das Potential der Signalplatte 42 entladen. Wenn der Strahl 15 über die entladenen Stellen des Schirmes hinwegläuft, so bringt er diese schnell auf das Gleichgewichts- oder Erdpotential. Durch diese fast augenblicklich erfolgende Ladung einer entladenen Schirmstelle auf das Gleichgewichtspotential werden Spannungsänderungen am Widerstand 48 hervorgerufen, da die Signalplatte 42 kapazitiv mit der abgetasteten Seite der Schicht 45 gekoppelt ist. Die Spannungsänderungen am Widerstand 48 werden verstärkt und stellen das Bildsignal oder Ausgangssignal der Aufnahmeröhre dar.
Wie oben bemerkt, entspricht ein Schirm, der nur aus Antimontrisulfidfilm besteht, nocht nicht allen Anforderungen. Jedoch wurde gefunden, daß, wenn die Signalplatte des Schirmes zunächst mit einem Film von Antimontrisulfid überzogen wird und sodann mit einem Film von amorphem Selen, ein photoleitfähiger Schirm erhalten werden kann, der die gute Rotempfindlichkeit von Antimontrisulfid besitzt und ferner die übrigen gewünschten und notwendigen Eigenschaften aufweist, die für die Benutzung als Schirm in einer photoleitfähigen Aufnahmeröhre erforderlich sind.
Die Fig. 2 zeigt in vergrößerter Darstellung den erfindungsgemäßen Schirm nach Fig. 1. Ein leitfähiger Überzug 42 kann in der oben beschriebenen Weise hergestellt werden. Auf den leitfähigen Film 42 wird zunächst ein dünner Film 44 aus Antimontrisulfid mit einer Dicke innerhalb eines optimalen Bereiches von 0,1 bis 0,5 Mikron aufgedampft. Dieser Film wird durch Verdampfung des Materials bei etwa 450° C im Vakuum gebildet. Die gewünschte Dicke des Films 44 wird durch die Farbe der Antimonsulfidablagerung auf der Sichirmoberfläche bestimmt. Der Film hat zunächst eine hellgelbe Farbe, wird dann gelblichbraun und schließlich tiefrot. Wenn 'die gelblichbraune Farbe erreicht ist, wird die Verdampfung unterbrochen, da die Erfahrung gezeigt hat, daß ein Film von dieser Farbe im optimalen Bereich der Dicke liegt.
Auf der Oberfläche des Antimontrisulfidfilms 44 wird eine Lage 45 von amorphem Sielen durch Verdampfung im Vakuum gebildet, dabei während des Verdampfungsprozesses die Antimontrisulfidschicht unter etwa 500 C gehalten, wie es in der obengenannten Patentschrift beschrieben ist. Die Selenschicht wird in 'einer Dicke von etwa 2 (bis 5 Mikron hergestellt. Diese Dicke wird durch Beobachtung des Sielenniederschlages während der Verdampfung durch -ein Beugungsgitter und durch Beobachtung der Zahl der Interferenzbanden beurteilt. Ein derart hergestellter Schirm hat eine gute Rotempfindlichkeit und einen zufriedenstellenden Dunkelwiderstand. Außerdem kann deir Schirm in einer Dicke von ungefähr 2,5 Mikron hergestellt werden, bei der 'eine zufriedenstellende Kapazität zwischen' den Oberflächen des photoleitfähigen Schirmes für den Betrieb als Aufnahmeröhre entsteht. Der beschriebene Zweischichtenschirm besitzt nicht die Nachwirkungserscheinungen des Antimontrisulfidbestaindteiles. Ferner ist die Lebensdauer eines solchen Schirmes viel größer als die Lebensdauer eines lediglich aus amorphiem Selen bestehenden SSchirmes. Die gegenwärtige Theorie der Photoleitfähigkeit besagt, daß die Energie des auffallenden Licht-Strahles innerhalb des photoleitfähigen Materials
absorbiert wird und dort freie Elektronen und/oder sogenannte Löcher, d. h. positive Ladungsträger bildet. Wenn ein starkes elektrisches Feld an das photoleitfähige Material" angelegt wird, wandern die Elektronen im Leitungsband in positiver Richtung, während die Löcher oder positiven Ladungsträger sich in negativer Richtung bewegen.
