DE2514998A1 - Spannungsabhaengiger widerstand - Google Patents
Spannungsabhaengiger widerstandInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
Description
Spannungsabhängiger ,/iderstand
öpannungsaDhängiger widerstand mit einem Sinterkörper, der im
wesentlichen aus ZnO als Hauptbestandteil sowie aus ,/isiauthoxid
(BipO^), Oobaltoxid (GoO) und/oder manganoxid (IvInO) und/
oder Aluminiumoxid (AIpO,) und Galliumoxid (Ga2O.,) und/oder
Indiumoxid (In2O.,) als Zusätzen besteht und auf gegenüberliegenden
Seiten des Sin-cerkörpers mit Elektroden versehen ist.
Dieser spannungsabhängige widerstand hat einen niedrigen G-./ert,
einen hohen n-»iiertf eine hohe Aufnahmefähigkeit für Strom- bzw.
Spannungsimpulse und eine hohe Stabilität unter hoher G-leiohlast.
Andere Zusätze wie l'itanoxid (TiO2), Chromoxid (Cr2O5)
und Nickeloxid (NiO) verbessern die Spannungsabhängigkeit des SinterKörpers.
Die vorliegende Erfindung betrifft einen spannungsabhängigen
widerstand (Varistor), üessen nichtohmsehe eigenschaft (Span-
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nungsaonangigiceit) von seiner .,lasse verursacht wird, und insbesondere
einen spannungsabiiängigen ,widerstand, der geeignet ist als Strom- bzw. Spannungsstoß absorber und als Gleichspannungss'Cabilisatoro
Zur stabilisierung von Spannungen in elektrischen Schaltungen
und zur unterdrückung von anomal honen Spannungs- bzw. Stromstößen,
die in elektriscnen Stromkreisen auftreten können, hat man bisher verschiedene spannungsabhängige widerstände eingesetzt
- wie bspw. Siliziumkarbidwiderstände, Selengleichrichter
sowie Pli-Sperrschichtdioden aus Germanium oder Silizium.
Die elektrischen jüigenscnaften solcher spannungsabhängigen
,/iderstände lassen sich durch die Beziehung
(1)
V n
ausdrücken, in der V die Spannung über dem V/iderstand, I der
Strom durch den widerstand, 0 eine Konstante, die der Spannung bei vorgegebenem Strom entspricht, und der Exponent η ein dimensionsloser
iiert größer als 1 sind. Der v/ert von η läßt sich
nach folgender ü-leichung bestimmen:
IQg10(I2Zl1) 10g10(W
in der V-, und Vp die Spannungen am Punkt I1 bzw. I2 sind. Der
gewünschte wert von ü hängt von der Anwendung ab, für die der ividersxand ausgelegt werden soll. Gewöhnlich ist erwünscht, den
n-.i/ert so hoch wie möglich zu machen, da dieser Exponent das
Ausmaß bestimmt, in dem der widerstand vom ohmscnen Verhalten abweicht. 'Den. n-vVert, der durch die werte I-, , Ip» V1 und Vp entsprechend
der Gleichung (2) definiert ist, wird auch mit "^2"
bezeichnet, um eine Unterscheidung zu den n-Yerten bei anderen
Strömen und Spannungen zu ermöglichen.
