DE2433965C3 - Anordnung zum Schalten von Hochfrequenzsignalen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eint Anordnung zum Schalten von Hochfrequenzsignalen, speziell des VHF-Bandes, unter Verwendung von Feldeffekttransistoren mit isolierter (iaieelektrode. Derartige Transistoren werden im folgenden gemäß der üblichen Abkürzung mit IGFET bezeichnet.

VHF-Rundfunkempfänger können heutzutage so kompakt und leicht gebaut werden, daß sie von jedem Menschen bequem getragen werden können. Diese Empfänger sind so ausgelegt, daß sie einen Bereich des VHF-Bandcs empfangen können, der über mehr als eine Oktave reicht. Eine mittels Kapazitätsdiode abstimmbare Hochfrequenzschaltung läßt sich jedoch mit den heut,; verfügbaren Varactoren nicht über einen derart weiten Frequenzbereich abstimmen, insbesondere weil in den normalen Überlagerungsempfängern ein enger Gleichlauf mit einem varaclorgesteuerten lokalen Oszillator erforderlich ist. Zur Lösung dieses Problems ist es erwünscht, in der Eingangsstufe des Empfängers mehrere durch Varactoren abstimmbare HF-Verstärker vorzusehen, deren jeder auf ein anderes Band abgestimmt ist, und für die Anfangsverstärkung des HF-Signals vor der Überlagerung oder Mischung mit dem Signal des lokalen Oszillators jeweils einen dieser Verstärker auszuwählen.

In bekannten Fällen geschieht diese Wahl entweder mittels PIN-Diodenschaltern oder mittels mechanischer Relais. PIN-Dioden erfordern eine Steuerleislung, die für einen batteriebetriebenen Kleinstempfänger zu hoch ist. Da PIN-Diodcn zweipolige Elemente sind, benotigt man zu ihrer Steuciung relativ komplizierte Schaltungen. PIN-Dioden sind in ihrer Herstellung nicht kompatibel mit der Herstellung integrierter Schaltungen für HF-Vcrstärkcr, d.h., dei Verstärker und die Anordnung zur Bandumschaltunf lassen sich nicht ohne weiteres in ein und derselbcr integrierten Schaltung unterbringen. Andcrerseit! sind Relais für HF-Signale verhältnismäßig unzuver lässig und teuer.

Die Verwendung von IdFETs in elektronischci Sehiilteinrichtungcn ist in der USA "atentschrif 33 27 133 beschrieben. Besonders interessant ist ein Anordnung, die mit »transmission gate« bezeichne

ist und bei welcher eine Signalquelle wahlweise über einen Weg steuerbarer Leitfähigkeit, der durch einen IGFET-Kanal gebildet wird, mit einem Verbraucher verbindbar ist. IGFETs lassen sich leicht und wirtschaftlich in ganzen Feldern herstellen, wobei das am meisten angewandte Verfahren die sogenannte MOS-Technik (Metall-Oxid-Halbleiter-Technik; ist. Diese Technik ist heutzutage genügend ausgereift, um mit ihr rüverlässige IGFETs herstellen zu können. Da IGFETs keine stromgesteuerten sondern spannungsgesteuerte Schaltelemente sind, wird in ihrem Steuerkreis praktisch keine Leistung verbraucht. Da IGFETs auch gewöhnlich in HF-Verstärkern verwendet werden, lassen sich die HF-Verstärker und die zur Bandumschaltung verwendeten IGFETs auf ein und derselben integrierten Schaltung unterbringen.

Die Verwendung eines »transmission gate«, welches im folgenden als »Signaltor« bezeichnet wird, zum Schalten von HF-Signalen bringt jedoch gewisse Probleme mit sich. Eines dieser Probleme besteht darin, Reflexionen bei durchlässigem Signaltor zu vermeiden. Ein anderes Problem besteht darin, eine »kapazitive« Kopplung des HF-Signals durch das Signaltor zu verhindern, wenn es an sich undurchlässig sein soll, d. h. in den Sperrzustand geschaltet ist.

