DE2448544C2

DE2448544C2 - Mikrowellenanordnung mit einem λ/2-Resonator

Info

Publication number: DE2448544C2
Application number: DE2448544A
Authority: DE
Inventors: Frans Christiaan de Eindhoven Ronde
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1973-10-17
Filing date: 1974-10-11
Publication date: 1982-12-23
Also published as: DE2448544A1; NL7314269A; SE7412862L; FR2248621B1; JPS557721B2; IT1022856B; GB1483262A; US4264881A; JPS5068448A; FR2248621A1; SE401058B

Description

Die Erfindung betrifft eine Mikrowellenanordnung mit einem λ/2-Resonafor mit einem Substrat einer an einer Seite des Substrats angeordneten leitenden Grundplatte und einem an der anderen Seite des Substrats angeordneten Leitermuster.

Eine derartige in Mikrostrip ausgeführte mit einem λ/2-Resonator versehene Anordnung ist unter anderen aus der Zeitschrift IEEE Transaction on NTT, vol. 20, Nr. 11, November 1972, Seiten 719-728 bekannt. Das Leitermuster dieser Anordnung enthält einen Mikrostripleiter in Form eines rechteckigen U, der allgemein als Haarnadelresonator bekannt ist.

Als Maßstab für die Brauchbarkeit einer derartigen Anordnung gilt allgemein die Größe der Güte Q des λ/2-Resonators.

Der Haarnadelresonator hat jedoch eine ziemlich niedrige Güte Q, besitzt eine große räumliche Ausdehnung des elektromagnetischen Feldes und verursacht bei Ankopplung mit anderen Komponenten der in Mikrostrip ausgeführten Mikrowellenanordnung leicht das Entstehen von Oberflächenwellen. Die Aufgabe der Erfindung ist es, bei einer Anordnung der eingangs erwähnten Art durch Änderung des Leitermusters die erwähnten Nachteile zu beseitigen und dabei eine Anordnung zu verwirklichen, die sich insbesondere zum Ausführen in Mikrostriptechnik eignet.

Die erfindungsgemäße Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß das Leitermuster mindestens einen λ/2-Resonator bildenden ringförmigen Leiter enthält, der an einer Stelle durch einen Schlitz unterbrochen ist, und daß die Schlitzbreite in bezug auf den Umfang des Ringes klein ist.

Aus der Literaturstelle »Electronics Letters« vom 15. Juni 1972 S. 301 bis 303 sind Anordnungen mit geschlossenen Ringresonatoren bekannt, die einen Umfang gleich der zur Arbeitsfrequenz gehörigen Wellenlänge besitzen. Eine derartige Anordnung hat jedoch große Abmessungen, weist bei Resonanz bei z. B. nicht vollständig symmetrischer Konfiguration leicht Entartung des Resonators in zwei λ/2-Resonatoren mit gegenseitig etwas verschobener Resonanzfrequenz auf und besitzt durch eine ziemlich große elektromagnetische Feldausdehnung des Resonators eine unerwünschte Kopplung mit anderen Komponenten der Anordnung.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 einen Teil einer bekannten Mikrowellenanordnung,

F i g. 2 einen Teil einer erfindungsgemäßen Mikrowellenanordnung, die

Fig. 3a bis 3g einige Kopplungsmöglichkeiten zwi-

sehen zwei in einer erfindungsgemäßen Mikrowelienanordnung angewandten Resonatoren, die

F i g. 4a bis 4g einige Kopplungsmöglichkeiten zwischen einem Resonator und einem geraden Mikrostrip-

leiter in einer erfindungsgemäßen Anordnung, die F i g. 5a und 5b erfindungsgemäße Anordnungen, die

eine Banddurchlaßkennlinie aufweisen, die Fig.6a bis 6c erfindungsgemäße Anordnungen, die

eine Bandsperrungskennlinie aufweisen, die F i g. 7a und 7b erfindungsgemäße Anordnungen, die

eine Richtr^gsbanddurchlaßkennlinie aufweisen, Fig.8 eine erfindungsgemäße Anordnung, in der

zwei Signale gemischt werden können, Fig.9 eine erfindungsgemäße Anordnung, die ein

Hochfrequenzsignal erzeugt, und die Fig. 10a und 10b erfindungsgemäße Anordnungen,

bei denen λ/2-Resonatoren mit elektrischer Abstimmung angeordnet sind.

