DE2439425C3 - Verfahren zur Herstellung eines Galliumphosphid-Körpers mit einem pn-Übergang - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Galliumphosphid-Körpers mit einem pn-ÜbergangInfo
- Publication number
- DE2439425C3 DE2439425C3 DE2439425A DE2439425A DE2439425C3 DE 2439425 C3 DE2439425 C3 DE 2439425C3 DE 2439425 A DE2439425 A DE 2439425A DE 2439425 A DE2439425 A DE 2439425A DE 2439425 C3 DE2439425 C3 DE 2439425C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- type
- temperature
- liquid phase
- growth
- gallium phosphide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H10P14/2909—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
-
- H10P14/263—
-
- H10P14/2926—
-
- H10P14/3416—
-
- H10P14/3418—
-
- H10P14/3444—
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11999173A JPS5643633B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1973-10-26 | 1973-10-26 | |
| JP13010373A JPS5643634B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1973-11-21 | 1973-11-21 | |
| JP13071073A JPS5748871B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1973-11-22 | 1973-11-22 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2439425A1 DE2439425A1 (de) | 1975-05-07 |
| DE2439425B2 DE2439425B2 (de) | 1978-09-28 |
| DE2439425C3 true DE2439425C3 (de) | 1982-12-02 |
Family
ID=27313953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2439425A Expired DE2439425C3 (de) | 1973-10-26 | 1974-08-16 | Verfahren zur Herstellung eines Galliumphosphid-Körpers mit einem pn-Übergang |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3951700A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| CA (1) | CA1019827A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| DE (1) | DE2439425C3 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| FR (1) | FR2249448B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| GB (1) | GB1437310A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| IT (1) | IT1018971B (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4180423A (en) * | 1974-01-31 | 1979-12-25 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing red light-emitting gallium phosphide device |
| JPS5346594B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1974-02-18 | 1978-12-14 | ||
| DE2641347C2 (de) * | 1976-09-14 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Herstellung von epitaxialen Schichten auf einkristallinen Substraten |
| JPS6013317B2 (ja) * | 1979-03-19 | 1985-04-06 | 松下電器産業株式会社 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
| JP2599088B2 (ja) * | 1993-04-12 | 1997-04-09 | 信越半導体株式会社 | GaP赤色発光素子基板及びその製造方法 |
| JP3104218B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2000-10-30 | 信越半導体株式会社 | 窒素ドープGaPエピタキシャル層の成長方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3462320A (en) * | 1966-11-21 | 1969-08-19 | Bell Telephone Labor Inc | Solution growth of nitrogen doped gallium phosphide |
| US3759759A (en) * | 1970-01-29 | 1973-09-18 | Fairchild Camera Instr Co | Push pull method for solution epitaxial growth of iii v compounds |
| US3603833A (en) * | 1970-02-16 | 1971-09-07 | Bell Telephone Labor Inc | Electroluminescent junction semiconductor with controllable combination colors |
| US3715245A (en) * | 1971-02-17 | 1973-02-06 | Gen Electric | Selective liquid phase epitaxial growth process |
| JPS5342230B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) * | 1972-10-19 | 1978-11-09 |
-
1974
- 1974-08-15 CA CA207,098A patent/CA1019827A/en not_active Expired
- 1974-08-16 DE DE2439425A patent/DE2439425C3/de not_active Expired
- 1974-08-16 US US05/498,213 patent/US3951700A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-08-19 GB GB3633574A patent/GB1437310A/en not_active Expired
- 1974-08-22 IT IT52685/74A patent/IT1018971B/it active
- 1974-10-17 FR FR7434945A patent/FR2249448B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2249448A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1975-05-23 |
| DE2439425B2 (de) | 1978-09-28 |
| US3951700A (en) | 1976-04-20 |
| IT1018971B (it) | 1977-10-20 |
| FR2249448B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1977-03-25 |
| GB1437310A (en) | 1976-05-26 |
| DE2439425A1 (de) | 1975-05-07 |
| CA1019827A (en) | 1977-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3123234C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI | |
| DE19511415A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Leuchtelements aus Gruppe III-Nitrid | |
| DE2738329A1 (de) | Elektrolumineszierende galliumnitridhalbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung | |
| DE2039381C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch auf einem n-leitenden Substrat aus Galliumphosphid gewachsenen p-leitenden Galliumphosphidschicht | |
| DE2231926A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleitermaterial und zur herstellung von halbleitereinrichtungen | |
| DE2107149C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines hchtstrahlen abgebenden Mehrschicht Halbleiterbauelementes | |
| DE3249344T1 (de) | Halbleiterlichtemissionsgeraet auf galliumnitridbasis und verfahren zur herstellung desselben | |
| DE68910906T2 (de) | Leuchtende Vorrichtung. | |
| DE3123231A1 (de) | "halbleiteranordnung und verfahren zu dessen herstellung" | |
| DE3926373A1 (de) | Lichtemittierende diode aus siliciumcarbid mit einem pn-uebergang | |
| DE2616700C2 (de) | Verfahren zum Ausbilden einer dünnen Schicht aus einem Halbleitermaterial der Gruppen III-V durch epitaxiales Aufwachsen, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE2439425C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Galliumphosphid-Körpers mit einem pn-Übergang | |
| DE2207056A1 (de) | Verfahren zum selektiven epitaxialen Aufwachsen aus der flüssigen Phase | |
| DE3237536C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines p-leitenden (II/VI)-Verbindungshalbleiterkristalls | |
| DE2529747C3 (de) | Verfahren zur Erzeugung von epitaktischen Aufwachsungen aus der flussigen Phase | |
| DE2338244B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines mehrschichtig aufgebauten Halbleiter-Bauelementes mit epitaktischen Aufwachsschichten | |
| DE69106646T2 (de) | Herstellungsverfahren für eine blaues Licht emittierende ZnSe-Vorrichtung. | |
| DE69207503T2 (de) | Einkristall einer Halbleiterverbindung | |
| DE1589196A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von elektrolumineszenten Gallium-Phosphid-Dioden | |
| DE2843983A1 (de) | Gruenlichtemittierende vorrichtung | |
| DE1644045A1 (de) | Elektrolumineszierende Bauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2408691A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer rotes licht emittierenden galliumphosphiddiode | |
| DE2416394A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer gruenlicht emittierenden galliumphosphid-vorrich- tung | |
| DE2110961A1 (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen einer ternaeren III-V-Mischung | |
| DE3324086A1 (de) | Gruenes licht emittierende znse-diode |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP |
|
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: HENKEL, G., DR.PHIL. FEILER, L., DR.RER.NAT. HAENZEL, W., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |