DE2447284C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vorbehandlung von me
tallisierten, gebrannten keramischen Substraten mit Innen- und Au
ßenanschlußstellen und innenliegenden Anschlußflächen, auf denen an
schließend Goldschichten mit gleichmäßiger Schichtstärke galvanisch
abgeschieden werden.
Aus "Galvanotechnik", 63, 848 (1972) ist das galvanische Ab
scheiden von Gold bei gedruckten Schaltungen bekannt.
Viele keramische Substrate, und insbesondere Gehäuseeinheiten
oder Leiterplattenteile, weisen viele, eher kleine Flächenbereiche
auf, die gewöhnlich zusammen mit wenigstens einer Fläche mit Gold zu
beschichten sind, welche zwanzig- bis hundertmal so groß sein kann
wie die einzelnen kleinen Flächenbereiche. Bei derartigen Gehäuse
einheiten werden gewöhnlich Trommelplattierverfahren angewandt, wo
bei eine starke Tendenz zum Aufbau dicker Goldniederschläge mit ei
ner Schichtdicke in der Größenordnung von 0,02 bis 0,08 mm an den
größeren Flächenbereichen besteht, während an den kleineren Flächen
bereichen ein viel dünnerer Goldniederschlag mit einer Dicke von
0,001 bis 0,002 mm erzielt wird. Neben der Vergeudung des sehr
teuren Goldes in den dicken Niederschlägen, aus denen es nicht rück
gewonnen werden kann, wird eine beträchtliche Menge Gold an dem beim
Trommelplattierverfahren verwendeten Schrot abgeschieden. Diese
Goldmengen können zum großen Teil nur mit besonderem Aufwand rückge
wonnen werden. Obgleich Verfahren zur Herstellung kleiner kerami
scher Substrate zur Verfügung stehen, werden die Kosten dadurch un
günstig beeinflußt, daß bei Anwendung dieser Verfahren über die für
die elektrischen Erfordernisse tatsächlich voll ausreichenden Mengen
hinaus Gold verbraucht wird. Dies kann bei der Großfertigung derar
tiger Artikel ein wesentlicher Faktor sein.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zu schaffen, mit
dem sich beim galvanischen Abscheiden von Gold teilweise metalli
sierter keramischer Substrate Einsparungen erzielen lassen.
Diese Aufgabe wird durch den kennzeichnenden Teil des Patent
anspruches gelöst.
Das die Aufgabe lösende Verfahren beruht auf der Erkenntnis,
daß sich eine bessere Ausnutzung des Goldes dadurch erreichen läßt,
daß ein Aggregat, das aus einer Gruppe metallisierter keramischer
Substrate, insbesondere Gehäuseteilen oder -einheiten zusammenge
setzt ist, welche eine Vielzahl von Außenanschlußstellen und mit
diesen verbundenen Innenanschlußstellen sowie innenliegende An
schlußflächen aufweisen, Mittel zum Auseinandertrennen keramischer
Substrate voneinander und von Randteilen und Rinnenelementen entlang
vorbestimmter Trennlinien, Zwischenverbindungen zwischen Außenan
schlußstellen einander benachbarter Teile und zwischen Anschlußflä
chen einander benachbarter Teile, wobei die Zwischenverbindungen
Trennlinien kreuzen, sowie einen metallisierten Kollektor aufweist,
mit dem benachbarte Außenanschlußstellen und Anschlußflächen benach
barter Teile verbunden sind. Der metallisierte Kollektor kann sich
in den Randteilen des Aggregates an einer oder mehreren Seiten be
finden, kann die keramischen Teile umgeben und kann ebenfalls an
Rinnenstreifen zwischen den Teilen aufgetragen sein. Die Rinnen
streifen und Randteile werden weggeworfen, wenn die Stücke später
getrennt werden. Sobald an allen Trennstellen getrennt ist, sind die
keramischen Teile, jedes für sich, frei von Kurzschlüssen, jedoch
kann bis zu diesem Zeitpunkt am metallisierten Kollektor an jeder
beliebigen Stelle ein Anschluß vorgenommen werden, um an einer be
liebigen metallisierten Einheit im Aggregat eine elektrische Ladung
zur Verfügung zu stellen, und da der Widerstand über dem Aggregat
nicht groß ist, kann auf allen freiliegenden metallisierten Flächen
gleichzeitig galvanisch abgeschieden werden. Es ist günstig, für
den Anschluß an den metallisierten Kollektor eine einzige Stelle
vorzusehen und Abscheidung am übrigen Teil mit einer Abdeckmaske zu
verhindern.