Spannungsabhängige ,/iderstände mit Sinterkörpern aus Zinkoxid
mit oder ohne Zusätzen sowie nichtohmschen Elektroden sind bspw. in den US-PSn 3 496 512, 3 570 002, 3 503 029, 3 689 863 und
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nm 'ii __m
und 5 766 09Ö offenbart, i/ie Niehtlinearität (Spannungsabhängigkeit)
derartiger spannungsabhängigen ,/iderstände wird durch
die Grenzfläche zwischen dem Zinkoxid-Sinterkörper (mit oder ohne Zusetzen) und einer silberleitlackelektrode verursacht
und im wesentlicnen eingestellt, indem man die Zusammensetzung des ointerkörpers und der Silberleitlackelektrode ändert, jäs
ist folglich nicht einfach, den (Wert innerhalb eines breiten Bereiches einzustellen, nach dem der sinterkörper fertiggestellt
ist. i<eiterhin ist es bei spannungsabhängigen Widerständen
in ij'orm von PN-Sperrschichtdioden aus Silizium oder
Germanium schwierig, den CWert innerhalb eines breiten Bereichs
einzustellen, da die Niehtlinearität dieser spannungsabnängigen widerstände nicht an der ,»iderstandsmasse selbst
Iieü~t, sondern an der PN-Sperrschicht. Zusätzlich ist es bei
den erwähnten Zinkoxid-i/iderständen und den Silizium- bzw.
Germanium-PN-Sperrschichtdioden fast unmöglich, gleichzeitig
sowohl einen hohen C-»/ert von mehr als 100 V, einen n-./ert von
mehr als 10 und einen hohen Impulswiderstand zu erreichen, der für Stromstöße von mehr als 100 A geeignet ist.
Andererseits sind die spannungsabhängigen Siliziumkarbidwiderstände
spannungsabhängig infolge der Berührungssteilen zwischen
den einzelnen Siliziumkarbidkörnchen, die über ein keramisches Bindemittel miteinander verbunden sind, d.h. infolge der ,/iderstandsmasse
selbst, und den G-,vert kann man steuern, indem man die Dimension in derjenigen üichtung einstellt, in der der
spannungsabhängige widerstand vom Strom durchflossen wird. Zusätzlich naben spannungsabhängige ,/iderstände aus Siliziumkarbid
einen honen Ixapulswiderstand, was sie für den Einsatz
bspw. als Stromstoßabsorber geeignet macht. Siliziumkarbidvaristoren haben jedoch einen verhältnismäßig geringen n-Wert
im Bereich von 3 bis 7, der eine schlechte Impulsunterdrückung und eine schlechte Gleichspannungsstabilisierung ergibt. Ein
weiterer Mangel von spannungsabhängigen Widerständen aus Siliziumkarbid
beim Einsatz als Gleichspannungsstabilisatoren ist
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die starve Änderung des U-wertes und des η-,/ertes innerhalb der
Standzeit des .liderstandes unter Gleichlast.
JiS sina andererseits spannungsabhängige kassewiderstände mit
einem binOerkörper aus Zinkoxid mit Zusätzen bekannt geworden;
vergl. die US-PSn 3 633 45β, 3 632 529; 3 634 337; 3 598 763,
3 682 ö41, 3 642 664, 3 658 725, 3 6ö7 871, 3 723 175, 3 778 743,
3 806 765, 3 811 103 sowie die uS-ratentanmeidungen Nr. 29 416,
388 169, 42b 737 und 489 827. !Diese spannungsabhängigen Massewiderstände
aus Zinkoxid enthalten als Zusätze einzeln oder in Kombination Oxide or Fluoride von ,/ismuth, Kobalt, Mangan,
Barium, Bor, Beryllium, Magnesium, Calcium, Strontium, 2itan, Antimon, Germanium, Chrom und Nickel, und der C-tfert läßt sich
hauptsächlich durch Ändern der Zusammensetzung des Sinterkörpers und der üntfernung zwischen den Elektroden einstellen. Im
Strombereich unterhalb 10 A/cm ist ihre Spannungsabhängigkeit, gemessen am n-,/ert, ausgezeichnet. Bei Strömen von mehr als
10 A/cm sinkt der n-»,iert jedoch auf unter 10 ab. Dieser Mangel der spannungsabhängigen uassewiderstände aus Zinkoxid liegt
vermutlich an inrem niedrigen n-./ert bei niedrigem C-Wert - insbesondere
