DE2449305A1 - Verfahren zur herstellung von defektlosen epitaxialschichten - Google Patents

Verfahren zur herstellung von defektlosen epitaxialschichten

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DE2449305A1 DE19742449305 DE2449305A DE2449305A1 DE 2449305 A1 DE2449305 A1 DE 2449305A1 DE 19742449305 DE19742449305 DE 19742449305 DE 2449305 A DE2449305 A DE 2449305A DE 2449305 A1 DE2449305 A1 DE 2449305A1
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Description

Dr.D.Thomsen PATENTANWALTSBÜRO
W. Weinkauff T8lercn (m 530211
Dr.l.Ruch ^0212 2449305
_ .. . . Telex 5-24303 topat
Dr. H. Agular
PATENTANWÄLTE MOnchen: Frankfurt/M.:
Dr. rer. nat. D. Thomsen Dlpl.-lng. W. Weinkauff
Dr. rer. nat. I. Ruch (Fuchshohl 71) Dipl.- Ing. Dr. H. Agular
8000 München 2 Kaiser-Ludwig-Platze 16. Oktober 1974
Matsushita Electric Industrial Company, Limited Kadoiria City, Osaka, Japan
Verfahren zur Herstellung von defektlosen Epitaxialschichten
Die Erfindung betrifft allgemein ein Verfahren zur Beseitigung von Defekten und Spannungen in einer auf einem Galliumphosphidsubstrat abgeschiedenen Epltaxialschicht mit einem stickstoff dotierten Oberflächengebiet und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer solchen, durch Epitaxialwachsturn aus der Dampfphase erzeugten Schicht, die frei ist von Kristalldefekten und daher eine p-n-Ubergangszone mit verbesserten Eigenschaften ergibt.
Es ist bekannt und stellt ein beträchtliches Problem auf dem Gebiet der Halbleiter dar, daß eine aus einer Dampfphase gewachsene
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2U9305
Epitaxialschicht häufig gewisse Defekte im Kristall aufweist. Die Defekte sind verantwortlich für nicht zufriedenstellende Eigenschaften der Übergangszone oder Halbleiterbauelemente auf der Grundlage der Epitaxialschicht. Zur Herstellung defektloser Epitaxialschichten sind daher schon verschiedene Verfahren vorgeschlagen worden, deren Ergebnisse sich aber nicht gleichen und von dem Halbleitermaterial abhängen.
Galliumphosphid ist eines der Materialien, für die das Problem solcher Kristalldefekte noch ungelöst ist. Wenn eine GrUnlicht emittierende GaP-Diode hergestellt wird, indem man zunächst aus der Dampfphase eine stickstoffdotierte η-Typ GaP-Epitaxialschlcht bildet und danach einen p-n-Übergang erzeugt, indem man Zink in den Oberflächenbereich der n-Typ-Schicht eindiffundieren läßt, ist die Lichtwirkung der Diode nicht so hoch wie diejenige einer gleichen Diode, die durch Aufwachsen aus einer Lösung erzeugt ist. Die schlechtere Wirkung des aus der Dampfphase aufgewachsenen Produktes wird Kristalldefekten, die sich während der Dotierung ausbilden und zu VerformungsSpannungen in der Epitaxialschicht führen, zugeschrieben. Solche Defekte und Spannungen können aber auch durch den Einfluß des Substrats erzeugt werden.
Aufgabe der Erfindung ist daher ein Verfahren zum Heilen der Kristalldefekte und Spannungen in einer aus der Dampfphase aufgewachsenen Epitaxialschicht und stickstoffdotierten GaP-Epitaxialschient.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Epitaxialschicht aus stickstoffdotiertem GaP, das eine Grünlicht emittierende Diode von verbesserter Lichtwirkung ergibt.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren, bei dem eine auf einem GaP-Substrat abgeschiedene Epitaxialschicht aus GaP mit einem stickstoffdotierten Oberflächenbereich einer Wärmebehandlung unterworfen wird. Temperatur und Zeit der Wärmebehandlung liegen in dem in Figur 5 der Zeichnungen gezeigten polygonalen Gebiet A-B-C-D-E-P, das durch die die Koordinaten verbindenden Linien begrenzt ist:
Temperatur, 0C Zeit, Std.
A IhO 0,25
B · 7^0 7,0
C 850 6,0
D 900 2,5
E 950 0,75
P 1000 0,5
und die Epitaxialschicht wird während der Wärmebehandlung gegen eine Verdampfung einer Komponente davon sowie gegen die chemische Einwirkung irgendeiner Premdsubstanz darauf geschützt. Um diesen Schutz zu erzielen,erfolgt die Wärmebehandlung vorzugsweise in einem Strom von Wasserstoff, Stickstoff oder Argon und in Anwesen-
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heit einer mit GaP gesättigten Galliumschmelze. Alternativ wird die Epitaxialschicht mit einem Film aus Siliciumdioxyd, Siliciumnitrid oder Aluminiumoxyd überzogen.
Eine GrUnlicht emittierende Diode, die erzeugt wird, indem man auf der so behandelten Schicht einen Zinkdiffusionsbereich bildet, ergibt eine Lichtwirkung bis zu nahezu dem 4-fachen derjenigen, die ohne die Wärmebehandlung erzielt wird.
In den Zeichnungen ist:
Figur 1 ein schematischer Schnitt durch eine Grünlicht emittierende GaP-Diode;
Figur 2 ein schematisierter Schnitt durch eine Vorrichtung zum Aufwachsenlassen einer Epitaxialschicht aus GaP aus einer Dampfphase;
Figur 3 eine graphische Auftragung der Beziehung zwischen der Erhitzungstemperatur bei einem Verfahren gemäß der Erfindung und der Lichtwirkung Grünlicht emittierender GaP-Dioden, die aus den der Wärmebehandlung gemäß der Erfindung unterworfenen Epitaxialschichten erzeugt sind;
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Figur 4 eine Auftragung der Beziehung zwischen der Erhitzungszeit bei einem Verfahren gemäß der Erfindung und der Lichtwirkung der gleichen Dioden;
Figur 5 eine Darstellung des wirksamen Bereichs von Erhitzungsbedingungen bei einem Verfahren gemäß der Erfindung und
Figur 6 ein schematischer Schnitt durch eine Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens gemäß der Erfindung.
Eine Grünlicht emittierende GaP-Diode 10 hat den durch Figur 1 veranschaulichten Aufbau. Eine Oberfläche eines η-Typ GaP-Substrats 11 wird mit einem Überzug aus einer GaP-Schicht 12 vom η-Typ, die durch Aufwachsen aus der Dampfphase mit einer Dicke von etwa 8o bis ΙΟΟμ gebildet wird, versehen. Auf dieser Schicht 12 vom n-Typ wird eine Epitaxialschicht 15 aus mit einer Verunreinigung vom η-Typ und stickstoffdotierten GaP-Schicht von etwa 20 bis 50μ Dicke gebildet. Ein etwa 5 bis 10μ dickes Oberflächengebiet 14 der stickstoffdotierten Schicht 13 ist eine durch Zinkdiffusion erhaltene Schicht vom p-Typ- Das Substrat 11 und die Schicht 14 weisen Elektroden 15 bzw. 16 auf.
Die Emission von grünem Licht durch die Diode 10 ist den Stickstoffatomen in der Epitaxialschicht 13 zuzuschreiben. Da so-
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wohl Stickstoff als auch Phosphor Elemente der Gruppe V sind, treten Stickstoffatome gewöhnlich an die Stelle von Phosphoratomen des GaP-Kristalls. Ein Teil der Stickstoffatome tritt jedoch in gewisse Räume zwischen den Gallium- und Phosphoratomen des Kristalls ein, weil die Stickstoffdotierung für diesen Zweck in der Weise erfolgt,
1R daß hohe Stickstoffatomkonzentrationen in dem Bereich von 1x10
20 3
bis 1x10 je cm erzielt werden. Das Eindringen der Stickstoffatome in abnormale Stellungen in dem Kristallgitter erzeugt die Kristalldefekte und verursacht Spannungen in dem Kristall. Bekanntlich können die Defekte und Spannungen des Kristalls, die auf solche und andere Ursachen zurückzuführen sind, in gewissem Ausmaß reduziert werden, indem man die Kristallwachstumsbedingungen steuert; in der Praxis ist es jedoch außerordentlich schwierig, diese Bedingungen so zu steuern, daß zufriedenstellende Ergebnisse erzielt werden.
Gemäß der Erfindung kann die stickstoffdotierte Schicht 13 nach einem üblichen Verfahren mit beispielsweise der durch Figur 2 veranschaulichten Vorrichtung gebildet werden. Das Substrat 11 aus GaP-Kristall, in diesem Fall vom η-Typ, und eine Materialquelle 20 für Dampfphasenkristallwachstum werden in ein Reaktionsrohr 30 aus beispielsweise Quarz eingebracht. Das Reaktionsrohr 30 wird in einem (nicht-gezeigten) Ofen so erhitzt, daß in dem Reaktionsrohr 30, wie in Figur 2 gezeigt, ein Temperaturgradient erzeugt wird, derart, daß die Materialquelle 20 bei etwa 93O0C und das Substrat 11 bei etwa
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83O0C gehalten wird. Die Materialquelle 20 ist gewöhnlich eine Galliumschmelze; jedoch kann alternativ entweder ein Einkristall oder ein Polykristall aus GaP verwendet werden. Zum Aufwachsenlassen der Epitaxialschichten 12 und 13 vom η-Typ wird gewöhnlich als Materialquelle 20 eine Galliumschmelze, die mit GaP gesättigt und mit Schwefel als n-Typ-Dotierungsmittel vermischt ist, verwendet. Das Reaktionsrohr 30 weist an seinem einen Ende einen ersten und einen zweiten Gaseinlaß hO bzw. 50 auf, so, daß, in Strömungsrichtung gesehen, die Materialquelle 20 vor dem Substrat 11 angeordnet ist.
Zunächst wird gasförmiges PhosphortriChlorid mit Wasserstoff als Träger durch den ersten Gaseinlaß 4o in das Reaktionsrohr eingeführt. Die beiden Gase reagieren miteinander unter Bildung von Phosphor (P^) und Chlorwasserstoff
4PCI., + 6H2 } P^ + 12HC1
Der so gebildete Chlorwasserstoff reagiert mit dem Gallium der Materialquelle 20 unter Bildung von Galliummonochlorid, das seinerseits mit dem erwähnten Phosphor unter Bildung von Galliumphosphid reagiert.
2Ga + 2HCl ν 2GaCl + H2
6GaCl + P1, > 4GaP + 2GaCl,
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Auf diese Weise wächst die Epitaxialschicht 12 aus GaP vom n-Typ auf dem Substrat 11 auf. Dann wird gasförmiges Ammoniak mit Wasserstoff als Träger durch den zweiten Gaseinlaß 50 in das Rohr 30 eingeleitet, um die stickstoffdotierte Epitaxialschicht 13 vom n-Typ aufwachsen zu lassen.
Alternativ kann eine gleiche GaP-Epitaxialschicht hergestellt werden, indem man Gallium als Materialquelle und Chlorwasserstoff und Phosphin (PH,) als Reaktionsgase verwendet. Ein Verfahren gemäß der Erfindung ist praktisch auf jede GaP-Epitaxialschicht, die aus einer Dampfphase aufgewachsen und mit Stickstoff dotiert ist, anwendbar, unabhängig von dem Aufwachsverfahren.
Es wurde gefunden, daß die Kristalldefekte und Spannungen in den GaP-Epitaxialschichten 12 und 13 geheilt oder beseitigt werden können, indem man das Substrat 11, das mit diesen Schichten 12 und 13 überzogen ist, für eine bestimmte Zeit nach der Dotierung mit Stickstoff auf eine Temperatur zwischen 72^O0C und 10000C erhitzt. Die Erhitzungszeit kann je nach der Erhitzungstemperatur variieren, wie im folgenden beschrieben, und die stickstoffdotierte Epitaxialschicht 13 muß während des Erhitzens gegen eine Verdampfung ihrer Komponenten und die chemische Einwirkung von Fremdsubstanzen geschützt werden. Eine erste bevorzugte solche Schutzmaßnahme besteht darin, das Erhitzen in einem Strom von Wasserstoff, Stickstoff oder Argon, der gegenüber der GaP-Schicht 13 inaktiv ist, und in Anwesenheit einer mit GaP gesättigten Galliumschmelze durchzuführen. Eine
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zweite Sctatzeaßinaime besteht· darin* daß man die stickstoffdotierte Epltäöalsehleht 113 mit. einem dünnen Film aus. einem bekannten Schutzmaterial,, " wle; Sllleiumdioxyd,, Siliciumnitrid oder Aluminiumoxid.; überzieht» '"
Die Wärmebehandlung, gemäß der Erfindung kann in dem Keaktlonörota--3O' von Figur 2 unter Abschalten der Zufuhr von Phosphortrlehlorid und Ammoniak, jedoch weiterer Zufuhr von Wasserstoff und Elmregplleren" der ErM tzung stern per a tür durchgeführt werden. Alternativ fcamnr «Has Substrat 11 nach· Beendigung; der Dotierung; milt Stickstoff einaal auf Bau»temperatur gekühlt und aus der Vbrrlch-' tuamg entnommen und danach in einer anderen ¥orrichtung der Wärmebehandlung unterworfen werden.