Die Durchführung des Verfahrens ist unter
Verwendung eines beliebigen gebrannten Substrates möglich, das für
keramische Gehäuse oder Teile zweckmäßig ist. Für diese Zwecke ist
insbesondere Aluminiumoxid mit einem Reinheitsgrad von 90%
und darüber günstig, jedoch sind Materialien verwendbar, die in
der einen oder anderen Hinsicht bessere Eigenschaften besitzen. So
ist Berylliumoxid wegen seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit
verwendbar, Titandioxid oder Titanate wegen ihrer hohen Durch
schlagsfestigkeit, und schwarze Keramik-Werkstoffe in den Fällen, wo
keine Lichtemission oder kein Lichteindringen gewünscht wird. Zum
Metallisieren werden gebräuchliche Metalle verwendet, wie z. B. Wolf
ram, Molybdän-Mangan, Palladium und Platin.
Zu solcherart aufgebauten Aggregaten lassen sich Keramik
gehäuse von im wesentlichen beliebiger Ausbildung von verhältnismäs
sig großen Einheiten, von denen sich z. B. nicht mehr als vier
im Aggregat unterbringen lassen, bis zu kleinen Einheiten, von denen
bis zu mehreren Hundert in das Aggregat gehen können, zusammenfas
sen. Beispielsweise kann ein Aggregat von 115 × 85 m mehr als
300 kleine Gehäuse von 4 × 4 mm und mehrere Tausend miteinander
verbundene Anschlußstellen und -flächen aufweisen. Die Aggregate
lassen sich auch aus einer einzigen Platte aufbauen, an der im Sieb
druckverfahren die gesamte Metallisierung aufgebracht ist und bei
der über jenen Teilen, auf denen nicht galvanisch abgeschieden zu
werden braucht, im Siebdruckverfahren eine Isolierschicht aus der
gleichen keramischen Masse aufgetragen ist, oder unter Verwendung
von zwei oder mehr ungesinterten Keramikplatten, die zu einer ein
stückigen Keramikstruktur miteinander verbunden und gebrannt werden,
bei der sich die Metallisierung an der unteren Platte, an mehreren
Platten oder sogar an allen Platten befindet und bei der die Verbin
dung zwischen den Ebenen in zweckentsprechender Weise, je nach Be
darf mit Hilfe von Durchgangslöchern oder durch Randmetallisierung
hergestellt ist. Das Aufbauen der Aggregate ist somit in verschiede
ner Weise möglich.
Die Mittel zum Auseinander- oder Abtrennen der einzelnen Plat
ten, Gehäuse oder Einheiten, einschließlich von Randteilen des Ag
gregats, lassen sich ebenfalls auf mehrere verschiedene Weisen her
stellen. Ein zweckmäßiges Verfahren besteht darin, entlang der Li
nien, an denen getrennt werden soll, Perforierungen durch wenigstens
eine Schicht des Aggregats auszubilden. Es ist nicht notwendig, daß
die Perforierungen durch alle Schichten hindurchgehen, sie können es
jedoch tun. Die einzelnen Teile lassen sich dann abbrechen. Eine an
dere Möglichkeit besteht darin, entlang der vorbestimmten Trennli
nien Schwächungs- bzw. Anbruchlinien auszubilden. Anbruchlinien wer
den vor dem Brennen in das ungesinterte Keramikmaterial eingeschnit
ten, zweckmäßigerweise bis auf ein Drittel der Materialdicke,
und stellen nach dem Brennen eine ausgezeichnete Trennlinie dar. Es
ist nur darauf zu achten, daß die Linie nicht so tief eingeschnitten
wird, daß elekrische Verbindungen durchtrennt werden. Im Bedarfs
fall können Perforierung und Anbruchlinie zusammen verwendet werden.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, keine Perforierungen oder
Anbruchlinien vorzusehen, sondern in die Keramik selbst Nuten mit
einem Laserstrahl einzuschneiden, oder derartige Nuten zusammen mit
Perforierungen zu verwenden. Da ein Mehrschichten-Gehäuse, also ein
aus mehreren Schichten ungesinterter Keramik zusammengesetztes Ge
häuse, im zentralen, eingeschlossenen Bereich dünner
ist, ist ein zweckentsprechendes Mittel zum Abtrennen der Teile sehr
nützlich zur Verminderung von durch unsauberen Bruch hervorgerufenem
Abfall, ebenso wie richtiges Vorgehen bei der Benutzung dieser Mit
tel.
