DE2519930A1

DE2519930A1 - Tastspeicher-schaltungsanordnung an einer elektrischen motornachbildung in einem elektronischen motorschutzrelais

Info

Publication number: DE2519930A1
Application number: DE19752519930
Authority: DE
Inventors: Michael Dipl Ing Hentschel
Original assignee: Sprecher und Schuh AG
Current assignee: Rockwell Automation Switzerland GmbH
Priority date: 1974-10-01
Filing date: 1975-05-05
Publication date: 1976-04-15
Also published as: US3996480A; JPS5142942A; AT337296B; ATA510275A; CH577761A5; GB1525716A

Description

Sprecher & Schuh AG, Aarau (Schweiz)

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Tastspeicher-Schaltungsanordnung an einer elektrischen Motornachbildung in einem elektronischen Motorschutzrelais

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Die Erfindung betrifft eine Tastspeicher-Schaltungsanordnung an einer elektrischen Motornachbildung in einen elektronischen Motorschutzrelais, in welchem die Motornachbildung von einer Ladestromquelle über einen durch Taktsignale gesteuerten Plauptschalter mit- getaktetem Ladestrom aufgeladen wird.

In einem elektronischen Motorschutzrelais wird die Ladespannung einer aus Kondensatoren und Widerständen bestehenden elektrischen Motornachbildung mit einer die zulässige Motorgrenztemperatur bezeichnenden Vergleichsspannung verglichen, um bei unzulässig hoher Motorerwärip.ung ein Steuersignal zum Abschalten des Motorstromes zu erhalten. Die elektrische nachbildung des thermischen Verhaltens eines Drehstrommotors erfordert grosse Zeitkonstanten, die vorteilhaft nicht durch Verwendung extrem hochohmiger Widerstände und sehr schwacher Ladeströme, sondern durch Speisung der Motornachbildung nit getaktetem Ladestrom realisiert werden. Wird das unterschiedliche ErwHrmungsverhalten eines laufenden und eines stehenden bzw. als stehend anzusehenden Motors berücksichtigt, so sind für die Motornachbildung auch

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entsprechend verschiedene Zeitkonstanten vorzusehen, wozu in der Motornachbildung zu- und abschaltbare Schaltmittel zur Erhöhung der virtuellen Impedanz des Widerstandsnetzwerkes der Motornachbildung vorhanden sein können, wie dies ausführlich in der Schweiz. Patentschrift Nr. 540 587 behandelt ist. So wird beispielsweise die Zeitkonstante der Motornachbildung erhöht, indem ihr Widerstandsnetzwerk mit seinem Fusspunkt an einen mittels eines Impedanzwandlers und eines Spannungsteilers abgegriffenen Bruchteil der Ladespannung angelegt wird. In beiden Fällen, d.h. für die Herleitung eines Abschaltsteuersignals und zur Beeinflussung der Zeitkonstanten der Motornachbildung, ist demnach in dem elektronischen Motorschutzrelais eine Schaltungsanordnung nötig, die eine der Ladespannung der Motornachbildung gleiche oder proportionale Spannung in geeigneter Weise zur Verfügung stellt.

Zweck der Erfindung ist, eine Schaltungsanordnung zur Anzeige des Ladungszustandes einer mit einem getakteten Ladestrom gespeisten Motornachbildung zu schaffen, die bei einfachem Aufbau eine der Ladespannung der Motornachbildung mit befriedigender Genauigkeit entsprechende Ausgangsspannung sowohl für die Herleitung eines Abschalt-Steuersignals wie auch für eine Veränderung der Zeitkonstanten der Motornachbildung zuverlässig abgibt.

Die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass an die Motornachbildung über den Hauptschalter ein Tastspeicher-Verstärker mit einem Speicherkondensator und einer elektronischen Schalteinrichtung angeschlossen und die elektronische Schalteinrichtung durch die Taktsignale gesteuert ist, wobei der Tastspeicher-Verstärker mit dem Speicherkondensator in den Ladetakten mit der Motornachbildung für eine Umladung des Speicherkondensators auf die Ladespannung der Motornachbildung elektrisch verbunden und in den Ruhetakten für eine Ansteuerung des Tastspeicher-Verstärkers durch die Ladespannung des umge-

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ladenen Speicherkondensators von der Motornachbildung elektrisch getrennt ist. Die elektronische Schalteinrichtung enthält hierbei vorzugsv7eise einen Operationsverstärker und einen durch die Taktsignale gesteuerten elektronischen Schalter, wobei der eine Eingang des Operationsverstärkers über den Hauptschalter mit der Motornachbildung verbunden und an den anderen Eingang des Operationsverstärkers die Ausgangsspannung des Tastspeicher-Verstärkers angelegt sein kann und wobei vermittels des elektronischen Schalters an den Speicherkondensator und den Steuereingang des Tastspeicher-Verstärkers nur in den Ladetakten das Ausgangssignal des Operationsverstärkers angelegt wird, durch das der Speicherkondensator bis auf einen Spannungswert umgeladen wird, bei dem die Ausgangsspannung des Tastspeicher-Verstärkers gleich der Ladespannung der Motornachbildung ist. Als Operationsverstärker kann hierbei ein Differenzverstärker üblicher Bauart verwendet werden, dessen Ausgang durch den elektronischen Schalter mit dem Speicherkondensator und dem Steuereingang des Tastspeicher-Verstärkers verbunden wird. Der durch die Taktsignale gesteuerte elektronische Schalter besteht dann vorteilhaft aus einen P-Kanal-Feldeffekttransistor, an dessen Gate über eine Diode die Taktsignale angelegt werden und dessen Gate durch eine Diode mit dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers und durch einen Widerstand mit dem Ausgang des Operationsverstärkers verbunden sein kann, um den Operationsverstärker-Ausgang in den Ruhetakten auf n-egativem Potential zu halten. Der Tastspeicher-Verstärker besteht zweckmässig aus einem Anreicherungs-MOSFET, an dessen Gate der Ausgang des Operationsverstärkers über den elektronischen Schalter und der Speicherkondensator angeschlossen sein können, wobei der Speicherkondensator und die Source-Elektrode des MOSFET an die gleiche konstante Bezugsspannung gelegt werden können. Es empfiehlt sich, die Bezugsspannung über einen Wider-

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stand an den Speicherkondensator anzulegen und durch entsprechende Dimensionierung für die Anordnung einer Zeitkonstante vorzusehen, die klein gegen die Dauer des Ladetaktes ist.

In der elektronischen Schalteinrichtung kann auch als Operationsverstärker ein sogenannter "OTA" (Operations-Transconductance-Amplifier) verwendet werden, in dessen Vorspannungsstromkreis der durch die Taktsignale gesteuerte elektronische Schalter geschaltet und dessen Ausgang an den Speicherkondensator und den Steuereingang des Tastspeicher-Verstärkers angeschlossen sein kann, wobei zweckmässig als elektronischer Schalter und als Tastspeicher-Verstärker wiederum je ein Anreicherungs-MOSFET verwendet wird.

In einem elektronischen Motorschutzrelais, bei dem, wie erwähnt, für eine grössere Zeitkonstante der Motornachbildung an den Fusspunkt deren Widerstandsnetzwerk vermittels eines Impedanzwandlers und eines Spannungsteilers ein Bruchteil der Ladespannung der Motornachbildung angelegt wird, kann vorteilhaft der Impedanzwandler selbst als Tastspeicher-Verstärker verwendet werden und die elektronische Schalteinrichtung zum Anschliessen des Speicherkondensators in den Ladetakten an den Ausgang des Impedanzwandlers und in den Ruhetakten an den Eingang des Impedanzwandlers eingerichtet sein. Hierzu kann die elektronische Schalteinrichtung zwei durch die Taktsignale gesteuerte Schalter enthalten, von denen der eine den Speicherkondensator mit dem Ausgang des Impedanzwandlers und der andere den Speicherkondensator über einen Widerstand mit dem Eingang des Impedanzwandlers verbindet und in den Ladetakten jeweils der erste Schalter leitend und der zweite Schalter nichtleitend ist und in den Ruhetakten die Schaltzustände der Schalter umgekehrt sind.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen mit Bezug auf die beiliegende Zeichnung ausführlich erläutert. Auf der Zeichnung zeigen:

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Fig. 1 ein Schaltbild einer Schaltungsanordnung zur Ladungszustandsanzeige, in welcher für einen Tastspeicher-Verstärker und einen Speicherkondensator eine Schalteinrichtung mit einem Differenzverstärker und einem taktsignalgesteuerten elektronischen Schalter vorgesehen ist,

Fig. 2 ein Schaltbild einer gegenüber der Ausführung nach Fig. 1 etwas abgeänderten Schaltungsanordnung mit einer einen OTA (Operations-Transconductance-Amplifier) enthaltenden Schalteinrichtung für den Tastspeicher-Verstärker und Speicherkondensator und

Fig. 3 ein Schaltbild einer Schaltungsanordnung zur Ladungszustandsanzeige mit einem Impedanzwandler als Tastspeicherverstärker.

Bei den nachfolgend behandelten Ausführungsbeispielen besteht die Motornachbildung aus zwei RC.Gliedern R., C , R₁ C , die zusammen mit einem Feldeffekttransistor als elektronischer Schalter S- zum Schutz vor Feuchtigkeit in einem Block 1 mit einer elektrisch isolierenden Masse vergossen sind. Der Block 1 weist eine Anzahl äusserer Anschlüsse auf, von denen der eine Anschluss E mit der Drainelektrode des Feldeffekttransistors und der Anschluss K₁ mit dessen Gate verbunden ist. An den Anschluss E ist die Ladestromquelle 2 angeschlossen und an den Anschluss K-sind die Taktsignale angelegt, so dass in den Ladetakten durch den leitend geschalteten Feldeffekttransistor Ladestrom I zur Motornachhildung fliesst. Der letzte VJidera

stand R des V.'iderstandsnetzwerkes der Motornachbildung ist an den Anschluss K„ und die beiden Kondensatoren C. und C„ sind an die Anschlüsse K_ und K angeschlossen. Eine so.lche Motornachbildung ist ausführlich in dem eingangs genannten Schweiz. Patent beschrieben.

An den mit dem elektronischen Schalter S,, der im folgenden als Hauptschalter bezeichnet wird, und mit der Ladestromquelle 2 verbundenen Anschluss E ist die Tastspeicher-Schaltungsanordnung Sompte and Hold an der elektrischen

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Motornachbildung angeschlossen, die den Tastspeicher-Verstärker 4, den Speicherkondensator C und die elektronische Schalteinrichtung 3 enthält.

Bei der in Fig. 1 gezeigten Schaltungsanordnung besteht der Tastspeicher-Verstärker 4 aus einem Anreicherungs-MOSFET vor. P-Kanal-Typ, dessen Source und Substrat an eine eine konstante positive Referenzspannung U_R führende Leitung angeschlossen und dessen Drain durch einen VJiderstand R_g mit Masse verbunden ist. Von der am VJiderstand R_ angeschlos-

senen Ausgangsklemme A wird die Ausgangsspannung der Schaltungsanordnung als Steuersignal für das elektronische Motorschutzrelais abgenommen. Die elektronische Schalteinrichtung 3 enthält im wesentlichen einen Operationsverstärker O^ und einen durch die Taktsignale gesteuerten elektronischen Schalter S , hier einen P-Kanal-Feldeffekttransistor, an dessen Gate über den Anschluss Κ_ς und eine Diode D₉ die Taktsignale angelegt sind. Bei dem Operationsverstärker 0-, ist der invertierende Eingang über einen Widerstand R- an den Eingangs-Anschluss E des Blocks 1 angeschlossen und an dem nichtinvertierenden Eingang ist die vom VJiderstand R_g abgegriffene Ausgangsspannung angelegt. Die Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors (S₂) verbindet den Ausgang des Operationsverstärkers 0, mit dem Gate des als Tastspeicher-Verstärker 4 dienenden MOSFET. Der Speicherkondensator C ist einerseits an das Gate des MOSFET und andererseits durch einen VJiderstand R₅ an die die Referenzspannung U führende Leitung 5 angeschlossen. Des weitern ist in der Schaltungsanordnung der Fig. 1 das Gate des Feldeffekttransistors (S ) noch über eine Diode D mit dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers O^ und durch einen VJiderstand R mit dessen Ausgang verbunden.

Der elektronische Schalter S~ der Schalteinrichtung 3 ist mit den gleichen Taktsignalen wie der Hauptschalter S des Motornachbildungs-Blocks 1 angesteuert. Mit einem Lade-Ta-ktsignal werden.beide Schalter S.. und S₂

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leitend geschaltet (Sample). Am invertierenden Eingang des Operationsverstärkers O₁ liegt dann die Ladespannung vom Schaltungspunkt P der Motornachbildung und der Speicherkondensator C lädt sich so lange um, bis die Eingangsspannung vom Anschluss E, d.h. die Ladespannung der Motornachbildung mit der Ausgangsspannung an der Ausgangsklemme A übereinstimmen. Im Ruhetakt sind die beiden Schalter S-. und S₂ nichtleitend (Hold) und der MOSFET (Tastspeicherverstärker 4) ist durch die Ladespan--nung des Speicherkondensators C„ angesteuert. Da während des Ruhetaktes bei nichtleitendem Feldeffekttransistor (S ) eine weitere Umladung des Speicherkondensators C^ nur durch die sehr geringen und zu vernachlässigenden Leckströme erfolgen kann, bleibt die Ausgangsspannung für die Dauer des Ruhetaktes praktisch konstant auf den am Ende des Ladetaktes vorhandenen Eingangsspannungspegel. Der Ausgang des Operationsverstärkers 0.. hingegen läuft während des Ruhetaktes auf ein Undefiniertes Potential, so dass zu Beginn'des nächstfolgenden Ladetaktes ein gewisser Ausgangshub durchfahren v/erden muss, d.h. dass während jedes Ladetaktes ein verhältnismässig ausgeprägter Ausgleichsvorgang erfolgt und der Einlauf auf den Spannungsendwert nach einer e-Funktion stattfindet. Damit dieser Ausgleichsvorgang nicht zu einer Schwingung entartet ist der Ausgang des Operationsverstärkers 0 während des Ruhetaktes durch Ansteuerung des invertierenden Eingangs vom Operationsverstärker 0 über die Diode D₁ auf negatives Potential geschaltet, um den Ausgangsspannungshub des Operationsverstärkers 0-. zu Beginn des folgenden Ladetaktes möglichst niedrig zu halten. Mit diesem negativen Potential am Ausgang des Operationsverstärkers O₁ wird auch ein sonst durch Driften der Ausgangsspannung mögliches Durchschalten des Feldeffekttransistors (Schalter S_) während des Ruhetaktes mit Sicherheit vermieden.

Der zum Speicherkondensator C zugeschaltete Widerstand R₁- dient zur Stabilisierung der Regelschleife. Bei

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direktem Anlegen der Referenzspannung O_x. an den Speicherkondensator C_ wurden nämlich Schwingungen auftreten, da die Spannungsabschw^chung durch das aus dem Durchlasswiderstand des Feldeffekttransistors (Schalter S„) und dem Speicherkondensator C_ gebildeten RC-Gliedes durch den MOSFET-Tastspeicher-Verstärker 4 mit einer Verstärkung von ca. 10 mindestens kompensiert wird, die zusätzliche Phasendrehung im kritischen Bereich aber grosser als 45 ist. Mit der Einfügung des eine ausreichende Grosse aufweisenden Widerstandes R^ wird eine zusätzliche Phasendrehung im kritischen Frequenzbereich unterdrückt, so dass die Schaltungsanordnung in den Ladetakten stabil arbeitet.

Es wurde bereits erwähnt, dass während des Ladetaktes der Angleich der Ausgangsspannung an die Eingangsspannung nach einer e-Funktion erfolgt. Da Leckströme unvermeidlich sind, wurden mit einer grossen Zeitkonstanten der Anordnung zusätzliche Fehler auftreten, denn ein exaktes Angleichen der Ausgangsspannung an die Eingangsspannung, d.h. an die Ladespannung der Motornachbildung wäre bei der kurzen Dauer des Ladetaktes nicht mehr möglich. Um solche zusätzliche Fehler zu vermeiden, muss daher die Anordnung eine gegen die Dauer des Ladetaktes kleine Zeitkonstante aufweisen.

Die elektronische Schalteinrichtung 3 könnte als Schalter S auch einen N-Kanal-Feldeffekttransistor enthalten. An den Anschluss K_ müsste dann der Ouer-Takt des Taktsignals angelegt werden und die Dioden D, und D_ in umgekehrter Polarität geschaltet sein. Die Verwendung eines N-Kanal-Feldeffekttransistors ist jedoch weniger günstig, da z.B. für den Ladetakt die vorstehend für einen P-Kanal-Feldeffekttransistor dargelegte optimale Ausgangsstellung des Operationsverstärkers O₁ verloren ginge.

In Fig. 2 ist ein Schaltbild für eine etwas abgewandelte Schaltungsanordnung wiedergegeben, die im Aufbau einfacher als die Schaltungsanordnung der Fig. 1 ist. Die

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elektronische Schalteinrichtung 3 enthält bei dieser Ausführung einen sogenannten OTA (Operations-Transconductance-Amplifier), also einen Operationsverstärker 0„ spezieller Ausführung. Der OTA verfügt über einen Stromausgang und wird über einen Vorspannungsstromkreis ein- und ausgeschaltet. Der invertierende Eingang dieses Operationsverstärkers O₂ ist wiederum durch einen V/iderstand R_ mit dem Eingangsanschluss E des Motornachbildungsblocks 1 verbunden und an den nichtinvertierenden Eingang ist die Ausgangsspannung angelegt. Der Ausgang des Operationsverstärkers O₉ ist an das Gate des als Tastspeicher-Verstärker 4 dienenden MOSFET angeschlossen. In den Vorspannungsstromkreis des Operationsverstärkers O₉ ist als elektronischer Schalter S' ein MOSFET vom N-Kanil-Typ geschaltet, an dessen Gate über den Anschluss K die Quer-Takte des Taktsignals für den Hauptschalter S, angelegt sind. Source und Substrat des MOSFET sind über einen Widerstand R₇ an den Vorspannungseingang des Operationsverstärkers 0„ angeschlossen. Der MOSFET (Schalter S') wird durch den Ladetakt leitend geschaltet und damit der OTA-Operationsverstärker O₉ aktiviert, so dass durch dessen Ausgangssignal der Speicherkondensator C_ umgeladen wird, bis die Ausgangsspannung am Tastspeicher-Verstärker 4 gleich der Eingangsspannung des Operationsverstärkers O₀ ist. Während des Ruhetaktes ist der Schalter S' nichtleitend, so dass der OTA-Operationsverstärker 0„ keinen Vorspiinnungsstrom aufnehmen kann und sein Ausgangsstrom gleich Null ist. Im Ruhetakt kann sich der Speicherkondensator C nur durch den sehr geringen Leckstrom des 0TA-0perationsverstärkers O- umladen, so dass im Ruhetakt die Ausgangsspannung der Schaltungsanordnung praktisch konstant bleibt. Infolge des Stromausganges des OTAe erfolgt während des Ladetaktes der Einlauf der Ausgangsspannung auf den Spannungswert der Eingangsspannung annähernd linear und da auch im Ruhetakt das Ausgangssignal des OTAs eindeutig definiert ist, treten hier die vorstehend bei

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Verwendung eines üblichen Operationsverstärkers in der Schalteinrichtung 3 beschriebenen Nebenerscheinungen nicht auf. Diese Schaltungsvariante ist daher besonders vorteilhaft.

Fig. 3 zeigt eine Schaltungsanordnung zur Anzeige des Ladungszustandes einer Motornachbildung ,bei welcher entsprechend dem vorstehend genannten Schweiz. Patent 5UO 587, zur Erhöhung der virtuellen Impedanz des Widerstandsnetzwerkes R-," R_ ein Impedanzwandler CL· vorgesehen ist, dessen Eingang an den Eingangsanschluss E des Motornachbildungsblockes 1 angeschlossen ist und dessen Ausgang überdie Source-Drain-Strecke eines Feldeffekttransistors Tr und einen Spannungsteiler R₀, z.B. an Nullpotential liegt. Der

Abgriff des Spannungsteilers R_R ist an den Fusspunkt: des Widerstandsnetzwerkes R₁ , R der Motornachbildung angeschlossen. Der Feldeffekttransistor Tr ist über den Anschluss K_ und die Diode D- mit Steuersignalen angesteuert, so dass er bei laufendem Motor sperrend und bei stehendem Motor leitend geschaltet ist. Der Feldeffekttransistor Tr mit seiner Diode D am Eingang bildet demnach einen Betriebsartschalter S_. Mit dem Leitendschalten des Feldeffekttransistor: Tr wird über den Spannungsteiler R₀ an den Fusspunkt des Widerstandsnetzwerkes R, , R^ ein bestimmter Bruchteil der Ladespannung am Schaltungspunkt P angelegt und damit die Zeitkonstante der Motornachbildung erhöht. Der hier bereits vorhandene Impedanzwandler 0 wird nun in der Schaltungsanordnung zur Anzeige des Ladungszustandes der Motornachbildung gleichzeitig als Tastspeicher-Verstärker verwendet. Die elektronische Schalteinrichtung 3 enthält zwei elektronische Schalter S und S und einen Widerstand R . Der einerseits an einem konstanten Bezugspotential liegende Speicherkondensator C_ ist andererseits durch den einen Schalter S der Schalteinrichtung 3 mit dem Ausgang des Impedanzwandlers 0 und durch den anderen Schalter S und den Widerstand R mit dem Eingang des Impedanzwandlers O₃ verbunden. Die Schalter S und S₁. sind mit dem über den

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Anschluss K^ an den Hauptschalter S angelegten Taktsignal angesteuert, wobei der Schalter S synchron mit dem Hauptschalter S arbeitet und an den Schalter S Quer-Takte des Taktsignals angelegt sind, so dass der Schalter S nichtleitend ist, wenn der Schalter S leitet und umgekehrt. Während des Ladetaktes sind der Hauptschalter S und der Schalter S^ leitend und der Schalter S₁. sperrt, so dass am Eingang des Impedanzwandlers die Ladespannung vom Schaltungspunkt P der Motornachbildung anliegt und der Speicherkondensator C auf die Nachbildungsspannung aufgeladen wird. Mit dem folgenden Ruhetakt werden der Hauptschalter S-, und der Schalter S nichtleitend und der Schalter S leitend geschaltetj so dass während dieses Taktes die Ladespannung des Speicherkondensators C am Eingang des Impedanzwandler 0 liegt und von dessen Ausgang A die entsprechende Ausgangsspannung abgenommen werden kann. Um bereits vorhandene Motornachbildung mit der elektronischen Schalteinrichtung und den Speicherkondensator C„ auszurüsten.

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Claims

Patentansprüche

ί 1.j Tastspeicher-Schaltungsanordnung an einer elektrischen Mcrtornachbildung in einem elektronischen Motorschutzrelais, in welchem die Motornachbildung von einer Ladestromquelle über einen durch Taktsignale gesteuerten Hauptschalter mit getaktetsm Ladestrom aufgeladen wird, dadurch gekennzeichnet, dass an die Motornachbildung (C.., R., C , R) über den Kauptschalter (S.) ein Tastspeicher-Verstärker (4; 0„) mit einem Speicherkondensator (C₃) und einer elektronischen Schalteinrichtung (3) angeschlossen und die elektronische Schalteinrichtung (3) durch die Takt signale gesteuert ist, wobei der Tastspeicher-Verstärker (4; 0«) mit dem Speicherkondensator (C₃) in den Ladetakten