Me: Wirkung; der Wärmebehandlung auf die Epitaxial schichten 12 und i3 wurde durch Messen der Liehtwlrkung; der Grünlieht· emittierenden Blöden f©, die aus den wärmebehandelten Proben hergestellt wurden* ermiittelt. Die Kessungen wurden über weite Bereiche von Erhltzuunigsfeemperatuiren und Erhitzungszelten durchgeführt,, und die Ergebnisse werden durch die Figuren > und 4 veranschaulicht.
Figur 3 zeigt die Beziehung zwischen der Erhltzungstemperatur und der Eichtwirkung; für verschieidene Erhitzungszeiten., Die L-ichtwerte In den beiden Auftragungen der Figuren 11 und 2 sind Eeiativwerte mit Beziag; auf die Lichtwirkungswerte einer herkömmlichen
Grünlicht emittierenden GaP-Diode, die nach dem gleichen Verfahren wie die Versuehsprobe, jedoch unter Portlassung der 'Wärmebehandlung nach der Stickstoffdotierung, hergestellt ist. Der Wert dieser herkömmliehen GaP-Diode wird als 1,0 angenommen. Die Auftragung von Figur J zeigt, daß die Wärmebehandlung gemäß der Erfindung die Lichtwlrkung der Licht emittierenden Diode -10 wie
folgt beeinflußt:
(a) Der wirksame Temperaturbereich liegt zwischen etwa
und etwa IGO(Fe.
(to) Die höchsten Lichtwirkungswerte können bei Temperaturen in dem Bereich von etwa 8000C bis etwa 9QQ0C erhalten werden, und
die höchsten Werte sind nahezu 4-mal so hoch wie diejenigen, die ohne die Wärmebehandlung erhalten werden,
(c) Für jede Erhitzungszeit gibt es eine optimale Temperatur, und dieses Optimum verschiebt sich nach niedrigeren Temperaturen hin, wenn die Erhitzungszeit verlängert wird.
(d) Die Erhitzungszeit kann allgemein verkürzt werden, wenn die Temperatur erhöht wird, sollte aber mehr als 0,25 Stunden betragen.
(e) Die Temperaturabhängigkeit der Lichtwirkung wird stärker, wenn die Erhitzungszeit verlängert wird, und eine Erhitzungszeit von mehr als etwa 6 Stunden scheint praktisch wenig Vorteile vom Standpunkt der Produktionskosten oder der Verbesserung der Lichtwirkung zu haben.
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Die Auftragung von Figur 4 zeigt die Beziehung zwischen der Erhitzungszeit und der Lichtwirkung für verschiedene Erhitzungstemperaturen, woraus abgelesen werden kann:
(f) Die Lichtwirkung nimmt allmählich zu, wenn die Erhitzungszeit verlängert wird, sofern die Temperatur in dem Bereich zwischen etwa 74O°C und etwa 80O0C liegt.
(g) Es gibt für jede Erhitzungs temperatur über etwa 80O0C eine optimale Erhitzungszeit, und die optimale Erhitzungszeit steigt, wenn die Temperatur gesenkt wird.
(h) Die höchsten Lichtwirkungswerte können erzielt werden, wenn die Erhitzungszeit etwa 0,5 bis 3 Stunden beträgt.
Mit Hinblick auf diese Ergebnisse der experimentellen Prüfung ist zu schließen, daß die Erhitzungstemperatur und die Erhitzungszeit in einem Verfahren gemäß der Erfindung in dem in Figur 5 gezeigten polygonalen Bereich A-B-C-D-E-F liegen soll. Der polygonale Bereich ist durch Linien, die die Punkte oder Koordinaten A (7400C, 0,25 Std.), B (74O0C, 7 Std. ), C (85O0C, 6 Std.), D (9000C, 2,5 Std.)> E (95O0C, 0,75 Std.) und F (10000C, 0,5 Std.) verbinden. Innerhalb dieses Gebietes kann die Wärmebehandlung bei einer Temperatur über etwa 85O0C in verhältnismäßig kurzer Zeit beendet werden, und eine Temperatur unter etwa 85O0C ergibt einen praktisch konstanten Wert der Lichtwirkung über einen verhältnismäßig breiten Bereich der Erhitzungszeit. Um eine Grünlicht emittierende Diode 10, die eine
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maximale Lichtwirkung besitzt, herzustellen, werden die Erhitzungsbedingungen vorzugsweise in dem Temperaturbereich zwischen 82O0C und 88o°C des Polygons A-B-C-D-E-P bestimmt.
Die folgenden Beispiele veranschaulichen die bevorzugten DurchfUhrungsformen des Verfahrens gemäß der Erfindung.
Beispiel 1
Die Vorrichtung von Figur 2 wurde verwendet. Das Reaktionsrohr bestand aus Quarz, und die Materialquelle 20 für das Kristallwachstum war eine mit GaP gesättigte und mit Schwefel als n-Typ-Dotierungsmittel vermischte Galliumschmelze. Das Reaktionsrohr 30 wurde in einem Ofen erhitzt, um die Galliumschmelze 20 und das GaP-Kristallsubstrat 11 bei 9300C bzw. 8300C zu halten. Gasförmiges PCI-, mit Hp als Trägergas wurde vom Gaseinlaß 40 in das Rohr 30 eingeführt, um eine GaP-Kristallschicht 12 vom η-Typ auf dem Substrat 11 epitaxial aufwachsen zu lassen. Nachdem die Epitaxialschicht 12 auf etwa 100μ Dicke angewachsen war, wurde der andere Gaseinlaß 50 geöffnet, um NH-, mit H2 als Trägergas in das Rohr 30 einzuleiten. Die Zufuhr der Gasgemische PC1,-H2 und NH,-H? wurde so lange fortgesetzt, bis die stickstoffdotierte GaP-Epitaxialschicht 13 vom n-Typ auf eine Dicke von etwa 4θμ angewachsen war. Die Konzentration der
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Stickstoffatome betrug etwa 1x10 /cnr. Dann wurde die Zufuhr von PCI, und NH, zu den Gaseinlässen 4θ und 50 unterbrochen, so daß nur noch Hp durch das Rohr geführt wurde, und die Ofentemperatur wurde
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so eingestellt, daß das Substrat 11 bei 84o°C gehalten wurde. Das Erhitzen auf diese Temperatur und das Durchleiten von Hp wurden 2 Stunden fortgesetzt. Das Substrat 11 wurde aus dem Rohr 30 genommen, nachdem die Temperatur auf nahezu Raumtemperatur gesunken war, und die p-Schicht 14 wurde durch Eindiffundieren von Zink in das Oberflächengebiet der stickstoffdotierten Schicht 13 in üblicher Weise gebildet. Die so erzeugte Grünlicht emittierende GaP-Diode besaß eine Lichtwirkung, die etwa 4-mal so hoch war wie diejenige einer sonst gleichen Diode, die nach dem gleichen Verfahren, jedoch unter Portlassen des Erhitzens auf 84O0C in Hp, hergestellt worden war.
Beispiel 2
Beispiel 1 wurde bis zur Beendigung des Aufwachsens der stickstoffdotierten Epitaxialschicht 13 wiederholt. Dann wurde die Zufuhr von PCI, und NH, zu den Gaseinlässen 40 und 50 beendet, so daß nur noch Hp in das Rohr 30 eingeführt wurde, und das Erhitzen des Ofens wurde unterbrochen. Nachdem das Reaktionsrohr 30 sich auf Raumtemperatur abgekühlt hatte, wurde das Substrat 11 mit' den Epitaxialschichten 12 und 13 aus dem Rohr genommen und in ein anderes offenes Quarzrohr 31» wie es durch die Bezugszahl 11a in Figur angezeigt ist, eingebracht. Eine mit GaP gesättigte Galliumsohmelze 20a wurde durch ein Ende des Rohrs 31 an eine Stelle, die verhältnismäßig näher am Gaseinlaß 60 lag, eingebracht. Ein Strom von Np wurde vom Gaseinlaß 60 in das Rohr 31 eingeführt, und das Rohr 31
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wurde erhitzt, um einen Temperaturgradienten, wie er durch Figur 6 veranschaulicht ist, zu erzeugen und die Galliumschmelze 20a bei 95O*C und den Kristall 11a bei 86O0C zu halten. Das Erhitzen wurde 1 Stunde fortgesetzt. Danach wurde der Kristall 11a aus dem Rohr 31 genommen und wie in Beispiel 1 einer Zinkdotierung unterworfen. Die erhaltene GrUnlicht emittierende Diode 10 hatte eine Lichtwirkung, die nahezu die gleiche war wie die in Beispiel 1 erzielte.