bei einem C-j/ert von weniger als 80 V. Im allgemeinen
haben diese spannungsabhängigen Massewiderstände aus Zinkoxid einen sehr geringen n-,iert - bspw. weniger als 20 -, wenn der
C-i/ert unter 80 V liegt. Gegenüber herkömmlichen spannungsabhängigen
i/iderständen aus Siliziumkarbid ist die Aufnahmefähigkeit
für Impulsenergie jedoch verhältnismäßig gering, so daö
beim Anlegen von zwei Normimpulsen von 8 χ 20 /us bei einem
üpitzenstrom von 500 A/cm der ü-v/ert eines spannungsabhängigen
Liassewiderstandes aus Zinkoxid sich um bspw. mehr als 20 %
ändert. Ein weiterer mangel derartiger spannungsabhängiger Massewiderstände
aus Zinkoxid ist die "schlechte Stabilität unter Gleichlast' - insbesondere die erhebliche Abnahme des C-vvertes
im Bereich von Strömen von 10 mA nach Anliegen einer hohen Gleichlast; dies gilt insbesondere für »/iderstände mit einem
(Wert von weniger als 80 V. Diese Abnahme des C-,'7ertes - insbesondere
weniger als 80 Y - ist ungünstig bspw. für einen
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Dpannungsstabilisator, der bei itfiederspannungsstromkreisen
eine hohe Genauigkeit und niedrige Verluste haben muß. Diese Mangel der spannungsaohängigen iuas se widerstände aus Zinkoxid
liegen vermutlich in der Hauptsache an ihr era geringen n-//ert
bei niedrigem. J-*/ert - insbesondere bei weniger als 80 V. Die
.nirrfcwiciclung von spannungsabhängigen widerständen mit ü-y/erten
von bspw. weniger als 80 Y ist für Anwendungsfälle in Niederspannungsscnaltungen
erforderlich - bspw. in der Automobilindustrie und für Haushaltsgeräte, Der n-,,"ert eines herkömmlichen
spannungs abhang igen Widerstandes mit niedrigem C-,i/ert
ist jedoch für die Verwendung als Spannungsstabilisator und Impulsstromabsorber zu gering. Aus diesem Grund hat man spannungsabhängige
Widerstände dieses Typs mit einem C-./ert von weniger als 80 V bisher für Niederspannungsanwendungexi kaum
eingesetzt.
üs ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen spannungsabhängigen
.äderstand mit einem niedrigen CJ-v/ert von weniger
als 80 V, einem hohen n-^ert auch im Strombereich zwischen 10
und 100 A/cm , hoher Leistungsaufnahmefähigkeit für Stromstöße und honer Scabilität unter starker Gleichlast anzugeben.
!Dieses und andere Ziele der vorliegenden Erfindung ergeben sich
aus der folgenden detaillierten Beschreibung unter Bezug auf die beigefügte Zeichnung, in der die einzige i'igur eine Schnittdarstellung
eines spannungsabhängigen ,Widerstandes nach der vorliegenden
Erfindung ist.
Vor einer detaillierten Beschreibung des Herstellungsverfahrens für den von der vorliegenden Erfindung erfaßten spannungsabnängigen
„iderstand soll dessen Aufbau unter Bezug auf die einzige i'igur erläutert werden, in der das Bezugszeichen 10 einen
apannungsaDhongisen widerstand insgesamt bezeicnnet, der als
aktives element einen dinterkörper mit einem Paar ülektroden
und 5 aufweist, die in in ohmschem Kontakt mit entgegengesetzten Überflächen des ainterkörpers stehen. Der Sinterkörper 1 wird
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auf eine unten anzugeoende Art und jeise hergestellt und kann
in jj'orin. eines Kreisförmigen, rechteckigen oder quadratischen
tlättchens ausgestaltet sein, jjie Anschluß drähte 5 und 6 sind
leitend über eine Verbindung 4 wie einen Lottropfen oder dergl.
mit den .elektroden 2 bzw. 3 verbunden.
iiis r±at sicn nerausgestellt, daß ein spannungsabhängiger ,/iderstand
mit einem dintericörper, der als Zusätze 0,1 ... 5,0 Mol-yi
«iismutnoxid (Bi2O-,), mindestens ein Mitglied der aus 0,1 ...
