DE2424702A1 - Verfahren zur herstellung von traegerplatten fuer duenn- und dickschichtschaltungen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von traegerplatten fuer duenn- und dickschichtschaltungenInfo
- Publication number
- DE2424702A1 DE2424702A1 DE2424702A DE2424702A DE2424702A1 DE 2424702 A1 DE2424702 A1 DE 2424702A1 DE 2424702 A DE2424702 A DE 2424702A DE 2424702 A DE2424702 A DE 2424702A DE 2424702 A1 DE2424702 A1 DE 2424702A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- holes
- glass
- dil
- photo
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0054—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing PbO, SnO2, B2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/002—Etching of the substrate by chemical or physical means by liquid chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0166—Polymeric layer used for special processing, e.g. resist for etching insulating material or photoresist used as a mask during plasma etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0789—Aqueous acid solution, e.g. for cleaning or etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Trägerplatten für Dünn- und Dickschichtschaltungen Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Dünn- und Dickschichtschaltungen mit Löchern für Durchführungen oder Kontaktstifte.
- Trägerplatten für Dünn- und Dickschichtschaltungen, die aus Glas oder Keramik bestehen, sind bereits hinlänglich bekannt So findet man z.B. in der Zeitschrift "Internationale Elektronische Rundschau", 1964, Heft 4f Seiten 189 bis 192 einen Artikel über integrierte mikroelektronische Schaltungen, der den Stand der Entwicklung und der Herstellung integrierter Schaltungen beschreibt und die technologischen Prozesse zur Herstellung von Dünnschicht- und Halbleiterschaltungen erläutert.~Dabei wird darauf hingewiesen, daß die Dünnschicht-Schaltkreise zur Erreichung der notwendigen mechanischen Stabilität auf einer Glas- oder Keramikunterlage niedergeschlagen sein müssen. Ein Querschnitt durch eine Dünnschichtschaltung, aus dem das Vorhandensein einer Glasunterlage ersichtlich ist, ist in dem angegebenen Artikel ebenfalls zu finden.
- Angaben über die Verwendung von Glasträgerplatten für Dünnschicht -Schaltungen finden sich auch in der Zeitschrift "Electronics", 33 (1960), Heft 48 auf Seite 93, wo in Fig. 1 ein Glassubstrat gezeigt wird, ferner auf Seite 95, wo die Verwendung eines Keramiksubstrats beschrieben wird, und schließlich auch auf Seite 96, wo von einem dünnen Glassubstrat die Rede ist.
- Ein Nachteil der genannten Trägerplatten ist, daß zur Durchführung oder zum Anbringen von Kontaktstiften hierfür erforderliche Löcher entweder nachträglich angebracht werden müssen oder daß man sie während des Herstellungsverfahrens anbringen muß. Im ersten Fall bedeutet dies einen Bohrvorgang, im letzteren Fall, daß die Lage der Aussparungen von vornherein festgelegt werden muß, z.B. vor dem Brennen der Keramik. Dies ist wiederum nur bei großen Serien zweckmäßig und führt auch dann noch zu fabrikationstechnischen Schwierigkeiten, wenn die Aussparungen nicht am Rande des Trägerplättchens zu liegen kommen sollen. Andererseits ist das Bohren von Trägerplatten, falls diese überhaupt gebohrt werden, nur bei sehr kleinen Serien zweckmäßig, weil das Bohren aufwendig und zeitraubend ist.
- So ist z.B. aus der deutschen Patentschrift 1 156 457 die Verwendung von Keramikplatten bei der Herstellung von integrierten Schaltungen als Trägerplatten bekannt. Dabei ist zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen den Elektroden des Transistors und den auf der gegenüberliegenden Oberfläche aufzudampfenden passiven Elementen die Trägerplatte mit Bohrungen zu versehen, in die dann Metallstifte eingesetzt werden können.
- Ein ähnlicher Vorgang ist der deutschen Offenlegungsschrift 1 901 555 zu entnehmen. Dort sind am Umfang eines Grundkörpers aus keramischem Werkstoff Aussparungen oder Bohrungen angebracht, welche Steckstifte aufnehmen können.
- Entsprechende Hinweise sind auch in der deutschen Auslegeschrift 1 765 980 zu finden, wonach sowohl durch Aussparungen vor dem Brennen der dort verwendeten keramischen Schichten als auch durch Anbringen von Bohrungen Möglichkeiten zum Anbringen von Kontaktstiften gegeben sind. Dabei wird aber auch auf die Problematik des Bohrens hingewiesen, da hierbei leicht Zerreißen eintreten kann.
- Aus dem Gesagten wird deutlich, daß das Anbringen von Löchern in Trägerplatten aus Glas oder Keramik einen wesentlichen Schritt in dem Verfahren darstellt und sich hierbei gleichzeitig Schwierigkeiten ergeben, die nach dem Stand der Technik nur unzureichend beseitigt werden.
- Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, Trägerplatr ten zu schaffen, bei denen die Anbringung von Löchern wesentlich erleichtert ist.
- Die Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst.
- Die erfindungsgemäßen Trägerplatten aus Glaskeramik haben den Vorteil, daß sie einmal die der Glaskeramik eigene Festigkeit besitzen und darüber hinaus, und das ist das Entscheidende, durch leichte Netzbarkeit ausgezeichnet sind. Das bedeutet wiederum, daß mittels der bekannten Fotoätztechnik Löcher oder Vertiefungen in den Trägerplatten hergestellt werden können, wobei man, was bei den üblichen Glas- oder Keramikträgerplatten nicht möglich ist, mit verdünnter Salpetersäure oder Essigsäure oder verdünnten Laugen ätzen kann.
- Unter Glaskeramik ist dabei ein polykristalliner Festkörper zu verstehen, der durch gesteuerte Entglasung von Glas hergestellt wird.
- Das Glas, das sich zur Herstellung der Glaskeramik für die erfindungsgemäßen Trägerplatten eignet, kann ein Vertreter des Dreistoffsystems PbO-ZnO-B2 0 3 mit entsprechenden Zusätzen wie z.B. PbF2 sein Derartige Glaskeramiken werden in der amerikanischen Patentschrift 2 889 952 wie auch in der deutschen Auslegeschrift 1 596 949 beschrieben.
- Die Verarbeitung zu den gewünschten glaskeramischen Trägerplatten geschieht dabei in bekannter Weise dadurch, daß man die gepulverten, gemischten Ausgangsmaterialien, gegebenenfalls mit einen organischen Binder, anteigt und zu Platten formt, die dann "gebrannt" werden, wobei die einzelnen Stufen der Glaskeramikbildung durchlaufen werden, oder daß man die gepulverten, gemischten Ausgangsmaterialien schmilzt, in Formen gießt und dort auskristallisieren läßt. Die so hergestellten Trägerplatten werden dann zur Herstellung von Dünn-oder Dickschichtschaltungen verwendet. Dabei geht das Anbringen der Löcher für Kontaktstifte oder Zuführungen so vor sich, daß nach dem Verfahren der Fotoätztechnik eine Fotolackschicht auf der Trägerplatte aufgebracht wird, durch Auflegen einer Schablone die zu durchbohrenden Stellen festgelegt werden, die Fotolackschicht entwickelt wird und darauf durch Ätzen mit z.B. verdünnter HNO3 die Löcher in der Trägerplatte hergestellt werden.
- 5 Patentansprüche Keine Zeichnungen
Claims (3)
- Patentansprüche 9 erfahren zur Herstellung von Trägerplatten für Dünn-und Dickschichtschaltungen mit Löchern für Durchführungen oder Kontaktstifte, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte aus Glaskeramik hergestellt wird, die aus der Schmelze abgekühlt zu einem Glas erstarrt, beim Wiedererwärmen erweicht, beim Wiederabkühlen kristallisiert und erstarrt und dann erst wieder bei hohen Temperaturen schmilzt, und daß die Löcher in der Trägerplatte mittels der Fotoätztechnik durch Einwirken von verdünnten Säuren oder Laugen auf die von der Fotomaske nicht bedeckten Teile des Plattenmaterials erzeugt werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte aus dem Dreistoffsystem PbO-ZnO-B203 mit PbF2-Zusatz, Schmelzpunkt ca. 500°C, hergestellt wird.
- 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte mit verdünnter Salpetersäure oder verdünnter Essigsäure geätzt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2424702A DE2424702A1 (de) | 1974-05-21 | 1974-05-21 | Verfahren zur herstellung von traegerplatten fuer duenn- und dickschichtschaltungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2424702A DE2424702A1 (de) | 1974-05-21 | 1974-05-21 | Verfahren zur herstellung von traegerplatten fuer duenn- und dickschichtschaltungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2424702A1 true DE2424702A1 (de) | 1975-12-11 |
Family
ID=5916167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2424702A Pending DE2424702A1 (de) | 1974-05-21 | 1974-05-21 | Verfahren zur herstellung von traegerplatten fuer duenn- und dickschichtschaltungen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2424702A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0081992A2 (de) * | 1981-12-11 | 1983-06-22 | Hitachi, Ltd. | Halbleiteranordnung mit keramischer Packung |
EP0103149A1 (de) * | 1982-08-20 | 1984-03-21 | Phillips Petroleum Company | Leiterplatte aus Polyarylensulfid |
-
1974
- 1974-05-21 DE DE2424702A patent/DE2424702A1/de active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0081992A2 (de) * | 1981-12-11 | 1983-06-22 | Hitachi, Ltd. | Halbleiteranordnung mit keramischer Packung |
EP0081992A3 (de) * | 1981-12-11 | 1984-11-14 | Hitachi, Ltd. | Halbleiteranordnung mit keramischer Packung |
EP0103149A1 (de) * | 1982-08-20 | 1984-03-21 | Phillips Petroleum Company | Leiterplatte aus Polyarylensulfid |
US4532015A (en) * | 1982-08-20 | 1985-07-30 | Phillips Petroleum Company | Poly(arylene sulfide) printed circuit boards |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1371092B2 (de) | Verfahren zur strukturierung eines aus glasartigen material bestehenden flächensubstrats | |
DE1640457C2 (de) | ||
DE102010025966B4 (de) | Interposer und Verfahren zum Herstellen von Löchern in einem Interposer | |
DE102005016751B3 (de) | Verfahren zur Herstellung gehäuster elektronischer Bauelemente | |
DE3042085C2 (de) | Halbleiteranordnung | |
EP0016307A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen glaskeramischen Struktur mit innen liegenden Versorgungsleitungen auf Kupferbasis | |
DE1186951B (de) | Verfahren zum Herstellen einer hermetisch eingeschlossenen Halbleiteranordnung | |
DE2745581A1 (de) | Verfahren zum herstellen mehrschichtiger keramischer substrate | |
DE2150289A1 (de) | Mit waermeempfindlichem Material zum Aufzeichnen einer Informationswiedergabe zu verwendendes thermisches Druckmodul und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2363833A1 (de) | Verfahren und vorrichtung fuer den zusammenbau von halbleiterelementen | |
DE1539769A1 (de) | Elektrischer Kondensator | |
DE2205482A1 (de) | Kristallisierbares Glas und Verfahren zu seiner Verwendung | |
DE2424702A1 (de) | Verfahren zur herstellung von traegerplatten fuer duenn- und dickschichtschaltungen | |
DE1123723B (de) | Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen | |
DE1266937B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer unmittelbar mit einer Glasschicht durch Pressdruck verbundenen Metallfolie | |
DE19955975A1 (de) | Lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen | |
DE10118529C1 (de) | Verfahren zur Strukturierung eines aus glasartigem Material bestehenden Flächensubstrats | |
EP0155473A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung | |
DE1289187B (de) | Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Schaltungsanordnung | |
DE2042463C2 (de) | Befestigungsvorrichtung zum Anbringen von äußeren Halbleiterzuleitungen | |
DE2425379A1 (de) | Molybdaen-aetzmittel | |
DE102007037636A1 (de) | Verfahren zur Herstellung vorbestimmter Muster | |
EP0177725A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von grossflächigen Siliziumkristallkörpern für Solarzellen | |
DE102023129561A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE2753378A1 (de) | Verfahren zur herstellung von silizium-bauelementen, die teilweise eine einkristalline struktur aufweisen muessen, und verwendung des verfahrens zur herstellung von drucksensoren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHJ | Non-payment of the annual fee |