DE2500291A1 - Spannungsabhaengiger widerstand - Google Patents

Abstract

Es handelt sich um einen spannungsabhängigen Widerstand, der einen gesinterten Körper enthält, der im wesentlichen aus ZnO als Hauptbestandteil und als Zusätze aus Wismutoxid (Bitief2Otief3), Titanoxid (TiOtief2) und einem Mitglied oder zwei Mitgliedern der Gruppe besteht, die aus Aluminiumfluorid (AlFtief3), Chromfluorid (CrFtief3), Nickelfluorid (NiFtief2) und Strontiumoxid (SrO) besteht, sowie Elektroden aufweist, die auf den gegenüberliegenden Oberflächen des gesinterten Körpers angebracht sind. Dieser spannungsabhängige Widerstand hat einen niedrigen C-Wert, einen hohen n-Wert und ein starkes Ableitungsvermögen (high power dissipation) für Stoßenergie sowie eine hohe Konstanz gegenüber hoher Gleichstrombelastung. Andere Zusätze, wie Kobaltoxid (CoO), Manganoxid (MnO), Bariumoxid (BaO), Boroxid (Btief2Otief3), Chromoxid (Crtief2Otief3), Nickeloxid (NiO) und Germaniumoxid (GeOtief2) verbessern die Spannungsnichtlinearität des gesinterten Körpers.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen spannungsabhängigen Widerstand (Varistor) mit nicht-ohmscher Eigenschaft (Spannungsabhängigkeit), die auf die Widerstandsmasse zurückzuführen ist, und im spezielleren auf einen spannungsabhängigen Widerstand, der als Überspannungsableiter (Stoßabsorber) und als Gleichstromstabilisator geeignet ist.

Zahlreiche spannungsabhängige Widerstände, wie z.B. spannungsabhängige Siliciumcarbidwiderstände, Selengleichrichter und Germanium- oder Silicium-p-n-Flächendioden, haben zur Stabilisierung von Spannungen von elektrischen Schaltungen oder zur Unterdrückung von in elektrischen Schaltungen induzierten ungewöhnlich hohen Spannungsstößen breite Anwendung gefunden. Die elektrischen Eigenschaften von solchen spannungsabhängigen Widerständen entsprechen der Gleichung worin V die Spannung über dem Widerstand, I der durch den Widerstand fließende Strom, C eine der Spannung bei einem gegebenen Strom entsprechende Konstante und der Exponent n ein Zahlenwert größer als 1 ist. Der Wert von n wird nach der folgenden Gleichung berechnet, worin Vtief1 und Vtief2 die Spannungen bei gegebenen Strömen Itief1 und Itief2 sind.

Der gewünschte C-Wert hängt von der vorgesehenen Spannung des Widerstands ab. Es ist im allgemeinen erwünscht, dass der n-Wert so groß wie möglich ist, weil dieser Exponent das Ausmaß bestimmt, in dem die Widerstände von den ohmschen Eigenschaften abweichen. Bequemerweise wird der durch Itief1, Itief2, Vtief1 und Vtief2 definierte n-Wert, wie in der Gleichung (2) gezeigt ist, zur Unterscheidung von dem n-Wert, der aufgrund anderer Ströme oder Spannungen berechnet wird, mit tief1ntief2 bezeichnet.

