DE2450162A1

DE2450162A1 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterlaserelements

Info

Publication number: DE2450162A1
Application number: DE19742450162
Authority: DE
Inventors: Hirofumi Kan; Hirofumi Namizaki
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1973-10-23
Filing date: 1974-10-22
Publication date: 1975-05-07
Also published as: DE2450162C3; US3961996A; JPS5751276B2; JPS5068786A; DE2450162B2

Description

PATENTANWÄLTE _o , _{c n} 1

b U I

HENKEL, KERN, FEILER & HANZ

BAYERISCHE HYPOTHEKEN- UND

TELEX: 05 29 802 HNKL D ΒΠΙΓΔΡΠ SPHlUin STRASSF ? WECHSELBANK MÜNCHEN Nr. 318-85111

TELEFON- Γ089Ϊ 663197 66 30 91 92 AKU-i»LHMlU-b 1 KA^t Z 'DRESDNER BANK MÜNCHEN 3 914

TELEFON. (089) 66 3197, 66 30 91 - 9Z D-8000 MÜNCHEN 90 POSTSCHECK: MÜNCHEN 162147 -

TELEGRAMME₁ELLIPSOIDMuNCHEN ^ ^ουυυ mum^ii^n

Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 59 _n, , _innl

fc &· UKs. 1974 Tokio, Japan

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements, insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements, das in mindestens drei Richtungen Ladungsträger zu begrenzen vermag.

Halbleiterlaserelemente besitzen wegen ihrer sogenannten Doppelheterogrenzstruktur eine stark erniedrigte Schwellenstromdichte. Die Abmessungen der betreffenden Halbleiterelemente begrenzen jedoch die Schwellendichte, weswegen übliche Halbleiterlaserelemente normalerweise nur mit einem Strom in der Größenordnung von einigen 100 mA betrieben werden konnten.

Es sind bereits Doppelheterogrenzschichtlaser bekannt, bei denen eine Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material, üblicherweise Galliumarsenid (GaAs), mit Elektronen- oder Löcherleitfähigkeit bzw. vom N- oder P-Leitertyp eines relativ engen Energiespalts bzw. einer relativ geringen Breite des verbotenen Bandes besteht und zwischen einem Paar N- und P-Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material einer größeren Breite des

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verbotenen Bandes, z.B. Galliumaluminiumarsenid (Ga^_xAl As mit χ kleiner 1 und größer 0) liegt. Bei derartigen Doppelheterogrenzschichtlasern sind das Licht und die Ladungsträger wirksam auf eine Richtung senkrecht zur Grenzschichtebene begrenzt, so daß in der mittleren GaAs-Scliicht Licht und Ladungsträger extrem hoher Dichte entstehen können. Aus diesem Grunde wurde der Schwellenstrom von Doppelheterogrenzschichtlasern auf denselben Wert oder weniger als ein Zehntel des Werts, der mit üblichen Homogrenzschichtlasern erreicht wird, erniedrigt. Solche Doppelheterogrenzschichtlaser besitzen jedoch keine Wirksamkeit zur Begrenzung von Licht und Ladungsträgern in einer Richtung quer zur Grenzschicht.

Der Erfindung lag nun die Aufgabe zugrunde, ein neues und verbessertes Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlaserelementen vom Grenz- oder Sperrschichttyp mit im Vergleich zu bekannten Laserelementen weiter erniedrigtem Schwellenstrom und in zwei Richtungen ausgedehntem Begrenzungs- bzw· Sperreffekt zu schaffen.

Gegenstand der Erfindung ist somit .ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß man nacheinander auf einer ersten Halbleiterschicht eines ersten Leitertyps eine zweite und dritte Halbleiterschicht des ersten Leitertyps ausbildet, wobei die erste und dritte Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material relativ großer Breite des verbotenen Bandes und die zweite Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material relativ geringer Breite des verbotenen Bandes besteht} daß man die dritte Halbleiterschicht von ihrer freiliegenden Oberfläche her selektiv ätzt, um einen den geätzten Teil

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der dritten Halbleiterschicht und den dadurch überdeckten Teil der zweiten Halbleiterschicht umfassenden Bereich bis zur ersten Halbleiterschicht zu entfernen! daß man zur vollständigen Ausfüllung des entfernten Bereichs eine vierte Halbleiterschicht eines zweiten Leitertyps aus einem halbleitenden Material relativ großer Breite des verbotenen Bandes ausbildetj daß man die nehen der vierten Halbleiterschicht liegenden Teile der ersten, zweiten und dritten Halbleiterschicht des ersten Leitertyps in den zweiten Leitertyp umwandelt raid daß man mit der ersten Halbleiterschicht einen ersten elektrischen Anschluß und mit der vierten Halbleiterschicht ©inen zweiten elektrischen Anschluß in ohmschen Kontakt bringt,

Vorzugsweise besteht die erste, dritte land vierte Halbleiterschicht aus Galliumaluminiumarsenid (Ga₁ .^U. As mit χ =■ kleiner als 1 und größer als 0) ¹UHd di® zweite Halbleiterschicht aus Galliumarsenid

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Darstellung eines gemäß dem Stand der Technik aufgebauten Doppelheterogrenzschichtlasers j

Fig. 2 eine perspektivische Darstellung eines erfindungsgeiräß gewonnenen Grenz- oder Sperrschichtlasers j

Fig.3a bis 3d Querschnitte, die die Schrittfolge des Verfahrens gemäß der Erfindung zur Herstellung einer» Halbleiterlasers veranschaulichen, und

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Fig. 4 eine perspektivische Darstellung eines nach den in den Fig. 3 erläuterten Verfahrensschritten hergestellten Halbleiterlaser.

Das in Fig. 1 dargestellte "bekannte Halbleiterlaserelement enthält drei aufeinander liegende Halbleiterschichten 10, 12 und 14. Die obere Halbleiterschicht 10 besteht üblicherweise aus P-leitfähigem Galliumaluminiumarsenid (Ga^_xAl_xAs) mit χ kleiner 1 und größer 0 und besitzt ein breites verbotenes Band bzw. einen breiten Energiespalt. Die untere Halbleiterschicht 14 besteht üblicherweise aus N-leitfähigem Galliumaluminiumarsenid und besitzt ebenfalls ein breites verbotenes Band. Zwischen den Schichten 10 und 14 liegt die Halbleiterzwischenschicht 12, die in der Regel aus N- oder P-leitfähigem Galliumarsenid (GaAs) besteht und ein schmales verbotenes Band aufweist. Das Ganze bildet dann ein Doppelheterogrenzschichtlaserelement. Mit der oberen und unteren Halbleiterschicht 10 und 14 befindet sich ein Elektrodenpaar 16 in ohmsehern Kontakt.

Die in Fig. 1 dargestellte Anordnung vermag Licht und Ladungsträger in einer Richtung senkrecht zur Ebene des darin gebildeten PN -Übergangs zu sperren bzw. zu begrenzen, so daß in der GaAs-Zwischenschicht 12 Licht und Ladungsträger extrem hoher Dichte entstehen. Folglich wurde der Schwellenstrom auf ein Zehntel oder weniger des Werts für übliche Homogrenzschichtlaser erniedrigt. Bei der in Fig. 1 dargestellten Anordnung können jedoch Licht und Ladungsträger in Querrichtung nicht begrenzt bzw. gesperrt werden.

Erfindungsgemäß soll die Dichte des Schwellenstroms und folglich der Betriebsstrom für Grenzschichtlaserelemente

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weiter erniedrigt werden, wobei gleichzeitig Licht und Ladungsträger in Längs- und Querrichtung der Laserelemente bzw. in zwei Dimensionen begrenzt bzw. gesperrt werden sollen.