Wie weiter oben beschrieben, steht günstigerweise auf wenigstens
einem Teil der Länge des Außenumfanges des Aggregates ein metalli
sierter Kollektor zur Verfügung, der eine zu allen Teilen führende
Leitung bildet und an dem während des galvanischen Abscheidens der
elektrische Leiter angeschlossen ist. Der Kollektor kann sich an der
obersten Schicht befinden oder in die Keramik eingebettet bzw. "be
graben" sein, mit Ausnahme einer Anschlußstelle zum Anschluß des
elektrischen Leiters während des galvanischen Abscheidens. Das
letztgenannte Verfahren führt zu einem sparsameren Goldverbrauch
beim galvanischen Abscheiden. In ähnlicher Weise können Leitungen
bzw. elektrische Leiter zwischen Schichten so ausgebildet sein, daß
nur ein metallisierter Kollektor benötigt wird, jedoch ist wenig
stens ein metallisierter Kollektor notwendig.
Ein Teil der Zwischenverbindungen zwischen Außenanschlußstel
len miteinander benachbarter keramischer Teile verläuft mehr oder
weniger diagonal, obwohl diese Zwischenverbindungen Trennlinien
rechtwinklig kreuzen können und dies vorzugsweise tun. Außerdem sind
Außenanschlußstellen sowohl mit der im kürzesten Abstand liegenden
Anschlußstelle des benachbarten Keramikstückes beispielsweise durch
Randüberlappung an der Perforierung als auch mit der Anschlußstelle
des benachbarten Keramikstückes an dessen Seite verbunden. Auf diese
Weise verlaufen elektrisch leitende Bahnen mehr oder weniger diago
nal durch das Aggregat und unmittelbar durch dieses hindurch, um
sich mit dem metallisierten Kollektor zu verbinden. Diagonale Zwi
schenverbindungen können zum Unterschied von Verbindungen zwischen
mit kleinstem Abstand benachbarten Anschlußstellen als versetzte
Zwischenverbindungen betrachtet werden. Zum Herstellen der Zwischen
verbindungen kann ein beliebiger anderer Leiterverlauf benutzt wer
den, solange sichergestellt ist, daß alle Teile im Aggregat verbun
den sind, und daß in den abgetrennten Gehäuse-Einheiten keine Teile
miteinander verbunden sind, mit Ausnahme dort, wo keine Verbindung
angestrebt wird. Werden einzelne Gehäuse abgetrennt, sind die ver
setzten Zwischenverbindungen längs der Kante gewöhnlich als eine
schwache graue Marke sichtbar. Obwohl mit Gold überzogene Teile mit
den üblichen Loten ohne weiteres benetzbar sind, die grauen metalli
sierten Bereiche sind es nicht und erzeugen somit keine Gefahr von
elektrischen Kurzschlüssen zwischen benachbarten Anschlußstellen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer Zeichnun
gen eines Ausführungsbeispiels mit weiteren Einzelheiten erläutert.
In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 ein Flußdiagramm der mechanischen und verfahrensmäßigen
Arbeitsschritte bei dem vorgenannten Verfahren,
Fig. 2 eine Draufsicht auf einen Teil des nach diesem Verfahren auf
gebauten Aggregates,
Fig. 3 einen Schnitt längs der Linie 3-3 in Fig. 2 und in ver
größertem Maßstab,
Fig. 4 einen Schnitt längs der Linie 4-4 in Fig. 2,
Fig. 5, 6 und 7 Draufsichten auf die Oberseiten der ungebrannten
Platten von Keramik-Ebenen 3, 2 und 1, und
Fig. 8 eine Draufsicht auf die Rückseite der Keramik-Ebene 1.
In der Zeichnung sind mit CP 1, CP 2 und CP 3 keramische Platten
bzw. Ebenen 1, 2 bzw. 3 bezeichnet. Die Metallisierung an jeder Ebe
ne und an den Perforierungsrändern ist jeweils in ihrer Gesamtheit
mit MP 1, MP 2 bzw. MP 3 bezeichnet und am deutlichsten in den Schnitt
ansichten der Fig. 3 und 4 zu erkennen. Die Metallisierung ist in
der Zeichnung schematisiert dargestellt, da sie in Wirklich
keit sehr dünn ist, und wenn die verschiedenen Platten oder Ebenen
aus ungebrannter Keramikmasse zur Erzielung eines Mehrschichtenteils
miteinander fest verbunden oder übereinandergeschichtet werden, pas
sen sich die ungebrannte Keramikmasse und die Metallisierung so an
einander an, daß keine bedeutsame Ausbauchung entsteht. Es sei eben
falls darauf hingewiesen, daß hier eine Gehäu
se-Einheit dargestellt ist, für die drei ungebrannte Keramik-Platten
verwendet werden, daß sie jedoch auch auf nur eine oder zwei Plat
ten, oder auf vier Platten und darüber bis zu 10 Platten oder sogar
mehr anwendbar ist.
Obwohl Aggregate mit kleinen Abmessungen her
gestellt werden könnten und in jeder beliebigen Größe in Betracht
gezogen werden, ist es am zweckmäßigsten, sie in
Abmessungen zwischen 50 × 75 mm bis
125 × 200 mm auszubilden und mit dem gesamten Aggregat gleich
zeitig zu arbeiten. Es überrascht, daß bei Verwendung vie
ler feiner Zwischenverbindungen in einem Netzwerk
ausreichend gute elektrische Verbindungen aufrechterhalten werden
können, so daß über dem gesamten Aggregat eine gleichmäßige galvani
sche Abscheidung möglich ist. Es stellt einen zusätzlichen Vorteil
eines derartigen Aggregates dar, daß die galvanische Abscheidung et
wa vorhandene Unterbrechungen erkennbar macht und daß nichtverbunde
ne Bezugstellen (Marken, Passer) unplattiert bleiben können.
Aus der Zeichnung ist zu entnehmen, daß die in den Fig. 5,
6, 7 und 8 dargestellten ungebrannten Keramik-Platten Teile größerer
Platten sind. Aufgrund der kleinen Abmessungen der einzelnen Stücke,
die in der Größenordnung von 4 × 4 mm
liegen können, kann ein aus einer Gruppe dieser Stücke zusammen
gesetztes Aggregat sehr viele einzelne Stücke aufweisen.
Es sind deshalb nur kleine Teile eines Aggregates in sehr
stark vergrößertem Maßstab dargestellt.
Das Plattenmaterial für jede Schicht ist 0,2 bis 0,3
mm dick und kann unter Verwendung irgendeiner der üblichen kerami
schen Massen hergestellt werden.
Dickere Einzel
platten erhält man zweckmäßigerweise dadurch, daß man zwei oder mehr
dünnere Platten miteinander verbindet.
Für den allgemei
nen Gebrauch ist die Verwendung von Aluminiumoxid mit einem Reinheitsgrad von 94
% oder darüber günstig.
Es sei darauf hingewiesen, daß die Schraffur in den Fig. 3
und 4 feuerfestes Material anzeigt, da Schnitte eines gebrannten
Stückes dargestellt sind. Da das Plattenmaterial der ungebrannten
Keramik (Fig. 5 bis 8) teilweise Eigenschaften des verwende
ten Polymer-Bindemittels annimmt, zeigen Schnittflächen dieser Teile
die für die Darstellung von Kunststoffen angewandten Schraffierungs
linien.
Es sei nun auf Fig. 1 verwiesen, in der das Verfahren
dargestellt ist, nach welchem sich Aggregate in han
delsüblicher Qualität herstellen lassen.
Der erste Arbeitsschritt beim Aufbau eines Aggregates besteht
darin, die gewünschte Anzahl von ungebrannten Keramik-Platten be
reitzustellen und an jeder ihre spezielle Metallisierung im Sieb
druckverfahren aufzubringen. Die Kästchen in dem mit gestrichelten
Linien dargestellten Kasten 10 stellen diesen Arbeitsschritt des
Verfahrens dar. Die Kästchen 1, 3 und 5 sind mit "CP 1", "CP 2" bzw.
"CP 3" markiert, und diese Kästchen stehen für ungebrannte Platten,
die aus einem ungebrannten Keramik-Band, wie es in der US-Patent
schrift 29 66 719 beschrieben wird, ausgeschnitten werden. Man
bringt auch geeignete Lochungen an, zu denen Perforierungen als Mit
tel zum Abtrennen einzelner Stücke gehören können. Die Platte weist zu
diesem Zweck eine Dicke von bei
spielsweise 0,2 bis 0,3 mm auf, kann jedoch von der herzu
stellenden Struktur, dünner oder dicker sein. Die Kästchen 2, 4 und
6 sind mit "MP 1", "MP 2" bzw. "MP 3" markiert, was sich auf das Auf
tragen von Metallisierungsmitteln nach entsprechenden Mustern im
Siebdruckverfahren bezieht. Dieses Auftragen im Siebdruckverfahren
erzeugt normalerweise Überfließen von Metallisierungsmitteln in Lö
cher und führt zu Randüberlappung ebenso wie zu Füllung von Durch
gangslöchern. Es ist beim Siebdrucken auch möglich, im Bedarfsfall
Randüberlappung an verhältnismäßig langen Kanten zu vermeiden. Die
Metallisierungsmassen können beispielsweise aus der Gruppe Mo
lybdän-Mangan, Wolfram und Platin
gewählt werden.
