DE2424858A1 - Integrierte treiberschaltung - Google Patents
Integrierte treiberschaltungInfo
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Description
Aktenzeichen der Anmelderin: BU 972 014
Die Erfindung bezieht sich auf Treiberschaltungen, die besonders
nützlich sind, wenn sie in Verbindung mit Speichermatrizen verwendet werden, die als Speicherelemente solche mit variablen
Schwellwerten verwenden. Es ist bekannt, daß Feldeffekt-Transistoren hergestellt werden können, die durch Einführen von Ladungen
in eine zweilagige Isolierschicht für die Gate-Elektrode Speicher bilden, und daß diese Transistoren als Speicherelemente
benutzt werden können in Speichern großer Kapazität mit wahlfreiem Zugriff und daß sie für elektronisch änderbare Festwertspeicher
verwendet werden können.
Typische Feldeffekt-Transistoren mit nicht flüchtiger Informationsspeicherung
sind die Metall/Nitrid/Oxyd/Silizium (MNOS)-Feldeffekt Transistoren. Diese besitzen für die Gate-Elektrode eine zweilagige
Isolierschicht, die aus einer Schicht von Siliziumdioxyd besteht, welche mit einer Schicht von Siliziumnitrid bedeckt ist.
Diese zweilagige Isolierschicht kann Ladungen an der Grenzfläche zwischen den beiden Isolierschichten speichern, welche Ladungsspeicherung
die Schwellspannung ändert, d.h., diejenige Spannung, die der Gate-Elektrode zugeführt werden muß, um einen Kanal zwischen
der Source- und der Drain-Elektrode zu schaffen, üblicherweise
besitzen MNOS-Feldeffekt-Transistoren mit einem P-Kanal
eine Schwellspannung von etwa -6 Volt, wenn keine Elektronen an der Grenzfläche gespeichert sind und eine Schwellspannung von etwa
-2 Volt, wenn Elektronen darin gespeichert sind. Solche FeId-
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effekt-Transistoren können in einen ausgewählten Zustand gesetzt
werden durch Zuführen großer positiver und negativer Spannungen innerhalb eines Bereiches von ungefähr 40 Volt. Ein P-Kanal-Feldeffekt-Transistor
mit variablem Schwellwert kann in einen Zustand mit niedrigem Schwellwert versetzt werden, d.h. gelöscht
werden, wenn große positive Spannungen der Gate-Elektrode zugeführt
werden, um die Ansammlung von Elektronen in der durch das Siliziumnitrid und das Siliziumdioxyd gebildeten Grenzfläche zu
veranlassen. Die so angesammelten Elektronen verbleiben in dieser Grenzfläche, wenn die zugeführte Spannung entfernt wird und einen
Feldeffekt-Transistor mit niedriger Schwellspannung versursacht. Um ia diese geladene Vorrichtung einzuschreiben, müssen große negative
Spannungen der Gate-Elektrode zugeführt werden, um die Elektronen aus der Grenzfläche, in der sie sich befinden, zu vertreiben,
so daß der Feldeffekt-Transistor wieder einen Zustand mit hoher Schwellspannung zeigt.
Solch eine Ladungsansammlung beruht auf den verschiedenen Leitfähigkeiten
der Nitrid- und der Oxydschicht und wird an der Grenzfläche zwischen diesen Schichten beibehalten, wenn die angelegte
Spannung entfernt wird, da die Stromdichten in der Nitrid- und Oxydschicht nichtlineare Funktionen der Intensität
des elektrischen Feldes sind.
Ein elektronisch änderbarer Festwertspeicher ist auf den Seiten 969 und 970 des IBM Technical Disclusure Bulletin, Volume 13,
Nr. 4, September 19 70, beschrieben. Bei diesem Speicher ist jeder MNOS-Feldeffekt-Transistor von jedem anderen mittels Isolationsdiffusionen
isoliert, denen eine Bezugsspannung zugeführt wird.
