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Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf Transistordetektor bzw. -gleichrichterschaltungen und insbesondere auf
eine Schaltung mit einer Schalteinrichtung, die zwischen die Basis und den Kollektor
des Transistors geschaltet ist, um die Linearität der Arbeitsweise der Detektor-
bzw. Gleichrichterschaltung in einem großen Bereich von Signalamplituden zu verbessern.
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Die herkömmlichen, mit Transistoren versehenen Detektor- oder Gleichrichterschaltungen
bestehen grundsätzlich aus einem Detektor- oder Demodulatortransistor mit einer
Basis, an welche das Eingangssignal über einen Kondensator angelegt ist, und einem
Emitter, von welchem das gleichgerichtete Signal erhalten wird. Zusätzlich ist eine
Gleichrichterdiode an die Basis des Detektortransistors angeschlossen und hat eine
Polarität, Tfizelche jener des Basis-Emitterüberganges des Transistors entgegengesetzt
ist. Die andere Anschlußklemme der Diode ist mit einer Vorspannungsquelle in Form
einer zweiten Diode verbunden, um eine Spannung zuzugeben, welche dem Vorwärtsspannungsabfall
an der Gleichrichterdiode entspricht. Das so erhaltene, spannungsverdoppelte, gleichgerichtete
Signal wird an der Emitterausgangskleinme der Schaltung erhalten.
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Ein Nachteil der Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung besteht darin,
daß dann, wenn eine kleine Signalspannung mit einer Größe unterhalb der Basis-Emitterspannung
Vbe des Detektor-bzw. Gleichrichtertransistors an die Eingangsklemme der Schaltung
angelegt wird, das Signal sehr verzerrt wird. Dies beruht auf der Tatsache, daß
der Schwellenwert der Diode nicht so ausgewählt werden kann, um jenem des Detektortransistors
gleich zu sein. Demgemäß ist der Lautstärkeempfang bzw. der Aussteuerungsbereich
der Amplituden der Signale aus einer derartigen Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung
sehr schmal, etwa 20 bis höchstens 25 db.
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Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist, die Schaffung einer verbesserten
Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung, bei welcher ein Transistor als Gleichrichterelement
verwendet und welcher so angeschlossen ist, daß eine gröBere Linearität der Arbeitsweise
erhalten wird, als bei Transistordetektorschaltungen
nach dem Stand
der Technik.
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Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist, die Schaffung einer
Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung mit einem größeren Aussteuerungsbereich, als
es bei den bekannten Detektor- bzw.
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Gleichrichterschaltungen möglich war.
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Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist, die Schaffung einer
Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung, bei welcher sogar Signale mit kleiner Amplitude
im wesentlichen ohne Verzerrung ermittelt bzw. demoduliert werden können.
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Weitere Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung erklären sich
aus der näheren Beschreibung einiger bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme
auf die Zeichnungen.
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Erfindungsgemäß werden bei einem als Gleichrichter wirkenden Transistor
Signale, die demoduliert bzw. gleichgerichtet werden sollen, mit seiner Basis-Emittereingangsschaltung
verbunden.
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Gleichgerichtete Ausgangssignale können in einer Polarität von dem
Emitter des Transistors oder in der entgegengesetzten Polarität und mit vergrößerter
Amplitude von dem Kollektor erhalten werden. Eine Schalteinrichtung, die z.B. eine
Diode und insbesondere eine Zenerdiode ist zwischen den Kollektor und die Basis
des Transistors geschaltet, um seine Arbeitsweise zu steuern. Die Schaltung kann
mit dem Transistor in einer Arbeitsweise entweder in einer geerdeten Emitter- oder
geerdeten Basiskonfiguration und mit einem Kondensator verbunden sein, der mit der
Basis-Emittereingangsschaltung in Reihe geschaltet
ist. Ferner kann
ein geeigneter Vorspannungswiderstand in die Emitter-Zuleitung und ein Glättungskondensator
mit der Kollektorausgangsklemme der Schaltung geschaltet sein.
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Bei anderen Ausführungsformen der Schaltung können zusätzliche feststehende
Spannungsmittel in die Emmitter-Zuleitung eingesetzt werden, um zweckmäßige Arbeitsverhältnisse
bzw. -bedingungen zur Erzeugung einer Spannung bezüglich einer automatischen Amplituden-
oder Verstärkungsregelung zu erhalten.
