DE2416680A1 - Stromverstaerker - Google Patents

Description

7679-74 Dr.V.Β/Ε

RCA 64,054

US-Ser.No. 348,723

Filed 6 April 1973 .

RCA Corporation

New York N.Y. (V.St.A.)

S tromvers tärker

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Stromverstärker mit zwei Transistoren gleichen Leitungstyps, von denen der erste mit seinem Kollektor mit einer Eingangsklemme, der' zweite mit seinem Kollektor mit einer Ausgangsklemme und beide mit ihren Emittern mit einer gemeinsamen Klemme gleichstromgekoppelt sind. Insbesondere betrifft die Erfindung Dreipol-Stromverstärker, welche mehrere Transistoren enthalten, einen vom Stromverstärkungsfaktor dieser Transistoren im wesentlichen unabhängigen Stromverstärkungsfaktor haben und sich beson-

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ders für einen Aufbau als monolithische integrierte Schaltung eignen.

Unter einem Stromverstärker soll hier

eine aktive Schaltungsanordnung verstanden werden, deren Ausgangsstrom vom Eingangsstrom abhängt und in mindestens einem Teil des EingangsStrombereiches diesem proportional ist; der Stromverstärkungsfaktor muß nicht unbedingt größer als Eins sein. Die Eingangs- und Ausgangsströme können Ruheströme oder veränderliche Ströme sein. Unter den Begriff Stromverstärker solfⁿhier auch Schaltungsanordnungen fallen, die generell als "Stromspiegel" bezeichnet werden.

Es sind Stromverstärker der oben definierten Art bekannt/ die zwei Transistoren gleichen Leitungstyps enthalten, deren Emitterelektroden mit einer gemeinsamen Klemme des Verstärkers, deren Kollektorelektroden mit einer Eingangs- bzw. Ausgangsklemme des Verstärkers gekoppelt sind und deren Basiselektroden miteinander verbunden und mit der Eingangsklemme direkt gekoppelt sind. Durch entsprechende Bemessung der Geometrien der ersten beiden Transistoren und etwaiger Emitter-Gegenkopplungswiderstände kann man erreichen, daß die Stromverstärkung eines solchen Stromverstärkers im wesentlichen von diesen Parametern abhängt und praktisch unabhängig von den Stromverstärkungsfaktoren der einzelnen Tei!transistoren ist, vorausgesetzt daß deren Stromverstärkungsfaktoren größer als etwa 5 sind und daß sie gleiche Steilheiten haben.

Die direkte oder gleichstromdurchlässige Kopplung der Eingangsklemme mit den verbundenen Basiselektroden des ersten und zweiten Transistors wurde bei'

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den bekannten Transistoren entweder durch eine direkte Verbindung oder einen Transistorverstärker in Kollektorschaltung bewirkt. Diese Art von direkter oder Gleichstromkopplung hat zur Folge, daß die Kollektor-Emitter-Spannung des ersten Transistors bei vielen, wenn nicht allen Schaltungsanordnungen, in denen der Stromverstärker verwendet wurde, wesentlich kleiner als die des zweiten Transistors ist. Diese Bedingung beeinträchtigt jedoch die Anpassung der Steilheiten des ersten und zweiten Transistors und die Unabhängigkeit des Stromverstärkungsfaktors des Verstärkers von den Stromverstärkungsfaktoren der in ihm enthaltenen Transistoren. Dieser Nachteil zeigt sich besonders deutlich, wenn die beiden Transistoren Lateraltransistoren in einer monolithischen integrierten Schaltung sind.

Wenn die Kollektor-Emitter-Spannungen der beiden Transistoren verschieden sind, ist auch die Verlustleistung der Transistoren und damit die in ihnen entstehende Wärme verschieden. Dies beeinträchtigt die Anpassung der Steilheiten der Transistoren, da die Steilheit »ines Transistors von der Temperatur abhängt. Wenn die beiden Transistoren nicht mit Strombegrenzungswiderständen versehen sind, kann ein solcher Stromverstärker außerdem thermisch instabil werden, wobei dann der Strom im Stromverstärker immer mehr ansteigt und die Transistoren schließlich durch überhitzung zerstört werden.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Stromverstärker der eingangs genannten Art anzugeben, der die oben geschilderten Nachteile der bekannten Stromverstärker vermeidet. 409844/0889

Die Erfindung geht aus von einem Stromverstärker mit einer Eingangsklemme, einer Ausgangsklemme und einer gemeinsamen Klemme sowie einem ersten und einem zweiten Transistor gleichen Leitungstyps. Die Emitterelektroden der beiden Transistoren sind mit der gemeinsamen Klemme gleichstromgekoppelt. Die Kollektorelektrode des ersten bzw. zweiten Transistors sind mit der Eingangsklemme bzw. Ausgangskleirane des Stromverstärkers durch geeignete Schaltmittel gleichs tromgekoppeIt.