Amorphes Selen ist ein Material, in welchem die Löcher eine große Reichweite haben. Wenn Licht ίο auf einen Selenschirm fällt, dringt das Licht nicht vollständig durch das Selen hindurch, sondern die durch die Belichtung gebildeten Löcher werden ihrerseits durch den Schirm nach dessen Oberfläche wandern.
Bei amorphem Selen tritt eine geringe oder gar keine Elektronenleitfähigkeit durch das Material hindurch auf. Es scheint, daß die von dem absorbierten Licht ausgelösten Elektronen vollständig eingefangen werden, bevor sie eine größere Strecke in Richtung der positiv -geladenen Oberfläche des Materials durchlaufen.
Antirnontrisulfid ist ein Material mit einer kurzen Reichweite der Träger: Wenn also Licht in der Oberflächenschicht des Films 44 absorbiert wird, können sich dort Ladungsträger bilden. Diese Träger haben jedoch keine ausreichende Reichweite, um die entgegengesetzte Oberfläche zu erreichen, wenn der Film nicht sehr dünn ist. Wenn die Antimontrisulfidschicht ungefähr 0,1 bis 0,5 Mikron Dicke besitzt, werden die durch das Licht gebildeten Löcher den Antimontrisulfidfilm 44 durchsetzen. Ein so dünner Schirm würde aber eine zu hohe Kapazität für die Verwendung in einer Aufnahmeröhre haben. Daher wird die erforderliche geringe Kapazität durch Anbringung eines Seleniums über der Schicht 44 hergestellt. Wenn die Signalplatte 42 gegenüber der abgetasteten Oberfläche des Selenfilms positiv ist, treten diese Ladungsträger oder Löcher im Antimontrisulfid durch1 die Grenzschicht zwischen beiden Filmen hindurch. Da Selen sich durch Träger großer Reichweite auszeichnet, setzen 'diese Ladungsträger ihren Weg durch den Selenium 45 nach der abgetasteten Oberfläche desselben hin fort. In dieser Weise wird also ein Ladungsbild auf der abgetasteten Oberfläche des Selenfilms gebildet, welches mit dem Lichtbild des photoleitfähigen Schirmes übereinstimmt.
Es ist zu beachten, daß in der oben gegebenen Beschreibung der Wirkungsweise im photoleitfähigen Schirm 14 nicht von den photoleitfähigen Eigenschaften des überlagerten Selenfilms Gebrauch gemacht wird, sondern daß es für die Wirkungsweise nur auf die große Reichweite der Ladungsträger innerhalb des Selens ankommt. Die durch das rote Licht in dem Antimontrisulfidfilm ausgelösten Ladungsträger können also durch den Selenium hindurch die abgetastete Schirmseite erreichen. Diese Wirkungsweise des Selenfikns ermöglicht also die Benutzung eines dünnen AntianontrisulfidfLLms und die Nutzbarmachung der für dieses: Material kennzeichnenden Eigenschaften. Auf diese Weise wird dann ein rotempfindlicher photoleitfähiger Film erzeugt ohne den Nächteil der Nachwirkung und den Nachteil des hohen Dunkelstromes und 'ein Schirm ohne die hohe Kapazität, wie sie bei einem notwendigerweise dünnen Antimontrisulfidfilm allein auftreten würde. Ein Schirm der beschriebenen Art, wie er in Fig. 2 dargestellt ist, besitzt außerdem die Eigenschaft, daß die amorphe Selenschicht als Dielektrikum zwischen der auf der abgetasteten Oberfläche gebildeten Ladung und der auf der Signalplatte gebildeten Ladung wirkt.
Wenn der Antimontrisulfidfilm genügend dünn gemacht wird, d. h. eine Dicke von weniger als 0,1 Mikron besitzt, wird ein nennenswerter Bruchteil des blauen und grünen Lichtes auch den Antimontrisulfidfikn durchdringen und im Selen absorbiert werden. Dieses blaue und grüne Licht löst weitere Ladungsträger im Selen aus, welche durch den Selenfilm 45 zu der abgetasteten Schirmseite durchtreten. Es entsteht also somit sowohl eine zusätzliche BlauempfindEchkeit und Grünempfindlichkeit des Schirmes. Der Zweischichtenschirm nach Fig. 2 kann also entweder die Empfindlichkeit von Antimontrisulfid allein haben oder die von Antimontrisulfid und eine zusätzliche Blau- und Grünempfindlichkeit, je nach der Dicke der Antimontrisulfids chicht.
