DE2525075B2 - Spannungs-Vervielfacherschaltung - Google Patents
Spannungs-VervielfacherschaltungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Spannungs-Vervielfacherschaltung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
In vielen Fällen, z. B. bei elektronischen Uhren, ist die verfügbare Versorgungsspannung für den Betrieb
gewisser Schaltungen oder anderweitiger Verbraucher zu niedrig. Man braucht daher Spannungsvervielfacherschaltungen,
um Spannungen zu gewinnen, die größer sind als die von der Hauptspannungsversorgung
verfügbaren Spannungen. Eine Spannungsvervielfacherschaltung der eingangs genannten Art ist aus der
US-PS 37 90 812 bekannt. Der Kondensator der bekannten Schaltung wird während eines gegebenen
Zeitintervalls mittels des ersten Transistors, der die eine Platte des Kondensators mit einem positiven Potential
(z. B. +V Volt) verbindet, und des dritten Transistors,
der die andere Platte des Kondensators mit einem zweiten Potential (z. B. — WoIt) verbindet, aufgeladen.
Eine Spannungsverstärkung wird dadurch erzielt, daß das zweite Potential an die eine Pia'te des Kondensators
gelegt und an der anderen Platte des Kondensators ein erhöhtes oder verstärktes Potential erzeugt wird,
das außerhalb des Bereiches der Versorgungsspannung ι υ liegt Dabei ist der dritte Transistor als Diode geschaltet,
die während des Ladezyklus des Kondensators einen verhältnismäßig niederohmigen Leitungsweg bildet und
verhindert, daß da<j an der anderen Platte des Kondensators erzeugte erhöhte Potential während des
Spannungsverstärkungsteils des Zyklus über einen niederohmigen Weg an das zweite Potential angeklemmt
wird.
Eine Schwierigkeit bei einer derartigen Schaltungsanordnung ergibt sich aus dem Vorhandensein eines
Schwellenspannungsabfalls (Vr oder Veejam als Diode
geschalteten Transistor, wodurch das Potential oder die Spannung an der anderen Platte des Kondensators
gegenüber dem zwetien Potential durch den genannten Spannungsabfall (Vt oder Vbe) verschoben wird. Auf
diese Weise verringert sich die an der anderen Platte des Kondensators erzeugte erhöhte Ausgangsspannung
um den Betrag des Schwellenspannungsabfalls, was dann nachteilig ist, wenn die Versorgungs-Spannung an
sich niedrig ist, da in diesem Fall viele Stufen w erforderlich sind, um eine merkliche und brauchbare
Spannungsverstärkung zu erzielen.
Bei dem als Diode geschalteten Transistor, der im Spannungsfolgerbetrieb arbeitet, erhöht die effektive
Impedanz sich in dem Maße, wie sich der Kondensator s"'
auflädt Als Folge davon ist eine längere Zeitdauer nötig, um den Kondensator voll aufzuladen.
Aus der DE-OS 20 64 977 ist es in Verbindung mit einer Schaltungsanordnung zur Pegelwiederherstellung
an sich bekannt zwei Feldeffekttransistoren entgegengesetzter Leitfähigkeitsart in Reihe zu schalten und ihre
Gate-Elektroden gemeinsam anzusteuern.
Aus der US-PS 35 29 231 ist eine Spannungsvervielfacherschaltung
bekannt die aus zwei im Gegentakt arbeitenden Spannungsvervielfacherschaltungen zu- ts
sammengesetzt ist. Die bekannte Schaltung macht von bipolaren, nichtkomplementären Transistoren Gebrauch,
die mit Hilfe von Transformatoren stromgesteuert werden. Die bekannte Schaltung kann infolge dieser
Transformatoren nicht als integrierte Schaltung ausge- Ό führt werden und eignet sich deshalb z. B. nicht für die
Verwendung in Uhren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Spannungsvervielfacherschaltung der eingangs genannten
Art so auszugestalten, daß sich eine von den ^ Schwellspannungen der Transistoren unabhängige vervielfachte
Ausgangsspannung ergibt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Kennzeichenteils des Patentanspruchs 1
gelöst Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind t>o
in den Unteransprüchen enthalten. Der erfindungsgemäß verwendete fünfte Transistor besitzt eine Doppelfunktion.
Dieser Transistor arbeitet in Source-Schaltung und verbindet den Ausgangsanschluß ohne ins Gewicht
fallenden Spannungsabfall mit dem ersten Eingangsan- *>■>
schluß. Zweitens liefert der fünfte Transistor in Verbindung mit dem vierten Transistor die notwendige
invertierte Gate-Ansteuerung für den dritten Transistor, die andernfalls komplementäre Steuersignale oder
einen zusätzlicher. Inverter zur Schaffung komplementärer Signale erfordern würde. Ein weiterer Vorteil der
erfindungsgemäßen Schaltung besteht darin, daß infolge der Verwendung komplementärer Transistoren praktisch
keine Ruheverluste auftreten. Zwischen den Spannungsanschlüssen in Reihe liegende Transistoren
sind niemals gleichzeitig leitend, so daß kein Gleichstromweg zwischen den Spannungsajischlüssen vorhanden
ist Dies steht im Gegensatz zu der erwähnten bekannten Schaltung (US-PS 37 90 812) bei der
während eines Teils der Anschaltdauer des ersten Transistors auch der zweite Transistor angeschaltet ist
und einen Gleichstrompfad zwischen den Spannungsanschlüssen herstellt so daß eine Verlustleistung auftritt
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung im einzelnen erläutert. In der Zeichnung, in
deren Figuren gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, zeigt
F i g. 1 das Schaltschema einer erfindungsgemäßen Spannungsvervielfacherschaltung,
Fig. 2 ein Diagramm mit Spannungsverläufen an verschiedenen Eingängen und Ausgängen der Schaltungen
nach Fig. 1 und 4,
F i g. 3 das Schaltschema einer anderen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltung,
Fig.4 das Schaltschema einer erfindungsgemäßen
Schaltung, bei der Impulssignale erzeugt und einer Zählerschaltung zugeleitet werden,
F i g. 5 das Schaltschema einer erfindungsgemäßen Schaltung zum Erzeugen von positiven oder negativen
Bezugspegeln,
F i g. 6 und 7 teilweise in Blockform dargestellte Schaltschemata erfindungsgemäßer Spannungsvervielfacherschaltungen
zum Erzeugen von Gleichstrom (Gleichstrom-Ausgangspegeln).
Bei den hier zur Erläuterung der Erfindung verwendeten Transistoren handelt es sich um Anreicherungs-Isolierschicht-Feldeffekttransistoren,
die in einer Siliciummasse (Körper oder Substrat aus Silicium) ausgebildet sind. Statt dessen kann man aber auch
Bipolartransistoren, Verarmungs- Feldeffekttransistoren oder auf einem Isoliersubstrat ausgebildete Transistoren
verwenden. Die P-Kanal-Transistoren (Transistoren voni P-Leitungstyp) sind dabei in einem
N-Substrat ausgebildet. Sie sind mit dem Buchstaben P und einer Bezugsnummer bezeichnet und in den
verschiedenen Figuren der Zeichnung an ihrem Substratanschluß mit einem vom Körper des Transistors
wegweisenden Pfeil oder an ihrer Source-Elektrode mit einem auf den Körper des Transistors
hinweisenden Pfeil versehen. Die N-Kanal-Transistoren (Transistoren vom N-Leitungstyp) sind in P-Wannen
ausgebildet, die in das N-Substrat eindiffundiert sind. Sie sind mit dem Buchstaben N und einer Bezugsnummer
bezeichnet und in den Figuren der Zeichnung entweder an ihrem Substratanschluß mit einem auf den Körper
des Transistors hinweisenden Pfeil oder an ihrer Source-Elektrode mit einem vom Transistor wegweisenden
Pfeil versehen. Im allgemeinen sollte das Substrat eines P-Kanal-Transistors an das am meisten
positive Potential, das der Source- oder Drain-Elektrode des Transistors zugeleitet wird, angeschlossen sein,
während das Substrat eines N-Kanal-Transistors an das am meisten negative Potential, das der Source- oder
Drain-Elektrode des Transistors zugeleitet wird, angeschlossen sein sollte.
Anreicherunes-lsolierschicht- Feldeffekttransistoren
sind zweiwegleitend (bidirektional), d. h., sie können Strom in beiden Richtungen leiten. Damit eine Leitung
stattfinden kann, muß die anliegende Gate-Source-Spannung (Vcs) die Gate- oder Steuerelektrode
gegenüber der Source-Elektrode in Durchlaßrichtung spannen und größer sein als die Schwellenspannung (Vt)
des Transistors. Ein Isolierschicht-Feldeffekttransistor kann dadurch einwegleitend (unidirektional) gemacht
werden, daß man seine Gate-Elektrode mit seiner Drain-Elektrode zusammenschaltet. Der Isolierschicht-Feldeffektransistor
leitet dann wie eine Diode, indem er bei der einen Polarität der Gate-Source-Spannung
Strom durchläßt und bei der entgegengesetzten Polarität der Spannung den Stromfluß sperrt. Die
minimale Source-Drain-Spannung eines als Diode geschalteten Isolierschicht-Feldeffekttransistors ist
gleich der Schwellenspannung Vr des Transistors. Dies gilt auch dann für einen Isolierschicht-Feldeffekttransistor,
wenn er normalerweise als Scurce-Folger betrieben wird. Dagegen hat der Isolienschicht-Feldeffekttransistor,
wenn er in Source-Schaltung betrieben wird, eine verhältnismäßig niedrige EIN-Impedanz zwischen
Source und Drain.
Die Schaltung nach F i g. 1 enthält eine komplementäre Inverter- oder Umkehrstufe mit Transistoren P1 und
NX. Der Transistor PX ist mit seiner Source-Elektrode
und seinem Substrat an einen Anschluß 10 und mit seiner Drain-Elektrode an einen Anschluß 12 angeschaltet
Der Transistor N1 ist mit seiner Drain-Elektrode an
den Anschluß 12 und mit seiner Source-Elektrode und seinem Substrat an einen Anschluß 14 angeschaltet. Ein
Transistor P2 ist mit seiner Source-Elektrode und seinem Substrat an den Anschluß 10 mit seiner
Drain-Elektrode an einen Anschluß 16 angeschaltet, an welchem ein Ausgangssignal, bezeichnet als »A«,
erzeugt wird. Ein Transistor N 2 ist mit seiner Drain-Elektrode an den Anschluß 16 mit seiner
Source-Elektrode und seinem Substrat an einen Anschluß 17 angeschaltet, an welchem ein mit »B«
bezeichnetes Ausgangssignal erzeugt wird. An die Anschlüsse 16 und 17 sind Leiter 18 bzw. 20
angeschlossen. Die Elektroden 11 und 13 bilden die Enden des Kanals (Leitungsweges) eines Transistors
N3. Die Elektrode 11 und das Substrat des Transistors
N3 sind an einen Anschluß 17 angeschaltet, die Elektrode 13 ist an den Anschluß 14 angeschaltet, und
die Gate-Elektrode des Transistors Λ/3 ist an den
Anschluß 16 angeschaltet.
Zwischen den Anschlüssen 12 und 17 liegt ein Kondensator C. Die Bemessung der Kapazität des
Kondensators hängt von der Ladungsmenge ab, die den an die Leiter 18 und 20 angeschlossenen Verbraucherschaltungen
(nicht gezeigt) zugeleitet werden muß. Der Kondensator kann als integriertes Bauelement auf dem
Schaltungsplättchen oder als diskretes (einzelnes) Bauelement außerhalb des Schaltungsplättchens ausgebildet
sein. Bei der nachstehenden Erläuterung wird der mit dem Anschluß 12 verbundene Anschluß des
Kondensators CaIs »Anschluß X« oder »X«bezeichnet,
während der mit dem Anschluß 17 verbundene Anschluß als »Anschluß V« oder »V«· bezeichnet wird.
Eine Versorgungsspannungsquelle 15 von VVoIt ist mit ihrem positiven Pol an den Anschluß 10 und mit
ihrem negativen Pol an den Masseanschluß 14 angeschlossen. Damit die Schaltung funktionieren kann,
muß die Spannung V den Wert der Schwellenspannungen der in der Schaltung verwendeten Transistoren
fibersteigen. Ein Eingangssignal Q wird den Gate-Elek
troden der Transistoren P\,N\,P2 und N 2 zugeleitet.
Das Signal Q wechselt, wie in F i g. 2 gezeigt, in seinem Spannungswert zwischen + VVoIt und Masse und kann
ein periodisch wiederkehrendes Taktsignal oder ein aperiodisches Impulssignal oder eine aperiodische
Impulsfolge sein.