Beispiel 3
Der GaP-Kristall 11a mit den Epitaxialschichten 12 und 13 wurde hergestellt wie in Beispiel 1 beschrieben und aus dem Reaktionsrohr 30 genommen. Dann wurde die Oberfläche der stickstoffdotierten Schicht 13 mit einem Film aus SiO2 überzogen. Die Filmdicke betrug etwa 1000 ί?. Der Kristall mit dem Überzug wurde in einer Hp-Atmosphäre 2 Stunden lang auf eine Temperatur von 84O°C erhitzt. Danach wurde der SiO0TFiIm entfernt, und der Kristall 11a wurde in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise einer Zinkdotierung unterworfen. Die Lichtwirkung der erhaltenen grünes Licht emittierenden Diode 10 war praktisch gleich denjenigen, die in den Beispielen 1 und 2 erzielt wurden.
Gleiche Ergebnisse wurden erzielt, wenn als Überzugsmaterial Si^N^ oder AIpO^, verwendet wurden und/oder wenn das Erhitzen in Ar oder einem Gemisch von H2 und N2 oder in einem Vakuum von wenigstens 10 mm Hg durchgeführt wurde. Die Dicke des Schutzfilms beträgt
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vorzugsweise wenigstens etwa 500 i? und kann mit der Art des Filmmaterials variieren. Beispielsweise kann ein Film aus Si^N^ Risse bekommen, wenn seine Dicke 1000 S erreicht. Da die Verdampfung von Gallium und Phosphor von der Epitaxialschicht 13 durch den Überzug aus einem stabilen Material verhindert wird, ist bei dieser Durchführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung eine Dampfquelle, wie die mit GaP gesättigte Galliumschmelze 20, nicht erforderlich.
Die obige Beschreibung bezieht sich insbesondere auf die Herstellung der grünes Licht emittierenden GaP-Diode 10. Das Verfahren ist aber auch für die Herstellung von GaP-Epitaxialschichten für verschiedene andere Zwecke, beispielsweise für einen Halbleiter-Laser, anwendbar. Erhitzungstemperatur und Erhitzungszeit sollten immer in dem polygonalen Gebiet von Figur 5 liegen; jedoch können die optimalen Bedingungen mit dem Zweck variieren.
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Claims (8)

Patentansprüche
1.) Verfahren zur Beseitigung von Defekten und Spannungen in einer auf einem Galliurnphosphidsubstrat abgeschiedenen Epitaxialschicht mit einem stickstoffdotierten Oberflächengebiet, dadurch gekennzeichnet, daß man die Epitaxialschicht auf eine Temperatur und für eine Zeit, die in dem polygonalen Bereich A-B-C-D-E-P von Figur 5 der Zeichnung, der durch die Linien begrenzt wird, die die Koordinaten
Temperatur, 0C Zeit, Std. A 740 0,25 B 740 7,0 C 850 5,0 D 900 2,5 E 950 0,75 P 1000 0,5
verbinden, liegen, wobei die Epitaxialschicht gegen Verdampfen einer Komponente davon und gegen die chemische Einwirkung von Fremdsubstanzen darauf geschützt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Epitaxialschicht dadurch geschützt wird, daß man das Erhitzen in einem gegenüber der Epitaxialschicht inerten Gas und in Gegenwart einer mit Galliumphosphid gesättigten Galliumschmelze durchführt.
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3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas Wasserstoff, Stickstoff oder Argon ist.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Galliumschmelze bei einer Temperatur von 930 bis 9500C gehalten wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Epitaxialschicht, um sie zu schützen, mit einem Film aus einem Schutzmaterial aus Siliciumdioxyd, Siliciumnitrid öder Aluminiumoxyd überzieht.
6. Verfahren nach Anspruch 5> dadurch gekennzeichnet, daß der Film aus dem Schutzmaterial eine Dicke von wenigstens 500 S hat.
7· Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Überzug versehene Epitaxialschicht in einer Atmosphäre aus Argon, Wasserstoff oder einem Gemisch von Wasserstoff und Stickstoff erhitzt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet, daß die
mit dem Überzug versehene Epitaxialschicht in einem Vakuum von wenig-
-5
stens 10 mm Hg erhitzt wird.
9· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzungs tempera tür in dem Bereich zwischen 8000C und 9000C liegt.
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