Spannungsabhängige Widerstände mit gesinterten Körpern aus Zinkoxid mit Zusätzen oder ohne Zusätze und mit an den Körpern angebrachter nicht-ohmscher Elektrode sind schon in den US-Patentschriften 3 496 512, 3 570 002, 3 503 029, 3 689 863 und 3 766 098 beschrieben worden. Die Nichtlinearität (Spannungsabhängigkeit) von solchen spannungsabhängigen Widerständen wird der Grenzfläche zwischen dem gesinterten Körper aus Zinkoxid mit Zusätzen oder ohne Zusätze und einer Silberfarbelektrode zugeschrieben und wird hauptsächlich durch Änderung der Zusammensetzung des gesinterten Körpers und der Silberfarbelektrode eingestellt. Daher ist es nicht einfach, den C-Wert innerhalb eines großen Bereichs einzustellen, nachdem der gesinterte Körper hergestellt worden ist. In ähnlicher Weise ist es bei spannungsabhängigen Widerständen, die Germanium- oder Silicium-p-n-Flächendioden darstellen, schwierig, den C-Wert innerhalb eines großen Bereichs einzustellen, weil die Nichtlinearität von diesen spannungsabhängigen Widerständen nicht auf die Masse, sondern auf den p-n-Übergang zurückzuführen ist. Außerdem ist es fast unmöglich, bei den oben erwähnten spannungsabhängigen Zinkoxidwiderständen und spannungsabhängigen Germanium- und Siliciumdiodenwiderständen, die Kombination von einem C-Wert höher als 100 Volt, einem n-Wert höher als 10 und hoher Stromstoßfestigkeit, die für Stromstöße über 100 A geeignet sind, zu erzielen.

Andererseits haben die spannungsabhängigen Siliciumcarbidwiderstände eine Nichtlinearität, die auf den Kontakten zwischen den einzelnen Körnern von Siliciumcarbid, die mit einem keramischen Bindematerial aneinander gebunden sind, d.h. auf der Masse selbst, beruht und kann der C-Wert durch Änderung einer Dimension in der Richtung, in der der Strom durch die spannungsabhängigen Widerstände fließt, geändert werden. Außerdem haben die spannungsabhängigen Siliciumcarbidwiderstände eine hohe Stromstoßfestigkeit, wodurch sie z.B. als Überspannungsableiter geeignet sind. Die Siliciumcarbidvaristoren haben jedoch einen relativ niedrigen n-Wert, der von 3 bis 7 reicht, was zu einer schwachen Stoßunterdrückung sowie einer schwachen Gleichstromstabilisierung führt. Ein anderer Nachteil der spannungsabhängigen Siliciumcarbidwiderstände als Gleichstromstabilisator liegt in dem großen Änderungsgrad des C-Werts und des n-Werts während des Gleichstromdauerbelastungstests.

Es sind andererseits auch spannungsabhängige Widerstände vom Massetyp mit einem gesinterten Körper aus Zinkoxid mit Zusätzen bekannt (US-Patentschriften 3 633 458, 3 632 529, 3 634 337, 3 598 763, 3 682 841, 3 642 664, 3 658 725, 3 687 871, 3 723 175, 3 778 743, 3 806 765, 3 811 103 und US-Patentanmeldungen Nr. 29 416, 388 169, 428 737 und 489 827). Diese spannungsabhängigen Zinkoxidwiderstände vom Massetyp enthalten als Zusätze eine oder mehrere Kombinationen von Oxiden oder Fluoriden von Wismut, Kobalt, Mangan, Barium, Bor, Beryllium, Magnesium, Calcium, Strontium, Titan, Antimon, Germanium, Chrom und Nickel und sind hinsichtlich des C-Werts einstellbar, und zwar hauptsächlich durch Änderung der Zusammensetzung des gesinterten Körpers und des Abstands zwischen den Elektroden, und weisen eine ausgezeichnete Spannungsabhängigkeit mit einem geeigneten n-Wert in einem Strombereich unter 10 A/cmhoch2 auf. Bei einem Strom über 10 A/cmhoch2 jedoch sinkt der n-Wert auf einen Wert unter 10. Dieser Nachteil dieser spannungsabhängigen Zinkoxidwiderstände vom Massetyp beruht wahrscheinlich hauptsächlich auf dem niedrigen n-Wert für einen niedrigeren C-Wert, insbesondere einem solchen unter 80 Volt. Im allgemeinen haben diese spannungsabhängigen Zinkoxidwiderstände vom Massetyp, wie sie vorstehend erwähnt sind, einen sehr niedrigen n-Wert unter 20, wenn der C-Wert unter 80 Volt liegt. Die Energieableitung bei Stoßenergie zeigt jedoch einen relativ niedrigen Wert im Vergleich mit dem betreffenden Wert des herkömmlichen spannungsabhängigen Siliciumcarbidwiderstands, so dass der Änderungsgrad des C-Werts z.B. 20 % nach dem Anlegen von zwei Standardstößen von 8 x 20 µs