Wenn das Signal Q auf niedrig (Massepotential) schaltet, werden die Transistoren /Vl und N 2
ausgeschaltet (nichtleitend) und die Transistoren PX und P2 eingeschaltet (leitend). Bei eingeschaltetem
Transistor P2 gelangt die Spannung + V Volt zum Anschluß 16 und zur Gate-Elektrode des Transistors
Λ/3. Der Transistor Λ/3 wird voll eingeschaltet und
arbeitet in Source-Schaltung unter Anklemmung des Anschlusses 17 und dem Anschluß Y des Kondensators
C an Masse. Der Kondensator C wird über die Transistoren PX und N 3 auf die vollen V Volt
aufgeladen, wobei der Anschluß Xauf + VVoIt gelangt.
Bei dieser Arbeitsweise verhalten sich die Transistoren wie extrem niederohmige Schalter ohne Schwellenspannungsverschiebung
oder -abfall. Wenn beispielsweise die Transistoren PX und N 3 für eine Zeitdauer T
eingeschaltet werden, die länger ist als drei Zeitkonstanten (τ), wobei τ gleich dem Produkt aus C und der
Summe der EIN-Impedanzen der Transistoren PX und
N 3 ist, so wird der Kondensator C auf mindestens 96%
von V aufgeladen. Bemißt man das Zeitintervall T größer oder langer als 5τ, so kann vorausgesetzt
werden, daß C auf den vollen Wert der Versorgungsspannung aufgeladen wird.
Wenn das Signal Q auf hoch (+ V Volt) schaltet,
werden die Transistoren Pi und P 2 ausgeschaltet
(nichtleitend) und die Transistoren Nl und N 2
eingeschaltet (leitend). Bei Ausschaltung des Transistors P2 wird die Einschaltspannung von der Gate-Elektrode
des Transistors N 3 entfernt Durch die Ausschaltung der Transistoren PX und Λ/3 werden die Anschlüsse X
und Kdes Kondensators Cvon den Anschlüssen 10 bzw. 14 getrennt oder isoliert Wenn der Transistor Wl
einschaltet klemmt er den Anschluß X des Kondensators C an Masse an. Dies ist gleichwertig mit einer
Beaufschlagung des Anschlusses X mit einer negativen Spannungsstufe von V Volt Amplitude. Die Spannung
an Y schaltet dann negativ auf - V Volt wie im Spannungsverlauf B(F i g. 2) gezeigt
Der Transistor N 2 wird hart eingeschaltet und leitet im Source-Schaltungsbetrieb unter Anklemmung des
Anschlusses 16 an den Anschluß 17, so daß die Spannung am Anschluß 16 von + V Volt auf - V Volt schaltet
Durch dieses Signal — WoIt wird der Transistor N3 ir
den Ausschaltzustand gespannt oder in diesem Zustand gehalten.
Das Ein- und Ausschalten des Transistors N 3 mil Hilfe der Transistoren PI und N 2 ist von groBei
Wichtigkeit Der Transistor P 2 liefert im eingeschalteten Zustand ein Einschaltsignal für den Transistor N 2
und stellt außerdem im Leiter 18 einen Spannungswen von + V Volt ein. Der Transistor N 3 leitet wenn ei
eingeschaltet ist im Source-Schaltungsbetrieb um
bewirkt eine sehr gute Anklemmung zwischen Masse und dem Anschluß Y. Aufgrund der Möglichkeit
während des Ladeintervalls den Anschluß Y au Massepotential (Nullpotential) zu legen, kann di<
anschließend an Y erzeugte negative Spannung in wesentlichen gleich — VVoIt sein, wenn der Anschluß >
von + V Volt auf Massepotential geschaltet wird. Da
heißt an Y ist keine positive Restspannung vorhanden die sich von der über den Kondensator gekoppeltei
Spannungsstufe von — VVoIt subtrahieren würde. Das
Problem der Ausschaltung des von Haus aus bilateralen (zweiseitigen) Schalters N 3 beim Schalten der Spannung an seiner Elektrode 11 auf negativ wird durch die
Verwendung des Transistors N 2 gelöst. Bei ausgeschaltetem Transistor Λ/3 kann die Spannung an Y auf — V
Volt schalten, und die Spannung zwischen den Anschlüssen 10 und 17 beträgt 2V Volt, d.h., das
Doppelte der Amplitude der Spannung der Versorgungsspannungsquelle 15. Wenn somit Pl und P2
ausschalten und JVl und N2 einschalten, schaltet die Spannung (B) am Anschluß 17 von 0 Volt auf - VVoIt
und die Spannung am Anschluß 16 von + VVoIt auf — V Volt. Die Amplitude des Signals A beträgt daher
ungefähr 2 VVoIt, wie in F i g. 2 gezeigt.
Durch die Anschaltung des Substrats des Transistors N 3 an den Anschluß 17 wird ein einwandfreies Arbeiten
der Schaltung sichergestellt. Wenn der Transistor N 3 leitet, ist die Spannung am Anschluß 17 niemals weniger
positiv als die Spannung am Anschluß 14. Das P-Substrat und das der Elektrode 13 entsprechende
Gebiet bilden eine durchlaßgespannte »parasitäre« Diode. Da jedoch diese Diode parallel zum Kanal oder
Leitungsweg des Transistors Λ/3 liegt, trägt sie zur
Leitung des Ladestromes für den Kondensator C bei. Wenn der Transistor N 3 ausgeschaltet ist und die
Spannung am Anschluß 17 negativ schaltet, ist es wichtig, daß das Substrat von N3 mit der Elektrode U,
die jetzt als Source arbeitet, verbunden ist, um sicherzustellen, daß keine Leitungs- oder Kriechstromwege zwischen den Anschlüssen 14 und 17 bestehen.
Wäre das Substrat von N 3 an Masse angeschaltet, so würde das Gebiet P-Substrat-Elektrode 11 eine
parasitäre Diode bilden, die Strom in der Durchlaßrichtung vom Anschluß 14 zum Anschluß 17 leitet, so daß die
Entwicklung der vollen negativen Spannung verhindert würde.
Wenn Q wieder auf niedrig schaltet, werden die
Transistoren Pl, P2 eingeschaltet, A auf + Vgeschaltet und der Transistor N 3 eingeschaltet, die Transistoren
Nl und N 2 ausgeschaltet und der Kondensator C
aufgeladen, wie oben beschrieben, um etwaige durch Ableitung verlorengegangene Ladung wiederherzustellen.