Die der Erfindung zugrundeliegenden Prinzipien werden nun anhand von Fig. 2 näher erläutert. Bei der in Fig. dargestellten Anordnung liegt eine Halbleiterschicht 20 eines ersten Leitertyps,'z.B. einer N-Leitfähigkeit, auf einer Halbleiterschicht 22 eines zweiten Leitertyps, z.B. einer P-Leitfähigkeit, wobei zwischen beiden Halbleiterschichten ein PN-Übergang gebildet wird. Im vorliegenden Falle bestehen beide Halbleiterschichten 20 und 22 aus Galliumaluminiumarsenid (Ga^_xAl_xAs mit χ kleiner 1 und größer 0); bei dem PN-Übergang handelt es sich um eine Homogrenzschicht aus Galliumaluminiumarsenid. Die Halbleiterschicht 20 umfaßt eine weitere Halbleiterschicht 24 des ersten Leitertyps, d.h. einer N-Leitfähigkeit, aus Galliumarsenid (GaAs), die mit einer in der Halbleiterschicht 22 gebildeten weiteren Halbleiterschicht 26 des zweiten Leitertyps bzw. einer F-Leitfähigkeit aus Galliumarsenid (GaAs) in Kontakt steht. Auf diese Weise entsteht zwischen den Halbleiterschichten 24 und 26 aus Galliumarsenid eine PN-Homogrenzschicht bzw. ein PN-Homoübergang. Mit den beiden Halbleiterschichten 20 und 24 befindet sich eine Elektrode 28 in ohmschem Kontakt. Eine weitere Elektrode 28 steht mit der Halbleiterschicht 22 in ohmschem Kontakt.

Wenn an die in Fig. 2 dargestellte Anordnung eine Vorwärtsspannung angelegt wird, ist ein durch die GaAs-Homogrenzschicht fließender Strom J₁ größer als ein durch die Ga^^l^As-Homogrenzschicht fließender Strom J₂

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da das GaAs in der Breite des verbotenen Bandes schmaler ist als das Ga₁^_xAl_xAs. Wenn beispielsweise χ in Ga₁ =0,3, kann das Verhältnis zwischen den beiden Strömen J₁ZJ₂ ohne weiteres gleich etwa 100 sein. Dies wurde experimentell für die sogenannten Halbleiterstreifengeometrie-DH-Laser (junction-stripe-geometry DH lasers), die im Hinblick auf eine Stromkonzentration nach ähnlichen Prinzipien arbeiten, bestätigt. In anderen Worten gesagt, fließt ein großer Teil des Stroms durch die zwischen den Schichten 24 und 26 gebildete GaAs-Homogrenzschicht bzw. den GaAs-Homoübergang.

Der durch diese GaAs-Homogrenzschicht bzw. durch diesen GaAs-Homoübergang fließende Strom besteht in der Regel aus einer Komponente aus Elektronen, die aus der GaAs-Schicht 24 des ersten Leitertyps in die GaAs-Schicht 26 des zweiten Leitertyps injiziert wurden, und einer Komponente aus den aus der Schicht 26 in die Schicht 24 injizierten Defektelektronen. Es ist jedoch möglich, diesen Strom aus den injizierten Elektronen allein durch geeignete Steuerung der Störstellendichte in beiden Schichten 24 und 26 zusammenzusetzen· Die aus der Schicht 24 in die Schicht 26 injizierten Elektronen sind in drei Richtungen von dem eine größere Breite des verbotenen Bandes als GaAs aufweisenden Ga₁^_xAl_xAs umgeben, so daß sie daran gehindert werden, in die Ga,. Α1_χΑβ-Schicht 22 des zweiten Leitertyps zu diffundieren. Dies führt zu der Strahlungsrekombination in der Schicht 26. Das heißt, übliche Doppelheterogrenzschichtstrukturen vermögen Ladungsträger in zwei Richtungen zu sperren, derselbe Effekt ist bei den in Fig. 2 dargestellten erfindungsgemäß herstellbaren Lasern in drei Richtungen gegeben.

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Auch der Lichtsperr- oder-begrenzungseffekt tritt in entsprechender Weise in drei Richtungen oder zwei Dimensionen in Erscheinung, da die Schicht 26 in drei Richtungen durch die einen niedrigen Brechungsindex aufweisende Ga₁ Al As-Schicht 22 umgeben, ist. Es hat sich gezeigt, daß durch Verengen der Breite der Schicht 26 ein optischer Wellenleiter hervorragender Gleichmäßigkeit gebildet werden kann. Weiterhin läßt sich die Oszillations- bzw. Schwingungsart steuern.

Es hat sich ferner gezeigt, daß sich Ladungsträger und Licht dann mit Hilfe der Schicht 26 am wirksamsten sperren lassen, wenn diese in einer Richtung senkrecht zur Grenzschichtebene eine Stärke von 1 bis mehreren Mikron und in einer parallel zur Grenzschichtebene liegenden Richtung eine Breite von 0,3 bis 1 Mikron aufweist. Das Ergebnis hiervon ist, daß eine Schwingung bei niedrigem Schwellenstrom möglich ist.

