JPS5933641A - 半導体レ−ザ−を用いた情報ピツクアツプ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−を用いた情報ピツクアツプ装置Info
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- JPS5933641A JPS5933641A JP58132746A JP13274683A JPS5933641A JP S5933641 A JPS5933641 A JP S5933641A JP 58132746 A JP58132746 A JP 58132746A JP 13274683 A JP13274683 A JP 13274683A JP S5933641 A JPS5933641 A JP S5933641A
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- laser
- laser light
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザーを用いた情報ピンクアップ装
置に関するものである。。
置に関するものである。。
従来、ビデオディスクや、光ＰＣＭオーディオディスク
から、光学的に情報を再生するピックアップ装置には、
光源としでｌ（ｅ −Ｎ ｅレーザーが用いられていた
。光源として半導体レーザーを用いて装置の小・型化を
図ることが考えられるが、半導体レーザーは温度の変化
などにより出力変動が大きく、その安定度の点で難点が
ある。そのために、半導体レーザーを収納するパッケー
ジには光取出し窓を半導体レーザーの発光両端面に対向
しで設け、一方の窓から得られるレーザー光を外部から
検出しで、これを、半導体レーツーの駆動゛電流に帰還
するといった方法で光出力が制御さ７′していた（例え
は、実公昭５１−５２３０６号公報参照）にの種の半導
体レーザー装置をピックアップ装置の光源としで用いる
場合、半導体レーザーの発光両端面と光取出し窓とをそ
れぞれ位置合せすることが極めて困難であり、しかも光
検出素子をパッケージ外部に設ける必要があるので、光
取出し窓と光検出素子の位置ずれ、塵芥付着等によって
光検出素子に入射する光出力が変動し、レージ“−の出
力変動を正確に検出できないという欠点がある。
から、光学的に情報を再生するピックアップ装置には、
光源としでｌ（ｅ −Ｎ ｅレーザーが用いられていた
。光源として半導体レーザーを用いて装置の小・型化を
図ることが考えられるが、半導体レーザーは温度の変化
などにより出力変動が大きく、その安定度の点で難点が
ある。そのために、半導体レーザーを収納するパッケー
ジには光取出し窓を半導体レーザーの発光両端面に対向
しで設け、一方の窓から得られるレーザー光を外部から
検出しで、これを、半導体レーツーの駆動゛電流に帰還
するといった方法で光出力が制御さ７′していた（例え
は、実公昭５１−５２３０６号公報参照）にの種の半導
体レーザー装置をピックアップ装置の光源としで用いる
場合、半導体レーザーの発光両端面と光取出し窓とをそ
れぞれ位置合せすることが極めて困難であり、しかも光
検出素子をパッケージ外部に設ける必要があるので、光
取出し窓と光検出素子の位置ずれ、塵芥付着等によって
光検出素子に入射する光出力が変動し、レージ“−の出
力変動を正確に検出できないという欠点がある。
更に、パッケージの側面からレーザー光が取出される為
、レーザー光を光デイスク面へ導く光学系との結合、位
置合せが困難であり、再生用レーザー光の結合効率が極
めて悪いという欠点もある。
、レーザー光を光デイスク面へ導く光学系との結合、位
置合せが困難であり、再生用レーザー光の結合効率が極
めて悪いという欠点もある。
また、光検出素子をパッケージ内に設けることも考えら
れるが、この場合でも再生用レーザー光の結合効率の問
題を解決することはできないし、半導体レーザーに入力
電流を導入する電極ピンや光検出素子の出力を取出すピ
ンをどのように配設するかなど種々の問題が生ずる。
れるが、この場合でも再生用レーザー光の結合効率の問
題を解決することはできないし、半導体レーザーに入力
電流を導入する電極ピンや光検出素子の出力を取出すピ
ンをどのように配設するかなど種々の問題が生ずる。