Es kann also, wie gezeigt, ein impulsförmiges Signal B
erzeugt werden, das die gleiche Amplitude hat wie die Betriebsspannung, dessen Spannungsbereich jedoch
außerhalb des Bereiches der Betriebsspannung liegt Ferner wird, wie ebenfalls gezeigt, ein impulsförmiges
Signal A erzeugt, das die doppelte Amplitude der Betriebsspannung hat
Die Schaltung nach F i g. 3 stellt das Komplement der Schaltung nach F i g. 1 dar, wobei die P-Kanal-Transistoren nach F i g. 1 durch N-Kanal-Transistoren und die
N-Kanal-Transistoren durch P-Kanal-Transistoren ersetzt sind und die gesamte Transistoranordnung
zwischen den Anschlüssen 10 und 14 umgekehrt ist In der Schaltung nach F i g. 3 werden Spannungen erzeugt,
die positiver sind als die am meisten positive Versorgungsspannung (+VJl Im Gegensatz dazu
werden in der Schaltung nach Fig. 1 Spannungen erzeugt, die negativer sind als die am meisten negative
Versorgungsspannung (Massepotential). In der Schaltung nach Fig.3 werden, wenn Q auf hoch (+V)
schaltet, die Transistoren N1 und N 2 eingeschaltet, und
bei leitendem Transistor N2 wird der Transistor P3 eingeschaltet Der Anschluß X wird an Masse
angeklemmt und der Kondensator C lädt sich auf — V
Volt auf. Dadurch wird Kauf + VVoIt gelegt. Wenn Q
auf niedrig schaltet, werden A/l und Λ/2 ausgeschaltet
und Pl und P2 eingeschaltet. Eine positive Spannungsstufe von + VVoIt gelangt an X. Da die Spannung an C
sich nicht augenblicklich ändern kann, schaltet das Potential von Y von + Vauf +2 VVoIt. Der Transistor
P2 koppelt die +2 Volt von Kauf die Gate-Elektrode des Transistors P3, wodurch dieser ausgeschaltet oder
im Ausschaltzustand gehalten wird, so daß der Kondensator C sich nicht zum Anschluß 10 entladen
kann. Das Potential von Y schwingt also von + V auf + 2VVoIt, und die Spannung an den Drain-Elektroden
von P2 und Λ/2 schwingt zwischen O Volt und +2V
Volt.
Die Schaltungsanordnung nach Fig.4 enthält zwei
Spannungsvervieifacherscnaitungen 21 und 23 sowie
eine dynamische Binärzählerstufe 25, die durch von den Schaltungen 21 und 23 erzeugte Impulssignale betätigt
wird. Der Aufbau jeder der Schaltungen 21 und 23 entspricht der Schaltung nach Fig. 1. Die Schaltungselemente und Schaltungspunkte (Anschlüsse) der
Schaltungen 21 und 23, die den Schaltungselementen und Schaltungspunkten der Schaltung nach F i g. 1
entsprechen, sind mit den gleichen Bezugsnummern unter Anfügung der Buchstaben a bzw. b bezeichnet.
Die Ausgangsanschlüsse 16a und 17a, an denen die Ausgangssignale A bzw. B erzeugt werden, sind an die
Leiter 18 bzw. 20 angeschlossen. Die Ausgangsanschlüs^ se 166 und 17b, an denen die Ausgangssignale A bzw. B
erzeugt werden, sind an Leiter 22 bzw. 24 angeschlossen.
Die Arbeitsweise der Schaltungen 21 und 23 entspricht der oben beschriebenen Arbeitsweise der
Schalturg nach F i g. 1 und braucht daher hier nicht noch einmal im einzelnen erläutert zu werden.
Taktimpulse Q gelangen über einen Leiter 43 zu den Gate-Elektroden der Transistoren Pia, Λ/la, P2a,
N 2a. Taktimpulse φ (das Komplement von Q) werden
an den Drain-Elektroden der Transistoren Pia und NIa erzeugt Diese gelangen über einen an den
Anschluß 12a angeschlossenen Leiter 45 zu den Gate-Elektroden der Transistoren P 1Z>,_N Xb, P2b und
N 2b. Statt dessen könnten Q und Q auch durch voneinander unabhängige Einrichtungen erzeugt werden. Entsprechend der Änderung des Taktimpulses Q
werden an den Ausgangsanschlüssen 18 und 20 Signale A bzw. B erzeugt Entsprechend dem Taktimpuls Q
werden jn den Ausgangsanschlüssen 22 und 24 Signale Äbzw. θ erzeugt welche die Komplemente der Signale
A bzw. B darstellen. Die Spannungsverläufe dieser Signale sind in F i g. 2 gezeigt.
Der Binärzählerteil 25 enthält drei Gruppen oder Reihen von Transistoren, bezeichnet mit den römischen
Ziffern I, II und III.
In der ersten Gruppe (I) liegen die Kanäle der Transistoren P5, P4, N 4 und N5 in Reihe, und in der
zweiten Gruppe (II) liegen die Kanäle der Transistoren P7, P6, N6 und N7 in Reihe. Die Transistoren P5 und
P7 sind mit ihren Source-Elektroden an den Leiter 10 angeschlossen. Die Drain-Elektroden der Transistoren
P 4 und N 4, die den Ausgang Oi der Gruppe I bilden,
sind mit den Gate-Elektroden der Transistoren P6 und N 6 verbunden. Die Gate-Elektroden der Transistoren
P5 und N7 und die Source-Elektrode des Transistors N 5 sind an den Leiter 18 angeschlossen, dem das Signal
A zugeleitet wird. Die Gate-Elektroden der Transistoren Pl und N5 und die Source-Elektrode des
Transistors N 7 sind an den Leiter 22 angeschlossen, dem das Signal A zugeleitet wird.
In der dritten Gruppe (III) liegt der Transistor PS mit
seinem Kanal zwischen den Anschlüssen 10 und 27. Der Transistor NS liegt mit seinem Kanal zwischen dem
Anschluß 27 und dem Leiter 22, und der Transistor N 9 liegt mit seinem Kanal zwischen dem Anschluß 27 und
dem Leiter 18. Die Drain-Elektroden der Transistoren P6 und N6, die den Ausgang (Ch) der zweiten Gruppe
bilden, sind mit den Gate-Elektroden der Transistoren PS, NS und N9 verbunden. Der Anschluß 27, an dem
das Ausgangssignal (Ch) der dritten Gruppe von Transistoren erzeugt wird, ist mit den Gate-Elektroden
der Transistoren PA und N4 verbunden. Die Transistoren
P8, NS und Λ/9 bilden eine quasistatische
komplementäre Umkehrstufe.
Die Arbeitsweise der Schaltungsanordnung nach Fjg.4 als Binärzähler ist wie folgt: Wenn A = + V und
A=- V, geschieht folgendes: a) Die Gruppe I von Transistoren ist nichtleitend (die Transistoren P5 und
N 5 sind ausgeschaltet und das Ausgangssignal O\ behält
unabhängig vom Wert der Eingangsgröße CH seinen
früheren Wert bei); b) die Gruppe II von Transistoren ist
leitend und erzeugt an ihrem Ausgang (Qt) die Umkehrung des Signals (O\) an ihrem Eingang; c) die
Gruppe III von Transistoren arbeitet_ stets als komplementäre Umkehrstufe. Entweder ist A niedrig, in
welchem Falle die Transistoren PS und NS eine komplementäre Umkehrstufe bilden (der Transistor N9
ist sperrgespannt, da A hoch ist), oder A ist niedrig, in welchem Falle die Transistoren PS und N9 eine
komplementäre Umkehrstufe bilden (der Transistor NS ist sperrgespannt, da A hoch ist).
Wenn A= — Vund A= + V, so ergibt sich folgendes:
a) Die Gruppe I von Transistoren ist leitend. Die Transistoren PS und N5 sind eingeschaltet, und die
Transistoren PA und N4 erzeugen an ihren Drain-Elektroden
ein Ausgangssignai O\, das die Umkehrung des ihren Gate-Elektroden zugeleiteten Signals Ch darstellt.
b) Die Gruppe II von Transistoren ist nichtleitend, da die Transistoren P 7 und N 7 ausgeschaltet sind. Das
Ausgangssignal Ch bleibt auf seinen vorherigen Pegel eingestellt, c) Die Gruppe III von Transistoren PS und
/V9 arbeitet als Umkehrstufe. Der Transistor NS bleibt
bei Anliegen von A=+ V Volt an seiner Source-Elektrode unabhängig von dem an seiner Gate-Elektrode
liegenden Signal (- Voder + V) gesperrt.
1. Es sei jetzt angenommen, daß O1 anfänglich auf
+ V Volt liegt und daß A=+ V (hoch) und A= - V (niedrig). In der Gruppe I sind die Transistoren P5 und
N 5 gesperrt und Ch bleibt unabhängig vom Wert von Ch hoch. In der Gruppe II sind die Transistoren P7 und Λ/7
eingeschaltet O\ hoch hat zur Folge, daß der Transistor
P6 ausgeschaltet und der Transistor Λ/6 eingeschaltet
sind. Dies har zur Folge, daß Ch infolge Stromleitung durch die Transistoren N 6 und N 7 auf — V Volt
schaltet Bei Ch auf - V Volt wird der Transistor PS eingeschaltet und der Transistor NS ausgeschaltet Wie
oben erwähnt, wird der Transistor N9 bei + WoIt an
seiner Source-Elektrode ohne Rücksicht auf das Signal bei Ch ausgeschaltet Bei eingeschaltetem Transistor PS
gelangen + V Volt zum Anschluß 27 und schaltet das Signal Ob auf hoch.
2. Es sei jetzt angenommen, daß Λ auf - V Volt
(niedrig) und A auf + V Volt (hoch) schalten. In der Gruppe I werden die Transistoren PS und NS
eingeschaltet Bei Ob hoch an den Gate-Elektroden der Transistoren PA und NA ist der Transistor PA
ausgeschaltet und der Transistor NA eingeschaltet Dies
hat zur Folge, daß das Signal O\ infolge Stromleitung durch die Transistoren NA und N 5 zum Leiter 18 auf
- V Volt schaltet. Durch den Wechsel des Signals O\ von hoch auf niedrig wird das Signal Ch nicht geändert,
da in der Gruppe II die Transistoren P7 und Λ/7
ausgeschaltet und die Transistoren der Gruppe II nichtleitend sind. Bei auf seinem vorherigen Pegel
verbleibendem Signal Ch bleibt das Signal Ch hoch.
3. Es sei jetzt angenommen, daß A auf + V Volt (hoch) und Ä auf - VVoIt (niedrig) zurückschalten. Die
Transistoren P 5 und N 5 in der Gruppe I werden
ausgeschaltet, und das Signal Ol bleibt niedrig. Die
Transistoren P7 und N7 in der Gruppe II werden
eingeschaltet. Bei O\ niedrig an den Gate-Elektroden
der Transistoren P6 und Λ/6 wird der Transistor Λ/6
ausgeschaltet und der Transistor P 6 eingeschaltet. Dies hat zur Folge, daß das Signal Ch auf + VVoIt ansteigt.
Durch die Beaufschlagung der Gate-Elektroden der Transistoren PS und NS mit + V Volt wird PS
eingeschaltet und NS ausgeschaltet. Dadurch wechselt aufgrund des Leitungsweges des Transistors NS zum
Leiter 22 das Potential am Anschluß 27 auf - V Volt. Somit wird das Signal Ch niedrig.
4. Es sei jetzt angenommen, daß A einen Übergang auf — V Volt (niedrig) und A einen Übergang auf + V
Volt (hoch) vollziehen. Bei Oj niedrig geht das Signal Oi
auf hoch, während das Signal O2 auf dem Pegel, auf den es vor dem Übergang von A von niedrig auf hoch
eingestellt worden ist, verbleibt und das Signal Ch niedrig bleibt. Die Signalpegel an den Anschlüssen O],
O2 und Ch entsprechen nunmehr den Signalpegeln, von
denen oben in Abschnitt 1. ausgegangen wurde. Das heißt, die ursprünglichen Schaltungszustände sind
wiederhergestellt.
Aus der obigen Erläuterung ergibt sich, daß die
Signale^!, Ch und Ch für je zwei Übergänge der Signale
A und A ihren Zustand einmal ändern. Das heißt, die Schaltungsanordnung teilt effektiv die Taktfrequenz (A
und A) durch den Faktor 2. Jede beliebige der Signalgrößen O\, Ch und Ch, vorzugsweise jedoch Ch,
kann dann einer nachgeschalteten Stufe von gleichem Schaltungsaufbau wie die Schaltung 25 oder einer
andersartigen Schaltung, welche die Taktfrequenz weiter herunterteilt, zugeleitet werden.
Zu beachten ist, daß das Impulsspannungssignal A
und seine Umkehrung A dazu verwendet werden können, eine Dauerspannung oder ununterbrochene
Spannungszufuhr zu simulieren. Beispielsweise wird in der dritten Gruppe der Zählerstufe eine quasistatische
Umkehrstufe dadurch gebildet, daß zwei N-Kanal-Transistoren
(N 8, Λ/9) an die Impulszufuhrleitungen angeschlossen sind. Die mit ihren Gate-Elektroden
gemeinsam an einen einzigen Schaltungspunkt angeschlossenen Transistoren sind funktionsmäßig einem
einzigen Transistor, der an eine Gleichstromversorgung angeschlossen ist äquivalent Die Zählerstufe 25
erfordert nicht eine negative Dauerspannungsversorgung. Jedoch könnte eine solche negative Dauerspannungsversorgung
dadurch gewonnen werden, daß man einen Transistor (nicht gezeigt) zwischen die Drain-Elektrode
des Transistors N5 und den Leiter 22 sowie zwischen die Drain-Elektrode des Transistors N 7 und
den Leiter 18 schaltet und den Gate-Elektroden dieser Transistoren das Komplement des ihren Source-Elektroden
zugeleiteten Signals zuleitet
In der Schaltungsanordnung nach F i g. 4 werden mit Hilfe der Versorgungsspannung + V komplementäre
Impulsspannungen erzeugt deren Amplituden die der Versorgungsspannung übersteigen. Die Amplitude der
komplementären Spannungen reicht aus, um Zählschaltungen
zu betätigen, die bei der niedrigeren Betriebsspannung u. U. nicht arbeitsfähig sind. Ferner wird die
Frequenz der komplementären Spannungen durch die Zählschaltungen herunterdividiert
In der Schaltung nach Fig.5 ist eine Stufe 41 zum
Erzeugen eines Ausgangssignals (- Vs) vorgesehen, das
ungefähr gleiche Amplitude, jedoch die entgegengesetzte Polarität hat wie das der Schaltung zugeleitete
Eingangssignal (Vs). Die Schaltungsanordnung enthält außerdem eine Stufe 43 zum Weiterleiten von entweder
Vs oder -Vs an einen Ausgang 55.
Die Stufe 41 entspricht in ihrem Aufbau der Schaltung
nach Fig. 1, mit folgenden Ausnahmen: 1) Der Kanal
des Transistors Pl ist zwischen einen Spannungsanschluß 47 und den Anschluß 12 geschaltet 2) Der Kanal
eines Transistors NU ist parallel zum Kanal des Transistors Pl geschaltet Die Gate-Elektrode des
Transistors N11 ist an den Anschluß 16 angeschlossen.
Die Transistoren NIl und Pl sind so eingerichtet, daß
sie teilweise als komplementäre Transistor-Torschaltung arbeiten, um sicherzustellen, daß die Spannung am
Anschluß 47 schnell auf den Anschluß 12 gekoppelt wird. 3) An den Anschluß 47 ist eine Signalquelle 48
angeschlossen, die Eingangssignale Vs anliefert, von
denen vorausgesetzt ist, daß sie positiv gegenüber Massepotential (Nullpotential) sind.
Die Stufe 43 enthält einen Transistor N41, der als mit seinem Kanal zwischen die Anschlüsse 17 und 55
geschaltete Torschaltung arbeitet Eine komplementäre Umkehrstufe wird durch Transistoren P42 und N42
gebildet. Diese Transistoren P42 und N42 sind mit ihren Source-Elektroden an die Anschlüsse 10 bzw. 55
und mit ihren Drain-Elektroden an die Gate-Elektrode eines Transistors Λ/51 angeschlossen. Die Kanäle des
Transistors N 51 sowie eines Transistors P51 liegen parallel zwischen den Anschlüssen 12 und 55. Die
Transistoren P51 und Λ/51 bilden eine komplementäre
Torschaltung 51. Den Gate-Elektroden der Transistoren Pl, Nl, P2, N2, N41, P 42, N42 und P51 wird ein
Steuersignal Φ zugeleitet das dem Signal Q entsprechen und, wie zuvor, ein Taktsignal oder ein Steuerimpulssignal
sein kann, das der Schaltung wahlweise oder periodisch zugeleitet wird.
Wenn das Signal Φ auf niedrig (0 Volt) geht werden die Transistoren Pl und P 2 eingeschaltet Bei
eingeschaltetem Transistor P 2 geht die Spannung am Anschluß 16 auf VVoIt, und die Transistoren N3 und
N11 werden eingeschaltet Bei eingeschalteten Transistoren
Pl und NIl wird das Signal Vs über einen
niederohmigen Weg gekoppelt wodurch der Kondensator Cauf VsVoIt aufgeladen wird, indem X auf VsVoIt
und Vüber N 3 an Masse gelegt werden.
Bei Φ niedrig ist der Transistor N41 ausgeschaltet so daß der Anschluß 55 vom Anschluß 17 entkoppelt ist
Der Transistor N42 ist ausgeschaltet, und der Transistor P42 ist eingeschaltet Bei eingeschaltetem
Transistor P 42 gelangen zur Gate-Elektrode des Transistors N51 ungefähr + V Volt wodurch dieser
Transistor eingeschaltet wird. Durch Φ niedrig wird der
Transistor P51 eingeschaltet, so daß das am Anschluß 12 anstehende Signal + Vs über die Torschaltung 51 auf
den Ausgang 55 gekoppelt wird. Das Ausgangssignal eo
ist daher gleich + Vs.