Der Schirm der beschriebenen Art braucht nicht notwendig einen Antimontrisulfidfilm zu besitzen, da andere rotempfindliche photoleitfähige Materialien, wie Cadmiumselenid, ebenfalls verwendet werden können. Auch eine rotempfindliche photoleitfähige Schicht von metallischem 'Selen kann an Stelle des Antimontriisulfidfihns verwendet werden. D'er metallische Selenfilm wird durch Auf dämpfung zunächst 'einer dünnen Schicht von amorphem 'Selen auf dem leitfähigen Überzug 42 erzeugt und durch anschließendes Erhitzen des Schirmes auf etwas über 100° C in Luft zum Zweck der Umwandlung des amorphen Selenfilms' in metallisches Selen. Die dickere Lage von amorphem Selen wird dann auf dem metallischen Selenfilm in der beschriebenen Weise aufgebracht.
Die Wahl des Materials, welches in Kontakt mit dem Selen eine verstärkte Rotempfindlichkeit ergibt, ist bisher experimentell bestimmt worden. Eine sehr dünne Schicht von Cadmiumselenid ergab eine Verbesserung der Rotempfindlichkeit für 'eine positiv geladene Signalplatte (Löcherleitung), sofern das Cadmiumselenid vor der Aufbringung der amorphen Selenschicht in 'Sauerstoff erhitzt wurde. Andererseits ergab eine dünne Schicht von Cadmiumselenid eine verstärkte Rotempfindlichkeit bei negativer Polarität der Signalplatte (Elektronenleitung), sofern das1 Cadmiuniselenid nach seiner Aufbringung nicht in Sauerstoff erhitzt wurde.
Bei negativer Polarität der Signalplatte muß der Schirm mit schnellen Elektronen abgetastet werden, um durch Sekundäremission eine positive Schirmaufladung zu erzeugen. Bezüglich der Elektronenleitung bei negativer Signalplatte haben Versuche ergeben, daß amorphes Selen selbst negative Ladungsträger kurzer Reichweite hat, aber amorphes Selen auf Cadmiumselenid negative Ladungsträger
von großer Reichweite gegenüber der Reichweite der Löcher von amorphem Selen allein zeigt.
Es ist somit durch die Erfindung ein photoleitfähiger Schirm für Bildaufnahmeröhren geschaffen, der eine verhältnismäßig· dünne Schicht eines photoleitfähigen Materials auf der Signalplatte enthält und,auf dieser Schicht eine Deckschicht, in der die Stromträger lange Reichweite haben.

Claims (8)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Photoleitfähiger Schirm für eine Bildaufnahmeröhre, in der ein transparenter leitfähiger Film in innigem Kontakt mit einem Schirm photoleitfähigen Materials steht, dadurch gekennzeichnet, daß das photoleitfähige Material von einer dielektrischen Schicht, in der die Ladungsträger große Reichweite haben, bedeckt ist.
2. S'Chirm nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht dünn gegenüber der dielektrischen Schicht ist.
3. Schirm nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht aus AntimontrisulfLd oder Cadmiumsulfid oder aus Selen besteht.
4. Schirm nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurcih gekennzeichnet, daß die dielektrische Deckschicht aus einem anderen phötoleirfähigien Material besteht als die auf dem transparenten leitfähigen Film photoleitfähige Schicht.
5. Schirm nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht eine andere Farbenempfindlichkeit besitzt als die erste photoleitfähige Schicht.
6. Schirm nach Anspruch 4 oder S, dadurch gekennzeichnet, daß die erste photoleitfähige Schicht eine Dicke von ungefähr 0,1 bis 0,5 Mikron besitzt, so daß der ganze Schirm etwa dieselbe Farbenempfindlichkeit aufweist wie die erste photoleitfähige Schicht.
7. Schirm nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste photoleitfähige Schicht eine Dicke von weniger als etwa 0,1 Mikron erhält, so daß der ganze Schirm eine Farbenempifmdlichkeit aufweist, die etwa der Kombination der Farbenempfindlichkeit der ersten photoleitfähigen Schicht und der Deckschicht 'entspricht.
8. Schirm nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht aus amorphem Selen besteht.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 733 611.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 609 668 10.56
DER8418A 1951-02-24 1952-02-26 Photoleitfaehiger Schirm fuer Fernsehaufnahmeroehren Expired DE951578C (de)

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