また、最近半導体レーザーを用いた超小型の光学的ピッ
クアップとして５ＣＯＯＰ（５ｅｌｆ−Ｃｏｕ、ｐｌｅ
ｄ ０ｐｔｉｃａｌ Ｐｉｃｋ Ｕｐ ）が提案され
ている。このＳ ＣＯ’ＯＦとは光デイスク面で反射し
たレーザー光を、光源であるレーザーに帰還し、帰還光
計に応じて、レーザー出力（あるいはレーザーダイオー
ド端子間電圧）が変化することにより、信号の検出を行
なうものである。５ＣＯＯＰ方式のピックアップでは、
レーザー光の放射と反射光の受光とを同一端面で行うた
め信号をＳ／Ｎよく再生する上で問題がある。
クアップとして５ＣＯＯＰ（５ｅｌｆ−Ｃｏｕ、ｐｌｅ
ｄ ０ｐｔｉｃａｌ Ｐｉｃｋ Ｕｐ ）が提案され
ている。このＳ ＣＯ’ＯＦとは光デイスク面で反射し
たレーザー光を、光源であるレーザーに帰還し、帰還光
計に応じて、レーザー出力（あるいはレーザーダイオー
ド端子間電圧）が変化することにより、信号の検出を行
なうものである。５ＣＯＯＰ方式のピックアップでは、
レーザー光の放射と反射光の受光とを同一端面で行うた
め信号をＳ／Ｎよく再生する上で問題がある。
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、コ
ンパクトで光学系との結合、位置合せが容易で、再生用
レーリ′−光の光結合効率を高めることができ、より安
定に情報を再生し得る情報ピろ ツクアップ装置を提供す杆ことを目的とする。
ンパクトで光学系との結合、位置合せが容易で、再生用
レーリ′−光の光結合効率を高めることができ、より安
定に情報を再生し得る情報ピろ ツクアップ装置を提供す杆ことを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、両端面からレーザ
ー光を出射する半導体レーザー光と光検出素子とが透光
部を有する容器内に透光部、半導体レーザーの両端面及
び光検出素子の受光部が略−直線上に西己列されるよう
に組み込まれＣなネ半導体レーザー装置を用い、透光部
から出射されるレーザー光を光デイスク面に照射し、デ
ィスク面からの反射、光を利用してディスク面に記録さ
れている情報を再生することを特徴とする。
ー光を出射する半導体レーザー光と光検出素子とが透光
部を有する容器内に透光部、半導体レーザーの両端面及
び光検出素子の受光部が略−直線上に西己列されるよう
に組み込まれＣなネ半導体レーザー装置を用い、透光部
から出射されるレーザー光を光デイスク面に照射し、デ
ィスク面からの反射、光を利用してディスク面に記録さ
れている情報を再生することを特徴とする。
本発明では、透光部、レーザー、光検出素子をほぼ一直
線上に配して構成しであるのでレンズ、プリズムのよう
な光学的光変換素子をレーザー光と受光検出素子との間
で一切介さずに超小型でコンパクトにまとめ、かつ配置
できる。また、透光部が１つで、パラ）１−ジの上面か
ら再生用レーザー光を取出すので、このレーザー光を光
デイスク面へ導く光学系を支持する筒状体にはめ込むこ
とによシ容易に結合することができ、光軸の位置合せも
極めて容易であり、再生用レーザー光の光結合効率を高
めることができる。
線上に配して構成しであるのでレンズ、プリズムのよう
な光学的光変換素子をレーザー光と受光検出素子との間
で一切介さずに超小型でコンパクトにまとめ、かつ配置
できる。また、透光部が１つで、パラ）１−ジの上面か
ら再生用レーザー光を取出すので、このレーザー光を光
デイスク面へ導く光学系を支持する筒状体にはめ込むこ
とによシ容易に結合することができ、光軸の位置合せも
極めて容易であり、再生用レーザー光の光結合効率を高
めることができる。
以下、５ｃｏｏｐ方式のピックアップ装置を例に本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
第１図は本発明のピックアップ装置に用いた５ＣＯＯＰ
の構成図である。１は半導体レーザー、２は光検出素子
、３は光ディスク、４及び４′は半導体レーザー光を、
ディスク面上に集光するためのレンズである。本発明で
は、１と２とを一体にしてパッケージに収納されである
。５ｃｏｏｐ方式のピックアップ装置では、明暗縞ある
ｌ／４喉淡模様のある光デイスク面で反射したレーザー
光を光源であるレーザーに帰還し、この帰還量に応じて
力、プリングを起こし、レーザー出力が変化する。変化