Wenn das Signal Φ auf hoch (+ VVlIt) geht werden
die Transistoren Pl und P2 ausgeschaltet und die Transistoren Nl und N 2 eingeschaltet Durch das
Einschalten von N1 wechselt das Potential von X von + Vs Volt auf 0 Volt. Die negativ gerichtete Potentialstufe
(+ Vs auf 0 Volt) an X wird über den Kondensator C gekoppelt, so daß das Potential von Y und die
Spannung am Anschluß 17 von 0 Volt auf - Vs Volt schalten. Die Spannung — Vs Volt am Anschluß 17 wird
über den Kanal des Transistors N2 auf die Gate-Elektroden der Transistoren N3 und NIl gekoppelt,
wodurch diese Transistoren ausgeschaltet werden. Bei Φ hoch ist der Transistor N41 eingeschaltet und koppelt
über seinen niederohmigen Kanal das Signal vom Anschluß 17 auf den Anschluß 55, so daß das Signal am
Anschluß 55 auf - Vs Volt schaltet. Das Ausgangssignal
eo ist daher gleich — Vs- Durch Φ hoch werden die
Transistoren P42 und P51 ausgeschaltet und der Transistor N 42 eingeschaltet. Bei eingeschaltetem
Transistor N 42 werden durch den niederohmigen Kanal des Transistors N42 die Gate-Elektrode und die
Source-Elektrode des Transistors N 51 auf ungefähr der gleichen Spannung gehalten, wodurch die Ausschaltung
des Transistors N51 und der Torschaltung 51 sichergestellt ist.
Es wird also, wenn Φ niedrig ist, ein Signal + Vs Volt auf den Ausgang 55 gekoppelt, und wenn Φ hoch ist, ein
Signal der gleichen Amplitude, jedoch der entgegengesetzten Polarität (— Vs) am Ausgang 55 erzeugt.
F i g. 5 veranschaulicht die Anwendung der Erfindung auf einen Präzisions-Bezugsspannungsgeber für bilaterale
Impulsspannungen, der in einen Analog-Digital-Wandler eingebaut werden kann. Ein geringfügiger
Unterschied gegenüber den vorherigen Ausführungsbeispielen besteht darin, daß - Vs (wobei 0
< Vs< V) erzeugt wird statt — VVoIt. Zu beachten ist, daß Vs ein
extrem niederamplitudiges Signal sein kann.
In Fi g. 5 entnehmen die Schaltkreise (Pl, Nl, P42, N42) und die Torschaltungen (N41, N51, P51) nur einen vernachlässigbar geringen Strom und wird das Signal - Vs nicht belastet.
In Fi g. 5 entnehmen die Schaltkreise (Pl, Nl, P42, N42) und die Torschaltungen (N41, N51, P51) nur einen vernachlässigbar geringen Strom und wird das Signal - Vs nicht belastet.
In der Schaltung nach Fig.6 werden die an den Ausgängen der Stufen 21 und 23 nach F i g. 4 erzeugten
Impulssignale B und B unter Erzeugung eines Gleichspannungspegels vereinigt. Die im gestrichelten
Rechteck 52 dargestellte Schaltung nach F i g. 6 enthält zwei Blöcke 21 und 23, die in ihrem Schaltungsaufbau
mit den gleichbezifferten Blöcken in Fig.4 identisch
sind. Die Schaltung enthält außerdem einen Transistor N53, der mit seinem Kanal zwischen den Leiter 20 und
den Anschluß 65 geschaltet ist, sowie einen Transistor N55, der mit seinem Kanal zwischen den Leiter 24 und
den Anschluß 65 geschaltet ist. Die Gate-Elektroden der Transistoren N53 und N55 sind an die Leiter 22 bzw. 18
angeschlossen.
Aus dem Taktsignal Q werden am Anschluß 18 das Signal A und am Anschluß 20 das Signal B erzeugt
Entsprechend werden_aus dem Taktsignal Q am Anschluß 22 das Signal A und amAnschluß 24 das Signal
B erzeugt Die Signale A, B, A und B sind in Fig.2
dargestellt _
Wenn flden Wert - WoIt hat so hat das Signal A im
Leiter 22 den Wert + VVoIt Der Transistor N53 ist bei + V Volt an seiner Gate-Elektrode voll eingeschaltet
und koppelt — VVoIt vom Leiter 20 juf den Anschluß
65. Während dieses Zeitintervalls hat B den Wert 0 Volt und das Signal A im Leiter 18 den Wert — VVoIt und
der Transistor N55 ist in den Ausschaltzustand gesperrt_
Wenn Aden Wert - VVoIt hat so hat das Signal A in
Leiter 18 den Wert + V Volt Der Transistor N55 ist voll eingeschaltet und koppelt über seinen Kanal das
Signal - V Volt auf den Anschluß 65. Während dieses Zeitintervalls hat B den Wert 0 Volt und A den Wert
— V Volt, wodurch der Transistor N 53 in den Ausschaltzustand gesperrt wird. Es koppelt also jeweils
während eines gegebenen Zeitintervalls der Transistor .V 53 und während des anschließenden Zeitintervalls der
Transistor N55 das Signal — V Volt auf den Anschluß
65. Somit wird am Anschluß 65 ein negativer Gleichspannungspegel von — V Volt erzeugt Die
verfügbare Gleichspannung zwischen den Anschlüssen 10 und 65 beträgt folglich 2 VVoIt
Die Schaltung nach F i g. 6 kann, wie in F i g. 7 gezeigt,
mit gleichartigen Schaltungsstufen in Kaskade geschaltet werden, um zunehmend ansteigende Gleichspannungen zu erzeugen. In Fig.7 ist die Ziffer 6 den
Bezugsnummern derjenigen Schaltungselemente angefügt, die gleichartigen Schaltungselementen in Fig.6
entsprechen. Die den Anschlüssen 106 und 146 zugeleiteten Spannungen betragen + V Veit bzw. - V
Volt statt + VVoIt bzw. 0 Volt wie in F i g. 6. Das dem
Anschluß 436 zugeleitete Taktsignal (Qa) sollte eine Amplitude haben, die der des in F i g. 2 gezeigten und im
Leiter 18 anwesenden Signals A entspricht Das heißt die Amplitude des Taktsignals (Qa) muß zwischen + 1
Volt und — V Volt wechseln. Dies ist analog de:
Schaltung nach Fig.6, wo das Taktsignal O zwischei
+ VVoIt und 0 Volt wechselt, wenn der Betriebsspan
nungsbereich zwischen + WoIt und 0 Volt beträgt Dai Signal Qa kann von der Schaltung im Block 211
gewonnen_werden, oder man kann statt dessen hierfüi
das Signal A verwenden, das von der Schaltung im Blocl
52 nach F i g. 6 erzeugt wird.
Die Ausgangsspannung (+ V und - V) eines Span nungsverdopplers (52) kann als Speisespannung fü
einen zweiten Spannungsverdoppler (526) verwende werden. Die Ausgangsspannung (+V und -3V) de:
zweiten Spannungsverdopplers kann in entsprechende! Weise als Speisespannung für einen dritten Spannungs
verdoppler (nicht gezeigt) verwendet werden. Außer dem können die Taktimpulse (Qa) für den Betrieb eine:
nachgeschalteten Spannungs vet dopplers aus dem von vorausgehenden Spannungsverdoppler erzeugten Im
pulssignal (A) oder aus unabhängigen Steuerimpulsei gewonnen werden.