Wellenformen bei einem Höchststrom von 500 A/cmhoch2 an die spannungsabhängigen Zinkoxidwiderstände vom Massetyp übersteigt. Ein anderer Nachteil dieser spannungsabhängigen Zinkoxidwiderstände vom Massetyp liegt in einer geringen Konstanz bei Gleichstrombelastung, insbesondere in einer erheblichen Abnahme des C-Werts, gemessen auch in einem Strombereich, wie z.B. 10 mA, nach dem Anlegen eines starken Gleichstroms an die spannungsabhängigen Widerstände, insbesondere wenn sie einen C-Wert unter 80 Volt haben. Diese Verschlechterung des C-Werts, insbesondere unter 80 Volt, ist unvorteilhaft z.B. für einen Spannungsstabilisator, bei dem eine große Genauigkeit und ein geringer Verlust für Niederspannungsschaltungen erforderlich sind. Diese Nachteile dieser spannungsabhängigen Zinkoxidwiderstände vom Massetyp beruhen wahrscheinlich in erster Linie auf dem niedrigen n-Wert für den niedrigeren C-Wert, insbesondere einen solchen unter 80 Volt. Die Entwicklung von spannungsabhängigen Widerständen mit einem C-Wert z.B. unter 80 Volt sind für die Anwendung von Niederspannungsschaltungen sehr gefragt, wie z.B. in der Autoindustrie und für Anwendungen im häuslichen Bereich, doch ist der n-Wert von herkömmlichen spannungsabhängigen Widerständen mit niedrigerem C-Wert zu klein, um in befriedigender Weise z.B. als Spannungsstabilisatoren und Stoßabsorber eingesetzt werden zu können. Aus diesen Gründen sind spannungsabhängige Widerstände dieses Typs mit einem C-Wert unter 80 Volt auf dem Niederspannungsgebiet kaum benutzt worden.

Es ist Ziel der Erfindung, einen spannungsabhängigen Widerstand mit einem niedrigen C-Wert unter 80 Volt, einem hohen n-Wert, auch in einem Strombereich zwischen 10 A/cmhoch2 und 100 A/cmhoch2, einem starken Ableitungsvermögen bei Stoßenergie und einer hohen Konstanz bei hoher Gleichstrombelastung vorzuschlagen.

Dieses Ziel und weitere Ziele der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit der dazugehörigen Zeichnung, die einen Querschnitt eines spannungsabhängigen Widerstands der Erfindung darstellen, zu entnehmen.

Vor einer ausführlicheren Beschreibung des Verfahrens zur Herstellung des gemäß der Erfindung vorgeschlagenen spannungsabhängigen Widerstands, soll dessen Aufbau unter Bezugnahme auf die einzige Figur in der Zeichnung erläutert werden. Die Ziffer 10 in der Zeichnung bezieht sich auf den spannungsabhängigen Widerstand als ganzen, der als aktives Element einen gesinterten Körper mit einem Paar Elektroden 2 und 3 aufweist, die in ohmschem Kontakt auf den gegenüberliegenden Oberflächen des gesinterten Körpers angebracht sind. Der gesinterte Körper 1 wird in der nachfolgend beschriebenen Weise hergestellt und besitzt irgendeine Form, wie z.B. eine kreisrunde, quadratische oder rechteckige Plattenform. Leitungsdrähte 5 und 6 sind mit den Elektroden 2 und 3 leitend verbunden, und zwar durch ein Verbindungsmittel 4, wie z.B. ein Lötmittel oder dergleichen.

Gemäß der Erfindung ist gefunden worden, dass ein spannungsabhängiger Widerstand, der einen gesinterten Körper mit einer Zusammensetzung enthält, die 0,1 bis 5,0 Mol-% Wismutoxid (Bitief2Otief3), 0,1 bis 3,0 Mol-% Titanoxid (TiOtief2) und einem oder mehreren Mitgliedern der Gruppe, die aus 0,01 bis 5,0 Mol-% Aluminiumfluorid (AlFtief3), 0,01 bis 5,0 Mol-% Chromfluorid (CrFtief3), 0,01 bis 5,0 Mol-% Nickelfluorid (NiFtief2) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Strontiumoxid (SrO) besteht, als Zusätze und Rest Zinkoxid (ZnO) als Hauptbestandteil entspricht, und auf den gegenüberliegenden Oberflächen des gesinterten Körpers Elektroden aufweist, nicht-ohmsche Eigenschaften (spannungsabhängige Eigenschaften) aufweist, die auf der Masse selbst beruhen. Daher kann der C-Wert des Widerstands ohne Beeinträchtigung des n-Werts durch Änderung des Abstands zwischen den Elektroden an den gegenüberliegenden Oberflächen geändert werden. Der spannungsabhängige Widerstand der Erfindung hat einen niedrigen C-Wert, einen hohen n-Wert, und zwar auch in einem Strombereich zwischen 10 A/cmhoch2 und 100 A/cmhoch2.

Gemäß der Erfindung kann eine große Konstanz bei Stoßimpulsen und einer hohen Gleichstrombelastung und ein höherer n-Wert mit einem niedrigen C-Wert, z.B. unter 80 Volt, erzielt werden, wenn der gesinterte Zinkoxidkörper (ZnO-Körper) als Zusätze 0,1 bis 5,0 Mol-% Wismutoxid (Bitief2Otief3), 0,1 bis 3,0 Mol-% Titanoxid (TiOtief2), ein oder zwei Mitglieder der Gruppe, die aus 0,01 bis 5,0 Mol-% Aluminiumfluorid (AlFtief3), 0,01 bis 5,0 Mol-% Nickelfluorid (NiFtief2), 0,01 bis 5,0 Mol-% Chromfluorid (CrFtief3) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Strontiumoxid (SrO) besteht, und mindestens ein Mitglied der Gruppe enthält, die aus 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO) und 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) besteht.

Gemäß der Erfindung kann die Konstanz bei hoher Gleichstrombelastung und Stoßspannung erheblich verbessert werden, wenn der gesinterte Zinkoxidkörper (ZnO-Körper) als Zusätze 0,1 bis 5,0 Mol-% Wismutoxid (Bitief2Otief3), 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO), 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO), 0,1 bis 3,0 Mol-% Titanoxid (TiOtief2), 0,01 bis 5,0 Mol-% Nickelfluorid (NiFtief2) und ein Mitglied der Gruppe enthält, die aus 0,01 bis 5,0 Mol-% Chromoxid (Crtief2Otief3), 0,01 bis 5,0 Mol-% Nickeloxid (NiO), 0,01 bis 5,0 Mol-% Bariumoxid (BaO), 0,01 bis 5,0 Mol-% Boroxid (Btief2Otief3) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Germaniumoxid (GeOtief2) besteht.

Der gesinterte Körper 1 kann nach einer auf dem Gebiet der Keramik bekannten Technik hergestellt werden. Die Ausgangsmaterialien mit den vorstehend angegebenen Zusammensetzungen werden in einer Nassmühle unter Bildung homogener Gemische vermischt. Die Gemische werden getrocknet und in einer Form zu den gewünschten Formen unter Anwendung eines Drucks von 50 bis 500 kg/cmhoch2 verpresst. Die Presskörper werden in Luft bei 1000 bis 1450°C für 1 bis 20 Stunden gesintert und dann im Ofen auf Raumtemperatur (etwa 15 bis etwa 30°C) abgekühlt. Die Gemische können bei 600 bis 1000°C vorkalziniert und pulverisiert werden, um das nachfolgende Verpressen zu erleichtern. Das zu verpressende Gemisch kann mit einem geeigneten Bindemittel, wie z.B. Wasser, Polyvinylalkohol usw., vermischt werden.

Es ist vorteilhaft, wenn der gesinterte Körper mit Schleifpulver, wie z.B. Siliciumcarbid mit einem mittleren Teilchendurchmesser von etwa 10 bis 50 µm feingeschliffen wird. Die gesinterten Körper werden auf den gegenüberliegenden Oberflächen mit Elektroden unter Anwendung irgendeiner anwendbaren und geeigneten Methode versehen, wie z.B. mittels Silberfarbauftrag, Aufdampfen im Vakuum oder Flammspritzen von Metall, wie z.B. Al, Zn, Sn und so weiter.

Die spannungsabhängigen Eigenschaften werden praktisch nicht durch die Art der benutzten Elektroden, jedoch durch die Dicke der gesinterten Körper beeinflusst. Insbesondere ändert sich der C-Wert im Verhältnis zu der Dicke der gesinterten Körper, während der n-Wert von der Dicke weitgehend unabhängig ist. Das besagt, dass die Spannungsabhängigkeit auf die Widerstandsmasse selbst und nicht auf die Elektroden zurückzuführen ist.

Leitungsdrähte können an den Elektroden in an sich üblicher Weise unter Anwendung herkömmlicher Lötmittel angebracht werden. Es ist bequem, einen leitfähigen Klebstoff zu verwenden, der Silberpulver und Harz in einem organischen Lösungsmittel enthält, um die Leitungsdrähte mit den Elektroden zu verbinden. Die spannungsabhängigen Widerstände der Erfindung haben eine hohe Konstanz bei dem Stromstoßtest, der unter Anwendung einer Stoßwellenform von 8 x 20 µs und über 500 A/cmhoch2 durchgeführt wird. Der n-Wert ändert sich nach den Erwärmungszyklen, dem Belastungsdauertest, dem Feuchtigkeitstest und dem Stoßdauertest nicht merklich. Zur Erzielung einer hohen Beständigkeit gegenüber Feuchtigkeit ist es vorteilhaft, wenn die erhaltenen spannungsabhängigen Widerstände in einem feuchtigkeitsfesten Harz, wie z.B. Epoxyharz und Phenolharz, in an sich bekannter Weise eingebettet werden.

Die nachfolgenden Beispiele erläutern bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung. Doch ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt.

Beispiel 1

Zinkoxid und Zusätze, wie in der Tabelle 1 angegeben ist, wurden in einer Nassmühle für 24 Stunden vermischt. Das Gemisch wurde getrocknet und in einer Form zu Scheiben mit einem Durchmesser von 13,5 mm und einer Dicke von 7 mm bei einem Druck von 250 kg/cmhoch2 verpresst.

Die verpressten Körper wurden in Luft unter den in der Tabelle 1 angegebenen Bedingungen gesintert und dann im Ofen auf Raumtemperatur abgekühlt. Der gesinterte Körper wurde auf den gegenüberliegenden Oberflächen bis zu der in der Tabelle 1 angegebenen Dicke mit Siliciumcarbidschleifmittel mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 30 µm geschliffen. Die gegenüberliegenden Oberflächen des gesinterten Körpers wurden mit einem Aluminiumfilm durch Spritzmetallisieren nach an sich bekannter Verfahrensweise versehen.

Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen gesinterten Körper werden in der Tabelle 1 angegeben, die zeigt, dass sich der C-Wert annähernd im Verhältnis mit der Dicke des gesinterten Körpers ändert, während die ntief1- und ntief2-Werte dem n-Wert entsprechen, der zwischen 0,1 mA und 1 mA bzw. zwischen 10 A und 100 A gegeben ist, und die n-Werte von der Dicke des gesinterten Körpers im wesentlichen unabhängig sind. Es ist zu erkennen, dass die Spannungsabhängigkeit des gesinterten Körpers auf dem gesinterten Körper selbst beruht.

Beispiel 2

Zinkoxid und die in der Tabelle 2 angegebenen Zusätze wurden nach dem in dem Beispiel 1 angegebenen Verfahren zu spannungsabhängigen Widerständen verarbeitet, mit der Ausnahme jedoch, dass in diesem Beispiel 2 das Sintern bei 1350°C für eine Stunde durchgeführt wurde. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Widerstände werden in der Tabelle 2 angegeben. Die Dicke beträgt 1 mm. Der

Änderungsgrad der C- und n-Werte nach einem Impulstest und einem Gleichstrombelastungsdauertest werden in der Tabelle 2 angegeben. Der Impulstest wurde durch Anwendung von 10hoch5 Impulsen von 8 x 20 µs, 500 A, durchgeführt, und der Gleichstrombelastungsdauertest wurde unter Anwendung einer Gleichstrombelastung von 2 Watt bei einer Umgebungstemperatur von 70°C für 1000 Stunden durchgeführt. Es ist zu ersehen, dass durch den weiteren Zusatz von Kobaltoxid und/oder Manganoxid ein höherer n-Wert, ein niedrigerer C-Wert und geringe Änderungsgrade der C- und n-Werte nach dem Impulstest und dem Gleichstrombelastungsdauertest erzielt werden.

Beispiel 3

Zinkoxid und die in der Tabelle 3 angegebenen Zusätze wurden nach dem Verfahren des Beispiels 1 zu spannungsabhängigen Widerständen verarbeitet, mit der Ausnahme jedoch, dass das Sintern bei 1350°C für eine Stunde durchgeführt wurde. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Widerstände werden in der Tabelle 3 angegeben. Die Änderungsgrade des C- und n-Werts nach dem Impulstest und nach dem Gleichstrombelastungsdauertest, die nach den in dem Beispiel 2 angegebenen Methoden durchgeführt wurden, mit der Ausnahme, dass in diesem Beispiel 3 10hoch6 Impulse angewendet wurden, werden in der Tabelle 3 angegeben. Es ist zu ersehen, dass der gemeinsame Zusatz von Wismutoxid, Kobaltoxid, Manganoxid, Titanoxid, Nickelfluorid und einem Mitglied der Gruppe, die aus Chromoxid, Nickeloxid, Bariumoxid, Boroxid und Germaniumoxid besteht, zu einem hohen n-Wert, einem kleineren Änderungsgrad des n-Werts und einem niedrigen C-Wert im Vergleich mit den Angaben in den oben genannten US-Patentschriften und dem Beispiel 2 führt. Unter einem positiven Änderungsgrad des n-Werts ist zu verstehen, dass die spannungsabhängige Eigenschaft nach dem Test verbessert ist und dass die Zuverlässigkeit auf dem Niederspannungsanwendungsgebiet vergrößert ist.

Beispiel 4

Die Widerstände der Beispiele 1, 2 und 3 wurden nach einer Methode getestet, die für elektronische Bauteile in großem Umfange benutzt wird. Ein Erwärmungszyklustest wurde durchgeführt, indem ein Zyklus 5 mal wiederholt wurde, bei dem die Widerstände bei einer Umgebungstemperatur von 85°C für 30 Minuten gehalten, dann schnell auf -20°C abgekühlt und bei dieser Temperatur für 30 Minuten gehalten wurden. Der Feuchtigkeitstest wurde bei 40°C und einer relativen Feuchte von 95 % für 1000 Stunden durchgeführt. In der Tabelle 4 sind die durchschnittlichen Änderungsgrade des C-Werts und des n-Werts von den Widerständen nach dem Erwärmungszyklustest und dem Feuchtigkeitstest angegeben. Es ist zu ersehen, dass jede Probe nur einen geringen Änderungsgrad aufweist.

Tabelle 1

Tabelle 2

Tabelle 3

Tabelle 4

Claims (13)

1. Spannungsabhängiger Widerstand vom Massetyp, dadurch gekennzeichnet, dass er einen gesinterten Körper enthält, der im wesentlichen aus Zinkoxid als Hauptbestandteil und als Zusätze aus 0,1 bis 5,0 Mol-% Wismutoxid (Bitief2Otief3), 0,1 bis 3,0 Mol-% Titanoxid (TiOtief2) und einem oder zwei Mitgliedern der Gruppe besteht, die aus 0,01 bis 5,0 Mol-% Aluminiumfluorid (AlFtief3), 0,01 bis 5,0 Mol-% Chromfluorid (CrFtief3), 0,01 bis 5,0 Mol-% Nickelfluorid (NiFtief2) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Strontiumoxid (SrO) besteht, und Elektroden aufweist, die an den gegenüberliegenden Oberflächen des gesinterten Körpers angebracht sind.

2. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze im wesentlichen aus 0,1 bis 5,0 Mol-% Wismutoxid (Bitief2Otief3), 0,1 bis 3,0 Mol-% Titanoxid (TiOtief2) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Aluminiumfluorid (AlFtief3) bestehen.

3. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze im wesentlichen aus 0,1 bis 5,0 Mol-% Wismutoxid (Bitief2Otief3), 0,1 bis 3,0 Mol-% Titanoxid (TiOtief2) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Strontiumoxid (SrO) bestehen.

4. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze im wesentlichen aus 0,1 bis 5,0 Mol-% Wismutoxid (Bitief2Otief3), 0,1 bis 3,0 Mol-% Titanoxid (TiOtief2) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Nickelfluorid (NiFtief2) bestehen.

5. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze im wesentlichen aus 0,1 bis 5,0 Mol-% Wismutoxid (Bitief2Otief3), 0,1 bis 3,0 Mol-% Titanoxid (TiOtief2) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Chromfluorid (CrFtief3) bestehen.

6. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze außerdem mindestens ein Mitglied der Gruppe enthalten, die aus 0,1 bis 3 Mol-% Kobaltoxid (CoO) und 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) besteht.

7. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze außerdem mindestens ein Mitglied der Gruppe enthalten, die aus 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO) und 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) besteht.

8. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze außerdem mindestens ein Mitglied der Gruppe enthalten, die aus 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO) und 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) besteht.

9. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze außerdem mindestens ein Mitglied der Gruppe enthalten, die aus 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO) und 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) besteht.

10. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze außerdem mindestens ein Mitglied der Gruppe enthalten, die aus 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO) und 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) besteht.

11. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze sowohl 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO) als auch 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) enthalten.

12. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze außerdem ein Mitglied der

Gruppe enthalten, die aus 0,01 bis 5,0 Mol-% Chromoxid (Crtief2Otief3), 0,01 bis 5,0 Mol-% Nickeloxid (NiO), 0,01 bis 5,0 Mol-% Bariumoxid (BaO), 0,01 bis 5,0 Mol-% Boroxid (Btief2Otief3) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Germaniumoxid (GeOtief2) besteht.

13. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusätze im wesentlichen aus 0,1 bis 5,0 Mol-% Wismutoxid (Bitief2Otief3), 0,1 bis 3,0 Mol-% Kobaltoxid (CoO), 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO), 0,1 bis 3,0 Mol-% Titanoxid (TiOtief2), 0,01 bis 5,0 Mol-% Nickelfluorid (NiFtief2) und 0,01 bis 5,0 Mol-% Chromoxid (Crtief2Otief3) bestehen.