Der mit gestrichelten Linien gezeichnete Kasten 15 stellt den
zweiten Arbeitsschritt des Herstellungsverfahrens dar, in dem ein
Aggregat aus ungebrannten, miteinander verbundenen mehrschichtigen
Gebilden durch sukzessives, deckungsgleiches Übereinanderschichten
der verschiedenen Schichten aufgebaut wird. Kästchen 11 bezeichnet
den ersten Arbeitsgang "Schichten CP 2 auf CP 1", und Kästchen 12 den
Arbeitsgang "Schichten CP 3 auf CP 1/CP 2".
Der dritte Arbeitsschritt, der mit den mit gestrichelten Li
nien gezeichneten Kästchen 16 und 17 des Flußdiagramms in Fig. 1
dargestellt ist, besteht in "Anbruchlinien anbringen". In diesem Ar
beitsschritt werden an der Rückseite des Aggregates entlang Trennli
nien Nuten geschnitten, wobei die Randmetallisierung, die durch Zwi
schenräume (Perforierungslöcher) hindurchgedrungen ist (MP 1 und MP 2)
sowie das elektrisch verbindende Netzwerk von MP 1 im wesentlichen
beibehalten werden. Im Bedarfsfall, und wenn andere Trennmittel vor
handen sind, wie z. B. ausgesparte Zwischenräume zum Trennen durch
Zerschneiden oder Zertrennen mit Laserstrahl, kann dieser Arbeits
schritt, wie mit einer Linie 13 angedeutet, übergangen werden. Wie
weiter oben erwähnt, können Perforierungen vorhanden sein und diese
werden mit den Stanzoperationen in Kästchen 1, 3 und 5 hergestellt.
Der vierte und die folgenden Arbeitsschritte schließen das
Brennen der Platte ein, wofür das Kästchen 19 steht. Dies ergibt
die "gebrannten Aggregate" (Kästchen 20), die durch "galvanische
Nickelabscheidung" (Kästchen 21) und "galvanische Goldabscheidung"
(Kästchen 22) weiterbehandelt werden und "handelübliche Aggregate"
(Kästchen 23) ergeben.
Nach dem galvanischen Abscheiden stehen die Aggregate, das
sind aus einer großen Anzahl von Einzelelementen zusammengesetzte
Gruppengebilde, in weiterverarbeitungsfähigem Zustand dem Hersteller
zur Verfügung, der
- 1. in jedes Gehäuse ein elekronisches Gerät (Schaltung) einsetzt,
- 2. zwischen diesem und den elektrischen Lei tern im Gehäuse eine feste Drahtverbindung herstellt, und
- 3. das Gerät vergießt oder einkapselt.
Es hat sich herausgestellt, daß sich
derartige Aggregate leichter handhaben lassen. Das Einkapseln der in
den Fig. 2 bis 8 dargestellten Gehäuse-Einheiten geschieht durch
Auflöten eines Deckels. Jetzt lassen sich die einzelnen Gehäuse des
Aggregates durch Abbrechen entlang der durch Perforierungen, An
bruchlinien oder durch andere Mittel gebildeten Trennlinien in ein
facher Weise abtrennen.
Die Fig. 5, 6 und 7 zeigen nur Teile, die hier als Ecken
dargestellt sind, der für CP 3, CP 2 bzw. CP 1 vorgesehenen Platten. Es
ist möglich, abhängig von der angestrebten
speziellen Ausbildung, nur eine oder zwei dieser ungebrannten Plat
ten vorzusehen. Auch kann
die Metallisierung
in abgewandelter Weise durchgeführt werden.
Eine Gehäuse-Einheit, wie sie bei den Aggregaten entsprechend
den Fig. 2 bis 8 dargestellt ist, weist ein keramisches Substrat
und zahlreiche Innen- und Außenanschlußstellen auf. Wie in den Fig.
2 bis 8 zu erkennen ist, ist das keramische Substrat aus drei
Schichten zusammengesetzt, die mit CP 1, CP 2 und CP 3 bzw. 70, 72 und
74 bezeichnet sind. In jeder Schicht sind Zwischenräume (Perforie
rungslöcher) 26 zu erkennen. Das Metallisierungsmuster MP 1 auf der
Platte 70 ist zusammengesetzt aus einem metallisierten Kollektor 30,
Anschlußflächen 32 und elektrischen Zwischenverbindungsleitern 34 an
der Oberseite sowie aus einem Metallisierungsniederschlag an den
Wänden der Löcher 26, der die Verbindung mit einer Randüberlappung
36 an der Unterseite herstellt.