Claims (8)
1. Spannungs-Vervielfacherschaltung mit einem ersten und einem zweiten Feldeffekttransistor, die
mit einem ersten Ende ihrer jeweiligen Leitungswege an einen ersten Anschluß eines Kondensators und
mit dem zweiten Ende ihrer jeweiligen Leitungswege an einen ersten bzw. einen zweiten Spannungsanschluß,
zwischen denen die zu vervielfältigende Spannung anliegt, angeschlossen sind, mit einem
dritten und einem vierten Feldeffekttransistor, die mit ersten Enden ihrer jeweiligen Leitungswege an
den zweiten Anschluß des Kondensators und mit den zweiten Enden ihrer jeweiligen Leitungswege
an den zweiten Spannungsanschluß bzw. an einen Ausgangsanschluß angeschlossen sind, mit einer
Steuerschalung und einem Steuersignaleingangsanschluß, der mit der Gate-Elektrode des ersten
Transistors verbunden ist, um bei einem Wert des an den Steuersignaleingangsanschluß angelegten
Steuersignals die Leitungswege des ersten und dritten Transistors in einen leitenden Zustand zu
versetzen, während jene des zweiten und vierten Transistors in einem Sperrzustand sind, und um die
Leitungszustände der Transistoren bei einem zweiten Wert des Steuersignals umzukehren, dadurch
gekennzeichnet, daß die Steuerschaltung einen fünften Feldeffekttransistor (P 2 in Fi g. 1 und
5; Λ/2 in F i g. 3) derselben Leitfähigkeitsart wie der
erste Transistor (P 1 in F i g. 1 und 5; N1 in F i g. 3)
aufweist, daß der Leitungsweg des fünften Transistors zwischen dem Ausgangsanschluß (A) :ind
einem Versorgungsspannungianschluß (10 in Fig. 1 und 5; 14 in Fig.3) liegt, daß zwischen den
Gate-Elektroden des ersten, des zweiten, des vierten und des fünften Transistors (Pl, /Vl, N2, P2; Ni,
Pi, P2, N2) eine erste Verbindung vorhanden ist, daß zwischen dem Ausgangsanschluß (A) und der
Gate-Elektrode des dritten Transistors (N3; P3)
eine zweite Verbindung vorhanden ist, daß der erste Transistor und der zweite Transistor entgegengesetzter
Leitfähigkeitsart sind und daß der fünfte Transistor entgegengesetzter l.eitfähigkeitsart wie
der dritte und der vierte Transistor ist.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Versorgungsspannungsanschluß
und der erste Spannungsanschluß (10 in F i g. 1; 14 in
F i g. 3) identisch sind.
3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein sechster Transistor (N 11 in F i g. 5)
mit seinem Leitungsweg zwischen den ersten Spannungsanschluß (47) und den ersten Anschluß
(X) des Kondensators geschaltet ist, und daß der Steuerelektrode des sechsten Transistors ein Signal
zugeleitet wird, durch welches dieser Transistor leitend gemacht wird, wenn der erste Transistor
(Pi) leitend ist.
4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Anschluß (A^des Kondensators
(C) während erster beabstandeter Zeitintervalle an einen zweiten Ausgangsanschluß (55 in Fig. 5)
angeschaltet wird und daß der andere Anschluß (Y) des Kondensators während der dazwischenliegenden
Zeitintervalle an diesen zweiten Ausgangsanschluß angeschaltet wird.
5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode des sechsten
Transistors (NU) mit der Gate-Elektrode des vierten Transistors (N 3) und dem ersten Ausgangsanschluß (16) verbunden ist.
6. Schaltung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch einen siebenten als Torschaltung arbeitenden
Transistor (N4i), dessen Leitungsweg zwischen den
zweiten Anschluß (Y) des Kondensators (C) und den zweiten Ausgangsanschluß (55) geschaltet ist durch
eine von der Reihenschaltung eines achten und eines neunten Transistors (P 42, /V 42) entgegengesetzter
Leitfähigkeitsart gebildete komplementäre Umkehrstufe zwischen dem Versorgungsspannungsanschluß
(10) und dem zweiten Ausgangsanschluß und durch eine von der Parallelschaltung eines zehnten
und eines elften Transistors (NSi, PSi) entgegengesetzter
Leitfähigkeitsart gebildete komplementäre Torschaltung (51) zwischen dem ersten Anschluß (X)
des Kondensators und dem zweiten Ausgangsanschluß, wobei die Steuerelektroden des siebten, des
achten, des neunten und des elften Transistors mit dem Steuersignaieingangsanschluß verbunden sind,
während die Steuerelektrode des zehnten Transistors mit dem Verbindungspunkt zwischen den
Leitungswegen des achten und des neunten Transistors verbunden ist.
7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweiten, gleichartige
ipannungs-Vervielfacherschaltung (23 in Fig.6) mit der ersten Spannungs-Vervielfacherschaltung
so verbunden ist, daß die entsprechenden Transistoren in den beiden Schaltungen (21, 23)
gegensinnig zueinander leitend und nicht leitend geschaltet werden, daß ein Synchronschalter die
Ausgänge beider Schaltungen zur Erzeugung eines Gleichstromausgangs abwechselnd mit einem weiteren
Ausgangsanschluß (65) verbindet, und daß der Synchronschalter einen ersten, vom Ausgang (22)
der zweiten Schaltung (23) gesteuerten Schalter (7V53) und einen zweiten, vom Ausgang (18) der
ersten Schaltung (21) gesteuerten Schalter aufweist, wobei der erste Schalter selektiv den zweiten
Anschluß (20) des Kondensators (C) der ersten Schaltung (21) und den weiteren Ausgangsanschluß
(65) verbindet, während der zweite Schalter selektiv den zweiten Anschluß (24) des Kondensators (C)dtr
zweiten Schaltung (23) mit dem weiteren Ausgangsanschluß (65) verbindet.
8. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat
des dritten Feldeffekttransistors (N 3 in Fi g. 1 und 5 bzw. Pi in F i g. 3) mit dem zweiten Anschluß
(Y)aes Kondensators fC^verbunden ist.
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