3,υ Mol--/» Gobaltoxid (Gou) und 0,1 ... 3,0 M0I-70 Manganoxid
(IVInO) bestehenden Gruppe und 0,01 ... 5,0 Mol-70 Galliumoxid
(Ga2O.,) enthält und zum Hest aus Zinkoxid (ZnO) als Hauptbestandteil
besteht, bzw. als Zusätze 0,1 ... 5,0 hlol-Jb -/ismutoxid
(BipO^z), mindestens ein Mitglied der aus 0,1 ... 3,0 Mo 1-$
Gobaltoxid (GoO) und 0,1 ... 3,0 Mol-yo Manganoxid (MnO) bestenenden
Gruppe , 0,01 ... 5,0 Mo1-$ Galliumoxid (Ga2O^), 0,01
... 5,υ liol-ye Aluminiumoxid (Al2O^) und/oder 0,01 ... 5,0 Mol-56
Indiumoxid (In2O5) enthält, wobei der iiest als Hauptbestandteil
aus Zinkoxid (ZnO) besteht, sowie mit auf gegenüberliegenden Flächen des ointerkörpers aufgebrachten Elektroden aufgrund der
widersxandsmasse selbst nicntohmsch bzw. spannungsabhängig ist.
dein G-./ert läßt sich also ohne Beeinträchtigung des n-./ertes
einstellen, indem man den Abstand zwischen den elektroden auf den gegenüberliegenden Oberflächen ändert. Nach der vorliegenden
jjrfinaung hat der s ρ annungs abhängige „-id er stand einen
niedrigen J-wert und einen hohen n-.,ert auch im Btrombereich
von 10 bis 100 A/om2.
der vorliegenden Erfindung lassen die Stabilität unter
st anteil Jtromstöiien und hoher Gleichlast sowie ein höherer
η-wert oei geringem G-Wert - bspw. weniger als 80 V - sich
erreicnen, wenn aer Ζηυ-bintericörper a±s Zusätze 0,1 ... 5,0
Mol-70 'j/ismutnoxid (Bi2G,)» mindestens ein Mitglied der aus
ü,l ... 3,0 Mol—/β Gobaltoxid (GoO) und 0,1 ... 3,0 Mol-^fe Manganoxid
(MnO) bestehenden Gruppe und 0,01 ... 5,0 Mol-$ Galliumoxid
(Ga?0,) und 0,1 ... 3,0 Mol-$ Titanoxid (5BiO2) enthält
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iond aie ZusaiWJiensetzung a±s Zusätze 0,1 ... 5,0 Mol-yo ,/israuthoxid
(Bi2O5), mindestens ein i/iitglied der aus 0,1 ... 5,0 ilol-fo
Oobaltoxid (GoO) und 0,1 ... 3,0 M0I--/0 Manganoxid (IvInO) bestenenden
G-ruppe, 0,01 ... 5,0 Mol-> Galliumoxid (Ga2O5), 0,01
... 5,ü Mol-> Aluminiumoxid (AIpO5) und/oder υ,01 ... 5,0 Moi-/o
Indiumoxid (In2O5) und 0,1 ... 5,0 Mol-y0 Titanoxid (11IO2), liest
Zinkoxid ^1ZnO) als Hauptbestandteil, enthält.