Das Verfahren gemäß der Erfindung wird nun im Zusammenhang mit Fig. 3 im einzelnen beschrieben. Aus Fig. 3a geht hervor, daß eine erste Halbleiterschicht 32 aus N-leitfähigem Galliumaluminiumarsenid (Ga* ^Al As mit χ in der angegebenen Bedeutung)durch epitaxiales Wachstum aus der flüssigen Phase auf einer der gegenüberliegenden Hauptflächen eines Halbleitersubstrats 30 aus N-leitfähigem Galliumarsenid (GaAs) aufwachsen gelassen wurde. Dann sind auf die Halbleiter schicht 352 in der angegebenen Reihenfolge nacheinander durch epitaxiales Wachstum aus der flüssigen Phase eine zweite Halbleiterschicht 34 aus N-leitfähigem Galliumarsenid (GaAs), eine dritte Halbleiterschicht 36 aus N-leitfähigem Al As und eine vierte Halbleiterschicht 38 aus

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P-leitfähigem Ga_1-35Al_xAs aufwachsen gelassen worden* Das verwendete Galliumaluminiumars enid (Ga* Al As) besaß einen Aluminiumgehalt von etwa χ => 0,3 entsprechend der Formel Ga₁^_xAl_xAs. Das Galliumarsenid und Galliumaluminiumarsenid enthielten ihre eigenen Verunreinigungen, deren Konzentration 4 χ 10 Atome pro cnr entsprach.

Dann ist, wie Fig. 3b zeigt, auf der freiliegenden Fläche der P-leitfähigen Halbleiterschicht 38 selektiv ein Siliziumdioxid (SiOgJ-Film/'abgelagert. Der nicht mit dem Siliziumdioxid⁺40 bedeckte Teil der vierten Halbleiterschicht 38 wird mit einem Ätzmittel, z.B. einem Schwefelsäuresystem, zusammen mit den unter dem wegzuätzenden Teil der obersten Schicht 38 liegenden Teilen der Halbleiterschichten 36 und 34 weggeätzt, bis der von dem weggeätzten Teil der Schicht 34 überdeckte Teil der Halbleiterschicht 32 teilweise an- bzw. weggeätzt worden ist. Der weggeätzte Teil der Halbleiterschichten ist mit 42 bezeichnet.

Sämtliche beim epitaxialen Wachstum der Schichten 32 bis 38 verwendeten Schmelzen können zum Wegätzen des Bereichs 42 verwendet werden. Dann wird ein mit 1 χ 10

•ζ

Zinkatomen pro cnr verunreinigtes, P-leitfähiges Galliumaluminiumars enid (Ga., _χΑ1_χΑβ) auf der freiliegenden Oberfläche der Halbleiterschicht 32 epitaxial wachsen gelassen, bis die nun gewachsene Schicht vollständig den entfernten Bereich 42 ausfüllt« Im vorliegenden Falle enthält das Galllumaluminiumarsenid das Aluminium in dh«r Menge von etwa χ « 0,3· Die gezüchtete Schicht des p-leitfähigen Ga₁^_xAl_xAs ist ebenfalls mit 42 bezeichnet. Die Fig. 3b zeigt den Aufbau der Anordnung nach d*r Züchtung der P-leitfähigen Schicht 42.

+) film -9-

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Hierauf wird die in Fig. 3b dargestellte Anordnung bei einer geeigneten Temperatur einer thermischen Behandlung unterworfen, um das Zink in der Schicht 42 in die benachbarten Teile der Schichten 32, 34, 36 und 38 zur Bildung entsprechender Diffusionszonen 32', 34 *, 36* und 38* mit einer in Fig. 3c gestrichelt gezeichneten Grenze zu diffundieren. Die Tiefe der Diffusion läßt sich durch die jeweilige thermische Behandlungstemperatur und -dauer steuern. Im vorliegenden Falle beträgt die Diffusionstiefe 1,5 Mikron.