したレーザー出力は他の端面から放射し、光検出素子の
表面を照射する。この照射量も上述のレーザー出力の変
化に対応して変化するから、結局この光検出素子の電気
特性をモニターしておけば、上記ディスク面の明暗縞に
対応した４号をピックアップできる。この場合、レーザ
ーの戻り光によって新しい発光点が生じないように、ま
た、僅かな戻り光でも出力が鋭く増加するように予じめ
レーザーの注入電流値をしきい値付近に設定しでおくこ
とは云うまでもない。
の構成図である。１は半導体レーザー、２は光検出素子
、３は光ディスク、４及び４′は半導体レーザー光を、
ディスク面上に集光するためのレンズである。本発明で
は、１と２とを一体にしてパッケージに収納されである
。５ｃｏｏｐ方式のピックアップ装置では、明暗縞ある
ｌ／４喉淡模様のある光デイスク面で反射したレーザー
光を光源であるレーザーに帰還し、この帰還量に応じて
力、プリングを起こし、レーザー出力が変化する。変化
したレーザー出力は他の端面から放射し、光検出素子の
表面を照射する。この照射量も上述のレーザー出力の変
化に対応して変化するから、結局この光検出素子の電気
特性をモニターしておけば、上記ディスク面の明暗縞に
対応した４号をピックアップできる。この場合、レーザ
ーの戻り光によって新しい発光点が生じないように、ま
た、僅かな戻り光でも出力が鋭く増加するように予じめ
レーザーの注入電流値をしきい値付近に設定しでおくこ
とは云うまでもない。
第２図は、本発明による半、・ｎ１体レーザー装置の一
実施例である。■は半導体レーザーで、その大きさは、
例えばＱ、 ３ ｎｕｎ Ｘ Ｑ、 ３ ｍｍ Ｘ ０
．４ ＋ｎｍである。２は光検出素子で、例えば、Ｓｉ
のＰＩＮ素子が用いられる。その面積は例えば１ ｍｍ
’Ｘ ｌ ｍａｎである。半導体レーザー１と光検出
素子２との距離は、Ｉ ＋ｎｍ以内でないとビーム拡が
り角が１（）０〜３０°である半導体１／−ザーの光ビ
ームを、有効に検出できないし、また、Ｑ、 ｌ ＋ｎ
ｍ以上でないと、レーザー光による焼きイリは撰傷を検
出素子に生じさせてしまうので、（１，５ｍｍ前後が適
当である。５はリード端子で半・庫体１／−ザーと、光
検出素子とに電流を供給する通路となる。６はリード端
子５とパッケージ母体１１とを電気的に絶縁する層であ
り、７はリード端子５ど素子との間を結ぶ、ボンディン
グ線である。８は光検出素子２とパッケージ母体１１と
の間を絶縁する板、例えばセラミックスでつくられる板
で、光検出素子２がのる表面には導電薄膜がコーティン
グされてあり、ンディング線で結ぶことにより、光検出
素子２の一方の出力が外部に導出される。９は透光性窓
たとえばガラス窓、１０は９の支持リングで、９及び１
０・により、パッケージ全体が、気密封じできるように
なっている。このパッケージの特徴は、透光性窓、半導
体レーザーの発光端面、光検出素子の受光面が環状の支
持リングガの中心を通る軸線の方向に沼ってほぼ一直線
上に配列されている点にあるが、特に、パッケージ全体
が超小型であること、例えば、全体の大きさは、φ４ｍ
ｍＸ２．５ ＋？１１１１となることである。第２の特
徴は、光検出素子をパッケージ母体１１から電気的に浮
かしてあり、従って、リード端子は合計３本山でいるこ
とである。
実施例である。■は半導体レーザーで、その大きさは、
例えばＱ、 ３ ｎｕｎ Ｘ Ｑ、 ３ ｍｍ Ｘ ０
．４ ＋ｎｍである。２は光検出素子で、例えば、Ｓｉ
のＰＩＮ素子が用いられる。その面積は例えば１ ｍｍ
’Ｘ ｌ ｍａｎである。半導体レーザー１と光検出
素子２との距離は、Ｉ ＋ｎｍ以内でないとビーム拡が
り角が１（）０〜３０°である半導体１／−ザーの光ビ
ームを、有効に検出できないし、また、Ｑ、 ｌ ＋ｎ
ｍ以上でないと、レーザー光による焼きイリは撰傷を検
出素子に生じさせてしまうので、（１，５ｍｍ前後が適
当である。５はリード端子で半・庫体１／−ザーと、光
検出素子とに電流を供給する通路となる。６はリード端
子５とパッケージ母体１１とを電気的に絶縁する層であ
り、７はリード端子５ど素子との間を結ぶ、ボンディン
グ線である。８は光検出素子２とパッケージ母体１１と
の間を絶縁する板、例えばセラミックスでつくられる板
で、光検出素子２がのる表面には導電薄膜がコーティン
グされてあり、ンディング線で結ぶことにより、光検出