Das Metallisierungsmuster an der Platte 72, in der quadrati
sche Löcher 28 ausgebildet sind, weist Innenanschlußstellen 40, Aus
senanschlußstellen 42 mit Randüberlappung, Zwischenverbindungen 46
und einen metallisierten Kollektor 48 auf. Es sei darauf hingewie
sen, daß die Randüberlappung der Verbindungen 36 und der metalli
sierte Kollektor 30 mit der Randüberlappung der Außenanschlußstellen
42 in Kontakt kommen, so daß diese alle über Zwischenverbindungen 46
miteinander verbunden sind. Wesentlich für die Durchführung der Er
findung ist vor allem das von den Zwischenverbindungen 46 gebildete
Netzwerk.
Das Metallisierungsmuster der Platte 74, die ein quadratisches
Loch 24 aufweist, setzt sich zusammen aus quadratischen Anschlußflä
chen 50, Zwischenverbindungen 52 und einem metallisierten Kollektor
54. Im Bedarfsfall läßt sich die Benutzung des metallisierten Kol
lektors 54 an der obersten Schicht vermeiden, indem man geeignete
Durchgänge zu elektrischen Leitern auf einem tieferen Niveau vor
sieht oder das galvanische Abscheiden des Kollektors durch Abdecken
verhindert. Der Anschluß an den Kollektor 54 geschieht durch Anklem
men und kann an andere Kollektoren mit einem durch eine Perforierung
hindurchgeführten Draht hergestellt werden.
Die ungebrannten Platten 70 und 72 werden durch Übereinander
schichten unter leichter Druckanwendung miteinander verbunden (Fig.
1). Darauf folgt das Verbindung mit der Platte 74 und dann das An
bringen von Anbruchlinien 60, die nur in den Schnittdarstellungen
des gebrannten Aggregates in den Fig. 3 und 4 erkennbar sind.
Diese Anbruchlinien werden nicht in die ungebrannte Platte entspre
chend den Fig. 7 und 8 eingeschnitten. Es sei darauf hingewiesen,
daß diese Anbruchlinien nur ein Mittel zum Abtrennen der Einheiten
darstellen und als solche bei Verwendung von Zwischenräumen (Perfo
rierungen) 26 nicht notwendig sind.
Claims (1)
- Verfahren zur Vorbehandlung von metallisierten, gebrannten keramischen Substraten mit Innen- und Außenanschlußteilen und innenliegenden Anschlußflächen, auf denen anschließend Gold schichten mit gleichmäßiger Schichtstärke galvanisch abgeschieden werden, dadurch gekennzeichnet, daß die folgenden Arbeitsschritte ausgeführt werden:
- I. Aufbauen eines aus einer Gruppe der genannten Substrate
(CP 1, CP 2, CP 3 bzw. 70, 72, 74) zusammengesetzten Aggregates
mit einem wenigstens teilweisen Rand, der von Keramikmasse
aus wenigstens einer gebrannten oder ungebrannten Keramik
platte (CP 1, CP 2, CP 3 bzw. 70, 72, 74) gebildet ist, die die
für das Substrat angestrebten Metallisierungsmuster (MP 1,
MP 2, MP 3) trägt, wobei das Aggregat
- A) Zwischenräume (26) wenigstens zwischen den Substraten (70, 72, 74) und zwischen diesen und Randteilen zum Trennen der Substrate (70, 72, 74) voneinander und von den Randtei len des Aggregates entlang vorbestimmter Trennlinien,
- B) eine Vielzahl damit verbundener Außen- (42) und Innen anschlußstellen (40),
- C) wenigstens einen metallisierten Kollektor (30, 48, 54) und
- D) ein Netzwerk feiner Zwischenverbindungen (34, 42, 46, 52) zwischen Außenanschlußstellen einander benachbarter Substrate (70, 72, 74) und zwischen Anschlußflächen (32, 50) einander benachbarter Substrate (70, 72, 74), und zwi schen Anschlußflächen benachbarter Substrate und zwischen Außenanschlußstellen (42) und Anschlußflächen (32, 50) von Substraten benachbart dem metallisierten Kollektor (30, 48, 54) und dem metallisierten Kollektor aufweist, wobei diese Zwischenverbindungen (34, 46, 52) Trennlinien kreuzen, um faßt, und
- II. Brennen des Aggregates.
- I. Aufbauen eines aus einer Gruppe der genannten Substrate
(CP 1, CP 2, CP 3 bzw. 70, 72, 74) zusammengesetzten Aggregates
mit einem wenigstens teilweisen Rand, der von Keramikmasse
aus wenigstens einer gebrannten oder ungebrannten Keramik
platte (CP 1, CP 2, CP 3 bzw. 70, 72, 74) gebildet ist, die die
für das Substrat angestrebten Metallisierungsmuster (MP 1,
MP 2, MP 3) trägt, wobei das Aggregat
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US403404A US3926746A (en) | 1973-10-04 | 1973-10-04 | Electrical interconnection for metallized ceramic arrays |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2447284A1 DE2447284A1 (de) | 1975-04-17 |
DE2447284C2 true DE2447284C2 (de) | 1989-03-23 |
Family
ID=23595639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742447284 Granted DE2447284A1 (de) | 1973-10-04 | 1974-10-03 | Verfahren zum aufbringen einer gleichmaessigen goldplattierung an keramischen substraten |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3926746A (de) |
JP (1) | JPS6052588B2 (de) |
DE (1) | DE2447284A1 (de) |
GB (1) | GB1482012A (de) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS563922Y2 (de) * | 1976-01-19 | 1981-01-28 | ||
JPS563921Y2 (de) * | 1976-01-19 | 1981-01-28 | ||
NL7605233A (nl) * | 1976-05-17 | 1977-11-21 | Philips Nv | Van een micro circuit voorziene elementaire schijf met electrolytisch aangegroeide soldeerbollen alsmede werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
US4134801A (en) * | 1976-05-17 | 1979-01-16 | U.S. Philips Corporation | Terminal connections on microcircuit chips |
JPS5382170A (en) * | 1976-12-28 | 1978-07-20 | Ngk Insulators Ltd | Method of producing coupled type ic ceramic package |
US4216523A (en) * | 1977-12-02 | 1980-08-05 | Rca Corporation | Modular printed circuit board |
US4243729A (en) * | 1978-07-31 | 1981-01-06 | Semi-Alloys, Inc. | Metallic hermetic sealing cover for a container |
JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
US4320438A (en) * | 1980-05-15 | 1982-03-16 | Cts Corporation | Multi-layer ceramic package |
US4975762A (en) * | 1981-06-11 | 1990-12-04 | General Electric Ceramics, Inc. | Alpha-particle-emitting ceramic composite cover |
DE3303165C2 (de) * | 1982-02-05 | 1993-12-09 | Hitachi Ltd | Halbleitervorrichtung mit Gehäusekörper und Verbindungsleitern |
US4681656A (en) * | 1983-02-22 | 1987-07-21 | Byrum James E | IC carrier system |
US4572757A (en) * | 1984-01-23 | 1986-02-25 | The Jade Corporation | Method of making a microcircuit substrate |
JPS6024093A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-02-06 | 株式会社日立製作所 | セラミツク配線基板の製造法 |
US4802277A (en) * | 1985-04-12 | 1989-02-07 | Hughes Aircraft Company | Method of making a chip carrier slotted array |
IL78192A (en) * | 1985-04-12 | 1992-03-29 | Hughes Aircraft Co | Mini chip carrier slotted array |
US4762606A (en) * | 1985-04-12 | 1988-08-09 | Hughes Aircraft Company | Mini chip carrier slotted array |
US4659931A (en) * | 1985-05-08 | 1987-04-21 | Grumman Aerospace Corporation | High density multi-layered integrated circuit package |
JPS6212189A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 日立エーアイシー株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
US4753820A (en) * | 1986-10-20 | 1988-06-28 | United Technologies Corporation | Variable pitch IC bond pad arrangement |
GB2223354B (en) * | 1988-09-30 | 1992-10-14 | Marconi Electronic Devices | Semiconductor devices |
EP0496491A1 (de) * | 1991-01-22 | 1992-07-29 | National Semiconductor Corporation | Kontaktstiftloser Chip-Widerstand-Kondensator-Träger und Herstellungsverfahren |
US5337216A (en) * | 1992-05-18 | 1994-08-09 | Square D Company | Multichip semiconductor small outline integrated circuit package structure |
US5319521A (en) * | 1992-08-17 | 1994-06-07 | Rockwell International Corporation | Ceramic frames and capsules for Z-axis modules |
JP3008146B2 (ja) * | 1992-10-26 | 2000-02-14 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | 半導体素子収納用セラミックパッケージとその製造方法 |
US5314606A (en) * | 1993-02-16 | 1994-05-24 | Kyocera America, Inc. | Leadless ceramic package with improved solderabilty |
DE4319944C2 (de) * | 1993-06-03 | 1998-07-23 | Schulz Harder Juergen | Mehrfach-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
JPH07240479A (ja) * | 1993-09-21 | 1995-09-12 | Texas Instr Inc <Ti> | 集積回路パッケージ化の方法およびパッケージ |