Diese Probleme werden erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß man an die Gatcelckiroden der in den Signaltoren verwendeten IGFhTs Steuerpotcntiale mit vorgeschriebenen Impcdanzwerten legt. Ein zum Spannen des Kanals in den Leitzustand dienendes Stciicrpniential wird bei einem relativ hohen Impcdan/wert geliefert, und ein zum Spannen des Kanals in den Sperrzustand dienendes Steuerpotential wird bei einem rcla'iv niedrigen Impedanzwert geliefert.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Zeichnungen erläutert:

F i g. 1 zeigt eine Anordnung zur Bandumschaltung, worin die erfindungsgemäß ausgebildeten HF-Schalter verwendet weiden können:

F i g. 2 zeigt die Schaltungsanordnung für einen IGFET zum erfindungsgemäßen Schalten eines HF-

F i g. 3 und 4 sind Ersatzschaltbilder des in F i g. 2 dargestellten KiFETs für den Fall, daß sein Kanal leitend ist und für den Fall, daß sein Kanal gesperrt ist;

F i g. 5 zeigt teilweise in Blockform und teilweise im Detail eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung.

Die in Fig. 1 dargestellte Einrichtung zur Bandumschaltung erlaubt eine Auswahl zwischen zwei HF-Verstärkcrn 11 und 12. Diese Einrichtung zeigt ein vereinfachtes Beispiel, mit ähnlichen Anordnungen kann auch eine Auswahl aus mehr als zwei HF-Verstärkern möglich gemacht werden. Eine Frequcnzwahlschaltung 13 steuert Kapa/itätsdioden zur Abstimmung der HF-Veistäikei 11 und 12 und zur Abstimmung des lokalen Oszillators (nicht dargestellt) des Rundfunkempfängers, vorausgesetzt, es handelt sich um einen Überlagerungsempfänger.

Die Frequenzwahlschaltung 13 steuert außerdem die Bandumschaltung zwischen zwei alternativen Zuständen, was wie folgt geschieht. Im einen Zustand bewirkt die Frequenzwahlschaltung 13 ein Einschalten der HF-Schalter 14 und 15 und ein Sperren der HF-Schaltcr 16 und 17. Der eingeschaltete Schalter 14 verbindet die Antenne 18 mit dem Eingangskreis des HF-Verstärkers 11, und der eingeschaltete Schalter 15 verbindet den Ausgangskreis des HF-Verstärkers mit dem (nicht dargestellten) Mischer des RundfunKempfängers, vorausgesetzt, es handelt sich um einen Überlagerungsempfänger. Somit wird das vom HF-Verstärker 11 verstärkte Frequenzband ausgewählt. Der HF-Verstärker 12 ist von der Schaltungsanordnung, die aktiv Signale empfängt, abgetrennt und kann außerdem von einer Betriebsspannungsquelle abgetrennt sein.

Im anderen Zustand bewirkt die Frequenzauswahlschaltung 13 ein Sperren der HF-Schalter 14 und 15 und ein Einschalten der HF-Schalter 16 und 17. In diesem Fall ist der HF-Verstärker 12 in die aktiv signalempfangende Schaltungsanordnung eingefügt, während der H F-Verstärker 11 davon abgetrennt ist.

Die F i g. 2 veranschaulicht das erfindungsgemäße

Grundprinzip zur erfolgreichen Verwendung eines IGFETs 20 als HF-Schalter, mit dem die Klemmen

ίο »HF-Eingang« und »HF-Ausgang« wahlweise miteinander verbunden werden können. Das Substrat 19 des IGFETs 20 (der im dargestellten Fall ein Element mit N-Kanal ist) sei so vorgespannt, daß er gegenüber den anderen IGFETs, die sich dasselbe Substrat teilen, entkoppelt ist. Der Kanal des IGFETs 20 verläuft zwischen dessen Drain- und Sourceelektrode. Die Elektroden sind vertauschbar, und eine dieser Elektroden ist mit der HF-Eingangsklemme und die andere mit der HF-Ausgangsklemme verbunden. Es sei angenommen, daß der Mittelwert des an die HF-Eingangsklemme angelegten HF-Signals auf dem Niveau des Bezugspotentials (Masse) liegt.

Die Gateelektrode 38 des IGFETs 20 ist mit einem

Anschluß 21 eines einpoligen Umschalters 22 verbunden. In der einen Stellung des Schalters 22 (mit durchgehender Linie gezeichnet) ist die Gateelektrode des IGFETs 20 mit dem Anschluß 23 verbunden, der über einen Widerstand 24 an einem positiven Potential von z.B. 4 12VoIt liegt. Dieses Potential hat gegenüber einem an dem HF-Eingang gelegten HF-Signal eine solche Höhe und Polarität, daß der Kanal des IGFETs 20 leitend ist und daher den HF-Ausgang mit dem HF-Eingang verbindet.

Die F i g. 3 zeigt ein Ersatzschaltbild des IGFETs 20 für den Fall, daß sein Kanal im voll leitenden Zustand ist. Das Ersatzschaltbild gilt für den Betrieb im VHF-Band. In der Ersatzschaltung nach F i g. 3 bedeutet

C_ss die Kapazität zwischen der Source-Übergangszone und dem Substrat des IGFhTs 20,

( _s,, die Sourec-Gale-Kapazitäl des IGFEI s 20, (',,„ die Source-Drain-Kapazität des IOFETs 20, C,,; die Kanal-Gate-Kapazität des IGFETs 20, C'iM die Drain-Gate-Kapazität des IGFETs 20,

C_l)S die Kapazität zwischen der Drain-Übergangsziine und dem Substrat des IGFETs 20,

R₍ den Kanalwiderstand des IGFETs 20 bei voller Leitfähigkeit des Kanals.

Der Kanalwidcrstand ist in Form zweier konzentrierter Widerslände gezeigt, deren jeder einen Wert von '/·.· R_i: hat.

Typische Werte der Elemente des Ersatzschalt-

bildes eines IGFETs zur Realisierung des crfindungsgcmäßen Prinzips sind folgende:

Css - Q,, - 7,5 pF,
C_s„ --- 0,3 pF,
Csr, — C„_(i = 1 pF,
C_co= 12,5pF,
Rc 4 Ohm.

Es sei angenommen, daß die Kapazitäten in den Ersatzschaltungen nach den Fig. 3 und 4 nicht vorlustbehaftet sind. Diese Annahme ist zulässig für einen MOS-IGFET, der auf einer tpitaxialschicht über einen sehr niederohmigcn (< 1 Ohmzcnlimetcr) Substrat ausgebildet ist. Die Annahme, daß R₁ und C_1n konzentrierte bzw. punktförmig verteilte Schaltungsgrößen sind, ist für Signale im VHF-Band ebenfalls zulässig.

Wenn in der Schallung nach Fig. 2 der Schalter 22 in einer solchen Stellung ist, daß er die Gatcelektrode des IGFETs 20 über den Widerstand 24 mit einem den Kanal des KiFETS 20 leitend machenden Potential verbindet, dann ist die HF-Ausgangsklemme über den niedrigen Wert des Kanalwiderstands R, mit der HF-Eingangsklemme gekoppelt. Da zwischen diesen beiden Klemmen nur der Widerstand R( liegt, ist die Dämpfung gering, vorausgesetzt, daß die Zuleitungen zu den Klemmen den normalen Wellenwiderstand von 50 oder 75 Ohm haben. Es wurde jedoch herausgefunden, daß die Kapazitäten C_S(;, C_((} und C_l)(l des Ersatzschaltbildes nach F i g. 3 gemeinsam mit dem Widerstand R,- eine verteilte ßC-Hochfrequenzleitung bilden. Es wurde ferner herausgefunden, daß wenn die Gatcelcklrode des IGF-ETs 20 über einen niedrigen Wechselstromwiderstand mit Masse verbunden ist, diese verteilte Hochfrequenzleitung eine Reflexion in die das Signal an die HF-Eingangsklemme liefernde Hochfrequenzleitung bewirkt. Bei 80 MHz führt dieser unerwünschte Effekt zu einem Stehwellenverhältnis von etwa 3 db.

Erfindungsgemäß wird dieser Effekt dadurch vermieden, daß für den Wirkwiderstand 24 ein Wert gewählt wird, der viel höher ist als der kombinierte Blindwiderstand der Kapazitäten C_5n, C_rn und C_nn für die interessierenden Frequenzen. In einer typischen Ausführungsform wählt man für den Wirkwiderstand 24 beispielsweise einen Widerstandswert von 100 Kiloohm. Mit einem so hohen Wirkwiderstand ist die durch C_SG, C_CG und C₀₀ gebildete Nebenschlußkapazität praktisch nicht mehr mit Masse verbunden, sondern ist eher schwimmend oder massefrei, so daß die Gateelektrode 38 des IGFETs 20 dem HF-Signal folgen kann. Die Kapazitäten C_SG, Ccc, und Cp_n bewirken daher keine Reflexionen auf den an die HF-Eingangsklemme und die HF-Ausgangsklemme angeschlossenen Hochfrequenzleitungen.

Wenn der Schalter 22 in der anderen Stellung ist (gestrichelt gezeichnet), dann ist die Gateelektrode des IGFETs 20 mit dem Anschluß 25 verbunden. Dieser Anschluß liegt Ober einen Wirkwiderstand 27 an einem Potential (im dargestellten Fall - J 2 Volt), welches bezüglich eines an den HF-Eingang angelegten HF-Signals eine solche Höhe und Polarität hat. daß der Kanal des IGFETs 20 nichtleitend oder gesperrt ist. Der Anschluß 25 hat außerdem über einen Kondensator 26 einen Nebenschluß nach Masse, so daß von der Galcclektrode des IGFETs 20 aus ein sehr niedriger Wechsels! rom widerstand gemessen wird, wevn der Kanal des JGFETs in den Sperrzustand gespannt ist.

Die Fig. 4 zeigt das für einen Betrieb im VHF-Band geltende Ersatzschaltbild des IGFETs 20 für den Fall, daß sein Kanal im nichtleitenden Zustand

ίο ist. Der sehr niedrige Wcchselslromwidcrstand, der infolge des Kondensators 26 an der Gateelektrode liegt, verhindert eine HF-Kopplung zwischen Sourcc- und Drainclektrode, die andernfalls durch die Scrienschaltung der Kapazitäten C'_sf; und C_ll(i herbeigeführt

t5 würde. Mit dem Nebenschluß von der Gatceleklrode des IGFETs 20 nach Masse bilden außerdem die Kapazitäten C_m; und C₁₁₁₁ gemeinsam mit der Kapazität f',,;, ein .T-Dämpfungsglied. Dieses Dämpfungsglied trägt außerdem dazu bei, daß die Hochfrequenzkopplung vom HF-Eingang auf den HF-Ausgang über die Souxe-Drain-Kapazität C_N/, vermindert wird.

Das Substrat des IGFETs 20 kann durch den Kondensator 28 in der Anordnung nach Fig. 2 vollständig einen Nebenschluß nach Masse haben. Hierdurch wird eine Hochfrcqucnzdurchführung über das Substrat, d. h. über die Kapazitäten C_ss und C_ns verhindert. Die Kapazität des Ableitkcndensators28 sollte jedoch nicht diese Größe haben, sondern nur groß genug sein, um die Hochfrcqucnzkopplung über C_s<; und C_l)s auf ein Maß zu vermindern, welches gegenüber der Hochfrcquenzkopplung über die Kapazität C_sl) vernachlässigbar ist. Die Kapazität des Kondensators 28 begrenzt dann den vom Kanal zum Substrat des IGFETs 20 fließenden Hochfrequenzstrom, wenn das HF-Eingangssignal übermäßig stark ist und dazu neigt, bei seinen Spitzenwerten die Grenzschicht zwischen Kanal und Substrat in Durchlaßrichtung vorzuspannen.

Beim Betrieb der Schaltung nach Fig. 2 mit in der oben beschriebenen Weise gesperrtem Kanal des IGFETs 20 wurde für Frequenzen von 10 und 80 MHz eine HF-Entkopplung von 65 bzw. 47 db zwischen dem HF-Eingang und dem HF-Ausgang erzielt. Die Schaltung nach F i g. 2 war dabei in eine 50 Ohm-Hochfrequcnzleitung eingefügt, der Wirkwiderstand 27 hatte einen Wert von 100 Kiloohm und der Nebenschlußkondensator 26 eine Kapazität von 0,001 Mikrofarad. Die durch den Schalter in das HF-Signal eingefügten Intermodulationsprodukte lagen mindestens um HOdb unter dem Pegel des HF-Signals in der Schaltung. Bei einem an die HF-Eingangsklemme gelegten HF-Signal von +32dbm betrug das Rauschmaß für dieselbe Schaltung 0,5 db.

Diese Signalverschlechterung wurde durch die Einfügungsdämpfung geradeaus-vorwärts verursacht. Die Modulation mit Gate-Rauschen war vernachlässigbar gering.

Die F i g. 5 zeigt, wie der einfache Schalter 22 und

die zugeordneten Elemente 23 bis 27 der F i g. 2 durch eine höheren Ansprüchen genügende elektronische Steuerschaltung in einem Rundfunkempfänger ersetzt werden können. Der Rundfunkempfänger enthält ein digitales Steuergerät, welches komplementär-logische

Ausgangsspannungen Vp und V_G liefert. Wenn der IGFET-Kanal nicht leitend sein soll, dann ist das Ausgangssignal V_<t des Steuergeräts 31 »niedrig« (z.B. 12Vdt) und das AusgangssignalF_fi ist

»hoch« (z.B. Λ 12VoIl). Diese Werte von V_n und V_n spannen den Kanal des IGFET 32 in den leitenden Zustand, wodurch eine niederohmige Verbindung zwischen der Gateelcktrode 38 des IGFETs 20 und einem Ableitkondensator 34 geschaffen wird. Dies versieht die Gateelcktrode des IGFETs 20 mit der gewünschten niedrigen Quellenimpedanz. Zur gleichen Zeit wird das negative Potential V_G zur Vorspannung des Kanals des IGFETs 20 in den Sperrzustand über den leitenden Kanal des IGFETs 32 auf die Guteelcktiodc 38 gegeben. Wenn der Kanal des IGFETs 20 leitend gemacht werden soll, dann macht das Steuergerät 31 sein Ausgangssignal V_n »hoch« (z.B. +12 Volt). Diese Werte von V_n und Y_n spannen den IGFET 32 so vor, daß sein Kanal nichtleitend wird. Die Gateelektrode des IGFETs 20 ist in erster Linie über den Wirkwiderstand 33 mit der positiven Spannung V_n verbunden. Der Widerstandswert des Elements 33 ist ausreichend groß gewählt (z. B. 100 Kiloohm), damit die Gateelektrode 38 praktisch »massefrei« ist und somit verhindert wird, daß die flC-Hochfrequenzleitung im IGFET 20 zu Reflexionen in dem an die HF-Eingangsklemme gelegten Hochfrequenzsignal führt.

Diese zuletzt beschriebene Schalteinrichtung ist auch deswegen vorteilhaft, weil die Drain-Source-Spannung des IGFETs 32 niedrig gehalten wird. Wenn die IGFETs 20 und 32 innerhalb einer integrierten MOS-Schaltung mittels der gleichen Technik hergestellt werden, dann sind die Einschränkungen hinsichtlich ihrer maximalen Drain-Source-Spannungen strenger als die Einschränkungen hinsichtlich der Spannungen zwischen irgendwelchen anderen ihrer Elektroden. Im Falle einer solchen Konstruktion wird der IGFET 32 normalerweise eine einfachere und kleinere Geometrie als der IGFET 20 haben, da die Impedanz des Kanals des IGFETs 32 in dessen voll leitendem Zustand nicht so niedrig zu sein braucht wie diejenige des Kanals im IGFET 20 des HF-Schallers. In einer solchen integrierten Schaltung können Widerstände in der wohl bekannten Weise durch Verwendung von IGFETs mit automatischer

ίο oder Selbstvorspannung realisiert werden.

Es ist eine einfache Spielart der in F i g.5 gezeigten Schaltung möglich, worin der IGFET 32 mit einer festen Gate-Vorspannung versehen wird, deren Wert zwischen dem positiven und negativen Werten der Spannung V_n liegt. Bei dieser Ausführungsform entfällt die Notwendigkeit komplementär-logischer Steuersignale.

Zur Realisierung der Erfindung bieten sich auch andere Schaltungsanordnungen an. Beispielsweise

ίο kann der Gateclektrode des IGFETs 20 mittels eines ohmschen Elements mit geeignet hohem Widerstandswert ständig eine positive Spannung angelegt werden, wobei dann ein Transistor dazu verwendet wird, die Gateelektrode des IGFETs 20 wahlweise an eine niederohmige Quelle negativer Spannung zu klemmen. Bei geeigneter Änderung der Vorspannungen können auch statt der gezeigten N-Kanal-IGFETs P-Kanal-IGFETs verwendet werden. Es sind auch HF-Schalter möglich, in denen parallele P-Kanal- und N-Kanal-IGFETs gleichzeitig in den Leitzustand oder den Sperrzustand geschallet werden. Solche alternativen Anordnungen sollen ebenfalls mit den Patentansprüchen umfaßt werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

709609/348

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Einrichtung zum Schalten von Hochfrequenzsignalen, mit einer Eir.gangsklemmc zum Empfang von HF-Eingangssignalen, einer Ausgangsklemme und einem Feldeffekttransistor, dessen Sourceelektrode an der einen und dessen Drainelektrode an der anderen dieser Klemmen liegt und über dessen Gateelektrode die Leitfähigkeit des Kanals zwischen Source und Drain steuerbar ist und der zwischen Gate- und Kanal eine Kapazität aufweist, die als Komponenten eine Gate-Source-Kapazität und eine Gate-Drain-Kapazität hat, und mit einer Steueranordnung z;im wahlweisen Anlegen einer ersten oder einer zweiten Spannung an die Gateelektrode, um den Kanal wahlweise leitend oder nichtleitend zu machen, dadurch gekennzeichnet, daß die von der Steueranordnung (22, 24, ^: 12 V. 26, 27, - 12 V oder 32, 31, 33, 34) an die Gateelektrode anlegbare erste Spannung mit einer Impedanz zugeführt wird, die höher ist als die Impedanz der Gate-Kanal-Kapazität bei der Frequenz des Eingangssignals, und daß die von der Steueranordnuag an die Gateelektrode anlegbare /weite Spannung mit einer Impedanz zugeführt wird, die niedriger als diejenige Impedanz ist, welche durch jeweils die Gdtc-Source-Kapa/ität und Drain-Source-Kapaziti'it bei der Frequenz des Eingangssignals dargestellt wird.

2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steueranordnung folgendes enthält:

einen Hilfstransistor (32), der zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrode einen Hauptstromweg enthält und eine Steuerelektrode aufweist, wobei die Leitfähigkeit dieses Hauptstromwegs von der zwischen der Steuerelektrode und der ersten Elektrode liegenden Spannung abhängt und wobei die zweite Elektrode mit der Gateelektrode des Feldeffekttransistors (20) verbunden ist; ein ohmscher Widerstand (33), welcher zwischen die erste und die zweite Elektrode des Hilfstransistors geschaltet ist und einen Widerstandswert hat, der höher ist als die Impedanz der Gatc-Kanal-Kapazität bei der Frequenz des Eingangssignals; eine Anordnung (31, 34) zum wahlweisen Anlegen der eisten oder zweiten Spannung an die erste Elektrode des Hilfstransistors (32) mit einer Impedanz, die niedriger als die durch jeweils die Gate-Souree-Kapazität und die Gale-Drain-Kapazität bei der Frequenz des Eingangssignals gebildete Impedanz ist; eine Einrichtung (31) zum Anlegen einer Spannung an die Steuerelektrode des Hilfstransistors, um diesen Transistor relativ wenig leitend werden zu lassen, wenn die erste Spannung an dessen erste Elektrode gelegt wird und um den Hilfstransistor verhältnismäßig gut leitend zu machen, wenn die zweite Spannung an dessen erste Elektrode gelegt wird.

3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Hilfstransislor (32) und der Feldeffekttransistor (20) beide Fcl-Jcffckltransistören mit isolierter Galcclcktrodc und desselben Leitfähigkeilslyps sind und daß die der Gateelektrode und der ersten Elektrode des Hilfstransistors angelegten Spannungen aus einem digitalen Steuergerät (31) kommen, welches zwei zueinander komplementäre logische Ausgangssignale liefert, deren eines an die erste Elektrode und deren anderes an die Steuerelektrode gelegt wird.

4. Einrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die erste Elektrode des Hilfst ransislors (32) und den HF-Signal-Massepunkt ein Kondensator (34) geschal-

terist.

5. Verwendung mehrerer Einrichtungen zum Schalten von Hochfrequenzsignalen nach einem der vorhergehenden Ansprüche in einer Anordnung, die "mehrere HF-Verstärker (11,12) enthält, deren jeder auf einen anderen Teil des Frequenzspektrums abgestimmt ist, wobei jede dieser Einrichtungen zum Schalten von Hochfrequenzsignalen zwischen einen gemeinsamen Sienaleingang(18) und den Eingangskreis jeweils eines gesonderten der HF-Verstärker geschaltet ist.