DE2512490C2

DE2512490C2 - Kippschalter

Info

Publication number: DE2512490C2
Application number: DE19752512490
Authority: DE
Inventors: Albert 7981 Berg Wasmeier
Original assignee: Rafi GmbH and Co Elektrotechnische Spezialfabrik
Current assignee: Rafi GmbH and Co Elektrotechnische Spezialfabrik
Priority date: 1975-03-21
Filing date: 1975-03-21
Publication date: 1982-04-15
Also published as: DE2512490A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Kippschalter, der aus einem zweiteiligen Gehäuse und einem darin schwenkbeweglich gelagerten, von außen bedienbaren Schalthebel, der in seinem mittleren Bereich sich quer zu seiner Längsachse erstreckende Nasen aufweist und an dessen im Innern des Gehäuses liegenden Ende ein koaxial im Innern des Schalthebels in diesem axial verschieblich gelagerter und in den beiden Endstellungen des Schalthebels in mit dem Bodenteil des Gehäuses fest verbundenen Rastmulden eingreifender Rastbolzen angeordnet ist und der eine in seinem Innern gelagerte Druckfeder aufweist, die sich einerseits auf dem Rastbolzen und andererseits auf dem Schalthebel abstützt und diesen mit seinen Nasen in Anlage mit Gehäusevorsprüngen hält, besteht.

Ein Kippschalter dieser Art ist durch das DE-GM 40 411 bekannt. Durch die in dem Schalthebel angeordnete Druckfeder wird hierbei der Rastbolzen gegen ein mechanisches Schaltwerk gedrückt, das üblicherweise mechanischen Schwingungen unterworfen ist und dessen Kontakte leicht korrodieren, so daß Störungen nicht auszuschließen sind.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen kontaktlos und prellfrei arbeitenden Kippschalter zu schaffen, der somit geeignet ist, mit elektronischen Bauelementen zusammenzuwirken.

Gemäß der Erfindung wird dies bei einem Kippschalter der vorgenannten Gattung dadurch erreicht, daß in dem Kippschalter-Gehäuse ein magnetisch beeinflußbarer Halbleiter angeordnet ist und daß der Schalthebel an seinem im Innern des Gehäuses liegenden Ende zwei

ίο den magnetisch beeinflußbaren Halbleiter beidseitig mit etwas Spiel umfassende parallele Arme aufweist, von denen mindestens einer einen Permanentmagneten trägt, der sich in der einen eingerasteten Stellung des Schalthebels in unmittelbarer Nähe des magnetisch beeinflußbaren Halbleiters befindet, in der anderen eingerasteten Stellung von diesem entfernt ist

Zweckmäßig ist es hierbei, den magnetisch beeinflußbaren Halbleiter auf einem bügelartigen Bauteil anzuordnen, das den Rand einer IC-Platte umfaßt, welche den vorzugsweise als Halbelement ausgebildeten magnetisch beeinflußbaren Halbleiter trägt. Außerdem sollte das Gehäuse aus einem Oberteil und einem mittels Rastnasen darin eingerasteten und damit starr verbundenen Bodenstück bestehen, an dem das bügeiförmige Bauteil einstückig ausgebildet ist.

Der gemäß der Erfindung ausgebildete Kippschalter arbeitet somit kontaktlos und prellfrei und ist besonders gut geeignet, mit elektronischen Bauelementen in Industriesteuerungen zusammenzuwirken. Außerdem sind die Bauelemente des Kippschalters gegen Umwelteinflüsse wie Staub, Feuchtigkeit, Erschütterungen und korrodierende Gase unempfindlich, und es sind nur wenige, verhältnismäßig leicht herzustellende Bauteile erforderlich, die auch eine leichte, schnelle und daher billige Montage erlauben.

Des weiteren ist eine hohe Lebensdauer gegeben, weil konstruktionsbedingt nur ein geringer Verschleiß auftritt. Daher ist die Lebensdauer der mechanisch bewegten Bauteile an die hohe Lebensdauer der magnetisch beeinflußbare Halbleiter enthaltenden elektronischen Bauteile für kontaktloses Schalten angepaßt. In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel des gemäß der Erfindung ausgebildeten Kippschalters dargestellt und nachfolgend im einzelnen erläutert.

Hierbei zeigt jeweils im Schnitt

F i g. 1 den Kippschalter in einer Seitenansicht und
F i g. 2 den Kippschalter nach F i g. 1 in Vorderansicht.
Der in den F i g. 1 und 2 dargestellte Kippschalter besteht im wesentlichen aus einem Gehäuseoberteil 1 mit darin mittels federnder Nase 2 eingerastetem Bodenstück 3, in welches Lötfahnen 4 eingesetzt sind, einem im Gehäuseoberteil 1 gelagerten Schalthebel 5, einer einen magnetisch beeinflußbaren Halbleiter 6, vorzugsweise ein sogenanntes Halbelement tragenden IC-Platte 6', die von einem mit dem Bodenstück 3 im Material verbundenen, bügeiförmigen Bauteil 7 gehalten wird, und einer Rastvorrichtung.
Der Schalthebel 7 trägt in seinem mittleren Bereich

6Ci beiderseits je eine als erstes Lagerelement dienende Nase 8, welche am oberen Ende je eines neben dem Schalthebel 5 im Gehäuseoberteil 1 befindlichen Kanals 9 anliegt. Jede der beiden Nasen 8 wird durch die Kraft einer im Schalthebel 5 angeordneten Feder 10 gegen je ein als Gegenlager dienendes, mit dem Gehäuseoberteil fest verbundenes zweiteiliges Lagerelement 9' gedrückt. Die Feder 10 liefert die Vorspannung für ein Rastwerk, welches aus dem Rastbolzen 11 und zwei auf der

Oberseite des Bauteils 7 befindlichen Rastmulden 12 besteht. Der Rastbolzen 11 hat zwei seitliche Vorsprünge 13, welche je in eine entsprechende seitliche Ausnehmung 14 des Schalthebels 5 ragen. Hierdurch wird die von Federkraft bewirkte Axiaibewegung des Rastbolzens 11 begrenzt.

Die Höhe der beiden seitlichen Vorsprünge 13 ist derart in bezug auf die untere Mündung der den Rastbolzen 11 aufnehmenden Bohrung des Schalthebels 5 bemessen, daß der Rastbolzen 11 mit mäßiger Kraftanstrengung ins Innere dieser Bohrung eingeschoben werden kann, wobei die untere, etwa ringförmige Mündung der Bohrung durch die beiden Vorsprünge 13 beim Hineindrücken etwa elastisch deformiert wird; die Kraft der Feder 10 reicht jedoch nicht aus, um die Vorsprünge des Rastbolzens durch die ringförmige Mündung der Bohrung hinauszudrücken.

Der Schalthebel 5 hat an seinem inneren Ende zwei ilen magnetisch beeinflußbaren Halbleiter beiderseits mit etwas Spiel umfassende parallele Arne 16 und 17. Wenigstens einer dieser beiden Arme trägt einen kleinen Permanentmagnet 19. Wenn zwei Permanentmagnete (19,20) verwendet werden, dann sind sie derart

angeordnet, daß der Nordpol de; einen Permanentmagneten dem Südpol des anderen Permanentmagneten gegenüberliegt.

Der magnetisch beeinflußbare Halbleiter 6 liegt in der Symmetrieebene des Schalthebels 5, welcher durch die beiden Endstellungen des Schalthebels 5 begrenzt ist Der magnetisch beeinflußbare Halbleiter 6 ist derart angeordnet, daß er in der einen Endstellung des Schalthebels 5 zwischen dem Permanentmagnet 19 und dem gegenüberliegenden Permanentmagnet 20 liegt, in der anderen Endstellung jedoch der bzw. die Permanentmagnete sich an einer abseits liegenden Stelle befinden.

Durch die Relativbewegung zwischen Permanentmagnet 19, 20 und dem magnetisch regelbaren Halbleiter 6 wird in diesem ein Signal erzeugt, welches über eine integrierte Schaltung an die Ausgänge, z. B. zwei Lötfahnen, gelangt.

Der den Mittelteil des Schalthebels 5 umfassende Teil des Gehäuseoberteils 1 trägt außen ein Gewinde 22, auf welches die zur Befestigung des Schalthebels 5 an einem Gerät bzw. in einer Platte dienende Rändelmuttem 23 aufgeschraubt s[nd.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Kippschalter, bestehend aus einem zweiteiligen Gehäuse und einem darin schwenkbeweglich gelagerten, von außen bedienbaren Schalthebel, der in seinem mittleren Bereich sich quer zu seiner Längsachse erstreckende Nasen aufweist und an dessen im Innern des Gehäuses liegenden Ende ein koaxial im Innern des Schalthebels in diesem axial verschieblich gelagerter und in den beiden Endstellungen des Schalthebels in mit dem Bodenteil des Gehäuses fest verbundenen Rastmulden eingreifender Rastbolzen angeordnet ist und der eine in seinem Innern gelagerte Druckfeder aufweist, die sich einerseits auf dem Rastbolzen und andererseits auf dem Schalthebel abstützt und diesen mit seinen Nasen in Anlage mit Gehäusevorsprüngen hält, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Kippschalter-Gehäuse ein magnetisch beeinflußbarer Halbleiter (6) angeordnet ist und daß der Schalthebel (5) an seinem im Innern des Gehäuses liegenden Ende zwei den magnetisch beeinflußbaren Halbleiter (6) beidseitig mit etwas Spiel umfassende parallele Arme (16, 17) aufweist, von denen mindestens einer einen Permanentmagneten (19) trägt, der sich in der einen eingerasteten Stellung des Schalthebels (5) in unmittelbarer Nähe des magnetisch beeinflußbaren Halbleiters (6) befindet, in der anderen eingerasteten Stellung von diesem entfernt ist.

2. Kippschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der magnetisch beeinflußbare Halbleiter (6) auf einem bügelartigen Bauteil (7) angeordnet ist, das den Rand einer IC-Platte (6') umfaßt, weiche den vorzugsweise als Halbelement ausgebildeten magnetisch beeinflußbaren Halbleiter (6) trägt.

3. Kippschalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse aus einem Oberteil (1) und einem mittels Rastnasen (2) darin eingerasteten und damit starr verbundenen Bodenstück (3) besteht, an dem das bügeiförmige Bauteil (7) einstückig ausgebildet ist.