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Erfindungsgemäß kann ferner die Spannung für automatische Amplituden-
oder Verstärkungsregelung, die z.B., bei ihrer Verwendung bei einem Empfänger, durch
eine Transistorschaltung verstärkt werden, welche sowohl Emitter- als auch Kollektorbelastungen
bzw. -Verbraucher hat, um entgegengesetzte Signale mit einer Spannung für automatische
Amplituden- bzw. Verstärkungsregelung abzuleiten. Ein derartiges Signal kann an
einen Spannungsteiler in der Basisschaltung eines Transistors angelegt werden, dessen
Verstärkungsgrad gesteuert werden soll, während das andere Signal bezüglich einer
automatischen Amplitudenregelung bzw. Verstärkungsregelung kann an einen anderen
Transistor angelegt werden, der in der Basisschaltung des gesteuerten Transistors
als eine veränderliche Impedanz fungiert, um eine doppelte Amplituden- bzw. Verstärkungsregelungswirkung
zu erzielen, um Signale einer weitgehend veränderlichen Amplitude zu berücksichtigen.
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In den Zeichnungen zeigen: Figur 1: Eine schematische Ansicht einer
Transistor-Gleichrichterschaltung nach dem bereits bekannten Stand der Technik;
Figur
2: eine schematische Ansicht einer erfindungsgemäßen grundlegenden Gleichrichterschaltung;
Figur 3: eine gleichwertige Schaltung, welche der Schaltung nach Figur 2 entspricht;
Figur 4A: eine Schaltung, die jener nach Figur 2 gleichwertig ist und in einem Arbeitszustand
dargestellt ist; Figur 4B: eine Schaltung, welche jener nach Figur 2 äquivalent
ist, und unter dem entgegengesetzten Arbeitszustand dargestellt ist; Figur 5: ein
Wellenformbild eines gleichgerichteten Ausgangssignals der Schaltung nach Figur
2; Figur 6: eine unterschiedliche Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Transistor-Gleichrichterschaltung;
Figur 7 weitere erfindungsgemäße Ausführungsformen; und 8: Figur 9: ein Schaltbild
teils in Blockform, teils in schematischer Form des Eingangsabschnitts und einer
Schaltung mit automatischer Verstärkungsregelung für einen Empfänger.
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Die in Figur 1 gezeigte Gleichrichterschaltung weist eine Eingangsklemme
1 auf, die mit einem Kondensator 2 verbunden ist.
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Die Kathode der Diode 3 und die Basis eines Gleichrichtertransistors
4 sind mit dem Kondensator 2 verbunden. Die Anode der
Diode ist
mit der Anode einer anderen Diode 5 verbunden, deren Kathode mit einer Bezugsspannungsklemme
verbunden ist, welche bei dieser Ausführungsform Erde ist. Eine Ausgangsklemme 6
ist unmittelbar mit dem Emitter des Transistors 4 und ein Widerstand 7 ist zwischen
den Emitter und Erde als ein Emitter-Verbraucher geschaltet. Ein Strombegrenzungswiderstand
8 ist zwischen eine Positiv-Stromspeiseklemme +Vcc und die Verbindungssttlle der
Dioden 3 und 5 geschaltet.
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Die Arbeitsweise der Schaltung nach Figur 1 kann zunächst so betrachtet
werden, wie wenn die Diode 5 und der Widerstand 8 nicht in die Schaltung geschaltet
wären, sondern statt dessen die Anode der Diode 3 unmittelbar mit Erde verbunden
wäre.
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Während des negativen Halbzyklus der Wechselspannung, die an die Schaltung
zwischen der Klemme 1 und Erde angelegt ist, würde die Spannung am Kondensator 2
gleich (Va - Vd), worin V a die Amplitude des negativen Halbzyklus der angelegten
Spannung darstellt und V d die Spannung in Flußrichtung oder die Durchlaßspannung
der Diode ist. Während des positiven Halbzyklus fließt der Eingangs strom durch
den Kondensator 2 und die Basis-Emitterschaltung des Transistors, so daß ein gleichgerichtetes
Signal an der Ausgangsklemme 6 erhalten wird.
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Die Eingangssignalspannung wird durch die Spannung (Va - Vd) am Kondensator
2 vorgespannt, um so daß eine Spannung, welche eine Amplitude hat, die fast den
zweifachen Wert des Eingangssignals hat, an der Ausgangsklemme 6 vorliegen würde.
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Bei einer derartigen Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung wird die
Durchlaßspannung Vd der Diode stets von der Eingangsspannung
Va
subtrahiert. Infolgedessen ist fast unmöglich, eine kleine Signalspannung gleichzurichten,
die einen Wert unter der Basis-Emitterspannung Vbe des Transistors 4 liegt.
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Diese Verzerrung ist so zu korrigieren, daß die Ausgleichs-Diode 5
in der Gleichrichterschaltung nach Figur 1 vorgesehen ist, um eine Vorspannung Vd
der Gleichrichter-Diode 3 zu liefern. Als Ergebnis kann ein gleichgerichtetes Ausgangssignal
unter dem Spannungswert Vd an der Ausgangsklemme 6 in Abhängigkeit von den Signalen
kleiner Amplitude erhalten werden, die an die Eingangsklemme 1 angelegt sind.
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Mit einer derartigen Schaltung ist schwierig, Ergebnisse zu erzielen,
die so zufriedenstellen, wie erwünscht sind, da es schwierig ist, es so einzurichten,
daß die Durchlaßspannung Vd der Dioden 3 und 5 mit der Basis-Emitterspannung Vbe
des Gleichrichtertransistors 4 zusammenfällt. Dementsprechend arbeitet die Schaltung
nicht so gut, wie gewünscht, wenn das Eingangssignal sehr klein ist. Die Verzerrung
des gleichgerichteten Signals eines derart niedrigen Wertes ist ziemlich groß.
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Erfindungsgemäß wird die Linearität der Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung
mittels der in Figur 2 gezeigten Schaltung verbessert. Bei der letztgenannten Schaltung
ist eine Diode, wie z.B. eine Zenerdiode 12 mit konstanter Spannung des Detektor-
bzw. Gleichrichtertransistors 11 zwischen seine Basis und seinen Kollektor geschaltet.
Das gleichzurichtende Signal wird an eine Eingangsklemme 13 angelegt, die durch
einen Kondensator 14 mit der Basis des Transistors 11 verbunden ist. Der Transistor
hat einen Kollektor-Belastungswiderstand
15, der zwischen den Kollektor
und die Positiv-Stromspeiseklemme 16 mit einer Spannung +Vcc geschaltet ist.
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Eine Ausgangsklemme 17 ist mit dem Kollektor des Transistors 11 und
ein Kondenstor ist zwischen den Kollektor und Erde geschaltet. Ein Emitter-Vorspannungswiderstand
19 ist zwischen den Emitter des Transistors und Erde geschaltet.
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Nun wird die Arbeitsweise der Detektorschaltung nach Figur 2 unter
Bezugnahme auf die in Figur 3 gezeigte äquivalente Schaltung beschrieben. Bei diesen
Schaltungen sind die folgenden Verhältnisse gegeben: Vcc = (RL + Rc ) (1 + hfe )IB
+ VZ + Vbe ...(1) c = Vcc - RL(l + hfe)IB .. (2) worin Vcc die Kraftspeisespannung
an der Klemme 16 ist, RL und Re die Werte der Widerstände 15 bzw. 19 sind und IB
der Basisstrom des Transistors 11, Vbe die Basis-Emitterspannung des Transistors
11, VZ die Zenerspannung der Zenerdiode 12, Vc die Kollektorspannung des Transistors
11 mit bezug auf Erde und hfe der Stromverstärkungsfaktor des Transistors 11 ist.
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Von der Gleichung (1) wird der Basisstrom 1E als:
abgeleitet.
Durch die Substituierung der Gleichung (3) in die Gleichung
(2) wird das folgende Verhältnis erhalten:
Falls Re« RL, V VZ Vz Vbe+ Vbe Dies bedeutet, daß dann, wenn die Zenerdiode 12 leitend
ist, die Kollektorspannung des Transistors 11 bei einer festgelegten Spannung gehalten
wird.
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Um die Wechselstrom-Arbeitsweise der Schaltung nach Figur 2 zu verstehen,
soll angenommen werden, daß die Basisspannung des Transistors 11 so berechnet ist,
daß sie der Zenerdiodenspannung Vz der Zenerdiode 12 gleich ist, indem ein geeigneter
Widerstandswert für den Widerstand 19 ausgewählt wird.
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Die Diode 12 führt den Schaltvorgang in Abhängigkeit von einem Eingangssignal
durch, das zwischen der Eingangsklemme 13 und Erde angelegt ist. Während des positiven
Halbzyklus des Eingangssignals hat die Impedanz der Diode 12 einen äußerst hohen
Wert in dem Bereich von mehreren 100 Kiloohm. Das bedeutet, daß dasselbe, wie wenn
man sagen würde, daß die Diode 12 sich in einem wesentlichen abgeschalteten Zustand
befindet. In diesem Zustand kann die Diode 12 durch einen
Schalter
mit offenem Stromkreis dargestellt werden, wie in Figur 4 gezeigt. Die mit Figur
4 A verbundenen Wellenformen stellen die Tatsache dar, daß die positiven Halbzyklen
eines an die Klemme 13 angelegten sinusförmigen Eingangssignals ein gleichgerichtetes
Halbwellensignal einer Polarität an der Ausgangsklemme 17 und der entgegengesetzten
Polarität an dem Emitter des Transistors 11 erzeugen.
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Während der negativen Halbzyklen des an die Eingangsklemme 13 angelegten
Eingangssignals wird die Diode 12 leitend, wobei ihre Impedanz auf einen sehr niedrigen
Wert, beispielsweise auf einen Wert kleiner-als 100 Ohm führt. Dieser Zustand ist
in Figur 4 B dargestellt, wobei die schattierten negativen Halbzyklen des sinusförmigen
Eingangssignals als kein Ausgangssignal entweder an der Klemme 17 oder am Emitter
des Transistors 11 erzeugend gezeigt sind.
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Während der postiven Halbzyklen des Eingangssignals und angenommen,
daß der Stronverstärkungsfaktor hfe viel größer als 1 ist, ist dementsprechend der
Spannungsverstärkungsfaktor Av bei der Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung: RL
A - - ...(so v Re Das bedeutet, daß das Signal während der postiven Halbzyklen durch
den Transistor 11 verstärkt wird und an der Klemme 17 in der Polarität zur Verfügung
steht, welche jener des Signals an der Eingangsklemme 13 entgegengesetzt ist.
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Wie in Figur 4 B gezeigt, wird während des negativen Halbzyklus des
Eingangssignals an der Klemme 13 eine volle negative Gegenkopplungsschleife durch
die Diode 12 gebildet, so daß der Spannungsverstärkungsfaktor Av im wesentlichen
auf Null herabgesetzt wird. Damit die Diode 12 leitend wird, muß zusätzlich die
Klemme 17 eine konstante Spannung (Vz + V ) aufrechterhalten. Die resultierende
Wellenform an der be Klemme 17 ist in Figur 5 gezeigt. Die Wellenform stellt das
gleichgerichtete Signal, das sich von dem Anlegen eines amplitudenmodulierten Signals
an die Eingangsklemme 13 ergibt. Die Wellenform nach Figur 5 enthält immer noch
Halbzykluskomponenten der Hochfrequenz-Trägerwelle, kann jedoch durch den Kondensator
18 ausgeglättet werden. Wie oben beschrieben, wird die Detektorwirkung der erfindungsgemäßen
Schaltung erzielt, indem die Zenercharakteristik der-Diode 12 verwendet wird, so
daß sogar dann, wenn eine geringe Spannung an die Eingangsklemme 13 angelegt ist,
eingerichtetes Signal im wesentlichen ohne Verzerrung erhalten werden kann.
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Der Kennlinienknick der Zenercharakteristik ist ziemlich scharf und
das Ansprechen der Diode linear. Die Detektor- bzw.
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Gleichrichterschaltung hat eine gute Linearität innerhalb eines großen
Bereiches, wobei als Ergebnis der Aussteuerungsbereich von Amplituden der Signale,
auf welche die Schaltung ansprechen kann, ziemlich groß ist. Zusätzlich ist der
Widerstand 19 mit dem Emitter des Transistors 11 verbunden, um eine negative Gegenkopplung
an den Transistor anzulegen, welche die Verzerrung des ermittelten bzw. modulierten
oder gleichgerichteten Signals weiter reduziert und die Stabilität der Detektor-
bzw. Gleichrichterschaltung verbessert. Es ist durch Versuche bestimmt worden, daß
die in Figur 2 gezeigte Detektor-bzw.
Gleichrichterschaltung gleichgerichtete
Signale erzeugen kann, die einen Aussteuerungsbereich von etwa 35 bis 40 db haben.
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Figur 6 zeigt eine andere erfindungsgemäße Ausführungsform, bei welcher
der Transistor 11 als eine Gemeinsam-Basisschaltung angeschlossen ist. Wie aus dem
Stand der Technik bekannt, ergibt die Gemeinsam-Basiskonfiguration eine niedrige
Impedanz, so daß diese Schaltung insbesondere zur Verwendung bei einer Impedanz-Anpassungsschaltung
geeignet ist, bei welcher ein Transformator verwendet wird. Bei dieser Figur ist
der Kondensator 14 zwischen die Basis des Transistors 11 und Erde geschaltet, wobei
er jedoch immer noch in der Basis-Emittereingangsschaltung des Transistors zwischen
der Eingangsklemme 13 und Erde liegt. Die Arbeitsweise der Schaltung nach Figur
6 ist dieselbe, wie jene der Schaltung nach Figur 2, wobei sie auf gleiche Weise
ein lineares Gleichrichtungsansprechen auf Signale eines großen Bereiches von Amplituden
ergeben kann, die an die Eingangsklemme 13 angelegt sind.
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Die Schaltung nach den Figuren 7 und 8 sind ebenso der Schaltung nach
Figur 2 ähnlich, mit Ausnahme, daß die Schaltung nach Figur 7 eine parallele RC-Schaltung
enthält, welche einen Widerstand 20 und einen Kondensator 21 zwischen dem Widerstand
19 und Erde aufweist. Die Schaltung hat auch eine Ausgangsklemme 22, die mit dem
Emitter des Transistors 11 verbunden ist. Die Schaltung nach Figur 8 enthält zwei
in Reihe geschaltete Dioden 23 und 24 anstelle der parallelen RC-Schaltung nach
Figur 7. Die Schaltungskomponenten zwischen dem unteren Ende des Widerstands 19
und Erde ergeben jedenfalls
eine relativ festgelegte Spannung,
wobei das Signal für die automatische Verstärkungsregelung von der Ausgangsklemme
22 abgeleitet werden kann. Es ist möglich, die relativ festgelegte Spannung am unteren
Ende des Widerstands 19 insbesondere bei der Schaltung nach Figur 8 als eine Vorspannungsquelle
für andere Teile eines Systems zu verwenden, bei welchem die erfindungsgemäße Gleichrichterschaltung
nur ein Teil ist.
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Figur 9 zeigt die erfindungsgemäße Gleichrichterschaltung bei einem
typischen Anwendungsfall bei einem Empfänger. Das empfangene Signal wird durch einen
Hochfrequenzverstärker 31 verstärkt und an die Basis eines Nichttransistors 32 angelegt.
Ein Signal aus einem örtlichen Oszillator 33 ist mit dem Emitter des Transistors
32 verbunden, um das Oszillator-Signal in den Transistor einzuführen, um das Hochfrequenzsignal
in eine Zwischenfrequenz am Kollektor des Transistors 32 umzuwandeln. Das Zwischenfrequenz-Signal
wird filtriert und an einen Zwischenfrequenz-Verstärker 34 angelegt, der wiederum
mit der erfindungsgemäßen Detektor- bzw. Gleichrichterschaltung verbunden ist. Die
Basis des Detektor- bzw.
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Gleichrichtertransistors 11 ist mit dem Ausgang des Zwischenfrequenz-Verstärkers
34 und die Zenerdiode 12 ist, wie zuvor, zwischen den Kollektor und die Basis des
Transistors 11 geschaltet.
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Der Ausgang des Detektor- bzw. Gleichrichtertransistors 11 ist von
dem Emitter und an der Schaltung erhalten, welche den Widerstand 19 und die Dioden
23 und 24 aufweisen. Der Emitter
des Transistors 11 ist mit der
Basis eines anderen Transistors 35 unmittelbar verbunden, welcher einen Kollektor-Belastungswiderstand
36 und einen Emitter-Belastungswiderstand 37 hat. Der Kollektor des Transistors
35 ist mit der Ausgangsklemme 17 der Schaltung unmittelbar verbunden, wobei der
Glättungskondensator 18 zwischen die Ausgangsklemme 17 und Erde geschaltet ist.
Der Kollektor des Transistors 35 ist auch mit einem Spannungsteiler verbunden, der
einen Widerstand 38 und einen weiteren Widerstand 39 enthält. Der letzte Widerstand
ist zwischen die Basis des Transistors 32 und Erde geschaltet. Der Emitter des Transistors
35 ist mit der Basis eines Transistors 40 verbunden, der eine veränderliche Impedanz
entsprechend der Amplitude des Signals am Emitter des Transistors 35 liefert. Für
Wechselstromzwecke ist die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors 40 zwischen
die Basis des Transistors 32 und Erde wirksam geschaltet und parallel mit dem Widerstand
39 in dem Spannungsteiler geschaltet.
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Wenn sich die Schaltung nach Figur 9 im Arbeitszustand befindet und
ein Signal einer gewissen Amplitude dem Hochfrequenzverstärker 31 zugeführt wird,
so hat der Gleichrichtertransistor 11 ein gewisses Ausgangssignal an seinem Emitter,
wobei dieses Ausgangssignal einen Spannungsabfall an den Belastungs- oder Verbraucherwiderständen
36 und 37 verursacht.
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Aufgrund der Ausgangsspannung am Kollektor des Transistors 35 wird
der Spannungsteiler, der die Widerstände 38 und 39 und die Emitter-Kollektorspannung
des Transistors 40 aufweist, durch eine gewisse Regelsignalspannung mit Energie
versehen.
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Die Impedanz der Emitter-Kollektorschaltung des Transistors 40
wird
durch die Ausgangsspannung am Emitter des Transistors 35 bestimmt.
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Wenn die Amplitude des an den Hochfrequenzverstärker 31 angelegten,
empfangenen Signals steigt, so erfolgt ein entsprechender Anstieg der Amplitude
des Signals, der an die Basis des Transistors 11 angelegt ist. Dies bewirkt einen
Anstieg der Höhe bzw. des Wertes des gleichgerichteten Signals bezüglich der automatischen
Verstärkungsregelung am Emitter des Transistors 11, wodurch wiederum ein Anstieg
des Spannungswertes oder der Spannungshöhe am Emitter des Transistors 35 und ein
Abfall der Spannungshöhe am Kollektor verursacht wird.
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Die herabgesetzte Spannung am Kollektor verringert die Spannung am
Spannungsteiler und somit die Spannung zwischen der Basis des Transistors 32 und
Erde. Gleichzeitig bewirkt der Anstieg des Spannungswertes bzw. der Spannungshöhe
am Emitter des Transistors 35, daß der Transistor-40 mehrleitend wird und somit
das Spannungsteilungsverhältnis des Spannungsteilers auf solche Weise zu ändern,
daß sich der Vorspannungspegel an der Basis des Transistors 32 weiter verringert.
Somit wird der Verstärkungsfaktor des Transistors 32 weiter herabgesetzt.
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Wenn sich das an den Hochfrequenzverstärker 31 angelegte Signal weiter
von seinem normalen Wert verringert, steigt andererseits die an den Spannungsteiler
angelegte Spannung, während die Impedanz des Transistors 40 abnimmt. Diese beiden
Wirkungen arbeiten zusammen, um den Verstärkungsfaktor des Transistors 32 zu vergrößern.
Durch Steuerung des Verstärkungsfaktors des Transistors 32 durch zwei zusammenarbeitende
Signale
bezüglich einer automatischen Verstärkungsregelung wird
der Bereich von Signalamplituden, der durch die Schaltung behandelt werden kann,
bedeutend über denjenigen hinaus vergrößert, welcher möglich sein würde, falls nur
eine Regelschaltung bzw. eine Schaltung für automatische Verstärkungsregelung die
Arbeitsweise des Transistors 32 beeinflussen würde.
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Während die beiden verschiedenen erfindungsgemäßen Ausführungsformen
gezeigten Schalteinrichtungen als eine Zenerdiode 12 bezeichnet sind, ist möglich,
auch andere Schaltelemente zu verwenden, wie z.B. einen diodenverbundenen Transistor
oder eine ZNR-Halbleitervorrichtung anstelle der Diode 12 zu verwenden. Weitere
Abwandlungen der Erfindung können gemacht werden, ohne ihren Schutzumfang zu verlassen.
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Patentansprüche