Von den Diffusionszonen erfährt die Zone 38 * lediglich eine Änderung in der Störstellendichte, da sie ursprünglich eine P-Leitfähigkeit aufwies und in diese Zone P-leitfähige Störstellen bzw. Verunreinigungen eindiffundiert wurden. Die restlichen Zonen 32* bis 36^f, die ursprünglich eine N-Leitfähigkeit aufwiesen, gehen durch das Eindiffundieren des Zinks in den P-Leitertyp über. Die Zonen 32' bis 38' besitzen im vorliegen-

18 den Falle jeweils eine Störstellendichte von etwa 4 χ Atomen pro cm . Folglich wird der im Zusammenhang mit Fig. 2 beschriebene Strahlenrekombinationsbereich von der Zone 34* gebildet. Schließlich wird der Siliziumdioxidfilm 40 in üblicher bekannter Weise entfernt, worauf ein Elektrodenpaar 44 mit der anderen Seite des Substrats 30 und der freiliegenden Oberseite der Schicht 38 und des Bezirks 42 in ohmschen Kontakt gebracht wird.

Das Verfahren gemäß der Erfindung wurde im Zusammenhang mit einem GaAs/Ga.|^^^^As-System beschrieben. Selbstverständlich lassen sich die der Erfindung zugrundeliegenden Erkenntnisse und die erfindungsgemäß durchgeführten Maßnahmen auch mit anderen Kombinationen zweier

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Halbleitertypen mit voneinander verschiedener Breite des verbotenen Bandes anwenden, eraer kann der Film 40 auch aus Siliziumnitrid (Si,N^) oder Si_xN 0 bestehen. Das im vorliegenden Falle (Fig. 3b) zum Wegätzen des Bereichs 42 verwendete Ätzmittel (Schwefelsäuresystem) kann auch durch ein anderes Ätzmittelsystem mit Bor und Methanol und dergleichen ersetzt werden. Die zum Wegätzen des Bereichs 42 verwendete Schmelze muß nicht aus einer der beim epitaxialen Wachstum der Schichten 32 bis 38 verwendeten Schmelzen bestehen. Sie kann vielmehr aus irgendeiner anderen Schmelze gebildet sein. Weiterhin können die Schichten 38 und 36 chemisch weggeätzt und dann die Schicht 34 und ein Teil der Schicht 32 mit einer beliebigen Schmelze weggeätzt werden. Andererseits kann die zum Wachsen der mit Zink dotierten Galliumaluminiumarsenidschicht verwendete Schmelzezum Wegätzen der Schicht 34 und eines Teils der Schicht 32 und zum anschließenden Züchten des P-leitfähigen Galliumaluminiumars enids im Bereich 42 verwendet werden.

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Claims

Patentansprüche

1.!Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements, dadurch gekennzeichnet, daß man nacheinander auf einer ersten Halbleiterschicht eines ersten Leitertyps eine zweite und dritte Halbleiterschicht des ersten Leitertyps ausbildet, wobei die erste und dritte Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material relativ großer Breite des verbotenen Bandes und die zweite Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material relativ geringer Breite des verbotenen Bandes besteht; dall man die dritte Halbleiterschicht von ihrer freiliegenden Oberfläche her selektiv ätzt, um einen den geätzten Teil der dritten Halbleiterschicht und den dadurch überdeckten Teil der zweiten Halbleiterschicht umfassenden Bereich bis zur ersten Halbleiterschicht zu entfernen} daß man zur vollständigen Ausfüllung des entfernten Bereichs eine vierte Halbleiterschicht eines zweiten Leitertyps aus einem halbleitenden Material relativ großer Breite des verbotenen Bandes ausbildet; daß man die neben der vierten Halbleiterschicht liegenden Teile der ersten, zweiten und dritten Halbleiterschicht des ersten Leitertyps in den zweiten Leitertyp umwandelt und daß man mit der ersten Halbleiterschicht einen ersten elektrischen Anschluß und mit der vierten Halbleiterschicht einen zweiten elektrischen Anschluß in ohmschen Kontakt bringt.

2. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die erste, dritte und vierte Halbleiterschicht

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aus Galliumaluminiumarsenid (Ga^_xAl_xAs mit χ geringer als 1 und größer als O) und die zweite Halbleiterschicht aus Galliumarsenid (GaAs) bildet,

3. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die erste und dritte Halbleiterschicht aus Galliumaluminiumarsenid vom N-Leitertyp, die vierte Halbleiterschicht aus Galliumaluminlumarsenid vom P-Leitertyp und die zweite Halbleiterschicht aus Galliumarsenid vom N-Leitertyp bildet.

4· Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements, dadurch gekennzeichnet, daß man auf einer Halbleiterunterlage eines ersten Leitertyps nacheinander in der angegebenen Reihenfolge eine erste Halbleiterschicht des ersten Leitertyps, eine zweite Halbleiterschicht des ersten Leitertyps und eine dritte Halbleiterschicht des ersten Leitertyps ausbildet, wobei die Halbleiterunterlage und die zweite Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material relativ geringer Breite des verbotenen Bandes bestehen und die erste Halbleiterschicht und die dritte Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material relativ großer Breite des verbotenen Bandes gebildet sind; daß man die dritte Halbleiterschicht von ihrer freiliegenden Oberfläche her selektiv ätzt, um einen den geätzten Teil der dritten Halbleiterschicht und die darunterliegenden Teile der zweiten Halbleiterschicht umfassenden Bereich bis zur ersten Halbleiterschicht zu entfernen; daß man zur vollständigen Ausfüllung das entfernten Baraichs eine vierte Halbleiterschicht •ines zweiten Laitertyps aus einem halbleitenden Ma-

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terial relativ großer Breite des verbotenen Bandes ausbildet; daß man die neben der vierten Halbleiterschicht liegenden Teile der ersten, zweiten und dritten Halbleiterschicht in den zweiten Leitertyp umwandelt und daß man mit der Halbleiterunterlage einen ersten elektrischen Anschluß und mit der vierten Halbleiterschicht einen zweiten elektrischen Anschluß in ohmschen Kontakt bringt.

5« Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man die Halbleiterunterlage und die zweite Halbleiterschicht aus Galliumarsenid vom N-Leitertyp, die erste und dritte Halbleiterschicht aus Galliumaluminiumarsenid vom N-Leitertyp und die vierte Halbleiterschicht aus Galliumaluminiumarsenid vom P-Leitertyp bildet.

6. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements, dadurch gekennzeichnet, daß man nacheinander in der angegebenen Reihenfolge auf einer Halbleiterunterlage eines ersten Leitertyps eine erste Halbleiterschicht des ersten Leitertyps, eine zweite Halbleiterschicht des ersten Leitertyps, eine dritte Halbleiterschicht des ersten Leitertyps und eine vierte Halbleiterschicht eines zweiten Leitertyps ausbildet, wobei die Halbleiterunterlage und die zweite Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material relativ geringer Breite des verbotenen Bandes bestehen und die erste, dritte und vierte Halbleiterschicht aus einem halbleitenden Material relativ großer Breite des verbotenen Bandes gebildet sind] daß man die vierte Halbleiterschicht von ihrer freiliegenden Ober-

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fläche her selektiv ätzt, um einen den geätzten Teil der vierten Halbleiterschicht und die darunterliegenden Teile der dritten und zweiten Halbleiterschichten umfassenden Bereich bis zur ersten Halbleiterschicht zu entfernen; daß man zur Auffüllung des entfernten Bereichs eine fünfte Halbleiterschicht des zweiten Leitertyps aus einem halbleitenden Material relativ großer Breite des verbotenen Bandes ausbildet; daß man die neben der fünften Halbleiterschicht liegenden Teile der ersten, zweiten und dritten Halbleiterschicht in den zweiten Leitertyp umwandelt und daß man mit der Halbleiterunterlage einen ersten elektrischen Anschluß und mit der vierten und fünften Halbleiterschicht einen zweiten elektrischen Anschluß in ohmschen Kontakt bringt.

7· Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß man die Halbleiterunterlage und die zweite Schicht aus Galliumarsenid vom N-Leitertyp, die erste und dritte Halbleiterschicht aus Galliumaluminiumarsenid vom N-Leitertyp und die vierte und fünfte Halbleiterschicht aus Galliumaluminiumarsenid vom P-Leitertyp bildet.

8. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man bei der Umwandlung des Leitertyps eine Hitzebehandlung durchführt.

9. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß

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man bei der Umwandlung des Leitertyps eine Hitzebehandlung durchführt.

10. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaserelements nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß man bei der Umwandlung des Leitertyps eine Hitzebehandlung durchführt.

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