DE245712T1 - Halbleiterlaser und detektorvorrichtung. - Google Patents

Halbleiterlaser und detektorvorrichtung.

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DE245712T1 DE198787106269T DE87106269T DE245712T1 DE 245712 T1 DE245712 T1 DE 245712T1 DE 198787106269 T DE198787106269 T DE 198787106269T DE 87106269 T DE87106269 T DE 87106269T DE 245712 T1 DE245712 T1 DE 245712T1
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semiconductor laser
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laser
photodetectors
light
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Wai-Hon Cupertino Calif. Lee
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2/00—Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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Claims (13)

Wai-Hon Lee Deutsche Übersetzung der Patentansprüche
1. Lichtemissions- und Detektxonseinrichtung, die aufweist:
einen Halbleiterlaser mit einer ersten vorderen, lichtemittierenden Oberfläche;
Detektormittel zum Detektieren von Licht, die mechanisch mit dem Halbleiterlaser im wesentlichen in derselben Ebene wie die erste Oberfläche verbunden sind, wobei die Ebene im wesentlichen senkrecht zu der optischen Achse eines Lichtstrahles steht, der vom Laser abgegeben wird; und
ein einzelnes Gehäuse, das sowohl den Laser als auch die Detektormittel umgibt.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, bei der der Laser und die Detektormittel auf einer gemeinsamen Wärmesenke befestigt sind.
3. Einrichtung nach Anspruch 1, bei der die Detektormittel innerhalb von 5 mm von dem Halbleiterlaser angeordnet sind.
4. Einrichtung nach Anspruch 1, bei der die Detektormittel unterhalb des Lasers so angeordnet sind, daß eine vertikale Linie im wesentlichen ein Zentrum des Lasers und ein Zentrum der Detektormittel schneidet.
5. Einrichtung nach Anspruch 1, bei der die Detektormittel wenigstens zwei unabhängige Fotodetektoren aufweisen.
6. Einrichtung nach Anspruch 1, bei der die Detektormittel vier unabhängige Fotodetektoren aufweisen, wobei jeder
derNFotodetektoren in einem unterschiedlichen Quadranten angeordnet ist.
7. Einrichtung nach Anspruch 1, bei der die Detektormittel eine Vielzahl von im wesentlichen parallelen unabhängigen Fotodetektoren aufweisen.
8. Einrichtung nach Anspruch 1, die weiter zweite Detektormittel zum Detektieren von Licht aufweisen, die
hinter dem Halbleiterlaser angeordnet sind.
9. Einrichtung nach Anspruch 1, die weiter zweite Detektormittel zum Detektieren von Licht aufweist, die mit dem Halbleiterlaser mechanisch im wesentlichen in der genannten Ebene verbunden sind, wobei die ersten und
zweiten Detektormittel auf entgegengesetzten Seiten des Halbleiterlasers angeordnet sind.
10. Einrichtung nach Anspruch 9, die weiter erste und zweite Polarisatoren aufweist, die wenigstens einen Teil der ersten bzw. zweiten Detektormittel bedecken.
11. Einrichtung nach Anspruch 9, die weiter einen zweiten Halbleiterlaser aufweist, der mit dem erstgenannten
Halbleiterlaser innerhalb des Gehäuses mechanisch
verbunden ist.
12. Einrichtung nach Anspruch 1, die weiter einen zweiten Halbleiterlaser aufweist, der mechanisch mit dem erstgenannten Halbleiterlaser innerhalb des Gehäuses verbunden ist.
13. Lichtemissions- und Detektionsexnrichtung, die aufweist:
einen Halbleiterlaser mit einer ersten vorderen lichtemittierenden Oberfläche;
eine Wärmesenke mit einer oberen Oberfläche, die den Halbleiterlaser trägt, und einer vorderen Oberfläche, die im wesentlichen in derselben Ebene wie die erste Oberfläche des Lasers angeordnet ist;
vier Fotodetektoren, die auf der vorderen Oberfläche der Wärmesenke befestigt sind, wobei jeder der Fotodetektoren in einem unterschiedlichen Quadranten angeordnet ist;
Detektormittel zum Detektieren von Licht,, die hinter dem Halbleiterlaser angeordnet sind; und
ein einziges Gehäuse, das den Laser, die Wärmesenke, die vier Fotodetektoren und die Detektormittel umschließt.
N/vM
28.1.88
waihan
DE198787106269T 1986-05-01 1987-04-30 Halbleiterlaser und detektorvorrichtung. Pending DE245712T1 (de)

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