US5583378A (en) * | 1994-05-16 | 1996-12-10 | Amkor Electronics, Inc. | Ball grid array integrated circuit package with thermal conductor |
JP3541491B2 (ja) * | 1994-06-22 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品 |
US5832600A (en) * | 1995-06-06 | 1998-11-10 | Seiko Epson Corporation | Method of mounting electronic parts |
US5880011A (en) * | 1996-06-19 | 1999-03-09 | Pacific Trinetics Corporation | Method and apparatus for manufacturing pre-terminated chips |
DE19910078A1 (de) * | 1999-03-08 | 2000-09-28 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Erhöung der Fertigungssicherheit von Lötverbindungen |
US6248964B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-06-19 | Bourns, Inc. | Thick film on metal encoder element |
TW498602B (en) * | 2000-05-30 | 2002-08-11 | Alps Electric Co Ltd | Circuit unit |
WO2001093314A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Dusan Slepcevic | Ball grid array with pre-slotted substrate |
US20020117753A1 (en) * | 2001-02-23 | 2002-08-29 | Lee Michael G. | Three dimensional packaging |
JP2006173483A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | セラミック集合基板、セラミック基板及びセラミック集合基板の製造方法 |
JP2008130701A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板とそれを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7964888B2 (en) * | 2007-04-18 | 2011-06-21 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting device packages and methods |
US20110247197A1 (en) * | 2008-01-09 | 2011-10-13 | Feinics Amatech Teoranta | Forming channels for an antenna wire of a transponder |
US20100006322A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | Beautiful Card Corporation | Sim Card Structure |
JP2017073411A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | ソニー株式会社 | 発光装置 |
CN109686514B (zh) * | 2018-12-24 | 2020-06-02 | 河北中瓷电子科技股份有限公司 | 陶瓷绝缘子线路镀覆方法 |
CN111945202B (zh) * | 2020-07-21 | 2021-10-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 陶瓷无引线外壳的盲孔电镀方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2865082A (en) * | 1953-07-16 | 1958-12-23 | Sylvania Electric Prod | Semiconductor mount and method |
US2966719A (en) * | 1954-06-15 | 1961-01-03 | American Lava Corp | Manufacture of ceramics |
US2893929A (en) * | 1955-08-03 | 1959-07-07 | Philco Corp | Method for electroplating selected regions of n-type semiconductive bodies |
FR1474973A (fr) * | 1966-02-16 | 1967-03-31 | Radiotechnique Coprim Rtc | Procédé de fabrication d'une couche de contact pour dispositifs semi-conducteurs et produits obtenus |
US3423517A (en) * | 1966-07-27 | 1969-01-21 | Dielectric Systems Inc | Monolithic ceramic electrical interconnecting structure |
US3436605A (en) * | 1966-11-23 | 1969-04-01 | Texas Instruments Inc | Packaging process for semiconductor devices and article of manufacture |
US3518756A (en) * | 1967-08-22 | 1970-07-07 | Ibm | Fabrication of multilevel ceramic,microelectronic structures |
US3618202A (en) * | 1969-05-12 | 1971-11-09 | Mallory & Co Inc P R | Ceramic chip electrical components |
US3723176A (en) * | 1969-06-19 | 1973-03-27 | American Lava Corp | Alumina palladium composite |
US3791938A (en) * | 1971-11-22 | 1974-02-12 | R Healy | Method and apparatus for fabricating selectively plated electrical contacts |
-
1973
- 1973-10-04 US US403404A patent/US3926746A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-10-03 DE DE19742447284 patent/DE2447284A1/de active Granted
- 1974-10-03 GB GB42997/74A patent/GB1482012A/en not_active Expired
- 1974-10-03 JP JP49113361A patent/JPS6052588B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1482012A (en) | 1977-08-03 |
DE2447284A1 (de) | 1975-04-17 |
JPS5062773A (de) | 1975-05-28 |
JPS6052588B2 (ja) | 1985-11-20 |
US3926746A (en) | 1975-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: GENERAL ELECTRIC CERAMICS, INC., CLEVELAND, OHIO, |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: SCHUELER, H., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: COORS ELECTRONIC PACKAGE CO., CLEVELAND, OHIO, US |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: TIEDTKE, H., DIPL.-ING. BUEHLING, G., DIPL.-CHEM. KINNE, R., DIPL.-ING. GRUPE, P., DIPL.-ING. PELLMANN, H., DIPL.-ING. GRAMS, K., DIPL.-ING., PAT.-ANWAELTE, 8000 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |