DE2508091A1 - Verfahren zur herstellung isolierter siliciuminseln in einem substrat - Google Patents

Verfahren zur herstellung isolierter siliciuminseln in einem substrat

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    • H01L21/762Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76297Dielectric isolation using EPIC techniques, i.e. epitaxial passivated integrated circuit
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