der vorliegenden Erfindung lassen sich die Stabilität unter
hoher (ileichlast und noher Iapulslast weiter verbessern, wenn
der zinkoxid (ZnO)-Sinterkörper als Zusätze 0,1 ... 5,0 Iiol-^
./isiauthoxid (Bi2O5) , 0,1 ... 3,0 MoI-^ Gobaltoxid (GoO),
0,1 ... 3,0 M0I-70 Manganoxid (MnO), 0,01 ... 5,0 Mol-# Galliumoxid
(Ga^O5), mindestens ein Mitglied der aus 0,1 ... 5,0 Μ0Ι-/0
iiiciceloxid (Nio) und 0,01 ... 5,0 Mol-^>
Chromoxid (Cr U5) bestehenden Gruppe und 0,1 ... 3,0 Mol->
Titanoxid (TiO2) enthält und eine Zusammensetzung aufweist, die als Zusätze 0,1
5,0 Mol-1/« .vismuthoxid (BipO.,), mindestens ein Mitglied der aus
0,1 ... 3,0 Mol-/» Gobaltoxid (CoO) und 0,1 ... 3,0 Μ0Ι-/0 Manganoxid
(IVInO) bestehenden Gruppe, 0,01 ... 5,0 Mol-y« Galliumoxid
(Ga2U,), 0,01 ... 5,0 Mol-yo Aluminiumoxid (Al?ü^) und/
oder 0,01 ... 5,0 Mol->o Indiumoxid (In3O5), 0,1 ... 3,0 Mol-yb
Titanoxid (TiO2) und mindestens ein Mitglied der aus 0,1 ...
5,0 Mol-70 Nickeloxid und 0,01 ... 5,0 MoI-^0 Gnromoxid (Cr2O5)
bestehenden 'Gruppe, liest Zinkoxid (ZnO) als Hauptbestandteil,
enthält.
jjer Sinterkörper 1 läßt sich nach bekannten Verfahren der Keramiktechnik
herstellen. Die ^usgangsmaterialien der Zusamaiensetzung
werden naiö zu homogenen Mischungen vermählen und die
«iischunäen dann getrocknet und in einer ilorm unter ^rücken von
50 ... 500 kg/cm zur gewünschten Gestalt gepreßt. Uie Preßlinge
sintert man in xiuft eine bis 20 Std. bei 1000 ... 145O0C
in jjuft und ofenkühlt sie dann auf Ilaumtemperatur ab (etwa
15 ... 300C). .,lan kann aie Mischung bei 6oO ... 1000°G vorkaln
und uann pulvern, damit sie sich im nachfolgenden preß-
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vorhang xeionuer Deharideln läßt, .,,ie zu verpreßende ..iiscnung
iCarm mit eint^ geeigneten ^inaeiuicüel »/ie .as^er, olwinvlalktonol
una d.rgl. versexzt werden. As ist von Vorteil, den
Sinterkörper an den gdgenüoerliegenden i'läcrien mit einem
Schleifpulver wie Siliziumkarbid mit einem mittleren Teilchendur
c !messer von etwa 10 ... 50 /um. zu läppen. Die Sinterkörper
versient man auf den gegenüberliegenden .Flächen mit Elektroden,
wozu /nan jedes geeignete und verfügbare Verfahren anwenden
üoxin - bsp.v. den Auftrag von oiloerleitlack, Aufdampfen
oder Heißaufsprühen von Metallen wie Al, Zn, Sn, usw.
Die bpannungsabhängigKieit wird in der Praxis von der Art der
eingesetzten .ileittroden nicht beeinflußt, aber von der Dicke
der öinterkörper. Insbesondere hängt der G-./ert von der Dicke
des Sinterkärpers ab, wänrend der η-,/ert von der Dicke fast
unabhängig ist. Dies bedeutet, daß mit Sicherneit die Spannungsabhängigkeit eine JJ'olge der ,viderstandsmasse selbst, nicht
aber der Elektroden ist.
Die ZuIeitungsdrähte können an den Elektroden auf an sich bekannte
»/eise mit herkömmlichem Lot angebracht werden. Bequemerweise
verwendet man einen leitenden klebstoff mit Silberpulver und iiax'z in einem organischen Lösungsmittel, um die Zuleitungsdrähte an den Elektroden zu befestigen. Spannungsabhängige
widerstände nach der vorliegenden Erfindung haben im Impulstest, d.h. beim Anlegen einer Stoßwelle aus Stromimpulsen von
mehr als 5oO A/cm einer Dauer von jeweils 8 χ 20 /us, eine
hohe Stabilität. Der n-,i"ert hatte sich nach den Erwärmungszyklen, dem Dauerlasttest, dem Zeuchtigkeitstest und dem Impulsdauertest
nicht wesentlich geändert. Es ist für eine hohe Stabxlität gegenüber JTeuchtigkeitseinflüssen vorteilhaft, den
den resultierenden widerstand auf an sich bekannte Art und v/eise in ein feuchtigkeitssicheres Harz wie ein Epoxyharz oder
Phenolharz einzuoetten.
Die folgenden Beispiele sollen vorzugsweise ausgeführte Formen aer vorliegenden Erfindung erläutern, die Erfindung selbst
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aoer nicht Descnränken.
Zirucoxia und aie in i'aoelie 1 angegebenen Zusätze wurden in
einer naiiuiühle z4 otd. lang vex'mischt, die uischung dann getrocknet
und in einer jj'orm. unter einem Druck von 2bO kg/cm
zu DcneiDen von 13,5 mal Durchmesser und 7 mm Diese verpreibt.
preülinge wurden in jjuft unter den in Tabelle 1 angegebenen
Bedingungen gesintert, auf üauiatemperatur ofengekühlt und
uann auf den gegenüDerliegend flächen mit siliziumkarbidscnieifpulver
eines mittleren xeilcnendurchmessers von 3ü/um
■Δα der in der i'afoelle 1 angegeoeiiexi j^icke abgeläppt, i^ie gegenüberliegenden
uberflücnen des öinterkörpers wurden auf an sich
bekannte ,,eise iuit einem üietalliscnen Alurniniumfilm besprüht.
jjie eieKtriscnen eigenschaften der so erhaltenen binxerlcörper
sind in der 'Tabelle 1 zusami.ienüefaiit, aie zeigt, daiä der J-./ert
sich etwa proportional zur Dielte des oinxerkorpers ändert,
während die «Jerte n-j_ und n^, die jeweils zwischen ü,l und
-L»U fliA. bzw. 10 und 100 A definiert sind, im wesentlich dickenunabhängig
bleiben, wie ersichtlich, ist die Joannungsabhängigkeit
der oinxerkörper eine Eigenschaft der Sinterkörper
selbst.
.Beispiel 2
Zinkoxid und die Zusätze der i'abelle 2 wurden r oh dem Verfahren
des Beispiels 1 zu s_ rinungsabhängigen .iiderständen veraroeitet
- mit der Ausnahme, daß im Beispiel 2 eine Stunde oei 135G°ü gesintert wurde. 'Die elektrischen Eigenschaften der
resultierenden widerstände sind in der I'abelle 2 ausgefünrt.
Lie jjicice betrug 1 mm. Die Tabelle 2 weist auch die Änderung
des J- und des η-wertes nach dem Impuls- und dem G-leichlastaus.
x»ex" iiujjulstest wurüe durchgeführt, indeui 10
Impulse von jeweils 500 A und ö χ 20/us Dauer angelegt wurden,
der Gleichlastdauertest durch Anlegen einer Gleichlast von
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2 ,ί in 70 ϋ Umgebungstemperatur für 1000 3td. wie ersichtlicn,
ergibt aie weitere Zugabe von Titanoxid einen höheren
n- und einen .Kleineren o-//ert sowie geringere Änderungen des
J- und des n-wertes nach dem Impuls- und dem Gleichlastdauertest.