素子２の一方の出力が外部に導出される。９は透光性窓
たとえばガラス窓、１０は９の支持リングで、９及び１
０・により、パッケージ全体が、気密封じできるように
なっている。このパッケージの特徴は、透光性窓、半導
体レーザーの発光端面、光検出素子の受光面が環状の支
持リングガの中心を通る軸線の方向に沼ってほぼ一直線
上に配列されている点にあるが、特に、パッケージ全体
が超小型であること、例えば、全体の大きさは、φ４ｍ
ｍＸ２．５ ＋？１１１１となることである。第２の特
徴は、光検出素子をパッケージ母体１１から電気的に浮
かしてあり、従って、リード端子は合計３本山でいるこ
とである。
次に第３の特徴と１．で、Ｓ Ｃ００Ｐ効果を大きくす
る半導体レーザーを用いでいることを説明する。すなわ
ち、レーザーのディスク側端面に、反射防止膜をコーテ
ィングし、反射率を低下させた半導体レーザーを用いる
。こうすることにより、ディスクからの帰還光取の変化
が、レーザー発振に大きく影響し、レーザー光出力の大
き°な変化を引き起こす。具体例を第３図を用いて説明
する。
る半導体レーザーを用いでいることを説明する。すなわ
ち、レーザーのディスク側端面に、反射防止膜をコーテ
ィングし、反射率を低下させた半導体レーザーを用いる
。こうすることにより、ディスクからの帰還光取の変化
が、レーザー発振に大きく影響し、レーザー光出力の大
き°な変化を引き起こす。具体例を第３図を用いて説明
する。
第３図は、レーザーとし７て、ｃｓｐ型（Ｃｂａｎｎｅ
１ｅｄＳｕｂｓｔｒａｔｅ Ｐ １ａｎｅｒ ）の半
導体レーザーを用い、光ディスクとして、λ／４の凹凸
をもつ表面にＡＩを蒸着し７てつくられたプラスチック
ス基板のレプリカディスクを用いた場合の、半導体レー
ザーの、駆動電流と、レーザー光出力との関係を示した
ものである。実線は、情報穴のない部分に光スポットが
照射された場合で、このときレーザーへの帰還光蟻は最
大とな、る。破線は、情報穴上に光スポットが照射され
た場合で、このとき、レーザーへの帰還光竜は最小とな
る。信号の検出は、実線と破線の光出力差を検出するこ
とによる。第３図（ａ）は、半導体レーザーの２つの端
面とも、骨間し７たままのものである。このときの端面
反射率は半導体の屈折率（例えば、ＵａＡｌ！Ａｓ の
場合、ｎ＝３５）で決まり、約３１９６である。第３図
（ｂ）は、レーザーのディスク側端面に、ＳｉＯ□（屈
折率ｎ〜１．．４５）を１／４波長の厚さくλ〜８３゜
ｒｎｍの場合、λ／４ｎ＝０．１４μｍ）だけ、スパッ
タリングによってコーティングした場合である。
１ｅｄＳｕｂｓｔｒａｔｅ Ｐ １ａｎｅｒ ）の半
導体レーザーを用い、光ディスクとして、λ／４の凹凸
をもつ表面にＡＩを蒸着し７てつくられたプラスチック
ス基板のレプリカディスクを用いた場合の、半導体レー
ザーの、駆動電流と、レーザー光出力との関係を示した
ものである。実線は、情報穴のない部分に光スポットが
照射された場合で、このときレーザーへの帰還光蟻は最
大とな、る。破線は、情報穴上に光スポットが照射され
た場合で、このとき、レーザーへの帰還光竜は最小とな
る。信号の検出は、実線と破線の光出力差を検出するこ
とによる。第３図（ａ）は、半導体レーザーの２つの端
面とも、骨間し７たままのものである。このときの端面
反射率は半導体の屈折率（例えば、ＵａＡｌ！Ａｓ の
場合、ｎ＝３５）で決まり、約３１９６である。第３図
（ｂ）は、レーザーのディスク側端面に、ＳｉＯ□（屈
折率ｎ〜１．．４５）を１／４波長の厚さくλ〜８３゜
ｒｎｍの場合、λ／４ｎ＝０．１４μｍ）だけ、スパッ
タリングによってコーティングした場合である。
このとき、コーティング側端面の反射率は６チに１で低
下している。第３図（ａ）の場合、ディスク情報による
変調光竜は、約１ｍＷであるのに対し、第３図（ｂ）の
場合は、その約３倍にまで変調光険が増大しでいること
がノっかる。
下している。第３図（ａ）の場合、ディスク情報による
変調光竜は、約１ｍＷであるのに対し、第３図（ｂ）の
場合は、その約３倍にまで変調光険が増大しでいること
がノっかる。
このように、半導体レーザーのディスク側端面に反射防
止膜をコーティングすることは、半導体レーザーと、デ
ィスクとの結合をよシ強め、５ＣＯＯＰ 効果を著しく
増大させる。上記の効果は、Ｃ８Ｐ型の半導体レーザー
以外のレーザーについても、同様に得られる。また、Ｓ
ｉｏ２以外の材料、例えば、ＡＩ！２０３（屈折率ｎ−
１，７）や、その他の透明な、誘電体薄膜によるコーテ
ィングによっても、同様に５ｃｏｏｐ効果を増大させる
ことができる。
止膜をコーティングすることは、半導体レーザーと、デ
ィスクとの結合をよシ強め、５ＣＯＯＰ 効果を著しく
増大させる。上記の効果は、Ｃ８Ｐ型の半導体レーザー
以外のレーザーについても、同様に得られる。また、Ｓ
ｉｏ２以外の材料、例えば、ＡＩ！２０３（屈折率ｎ−
１，７）や、その他の透明な、誘電体薄膜によるコーテ
ィングによっても、同様に５ｃｏｏｐ効果を増大させる
ことができる。
以上は、半導体レーザーと光検出素子とを一体にしたパ
ッケージを説明した。更に、小型レンズをも一体にした
バラ１１−ジの実施例を第４図に示す。第４図は、第２
図に示し７た実施例に光集束性レンズ（たとえば、商品
名、Ｓ Ｅ Ｌ Ｆ ＯＣレンズ）１２を伺は加えたも
のである。光集束性レンズ１２の長さを適当に選べば、
平行光束としで放射することもできるし、径１μｍ程の
スポット状に集光することもできる。光集束性レンズ１
′２と半導体レーザー１との位置関係は、重安であり、
半導体レーザー１は光集束性レンズ１２の中心軸の延長
線上に位置し、１２の端面がら、１２のＮＡ（Ｎｕｍｅ
ｒｉｃａｌ Ａｐａｒｔｕｒｅ ） との直径とで
決まる距離すなわち焦点距離だけ離れた位置にある必要
がある。
ッケージを説明した。更に、小型レンズをも一体にした
バラ１１−ジの実施例を第４図に示す。第４図は、第２
図に示し７た実施例に光集束性レンズ（たとえば、商品
名、Ｓ Ｅ Ｌ Ｆ ＯＣレンズ）１２を伺は加えたも
のである。光集束性レンズ１２の長さを適当に選べば、
平行光束としで放射することもできるし、径１μｍ程の
スポット状に集光することもできる。光集束性レンズ１
′２と半導体レーザー１との位置関係は、重安であり、
半導体レーザー１は光集束性レンズ１２の中心軸の延長
線上に位置し、１２の端面がら、１２のＮＡ（Ｎｕｍｅ
ｒｉｃａｌ Ａｐａｒｔｕｒｅ ） との直径とで
決まる距離すなわち焦点距離だけ離れた位置にある必要
がある。
光集束性レンズ以外の小型レンズも、同様なりイブのパ
ッケージに組み込めることは言うまでもない０ 最後に、半導体レーザーと光検出器とへの電流供給及び
、信相取出しの結線について説明する。
ッケージに組み込めることは言うまでもない０ 最後に、半導体レーザーと光検出器とへの電流供給及び
、信相取出しの結線について説明する。
第５図は、その回路図の一例を示したもので、点線で囲
んだ部分が、バッノｒ−ジ化されでいる。端子としては
、３つのリード端子と、パッケージ母体との４つの端子
があることになる。第５図（ａｌは半導体レーザー（Ｌ
Ｄと略記）と、光検出素子（Ｄと略記）と、各々、独立
の電源から、電流を供給した場合である。Ｌ ｌ）には
、Ｃ８Ｐ型レーザーの場合には、例えば８０〜１００ｍ
Ａの電流を流す。Ｒ，ｏを例えば１００Ωに選えは、■
ＬＤ〜１０Ｖで一約１００ｍＡ流れる。一方、Ｄの感度
は、Ｓｉの場合およそ０．’ ５ ｍ Ａ ／ ｍ Ｗ
であり、Ｄに照射されるレーザー光強度は、せいぜい１
０ｍＷであるから、Ｉ）にはほぼ５ ｍ Ａ以下の電流
が流れる。Ｉｔ １、として例えば１００Ωを選べばほ
ぼ５００ＩｎＶ以下の信号が得られることになる。
んだ部分が、バッノｒ−ジ化されでいる。端子としては
、３つのリード端子と、パッケージ母体との４つの端子
があることになる。第５図（ａｌは半導体レーザー（Ｌ
Ｄと略記）と、光検出素子（Ｄと略記）と、各々、独立
の電源から、電流を供給した場合である。Ｌ ｌ）には
、Ｃ８Ｐ型レーザーの場合には、例えば８０〜１００ｍ
Ａの電流を流す。Ｒ，ｏを例えば１００Ωに選えは、■
ＬＤ〜１０Ｖで一約１００ｍＡ流れる。一方、Ｄの感度
は、Ｓｉの場合およそ０．’ ５ ｍ Ａ ／ ｍ Ｗ
であり、Ｄに照射されるレーザー光強度は、せいぜい１
０ｍＷであるから、Ｉ）にはほぼ５ ｍ Ａ以下の電流
が流れる。Ｉｔ １、として例えば１００Ωを選べばほ
ぼ５００ＩｎＶ以下の信号が得られることになる。
上に説明したように、ＬＤとＤとでは流れる電流の大き
さが、通常−狩以上異なるので、第５図ｔｂ＋に示した
工うに、１つの電源で、Ｉ、ＤとＤと両方ともｉｇ動じ
、かつ、ＬＤのＩＪｃ光出力を一定に保つべく、■□、
１．の値を、フィードバック制御により＆化させたとし
ても、信号検出強度は殆んど変化を受けることはない。
さが、通常−狩以上異なるので、第５図ｔｂ＋に示した
工うに、１つの電源で、Ｉ、ＤとＤと両方ともｉｇ動じ
、かつ、ＬＤのＩＪｃ光出力を一定に保つべく、■□、
１．の値を、フィードバック制御により＆化させたとし
ても、信号検出強度は殆んど変化を受けることはない。
この回路では、電源が１つで済むので有用である。
本発明によれば、超小型の）ＩＣ学的ピックアップ装置
が実現される。例えば、レンズおよびスポット制御用ア
クチーエータを含めたピックアップ全体の大きさはφＩ
Ｏｍｍ Ｘ Ｉ Ｑ ＋ｎｍ 程度になる。
が実現される。例えば、レンズおよびスポット制御用ア
クチーエータを含めたピックアップ全体の大きさはφＩ
Ｏｍｍ Ｘ Ｉ Ｑ ＋ｎｍ 程度になる。
従って軒計になる。小型、軽量の尤ピックアップの実現
により、光デイスク装置におい′と高速アクセスの性能
向上、ティスフパックの実現等に富力するところ大であ
る。また、家庭用の光ディスクにおい−Ｃは、携帯用の
小型軽（Ｂ光ディスクの実現にも寄与するところ大であ
る。
により、光デイスク装置におい′と高速アクセスの性能
向上、ティスフパックの実現等に富力するところ大であ
る。また、家庭用の光ディスクにおい−Ｃは、携帯用の
小型軽（Ｂ光ディスクの実現にも寄与するところ大であ
る。
第１図は５ｃｏｏｐ 方式によるピックアップ装置の構
成図、第２図は本発明による半導体レーザーの装置の一
実施例でｔａｌは正面図、（ｂ）はＡ−Ａ’で切断した
ときの断面図である。第３図は半導体レーザーの駆動電
流と、光出力との関係を示した図、＄４図は本発明によ
る半導体レーザー装置の他の実施例を示す図、第５８図
は半導体レーザー（Ｌ ｌ） ）と、光検出素子（］）
）を動作させるだめの回路図である。 １・・半導体レーザー、２・・光検出素子、９・・透光
性窓、１２・・光集束性レンズ。 第 １１２１ ２ 第 ２ 閃 改） ￥ ｚ 目（ｂ） ％ 、ｉ ）粗 （ｂ） コ用−信 扁Ｂ動電ん（−Ａ） 第 ４ 図 亮 ５ １７１ 第１頁の続き ０発 明 者 尾島正啓 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
成図、第２図は本発明による半導体レーザーの装置の一
実施例でｔａｌは正面図、（ｂ）はＡ−Ａ’で切断した
ときの断面図である。第３図は半導体レーザーの駆動電
流と、光出力との関係を示した図、＄４図は本発明によ
る半導体レーザー装置の他の実施例を示す図、第５８図
は半導体レーザー（Ｌ ｌ） ）と、光検出素子（］）
）を動作させるだめの回路図である。 １・・半導体レーザー、２・・光検出素子、９・・透光
性窓、１２・・光集束性レンズ。 第 １１２１ ２ 第 ２ 閃 改） ￥ ｚ 目（ｂ） ％ 、ｉ ）粗 （ｂ） コ用−信 扁Ｂ動電ん（−Ａ） 第 ４ 図 亮 ５ １７１ 第１頁の続き ０発 明 者 尾島正啓 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- 両端面からレーザー光を出、射する半導体レーザと光検
出素子とが透光部を有する容器内に該透光部、該半導体
レーザーの両端面及び該胱検出素子の受光面が略−直線
上に配列される工うに組み込まれてなる半導体レーザー
装置を用い、該透光部から出射される（亥レーザー光を
光デイスク面に照射し、咳ディスク面からの反射光を利
用靜≦ディスク面に記録されている情報を再生すること
を特徴とす−る半導体レーザーを用いた情報ピックアッ
プ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132746A JPS5933641A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体レ−ザ−を用いた情報ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132746A JPS5933641A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体レ−ザ−を用いた情報ピツクアツプ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58209050A Division JPS59130495A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 光検出素子を内蔵した半導体レ−ザ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933641A true JPS5933641A (ja) | 1984-02-23 |
Family
ID=15088612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132746A Pending JPS5933641A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 半導体レ−ザ−を用いた情報ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933641A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0245712A2 (en) * | 1986-05-01 | 1987-11-19 | Wai-Hon Lee | Semiconductor laser and detector device |
| JPH0198136A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリッド光素子 |
| US5525770A (en) * | 1992-07-31 | 1996-06-11 | Sega Enterprises, Ltd. | Control-key mechanism having improved operation feeling |
| EP0851414A3 (en) * | 1996-12-26 | 2000-09-27 | Sanyo Electric Co. Ltd | Optical pickup device and optical recording medium driving apparatus comprising the same |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58132746A patent/JPS5933641A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0245712A2 (en) * | 1986-05-01 | 1987-11-19 | Wai-Hon Lee | Semiconductor laser and detector device |
| JPH0198136A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリッド光素子 |
| US5525770A (en) * | 1992-07-31 | 1996-06-11 | Sega Enterprises, Ltd. | Control-key mechanism having improved operation feeling |
| USRE36349E (en) * | 1992-07-31 | 1999-10-26 | Sega Enterprises | Control-key mechanism having improved operation feeling |
| USRE36738E (en) * | 1992-07-31 | 2000-06-20 | Sega Enterprises, Ltd. | Selective multiple position switch with common pivoted operator |
| EP0851414A3 (en) * | 1996-12-26 | 2000-09-27 | Sanyo Electric Co. Ltd | Optical pickup device and optical recording medium driving apparatus comprising the same |
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