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mit der Motornachbildung (C₁, C , R , R) für eine Umladung des Speicherkondensators (C₃) auf die Ladespannung der Motornachbildung elektrisch verbunden und in den Ruhetakten für eine Ansteuerung des Tastspeicher-Verstärkers (4; 0_) durch die Ladespannung des umgeladenen Speicherkondensators (C ) von der Motornachbildung elektrisch getrennt ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronische Schalteinrichtung (3) einen Operationsverstärker (0,; 0„) und einen durch die Taktsignale gesteuerten elektronischen Schalter (S ; S') enthält und der eine Eingang des Operationsverstärkers (O₁; 0_) über den Hauptschalter (S₁) mit der Motornachbildung (C₁, C , R , R) verbunden und an seinen anderen Eingang die Ausgangsspannung des Tastspeicher-Verstärkers . (H) angelegt ist, wobei vermittels des elektronischen Schalters (S ;S') an den Speicherkondensator (C ) und den Steuereingang des Tastspeicher-Verstärkers (4) nur in den Ladetakten das Ausgangssignal des Operationsverstärkers (O₁, 0„) angelegt ist, durch das der Speicherkondensator (C₃) bis auf

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einen Spannungswert ungeladen wird, bei dem die Ausgangsspannung des Tastspeicher-Verstärkers (4) gleich der Ladespannung der Motornachbildung (C , C_, R,, R„) ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang des Operationsverstärkers (0 ) durch den elektronischen S-chalter (S ) mit dem Speicherkondensator (C ) und den Steuereingang des Tastspeicher-Verstärkers (4) verbunden ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der elektronische Schalter (S₂) ein P-Kanal-Feldeffekttransistor ist, an dessen-Gate über eine Diode (D₁) die Taktsienale angelegt sind, und dass der Ausgang des Operationsverstärkers (0 ) in den Ruhetakten auf negatives Potential gehalten ist.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Gate des P-Kanal-Feldeffekttransistors (S_) durch eine Diode (D-) mit dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers (CL) und durch einen VJiderstand (R₄) mit dem Ausgang des Operationsverstärkers (CL) verbunden ist, um den Operationsverstärker-Ausgang in den Ruhetakten auf negativem Potential zu halten.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Tastspeicher-Verstärker (4) aus einem Anreicherungs-MOSFET besteht, an dessen Gate die elektronische Schalteinrichtung (3) und der Speicherkondensator (C ) angeschlossen sind, wobei der Speicherkondensator (C,) und die Source-Elektrode des MOSFET an eine Bezugsspannung (U_) gelegt sind.
7. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 3_bis6, dadurch gekennzeichnet, dass der Speicherkondensator (C ) über einen Widerstand (R_r) an die Bezugsspannung (U ) an-

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gelegt ist.
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass ihre Zeitkonstante klein gegen die Dauer des Ladetaktes ist.

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9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Operationsverstärker (0_) ein OTA (Operations-Transconductance-Ampl.) ist, in dessen Vorspannungsstromkreis der durch die Taktsignale gesteuerte elektronische Schalter (S') geschaltet und dessen Ausgang an den Speicherkondensator (C ) und den Steuereingang des Tastspeicher-Verstärkers (4) angeschlossen ist.
10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Tastspeicher-Verstärker aus einem Impedanzwandler'3^) und der Speicherkondensator (C_) durch die elektronische Schalteinrichtung (3) in den Ladetakten an den Ausgang des Impedanzwandlers und in den Ruhetakten an den Eingang des Impedanzwandlers angeschlossen ist.
11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Speicherkondensator (C_) mit dem Ausgang des Impedanzwandlers (0_) durch einen'elektronischen Schalter (S ) und mit dem Eingang des Impedanzwandler durch einen zweiten elektronischen Schalter (S ) und einen V/iderstand (R_q) verbunden ist, wobei in den Ladetakten der erste Schalter (S ) leitend und der zweite Schalter (S ) nichtleitend ist und in den Ruhetakten die Schaltzustände der Schalter (S , S) umgekehrt sind.

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