DE2449931C2 - Verfahren zum Herstellen einer rotleuchtenden Galliumphosphid-Leuchtdiode - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer rotleuchtenden Galliumphosphid-Leuchtdiode

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Akinobu Yokohama Kasami
Makoto Kamakura Kanagawa Naito
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
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US3727115A (en) * 1972-03-24 1973-04-10 Ibm Semiconductor electroluminescent diode comprising a ternary compound of gallium, thallium, and phosphorous

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