In Fig. 1 ist ein Teil einer bekannten Mikrostrip

ausgeführten Anordnung dargestellt, die mit einem A/2-Haarnadelresonator versehen ist. Diese Anordnung enthält ein z. B. aus dielektrischem Material gebildetes Substrat I₁ das an einer Seite mit einer leitenden Grundplatte 2 und an der anderen Seite mit einem Leitermuster 3 versehen ist Dieses Leitermuster 3 hat eine rechteckige U-Form und bildet der. λ/2-Resonator.

Dieser Resonator ist mit anderen in der Anordnung in Mikrostrip ausgeführten in der Figur nicht dargestellten Komponenten gekoppelt. Wenn ein derartiger Resonator im Gegentaktbetrieb angeregt wird, zeigt es sich, daß, je nachdem die Schenkel 4 und 5 dieses Resonators dichter beieinander liegen, die in diesen Schenkeln 4 und 5 fließenden Ströme sich stärker zum Fließen entlang dem Innenrand dieser Schenkel neigen. Das Leitermuster ist mit Hilfe von Ätztechnik oder Aufdampftechnik erhalten. Die Ränder eines mit derartigen Techniken verwirklichten Leiters sind nicht gut definiert, wodurch der Widerstand des Leiters entlang den Rändern größer ist als in der Mitte. Der infolgedessen durch die Ströme der unpaarigen Betriebsart verursachte zusätzliche Verlust ist eine der Ursachen, weshalb ein Haarnadelresonator eine ziemlich niedrige Güte hat. Eine Vergrößerung des Quersteges 6 verkleinert diesen Effekt. Andererseits hat dies zur Folge, daß der Abstand zwischen den offenen Enden der Schenkel 4 und 5 vergrößert wird und damit sich das zwischen diesen Enden vorhandene Feld weiter im Raum erstreckt. Dadurch entsteht unerwünschte Kopplung mit anderen in der Umgebung angeordneten Komponenten der in Mikrostrip ausgeführten Anordnung. Außerdem sind die Diskontinuitäten am offenen Ende der Schenkel 4 und 5 und die Knicke am geschlossenen Ende dieser Schenkel Ursache, daß derartige Resonatoren leicht Oberflächenwellen anregen, die sich in der Mikrowellenanordnung fortpflanzen.

Der in F i g. 2 dargestellte Teil einer erfindungsgemäßen Mikrowellenanordnung wirkt dieser Erscheinung dadurch entgegen, daß er einen Mikrostripleiter 7 in Form eines Ringes enthält, der an einer Stelle durch einen Schlitz 8 unterbrochen ist, wobei die Schlitzbreite in bezug auf den Ringumfang klein ist. Dieser Ring bildet einen offenen λ/2-Resonator.

Die Güte Q dieses λ/2-Resonators mit offenem Ring ist größer als der eines Haarnadelresonators, weil das Elektromagnetfeld stärker mit dem Ring verknüpft ist, die Stromverteilung auf dem Querschnitt des Leiters günstiger ist und dieser weniger Diskontinuitäten als der Haarnadelresonator besitzt. Außerdem ist für einen Ring das Verhältnis Oberfläche zu Umfang optimal, wodurch das Verhältnis LJR und damit die Güte Q optimal ist

So betrug »Q« eines in Mikrostrip hergestellten Haarnadelresonators ungefähr 150 und »Q« eines bei der gleichen Frequenz arbeitenden und das gleiche Substrat enthaltenden Λ/2-Resonators in Form eines geschlitzten Ringes ungefähr 300.

Die stärkere Verknüpfung des Elekiromagnetfeldes mit dem Ring verursacht, daß mit diesen Resonatoren versehene Anordnungen sich besonders für Anwendung in Mikrostripausführung eignen, weil die unerwünschte Kopplung mit benachbarten Komponenten in diesen Anordnungen klein ist oder mit anderen Worten, in ■⁵ Mikrostrip hergestellte Anordnungen, die diese Resonatoren enthalten, erfordern eine geringere Oberfläche als die Anordnungen, die bekannte Resonatoren enthalten. In den unten erwähnten Figuren ist einfachheitshalber nur ein Teil des auf einem Substrat angeordneten Leitermusters dargestellt

Erwünschte Kopplungsmöglichkeiten in einer erfindungsgemäßen Mikrowellenanordnung zwischen mindestens zwei λ/2-Resonatoren in Form geschlitzter Ringe sind in den F i g. 3a bis 3g dargestellt ^2:1 Fig.3a zeigt eine Konfiguration mit zwei λ/2-Resonatoren 9 und 10 in Form geschlitzter Ringe, die miteinander elektrisch gekoppelt sind. Fig.3b zeigt eine Konfiguration, bei der zwei λ/2-Resonatoren Ii und 12 in Form geschlitzter Ringe miteinander ^w magnetisch gekoppelt sind, und F i g. 3c zeigt eine vom Leiter 15 verwirklichte galvanische Kopplung zwischen zwei λ/2-Resonatoren 13 und 14 in Form geschlitzter Ringe. In den F i g. 3d bis 3g sind Verbindungen dieser Kopplungen dargestellt. Die F i g. 3d zeigt eine Konfigu- ^!i ration, bei der sowohl eine elektrische als auch eine magnetische Kopplung vorhanden ist, F i g. 3e zeigt eine Konfiguration, bei der sowohl eine elektrische als eine galvanische Kopplung vorhanden ist, F i g. 3f zeigt eine Konfiguration, bei der sowohl eine magnetische als auch eine galvanische Kopplung vorhanden ist, und Fig. 3g stellt eine Konfiguration dar, bei der sowohl eine elektrische als auch eine magnetische und eine galvanische Kopplung auftritt.

Die in F i g. 3b dargestellte Magnetkopplung tritt bei ^4> Anordnungen mit Haarnadelresonatoren allein nicht auf. Gewöhnlich tritt eine Verbindung einer magnetischen mit einer elektrischen Kopplung auf, und zwar in Form einer sogenannten »Näherungs«-kopplung zwischen einem Schenkel eines ersten Haarnadelresonators und einem dazu parallel angeordneten Schenkel eines zweiten Haarnadelresonators.

Diese Kopplung ist in Mikrostrip jedoch mit optimalen Eigenschaften schwer verwirklichbar, weil Kopplung infolge ungleicher Phasengeschwindigkeiten für die Signale bei Gleich- und Gegentaktbetrieb auftritt und durch das offene Ende Oberflächenwellen angestoßen werden. Beim λ/2-Resonator in Form eines geschlitzten Ringes ist es jedoch möglich, optimal magnetisch zu koppeln, wobei die obenerwähnten Effekte keine Rolle spielen.

Die galvanische Kopplung wird angewandt, wenn

eine Schaltung mit Breitbandeigenschaften verwirklicht werden muß. Diese galvanische Kopplung ist nämlich sehr stark, wodurch es möglich ist, mit geringen

¹¹' Verlusten Bandbreitvergrößerung zu verwirklichen.

In einer Mikrowellenanordnung kann der λ/2-Resonator in Form eines geschlitzten Ringes auch mit Mikrostripleitern gekoppelt werden. So zeigt Fig.4a

eine elektrische Kopplung, Fig.4b eine Magnetkopplung und Fig.4c eine galvanische Kopplung zwischen einem λ/2-Resonator 16, 18, 20 in Form eines geschlitzten Ringes, und einem Mikrostripleiter 17, 19 bzw. 21. Eine gemischt elektrisch magnetische Kopplung ist in Fig.4d dargestellt, eine gemischt elektrischgalvanische in F i g. 4e, eine gemischt magnetisch-galvanische in Fig.4f und eine gemischte elektrisch-magnetisch-galvanische Kopplung in F i g. 4g.

Mikrowellenanordnungen, die λ/2-Resonatoren in Form geschlitzter Ringe enthalten und bei denen die erwähnten Kopplungen angewandt werden, können Bandpaß-, Bandsperren oder einen Richtungsbandpaßcharakter bzw. Richtungsbandsperrcharakter aufweisen.

!n den F i g. 5a und 5b sind Beispiele von Mikrowcllenanordnungen mit Λ/2-Resonatoren in Form geschlitzter Ringe dargestellt, die Bandpaßcharakter aufweisen. Die Wirkungsweisen dieser Anordnungen basieren darauf, daß die geraden Mikrostripleiter 22,23, 27,28 nur miteinander für Signale gekoppelt sind, deren Frequenzen in der Resonanzkurve der λ/2-Resonatoren 24, 25, 26, 27, 29, 30, 31 und 32 in Form geschlitzter Ringe liegen. In Fig.5a ist als Kopplung zwischen den geraden Mikrostripleitern 22 und 23 und den benachbarten Resonatoren 24 und 27 eine Magnetkopplung und für die Kopplung zwischen den Resonatoren 24, 25, 26 und 27 gegenseitige elektrische oder magnetische Kopplungen gewählt. Bei der in Fig.5b dargestellten Mikrowellenanordnung sind alle Kopplungen gemischter elektrisch-magnetischer Art. Diese Anordnungen besitzen für Signale mit einer Frequenz in einem Frequenzbereich von ungefähr 4% um 10 GHz eine Durchiaßdämpfung von einigen dB und für außerhalb dieses Bandes liegende Signaifrequenzen eine Isolatiop.sdämpfung über 70 dB.

In den Fig. 6a, 6b und 6c sind Beispiele von Mikrowellenanordnungen mit λ/2-Ringresonatoren dargestellt, die eine Bandsperrungskennlinie aufweisen. Die Wirkungsweise jeder dieser Anordnungen basiert auf Interferenz. Dies bedeutet, daß die Amplitude des Signaiteiies, der ab dem geraden Mikrostripleiter 33,36, 41 zu den λ/2-Resonatoren in Form geschlitzter Ringe 34, 35, 37, 38, 39, 40, 42, 43, 44, 45 und von diesen Resonatoren zurück zum Leiter gekoppelt wird, genau so groß ist wie die Amplitude des Signalteiles, der sich über den geraden Mikrostripleiter 33,36,41 entlang den Resonatoren fortpflanzt, jedoch daß durch die Kopplungen und die verschiendenen Weglängen die Phasendifferenz zwischen diesen Signalteilen 180° beträgt, so daß das Signal an den Resonatoren 34,35; 37,38,39,40; 42,

30

35

45

50

Mit dem in F i g. 6a dargestellten Teil einer Mikrowellenanordnung ist über eine relative Bandbreite von ¹Z₂ ⁰Zo bei 10 GHz Bandmittelfrequenz eine Sperrdämpfung über 70 dB verwirklicht. Außerhalb dieses Bandes war die Durchlaßdämpfung gleich der des gesonderten geraden Mikrostripleiter 33. Zur Vergrößerung der Bandbreite können mehrere Paare überkritisch miteinander gekoppelte identische Resonatoren 37,38; 39 und ^b0 angewandt werden, wie der Teil der in Fig.6b dargestellten Mikroweüenanordnung aufweist, oder es können Resonatorpaare 42, 43; 44, 45 mit etwas verschobener Resonanzfrequenz angewandt werden, wie der Teil einer in F i g. 6c dargestellten Mikrowellen- " anordnung zeigt

Mit Hilfe der in den F i g. 5 und F i g. 6 dargestellten Teile können Mikrowellenanordnungen mit Richtungsbandpaßcharakter verwirklicht werden. Auf diese Weise ist in Fig. 7a eine Einrichtung, bestehend aus einer Verbindung von Anordnungen, die das Bandpaßfilter 46 bis 51 und das Bandsperrfilter 46, 52 und 53; 51, 54 und 55 aufweisen, dargestellt, die Richtungsbandpaßcharakteristik aufweisen. Die Wirkungsweise einer derartigen Anordnung spricht nach der vorangehenden Beschreibung für sich.

Die in Fig.7b dargestellte Mikrowellenanordnung enthält das Mikrostripleiterpaar 56—57 mit Signalanschlußklemmen 58, 59, 60 und 61 und λ/2-Resonatoren in Form geschlitzter Ringe 62,63; 64,65 und 66,67. Ein der Signalklemme 58 zugeführtes Signal kann betrachtet werden, als sei es aus einem Gleich- und einem Gegentaktsignal zwischen den Signalklemmen 58 und

cn f ι * d~: ~: c·: if ™i_:_u -i

uw auigcuaui. uci cinci oigiiain cijucii^ gicilll uci Resonanzfrequenz der Resonatoren 62 bis 67 wird das Gegentaktsignal auf die oben beschriebene Weise von den Resonatoren 62 und 63 reflektiert.

Das Gleichtaktsignal regt diese Resonatoren 62 und 63 jedoch nicht an, so daß es sich entlang den Leitern 56 und 57 fortpflanzt. Die Resonatoren 64,65 und 66 und 67 reflektieren jedoch auf oben beschriebene Weise dieses Signal mit paariger Betriebsart. Beträgt der Abstand zwischen den Resonatoren 62,63 und 64,65 bzw. 66,67 ein ungerades Vielfaches von V₄ der zur Resonanzfrequenz gehörigen Wellenlänge der Resonatoren, so subtrahieren sich an der Signalklemme 58 Gleich- und Gegentaktsignal und addieren sich an der Signalklemme 60. Auf diese Weise wird ein der Signalklemme 58 zugeführtes Signal mit Frequenz gleich der Resonanzfrequenz der Resonatoren an die Signalklemme 60 gelegt und umgekehrt. Gleiches gilt für Signale mit obiger Frequenz, die den Signalklemmen 59 und 61 zugeführt werden. Ein außerhalb des Bandes des Resonators 62 bis 67 an eine der Signalklemmen 58 bis 61 gelegtes Signal pflanzt sich entlang den daran angeschlossenen Leitern 56 oder 57 nach der anderen Seite fort und wird dort abgegeben.

Andere Mikrowellenanordnungen mit λ/1-Resonatoren in Form geschlitzter Ringe sind in den F i g. 8, 9 und 10 dargestellt.

F i g. 8 zeigt eine Mikrowellenanordnung, in der zwei Signale vermischt werden können. Ein einer Signalklemme 68 zugeführtes Signal wird dort mit einem der Signalklemme 69 zugeführten Lokaloszillatorsignal mittels der Dioden 70 und 71 gemischt. Das Mischsignal kann an den Klemmen 72 und 73 abgegriffen werden. Der Mikrostripleiter 74 ist über die Resonatoren 76 und 77 wegen der symmetrischen Struktur des Leitermusters nur mit dem durchgehenden Leiter des T-förmigen Mikrostripleitcrs 75 gekoppelt Das der Signaikiernrne 68 iugeführte Signal ist wegen dieser symmetrischen Struktur immer vom Leiter 74 entkoppelt

Die in Fig.9 dargestellte Mikrowellenanordnung enthält einen λ/2-Resonator 78 in Form eines geschlitzten Ringes, der einen zweiten Schlitz 79 aufweist der durch ein Negativwiderstandselement 80 (z. B. eine Gunn-Diode) überbrückt wird. Dieser Diode 80 wird durch eine Versorgungsquelle 81 über eine Selbstinduktivität 82 eine Versorgungsspanne zugeführt Der Ort des Schlitzes 79 ist derart gewählt daß die Impedanz des λ/2-Resonators 78 an der Stelle des Schlitzes 79 der Impedanz der Diode 78 entspricht um optimale Anpassung zu erhalten. Die Diode 80 gleicht die Verluste aus_; die im Resonator 78 auftreten. Werden die Verluste teilweise ausgeglichen, so verhält sich die Mikrowellenanordnung wie ein aktives Filter, und

werden die Verluste vollständig ausgeglichen, so verhält sich die Mikrowellenanordnung wie ein Oszillator für Mikrowellen.

Die Fig. 10a und 10b stellen Anordnungen dar, die elektrisch abstimmbare λ/2-Resonatoren in Form geschlitzer Ringe enthalten.

Die in Fig. 10a dargestellte Mikrowellenanordnung enthält einen λ/2-Resonator 83 in Form eines geschlitzten Ringes, der mit einem Substrat aus halbleitendem Material versehen ist, wie z. B. Galliumarsenid. An der Stelle des Knotenpunktes 84 des im A/2-Resonators in Form eines geschlitzten Ringes auftretenden Stehwellenmusters ist der Resonator 83 über eine einstellbare Gleichspannungsquelle 85 mit der an der Unterseite des Substrates liegenden leitenden Grundplatte 86 verbunden. Als Folge der zwischen dem Resonator mit offenem Ring und der Grundplatte angelegten Spannung wird in der halbleitenden Schicht eine Verarmungsschicht gebildet. Durch Änderung der Gleichspannung ändert sich die Lage der Verarmungsschicht, wodurch eine kapazitive Änderung bewirkt wird, die die Resonanzfrequenz des λ/2-Resonators verstimmt.

Die in Fig. 10b dargestellte Mikrowellenanordnung enthält einen λ/2-Resonator 87 in Form eines geschlitzten Ringes. Weiter ist ein Varaktor 88 zwischen dem Ort des Resonators, an dem der Knotenpunkt der Stehwelle in den Resonator in Form eines Ringes auftritt, und einem Ort mit geeigneter Impedanz angeschlossen. Die für den Varaktor 88 erforderliche Gleichspannung wird von einer mit dem Varaktor in Reihe geschalteten einstellbaren Gleichspanrungsquel-Ie 89 geliefert. Zum Kurzschließen dieser Quelle für Hochfrequenzsignale ist zwischen den Klemmen der Gleichspannungsquelle 89 ein Kondensator 90 angeschlossen. Durch Änderung der Spannung der Gieiclispannungsquelle 89 ändert sich die Kapazität des Varaktors 88 und damit wird die Resonanzfrequenz des Λ/2-Resonators 87 verstimmt.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Mikrowellenaiiordnung mit einem λ/2-Resonator mit einem Substrat, einer an einer Seite des Substrates angeordneten leitenden Grundplatte und ί einem an der anderen Seite des Substrates angeordneten Leitermuster, dadurch gekennzeichnet, daß das Leitermuster mindestens einen den λ/2-Resonator bildenden ringförmigen Leiter enthält, der an einer Stelle durch einen Schlitz ι ο unterbrochen ist, und daß die Schlitzbreite in bezug auf den Ringumfang klein ist.

2. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Leitermuster zwei Mikrostripleiter (22,23; 27', 28) und mindestens eine dazwischen angeordnete Reihe gegenseitig gekoppelter λ/2-Resonatoren in Form geschlitzter Ringe (24, 25, 25, 27, 29, 30, 32) enthält, und daß die an einem Ende der Reihe liegenden Resonatoren (24, 27; 29, 32) mit den Mikrostripleitern (22, 23; 27, 28) gekoppelt sind.

3. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Leitermuster mindestens einen Mikrostripleiter (33; 36) und mindestens zwei miteinander und mit dem Leiter (33; 36) gekoppelte λ/2-Resonatoren (34,35; 37,38) in Form geschlitzter Ringe enthält.

4. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der λ/2-Resonatoren (37, 38) in Form geschlitzter Ringe über einen jo weiteren derartigen λ/2-Resonator (39,40) mit dem Mikrostripleiter gekoppelt ist

5. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein parallel zum Mikrostripleiter (56) verlaufender mit den beiden λ/2-Re- J5 sonatoren (62, 63) in Form geschlitzter Ringe gekoppelter zweiter Mikrostripleiter (57) angeordnet ist und im Abstand einer ungeraden Vielfachen von λ/4, von der Mitte der beiden λ/2-Resonatoren (62, 63) gemessen, in der gleichen Richtung entlang den Mikrostripleitern (56, 57) die Mitten zweier Paare weiterer λ/2-Resonatoren (64, 65; 66, 67) in Form geschlitzter Ringe liegen, daß die Ringresonatoren jedes dieser Paare miteinander gekoppelt sind und ein Paar (64,65) mit dem einen Mikrostripleiter (56) und das andere Paar (66, 67) mit dem anderen Mikrostripleiter (57) gekoppelt ist und daß diese Resonatorpaare (64, 65; 66, 67) von der Stelle aus gesehen, an der sich die mit beiden Mikrostripleitern gekoppelten λ/2-Resonatoren (62,63) in Form eines geschlitzten Ringes befinden, jeweils an der gegenüberliegenden Seite der Mikrostripleiter (56, 57) liegen.

6. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der λ/2-Resonator (78) in Form eines geschlitzten Ringes an einer zweiten Stelle durch einen Schlitz (79) unterbrochen ist, und ein Element mit negativem Widerstand (80) über diesen Schlitz angeordnet und mit Anschlußklemmen zum Anlegen einer Versorgungsspannung an fao das negative Widerstandselement versehen ist.

7. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat mindestens an der Stelle des λ/2-Resonators in Form eines geschlitzten Ringes (83) aus halbleitendem Material to besteht und der Resonator sowie die Grundplatte mit Anschlußklemmen (84, 86) zum Anschließen einer einstellbaren Gleichspannungsquelle (85) zwischen der leitenden Grundplatte und dem geschlitzten λ/2-Ring versehen ist.

8. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß ein Kondensator (88) mit variabler Kapazität zwischen zwei verschiedenen Punkten des offenen λ/2-Ringes angeschlossen is*.

9. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet daß der Kondensator (88) ein Varaktor ist und Klemmen zum Anschließen einer einstellbaren Gleichspannungsquelle über den Varaktor angeordnet sind.