Aus dem US-Patent 3 618 051 ist es bekannt, daß ein der Wortauswahl
dienender Adressendecodierer durch eine Sperrschicht von dem Fest des Speichers isoliert werden kann, so daß die Substrate aller
Speichertransistoren der Anordnung auf gegenüber den Span-
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nungspegeln, die dem Substrat der Decodiersehaltung zugeführt
werden, verschiedenen Spannungspegeln gehalten werden können.
Dem US-Patent 3 702 990 ist zu entnehmen, daß ausgewählte Transistoren
einer MNOS-Anordnung in einen Schwellwertzustand versetzt
werden können durch Zuführen eines ersten Spannungspegels zu der Gate-Elektrode und eines zweiten Spannungspegels zu ihrem
Halbleitersubstrat und daß die zweite Schwellspannung erhalten werden kann durch Umkehren der genannten Spannungen. Das Substrat
der Speicheranordnung kann daher verschiedene Spannungspegel annehmen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Treiberschaltung
für einen Halbleiterspeicher anzugeben, die in der Lage ist, eine Ausgangsspannung mit einem Hub zu liefern, der größer ist
als die Durchbruchsspannungen der in der Treiberschaltung verwendeten Feldeffekt-Transistoren. Solche Treiberschaltungen finden
besonders bei Matrizenspeichern aus Speicherelementen mit nichtflüchtiger Informationsspeicherung Verwendung.
Die genannte Aufgabe wird durch eine Treiberschaltung für einen Halbleiterspeicher gelöst, die gekennzeichnet ist durch
einen ersten Feldeffekt-Transistor, der eine Spannungsdifferenz vom vorgegebenen ersten Wert aushält,
mit dem ersten Feldeffekt-Transistor verbundene Mittel zum Anlegen
der ersten vorgegebenen Spannungsdifferenz an ihn, einen zweiten Feldeffekt-Transistor, der eine Spannungsdifferenz
von vorgegebenem zweiten Wert aushält, mit dem zweiten Feldeffekt-Transistor verbundene Mittel zum Anlegen
der zweiten Spannungsdifferenz an ihn, eine Ausgangsleitung, die an die beiden Feldeffekt-Transistoren
angeschlossen ist, und
Mittel, um wahlweise die erste oder zweite Spannungsdifferenz an den ersten oder zweiten Feldeffekt-Transistor anzulegen zur Erzeugung
einer Spannungsdifferenz mit einem Spannungshub, der der Summe der ersten und zweiten Spannungsdifferenz entspricht.
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Nachfolgend wird die Erfindung in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert, von denen zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer Speichermatrix, bei der
die Erfindung Anwendung findet
Fig.2 die Spannungsverläufe, die in den Schaltungen
nach Fig. 1 beim Lesen, Schreiben und Löschen auftreten,
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine als integrierte Schal
tung ausgeführte Treiberschaltung nach der Erfindung und
Fig. 4 die Ansicht eines längs der Linie 4-4 geführ
ten Schnittes durch die integrierte Treiberschaltung nach Fig. 3.
Fig. 1 zeigt schematisch eine wortorganisierte Speicheranordnung 11, die in einem monolithischen Halbleiterkörper 12 gebildet
wird und die als elektronisch änderbarer Festwertspeicher verwendet werden kann. Die dargestellte Organisation gilt für eine
Anordnung mit zwei Wörtern, deren jedes zwei Bits enthält. Die Anordnung 11 enthält zwei Wortleitungen 10 und 20, an deren jede
zwei Speicherzellen 13 gekoppelt sind. In dem Siliziumkörper 12 sind auch mittels bekannter Verfahren Treiberschaltungen 14
und 15 und Decodierschaltungen 16 und 17 gebildet worden, von
denen je eine einer der Wortleitungen 10 und 20 zugeordnet ist. Jede Treiberschaltung befindet sich neben einem Ende einer Wortleitung
in der Anordnung 11 und zwischen dieser Wortleitung und
einer Decodierschaltung. Die Treiberschaltungen 14 und 15 sind isoliert in einem Bereich des Körpers 12a durch einen Isolationswall 18, der den Bereich 12a von dem Rest des Körpers 12 isoliert,
der den Speicher und die Decodierschaltung enthält. Der Randbereich des Körpers 12 wird benutzt für erforderliche Verlängerungsleitungen
und Sammelleitungsverbindungen mit außer-
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- 5 halb des Körpers 12 notwendigen Schaltungen.
Natürlich kann die Anordnung 11 jede gewünschte Anzahl von Wortleitungen
aufweisen, deren jede an eine beliebige Anzahl von Bits führt, obgleich nur zwei Wortleitungen IO und 20, deren jede an
nur 2 Bits führt, bei diesem Ausführungsbeispiel dargestellt sind.
Jede Wortleitung 10 ist mit einem Ende an die isolierte Treiberschaltung
14 angekoppelt, die mit der üblichen Decodierschaltung
16 über eine Schreibleitung 23 verbunden ist. Die Wortleitung 20 ist in ähnlicher Weise an die Treiberschaltung 15 angekoppelt,
die wiederum mit der Decodiersehaltung 17 über die
Schreibleitung 23a verbunden ist. Adreßleitungen 19 bilden die
Eingangsleitungen für die Decodiersehaltungen 16 und 17.
Für die vorliegende Beschreibung und das Ausführungsbeispiel wird angenommen, daß P-Kanal-Feldeffekt-Transistoren mit variablem
Schwellwert als Elemente mit nicht flüchtiger Informationsspeicherung in der Anordnung verwendet werden, die eine Anfangsschwellspannung
von ungefähr - Volt besitzen, wenn keine Ladun in der dielektrischen Grenzfläche gespeichert ist, und die eine
Schwellspannung von ungefähr -2 Volt besitzen, wenn die Grenzfläche eine Ladung enthält.
Wie genauer in den Figuren 3 und 4 dargestellt ist, befindet sich der N-leitende Körper 12 auf einer Basis 21, die beispielsweise
ein P-leitender Halbleiter oder ein Isolator wie Saphir sein kann. Der Isolationswall 18 kann durch einen Oxydationsoder einen Diffusionsvorgang gebildet werden. Die Worttreiberschaltungen
14 und 15 enthalten je zwei Feldeffekt-Tranistoren und 27. Der Transistor 26 wird gebildet aus einer Drain-Diffusion
29 und einer Source-Diffusion 30, die durch einen Gate-Bereich 28 voneinander getrennt sind, und der Transistor 27 wird
gebildet durch eine Drain-Diffusion 32 und eine Source-Diffusion
33, die durch einen Gate-Bereich 31 getrennt sind. Die Diffusionen 29, 30, 32 und 33 sind alles P-Diffusionen. Um einen
guten ohm1sehen Kontakt zwischen dem Bereich 12a und der Lösch-
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leitung 24 zu erhalten, kann eine N-Diffusion 24a vorgesehen
werden.
Die Löschleitung 24 ist auch mit der Drain-Diffusion 32 des Feldeffekt-Transistors
2 7 verbunden, während die Schreibleitung der Decodierschaltung mit der Drain-Diffusion 29 des Feldeffekt-Transistors
26 verbunden ist. Die Source-Diffusionen 30 und 33 der Feldeffekt-Tranistoren 26 und 27 sind beide mit der gleichen
Wortleitung verbunden. Die Sperrleitung 25 wirkt als eine Gate-Elektrode
für den Transistor 26 und eine Masseleitung 39 dient als Gate-Elektrode für den Transistor 27. Diese Masseleitung 39
kann auch dazu dienen, den Isolationswall 1β und den Halbleiterkörper 12 auf Massepotential zu halten.
Sowohl die Löschleitung 24, als auch die Sperrleitung 25 ist mit
einer geeigneten Spannungsquelle 40 verbunden, die selektiv diesen Leitungen sowohl positive als auch negative Spannungsimpulse
liefern kann, wenn das erforderlich ist.
Eine erste Anzahl von Speicherzellen 13, deren jede einen Feldeffekt-Transistor
mit variablem Schwellwert TIl bzw. T12 als Element mit nichtflüchtiger Informationsspeicherung enthält, sind
an die Wortleitung 10 gekoppelt durch Verbinden der Wortleitung 10 mit der Gate-Elektrode jedes Transistors. Eine zweite Anzahl
ähnlicher Transistoren T21 und T22 sind in ähnlicher Weise mit der Wortleitung 20 verbunden. Die Transistoren TIl und T21 sind
mit einem Paar von Bit/Abfrageleitungen 34 und 35 verbunden durch Anschließen des Paares der Bit/Abfrageleitungen an die jeweiligen
Source- und Drain-Elektroden der Transistoren TIl und T21. Die Transistoren T12 und T22 sind in ähnlicher Weise an ein anderes
Paar von Bitleitungen 36 und 37 angeschlossen. Jede Bit/Abfrageleitung 34, 35, 36 und 37 ist an einem Ende mit einem üblichen
Bitleitungs-Treiber- und Abfrageverstärker 38 verbunden.
Nur für die Zwecke der Erläuterung ist die Eigenschaft der nicht flüchtigen Informationsspeicherung dieser Transistoren mit variablem
Schwellwert in Fig. 1 durch eine gestrichelte Linie zwischen
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der Gate-Elektrode und dem Substrat jedes Transistors dargestellt.
Bei der Beschreibung der Wirkungsweise der Speichermatrix nach der Erfindung wird Bezug genommen auf die Fig. 2. Nur für Zwecke
der Erläuterung wird angenommen, daß der Zustand mit niedrigem Schwellwert, d.h. der geladene Zustand Transistors mit nichtflüchtiger Informationsspeicherung eine binäre "0" darstellt und
daß der Zustand mit hohem Schwellwert, d.h. der ungeladene Zustand
des Transistors in der Anordnung eine binäre "1" darstellt. Anfangs wird die in Fig. 1 dargestellte gesamte Anordnung zur
Speicherung zweier Worte aus je zwei Bits gelöscht, so daß die dielektrische Grenzfläche jedes Transistors der Anordnung aufgeladen
wird und jeder Transistor eine niedrige Schwellspannung aufweist. Nachdem die gesamte Anordnung gelöscht wurde, wird in
ausgewählte Transistoren eingeschrieben und diese werden anschließend
ausgelesen, um ihren Zustand zu bestimmen. In diesen Lösch- und Schreibzyklen werden große Spannungsamplituden den Transistoren
mit variablen Schwellspannungen zugeführt.
Um die gesamte Anordnung zu löschen, wird ein positiver Spannungspegel
41 von 20 Volt auf der Sperrleitung 25 durch die Spannungsquelle 40 aufrecht erhalten. Zu dem Zeitpunkt Tl wird
ein Spannungsimpuls 42 von 20 Volt der Löschleitung 24 von der Spannungsquelle 40 zugeführt. Die Schreibleitungen und die Bit/
Abfrageleitungen werden auf Erd- oder Nullpotential gehalten.
Der positive Impuls 42 von 20 Volt auf der Löschleitung 24 wird dem Bereich 12a und der Source-Diffusion 29 des Feldeffekt-Transistors
27 in jeder der Treiberschaltungen 14 und 15 zugeführt, bis er zum Zeitpunkt T2 endet. Da die Gate-Elektrode 39 des FeIdeffekt-Tranistors
27 sich auf Erdpotential befindet, leitet der Transistor 27 und die Wortleitungen 10 und 20 nehmen für die Dauer
des Impulses 41 ein Potential von +20 Volt an, wie das durch die Impuls 43 und 44 dargestellt ist. Durch Aufrechterhalten des
Potentials der Sperrleitung 25 bei +20 Volt bleibt der Feldeffekt-Transistor 26 gesperrt. Da das Substrat 12a mit der Löschleitung
verbunden ist, beträgt sein Potential ebenfalls +20 Volt
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und alle die P-Diffusionen 29, 30, 32 und 33 bleiben entweder ohne Vorspannung oder durch nur 20 Volt während der Dauer des Impulses
42 in Sperrichtung vorgespannt.
Die positiven Spannungsinpulse 43 und 44 auf den Wortleitungen
10 und 20 bewirken, daß jeder mit diesen Wortleitungen verbundene entladene Transistor geladen wird. Daher werden alle die Transistoren
TIl, T12, T21 und T22 in der Anordnung 11 zum Zeitpunkt
T2 in den binären Nullzustand versetzt. Wenn die Löschleitung 24 Erdpotential erhält, entladen sich die Wortleitungen 10 und
20 beide nach Masse über die Diffusionen 30 und 33, die jetzt hinsichtlich des Substrates 12a in Leitrichtung vorgespannt sind.
Jetzt können binäre Einsen selektiv in die Anordnung eingeschrieben
werden durch Entladen der dielektrischen Grenzfläche der ausgewählten Transistoren, so daß diese einen hohen Wert der Schwellspannung
aufweisen. Für Zwecke der Erklärung wird angenonmen,
daß nur in den Transistor TIl eine binäre "I11 eingeschrieben
werden soll und daß die übrigen Transistoren im Nullzustand gelassen werden.
Um dies zu erreichen, wird angenommen, daß zum Zeitpunkt T3 über die Adreßleitungen 19 geeignete Signale empfangen werden, um nur
die Decodiersehaltung 16 zu aktivieren. Wenn die Decodierschaltung
16 aktiviert wird, erscheint ein Schreibimpuls 45 von -20 Volt auf der Leitung 23 und damit an der Drain-Diffusion 29 des
Feldeffekt-Transistors 26. Zum Zeitpunkt T4, während dem der Schreibimpuls noch der Leitung 23 zugeführt wird, wird der Sperrleitung
25 und damit der Gate-Elektrode des Feldeffekt-Transistors 26 ein Impuls 46 von -20 Volt von der Spannungsquelle 40
zugeführt und zum Zeitpunkt T4 werden den nicht ausgewählten Bitleitungen 36 und 37 Impulse 47 und 48 von -20 Volt über die Bitleitungs-Treibersehaltung
38 zugeführt. Die anderen Bitleitungen 34 und 35 und die Löschleitung 24 werden auf Erdpotential gehalten.
Das Zuführen der Schreib- und Sperrimpulse dient dazu, den Feldeffekt-Tranistor 26 in der Treiberschaltung 14 leitend zu
machen und bewirkt, daß der Wortleitung 10 ein Impuls 49 von
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-20 Volt zugeführt wird. Dieser Impuls 49 auf der Wortleitung 10 bewirkt, daß Elektronen aus der dielektrischen Grenzfläche
des Transistors TIl entfernt werden, wodurch er in den Zustand mit hoher Schwellwertspannung versetzt wird. Die Ladung wird von
dem Transistor TIl entfernt, da nur bei ihm eine Spannung von -20 Volt zwischen seinem Gate-Dielektrikum und dem Halbleiterkörper
besteht. Diese Spannung zwischen dem Gate und dem Körper des Transistors bewirkt, daß Elektronen aus dem Gate-Dielektrikum
in das Substrat 12a gelangen, wodurch die Schwellspannung erhöht wird. Für den beschriebenen Lösch- und Schreibzyklus
weist die Wortleitung 10 einen Gesamtspannungshub von 40 Volt auf,
aber die Transistoren in der Treiberschaltung erfahren keinen Spannungshub, der größer als 20 Volt ist. Es sei bemerkt, daß
die Impulse 45, 46 und 47 alle gleichzeitig zugeführt werden können oder daß die Impulse 46 und 47 vor dem Impuls 45 erscheinen.
Der.Unterschied zwischen den Zeitpunkten T3 und T4 ist
nicht kritisch, so lange die Impulse 46 und 47 den Impuls 45 während eines Zeitintervalls überlappen, das genügend lange
ist, um das Laden des ausgewählten Transistors zu gestatten. Es ist notwendig, daß die Impulse 42 und 45 sich nicht überlappen,
denn diese Bedingung könnte die Transistoren in der Treiberschaltung zerstören, wenn 40 Volt an sie angelegt würde. Es ist
auch erwünscht, daß der Impuls 46 den Impuls 42 nicht überlappt, da ein großer Leistungsverbrauch auftreten würde.
In die restlichen Transistoren der Anordnung wird jedoch nicht
eingeschrieben, entweder, weil beispielsweise sämtliche Elektroden
der Transistoren T12 und T21 das gleiche Potential aufweisen oder weil beispielsweise die Gate-Elektrode des Transistors
T22 ein positives Potential bezüglich seiner Source- und Drain-Elektrode
aufweist.
Nach einem Zeitintervall, das ausreichend ist, um sicherzustellen,
daß in den ausgewählten Transistor eingeschrieben wurde, d.h. zum Zeitpunkt T5, wird der Decodierer 16 abgeschaltet und
die Schreibleitung 23 nimmt wieder Erdpotential an. Da die Sperr-
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leitung sich noch auf einem Potential von -20 Volt befindet, bleibt der Feldeffekt-Transistor 26 in leitendem Zustand und
die Wortleitung 10 wird über den Feldeffekt-Transistor 26 auf Erdpotential entladen. Es ist daher notwendig, daß der Impuls
46 bis zum Zeitpunkt T6 vorhanden ist, um es der Wortleitung 10 zu ermöglichen, Erdpotential anzunehmen. Zum Zeitpunkt T6
veranlaßt die Sperrspannungsquelle 28, daß der Feldeffekt-Transistor 26 sperrt. Die nicht ausgewählten Bitleitungen 36 und
37 nehmen wieder Erdpotential an.
Nachdem in die ausgewählten Transistoren eingeschrieben wurde, d.h., nachdem sie in den Zustand mit hoher Schwellspannung
versetzt wurden, kann die Anordnung anschließend zerstörungsfrei ausgelesen werden. Zur Erklärung wird angenommen, daß die
Wortleitung 10 zu lesen ist. Daher wird der Zustand des Transistors TIl und T12 bestimmend. Der Lesezyklus wird zum Zeitpunkt
T7 eingeleitet durch Einführen geeigneter Lesesignale in die Decodiersehaltung über die Adreßleitungen 19, um die Decodiers
ehalt ung 16 zu veranlassen, der Schreibleitung 2 3 einen Impuls 50 von -5 Volt zuzuführen. Gleichzeitig werden den Bit/
Abfrageleitungen 34 und 36 Impulse 51 und 52 von -6 Volt zugeführt. Alle anderen Leitungen werden auf einer Spannung von 0
Volt gehalten, mit Ausnahme der Sperrleitung 25, die auf einem Spannungswert von +20 Volt gehalten wird.
Zum Zeitpunkt T8 ändert ein Impuls 53 das Potential der Sperrleitung
25 von dem Wert +20 Volt auf -20 Volt. Das Zuführen des Impulses 5 3 zu Gate-Elektrode des Feldeffekt-Tranistors 26 veranlaßt
diesen, leitend zu werden und die Wortleitung 10, ein Potential von -5 Volt anzunehmen, wie das durch den Impuls 54 dargestellt
ist.
Es sei bemerkt, daß dieser Impuls von -5 Volt, der der Wortleitung
10 zugeführt wird, die gelesen wird, einen Wert aufweist, der unterhalb des Wertes der Schwellspannung eines ungeladenen
Transistors liegt und daher nicht ausreicht, um einen un-
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geladenen Transistor leitend zu machen, aber ausreichend ist,
um einen Transistor, der eine Ladung enthält, leitend zu machen. Diese niedrige Gate-Spannung, die der Wortleitung 10 zugeführt
wird, ist auch unzureichend, um irgendwelche Ladungen in den sich im geladenen Zustand befindenden Transistoren hervorzurufen,
die mit der Wortleitung verbunden sind. Wenn daher der Wortleitung 10 eine Spannung von -5 Volt zugeführt wird, werden
nur die geladenen Transistoren, die mit der Wortleitung verbunden
sind, leitend.
In dem beschriebenen Beispiel ist nur der mit der Wortleitung 10 verbundene Transistor TIl entladen worden und daher bleibt
nur er nichtleitend. Es wird daher nur der Transistor T12 leitend und erzeugt eine leitende Verbindung zwischen der Bitleitung
36, deren Spannung etwa -6 Volt beträgt, und der Bitleitung 37, die sich auf Nullpotential befindet. Das Leiten des
Transistors T12 verursacht, daß die Bitleitung 37 eine Spannung von ungefähr -5 Volt annimmt, wie das durch den Impuls
55 dargestellt ist. Dies zeigt an, daß der Transistor T12 eine binäre "0" speicherte. Obgleich auch der Gate-Elektrode des
Transistors TIl ein Impuls von -5 Volt zugeführt wurde, wird er nichtleitend, da er sich in dem Zustand mit hoher Schwellwertspannung
befindet. Es wird daher keine leitende Verbindung geschaffen zwischen den Bitleitungen 34 und 35 und die Bitleitung
35 bleibt auf Erdpotential, was' anzeigt, daß der Transistor TIl eine binäre "1" speichert.
Da die Transistoren TIl, T12, T21 und T22 Transistoren mit Speichereigenschaften
und variablen Schwellspannungen sind, und da die der Wortleitung zugeführte Spannung von -5 Volt unzureichend
ist, behält jeder. Transistor seinen ursprünglichen Ladungszustand
nach dem Ende des Impulses 5 3 bei. Da der Decodierer 17 nicht eingeschaltet wurde, beträgt die Spannung auf der
Wortleitung 0 Volt und die mit ihr verbundenen Transistoren T21 und T22 werden in keiner Weise durch das Zuführen irgendeiner
Spannung zu den Bitleitungen beeinflußt.
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Zum Zeitpunkt T9 kann die Spannung der Schreibleitung durch Abschalten des Decodierers 16 wieder den Wert 0 Volt annehmen.
Da der Impuls 53 die Spannung von -20 Volt beibehält, bleibt der Feldeffekt-Transistor 26 leitend und die Wortleitung 10
wird über den Feldefft-Transistor 26 nach Masse entladen. Wenn
die Wortleitung 10 sich wieder auf Massepotential befindet, sperrt der Transistor T12 und der Impuls 55 endet. Zum Zeitpunkt
TlO erhöht sich das Potential der Sperrleitung 25 wieder auf +20 Volt, um den Impuls 53 zu beenden und die Bitleitungen
34 und 36 nehmen wieder Erdpotential an. Es sei bemerkt, daß der Impuls 53 den Wert -20 Volt annehmen kann vor oder
gleichzeitig mit dem Zuführen des Leseimpulses 50 zu der Schreibleitung 2 3. Es ist jedoch notwendig, daß die Sperrleitung
25 den Spannungswert von -20 Volt für eine Zeitperiode beibehält, nachdem die Schreibleitung 2 3 das Erdpotential
angenommen hat, um sicherzustellen, daß die Wortleitung 10 auch auf Erdpotential entladen wird.
Die beschriebene Treiberschaltung ist bekannten Anordnungen überlegen, da es durch die Erfindung jetzt möglich ist, besonders
in Speicheranordnungen aus Transistoren mit variablen Schwellspannungen und Speichereigenschaften große Spannungshübe zuzuführen, d.h. 40 Volt einer ausgewählten Wortleitung
der Anordnung zuzuführen, um den geladenen Zustand der Transistoren mit variabler Schwellspannung herbeizuführen, während
die maximale Spannung, die über die Treiberschaltung zugeführt wird, den halben Spannungshub der Wortleitung aufweist,
d.h. 20 Volt. Dies wird erreicht durch Isolieren der Treiberschaltung von dem Substrat, in dem die Speicheranordnung gebildet
wird, und dadurch, daß das Substrat für die Speicheranordnung kontinuierlich auf Erdpotential gehalten wird, während dem
Substrat der Treiberschaltung eine Spannung zugeführt wird, die bezogen ist auf die Spannung der Löschleitung.
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Claims (4)
1. Treiberschaltung für einen Halbleiterspeicher, gekennzeichnet durch
einen ersten Feldeffekt-Transistor (26, Fig. 3), der eine
Spannungsdifferenz von vorgegebenem erstem Wert aushält, mit dem ersten Feldeffekt-Transistor verbundene Mittel
(2 3, 25, 10) zum Anlegen der ersten vorgegebenen Spannungsdifferenz
an ihn,
einen zweiten Feldeffekt-Transistor (27), der eine Spannungsdifferenz
von vorgegebenem zweiten Wert aushält, mit dem zweiten Feldeffekt-Transistor verbundene Mittel
(24, 39, 10) zum Anlegen der zweiten Spannungsdifferenz an ihn,
eine Ausgangsleitung (10), die an die beiden Feldeffekt-Transistoren
angeschlossen ist und Mittel (16, 40), um wahlweise die erste oder zweite Spannungsdifferenz
an den ersten oder zweiten Feldeffekt-Transistor anzulegen zur Erzeugung einer Spannungsdifferenz
mit einem Spannungshub, der der Summe der ersten und der zweiten Spannungsdifferenz entspricht.
2. Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldeffekt-Transistoren in einem Halbleiterkörper
gebildet wurden.
3. Treiberschaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Spannungsdifferenz von vorgegebenem zweiten Wert auch dem Halbleiterkörper zugeführt
wird.
4. Treiberschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Feldeffekt-Transistoren in einem ersten Teil (12a) des Halbleiterkörpers gebildet wurden, dem
auch die Spannungsdifferenz des zweiten vorgegebenen Wertes zugeführt wird, die der des ersten vorgegebenen Wertes
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gleich ist und der Durchbruchspannung der Diffusionen bezüglich des ersten Teiles des Halbleiterkörpers.
Treiberschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ausgangsleitung (10) mit den Gate-Elektroden
weiter eine Speicherzeile bildender Feldeffekt-Transistoren (TIl, T12) verbunden ist, die in einem von dem
ersten elektrisch isolierten zweiten Teil (11) des Halbleiterkörpers gebildet wurden, der auf einem festen Bezugspotential
gehalten wird.
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Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
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US6888200B2 (en) * | 2002-08-30 | 2005-05-03 | Micron Technology Inc. | One transistor SOI non-volatile random access memory cell |
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KR20230002812A (ko) | 2020-05-19 | 2023-01-05 | 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. | 메모리 디바이스 및 그 프로그램 동작 |
WO2021232233A1 (en) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Control method and controller of program suspending and resuming for memory |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
US3618051A (en) * | 1969-05-09 | 1971-11-02 | Sperry Rand Corp | Nonvolatile read-write memory with addressing |
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- 1974-05-01 GB GB1902674A patent/GB1462415A/en not_active Expired
- 1974-05-22 DE DE2424858A patent/DE2424858C2/de not_active Expired
- 1974-05-22 JP JP5679074A patent/JPS5718276B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
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---|---|---|---|---|
US3618051A (en) * | 1969-05-09 | 1971-11-02 | Sperry Rand Corp | Nonvolatile read-write memory with addressing |
US3702990A (en) * | 1971-02-02 | 1972-11-14 | Rca Corp | Variable threshold memory system using minimum amplitude signals |
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IBM TDB, Vol. 13, Nr. 4, Sept. 1970, S. 969/970 * |
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