Zinkoxid und die Zusätze nach iabelle 3 wurden spannungsabhängigen
„iderständen nach dem Verfahren des Beispiels 1 verarbeitet
- mit der Ausnahme, daß 1 Std. bei 135O°C gesintert
wurde. Die Tabelle 3 zeigt die elektrischen Eigenschaften der resultierenden widerstände. Die Änderungen des ü- und des
η-wertes nacn dem Impuls- und dem G-leichlastdauertest entsprechend
den Angaben in Beispiel 2, aber mit jeweils 10 -mal rtiedernolcem Impuls, sind ebenfalls in der Tabelle 3 enthalten,
üis ist leicxit zu ersehen, daö die gemeinsame Zugabe von iisjnuthoxid,
Gobaltoxid, ,.langanoxid, Titanoxid, Nickelfluorid und
einem Mitglied der aus Unromoxid und Nickeloxid bestehenden
Gruppe oder mindestens eines Mitgliedes der aus Nickeloxid und ünromoxid bestehenden Gruppe gegenüber den in den erwähnten
UB-iatentscnriften und den Ergebnissen des Beispiels 2 höheren
n-i»erten, niedrigen Cl-t/erten sowie geringeren Änderungen der
l!- und der n-.Verte führt. Die positive Änderung des n-v/erts
bedeutet, dad die dpannungsabhängigkeit nach dem Test ebenso
wie die Zuverlässigkeit für die Anwendungen in iiiederspannungsschaltungen
zunehmen.
Die widerstände der Beispiele 1, 2 und 3 wurden nach einem Verfahren
getestet, das vielfach Anwendung beim prüfen elektronischer Bauelemente gefunden hat. hierzu wurde ein Heizzyülentest
durcngefünrt, bei dem man die widerstände 30 min. auf einer
Umgebungstemperatur von Ö5°u vorhalt, sie dann schnell auf
-200U abkühlt und dort weitere 30 min. vorhalt; dieser Zyklus
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wurde fünfmal wiederholt. Der i'eucntigKeitstest wurde bei 40 0
und 95 io rel. Peucntigkeit über lCüü Std. durchgeführt; die
i'abelle 4 zeigt die mittleren Änderungen des C- und des n-//ertes der widerstände nach dem Heizzyklen- und da-i: .". euchtigKeitstest. .iie ersichtlich, sind die Änderungen jeweils nur geringfügig.
i'abelle 4 zeigt die mittleren Änderungen des C- und des n-//ertes der widerstände nach dem Heizzyklen- und da-i: .". euchtigKeitstest. .iie ersichtlich, sind die Änderungen jeweils nur geringfügig.
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Claims (3)
- Patentansprüche1·J Spannungsabhängiger Massewiderstand mit einem Sin-erkörper, der im wesentlichen aus Zinkoxid (ZnO) als Hauptbestandteil besteht und als Zusätze 0,1 ...5,0 Mo 1-$ //ismuthoxid (BigO,), mindestens ein Mitglied der aus 0,1 ... 3,0 Mo1-$ üobaltoxid (CoO) und ü,l ... 3,0 Mol-yo Manganoxid (MnO) bestehenden G-ruppe und 0,01 ... 5,0 Mol-% Galliumoxid (Ga2O,) aufweist, und mit auf gegenüberliegende Flächen des Sinterkörpers aufgebrachten elektroden.
- 2. Spannungsabhängiger ./iderstand nach Anspruch 1, bei dem der Sinterkörper sich im wesentlicnen aus Zinkoxid (Znü) als Hauptbestandteil sowie als Zusätzen 0,1 ... 5,0 Mol-% κ/ismuthoxid (BipO-z), mindestens einem Mitglied der aus 0,1 ... 3,0 Mol-# Cobaltoxid (CoO) und 0,1 ... 3,0 Mol-% Manganoxid (MnO) bestehenden Gruppe und 0,01 ... 5,0 Mo1-% Galliumoxid (Ga2O.,) und weiterhin aus mindestens einem Mitglied der aus 0,01 ... 5,0 i.Iol-/o Aluminiumoxid (Al2O^) und 0,01 ... 5,0 MoI-^ Indiumoxid(In^Q-z) bestehenden Gruppe zusammensetzt.
- 3. Spannungsabhängiger widerstand nach Anspruch 1, bei dem der Sinterkörper sich im wesentlicnen aus Zinkoxid (ZnO) als Hauptbestandteil und als Zusätzen aus 0,1 ... 5,0 $B09809/06A6,-ιismuthoxid (Bi2O,), mindestens einem Mitglied der aus υ,Ι ... 3,0 Mol-7ö 'jobaltoxid (0ου) und υ,Ι ... 3,0 Mol—/ο manganoxid (Μηυ) bestehenden Gruppe und υ,υΐ ... 5,0 Μο1-/ό Gailiumoxid (Ga2O,) sowie .veiterhin 0,1 ... 3,0 Ι.Ίο1->β Titanoxid (TiOp)- zusammensetzt.4· bpannungsabhängiger ,,iderstand nach Anspruch 1, beidem der Jintericörper sich im wesentlicnen aus Zinkoxid (ZnO) als Hauptbestandteil und als Zusätzen aus 0,1 ... 5,0 Llol-70 .,■ismuthoxid (Bi2O-,), mindestens einem Mitglied aer aus υ,Ι ... 3,υ Mol—/ο Gobaltoxid (0ου) und 0,1 - 3,0 άΙοΙ-,ό Manganoxid (MnO) bestehenden Gruppe und υ,υΐ ... 5,0 Μοί-,ό Galliumoxid (GapO-,) sov/ie \/eiternin aus mindestens einem Mitglied der aus 0,01 ... 5,0 Mol-/« Aluminiumoxid (AIpO-,) und 0,01 ... 5,0 r'Iol-y'o Indiumoxid (InpO-z) Destenenden U-ruppe und υ,Ι ... 3,0 :Jo1-/ö l'itan-(XiO2) zusamtuensetzt.5· bpannungsaohängiger widerstand nach iUis^rucn 1, oei dem der ointericörper sich aus Zinkoxid (ZnO) als riauytbestandteil und als Zusätzen aus 0,1 ... 5,0 Mol-70 ,«ismuthoxid (BipO^), minüestens einem Mitglied der aus 0,1 ... 3,0 Hol-yo Oooaltoxid (GoO) und 0,1 ... 3,0 Iviol-yo Manganoxid (ivinü) bestenenden Gruppe und υ,υΐ ... 5,0 ί,ίοΐ-ρ Galliumoxid (GapO^) sowie weiternin aus υ,Ι ... 3,0 ;.Ioi-/o l'itanoxia unü mindestens einem Mitglied der aus υ,Ι ..ο 5,0 Mol-70 NicKeloxid (NiO) und 0,01 . 5,0 i.Iol-/o ühromoxid (Or^Oz) bestehenden Gruppe zusammensetzt.opannungsabnängiger widerstand nach Ansoracn 1, bei dem der Sinterkörper sich im -/vesentlicnen aus Zinkoxid (ZnO) als nauptoestandteil und als Zusätzen aus 0,1 ... 5,υ Mo1-,j /ismuthoxid (BipO^), minaestens einem Mitglied der aus 0,1 ... 3,0 i.iol-?o ^obaltoxid (üoO) unü 0,1 ... 3,0 Mol-yo Manganoxid (MnO) bestehenden Gruppe und 0,01 - 5,0 Mol-/« Galliumoxid (Ga2O,) sowie$09809/0646weiterhin einem Mitglied, der aus 0,01 ... 5,0 M0I-/0 Aluminiumoxid (AlpO-z) und 0,01 ... 5,υ .viol-ya Indiumoxid (InpO-z) bestenenden Ü-ruppe, 0,1 ... j>,Q Mol-% 'i'itanoxid (I'iOp) und mindestens einem uiitglied der aus 0,1 ... 5,0 Mol-% Niciceloxid (NiO) und 0,01 ... 5,0 MoI-^ Chromoxid (GrpO^) bestehenden Gruppe zusammensetzt.Cl/La6098 0 9/0646
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