Gemäß der Erfindung ist die Eingangsklemme mit den Basiselektroden des ersten und zweiten Transistors durch einen Transistorverstärker in Basisschaltung gekoppelt, welcher einen dritten Transistor enthält, dessen Leitungstyp komplementär zum Leitungstyp des ersten und zweiten Transistors ist.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1 bis 6 jeweils teilweise in Blockform gehaltene Schaltbilder von Stromverstärkern gemäß Ausführungsbeispielen der Erfindung und

Fig. 7 und 8 Schaltbilder von Zweipol-Stromreglern, welche einen Stromverstärker gemäß Fig.5 bzw. 6 enthalten.

Der in Fig. 1 als Ausfürhungsbeispiel der Erfindung dargestellte Stromverstärker 100 hat eine Eingangsklemme 101, der ein Eingangsstrom I von einer Stromquelle 10 zuführbar ist. Eine Ausgangsklemme

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_{m m} Γ* _|

102 des Stromverstärkers 100 ist mit einer Ausgangslast 20 (Verbraucher) verbunden, in der ein Ausgangsstrom Ι_ουτ nutzbar gemacht wird. Der Stromverstärker 100 hat ferner eine gemeinsame Klemme 103, welche mit einem Pol einer Betriebsspannungsquelle 30 verbunden ist. Mittels einer Spannungsquelle 40 wird in Verbindung mit der Betriebsspannungsquelle 30 ein Potential erzeugt, das gegenüber dem Potential einer gemeinsamen Klemme 103 versetzt ist.

Der Stromverstärker enthält ferner einen pnp-Transistor 104, dessen Kollektorstrom durch eine Kollektor-Basis-Gegenkopplung über einen in Basisschaltung arbeitenden Verstärker (npn-Transistor 105) im wesentlichen auf dem Wert "^_1n gehalten wird (dieser Wert ergibt sich im Idealfalle, wenn man die Basisströme der Transistoren 104 und 105 sowie eines pnp-Transistorä 106 vernachlässigt.) Der pnp-Transistor ist mit seiner Basis-Emitter-Strecke der des Transistors 104 parallelgeschaltet; sein Kollektorstrom I_c1Og# der als Ausgangsstrom Ι_ΟϋΤ der Ausgangslast 20 zugeführt wird, ist daher proportional zum Strom I_{1 Q}. im Transistor 104. Die Proportionalitätskonstante ist dabei das Verhältnis der effektiven Transkonduktanz oder Steilheit g_mi₀6 ^{des Transis}tors 106 zur effektiven Steilheit g_m104 des Transistors 104. Im Idealfall gilt also:

-_m Vi06 ₍₁₎

¹IN

IN ^104 ^gm104

Wenn die Transistoren 104 und 106 ohne Emittergegenkopplungswiderstände betrieben werden, wie es bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig.·1 der Fall ist, und wenn 409344/0889

sie entsprechende Diffusionsprofile haben und im wesentlichen bei der gleichen Temperatur arbeiten, wird das Verhältnis ihrer effektiven Steilheiten im wesentlichen die gleiche Proportion haben wie das Verhältnis der effektiven Flächen ihrer jeweiligen Basis-Emitterübergänge. Der Stromverstärkungsfaktor des Stromverstärkers wird dann im wesentlichen durch die Geometrie der Transistoren 104 und 105 und nicht durch deren individuelle Stromverstärkungsfaktoren bestimmt. Diese Bedingung läßt sich auch einhalten, wenn die Transistoren 104 und 106 mit Emittergegenkopplungswiderständen versehen sind, indem man die Leitfähigkeiten dieser Widerstände im selben Verhältnis wie die effektiven Flächen der Basis-Emitter-Übergänge der zugeordneten Transistoren 104 bzw. 106 hält.

Genauer gesagt ist:

"¹IN ^{= J}C104 ^{+ Χ}Β104 ^{+ Σ}Β1Ο5

\.jbei I_ß-jo4 ¹BIOS ^{und 1}BIOo ^d*^{e Basisströme} äer Transistoren 104, 105 bzw. 106 sind. Durch die Vorwärtsstromverstärkung des Transistors 106 wird im allgemeinen Ig-Jos wesentlich kleiner sein als sein Kollektorstrom Ig₁Qd ^{+ 1}BIOo* ^{Die Einflüsse der} Basisströme I_B104 und Ig₁₀₆ ^auf ^^{ie Pro}P^or>tionalität von Eingangsund Ausgangsstrom des Stromverstärkers 100 wird deutlich merkbar, wenn die Vorwärts-Stromverstärkungsfaktoren der Transistoren 104 und 106 unter etwa 10 liegen. Dieser Einfluß auf die Proportionalität ist bei gewissen Schaltungen tragbar, er läßt sich auch durch entsprechende Bemessung der Geometrie der Basis-Emitterkreise der Transistoren 104 und 106 grob kompensieren.

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Die Kollektor-Emitter-Spannung ^v _CEi₀₆ des Transistors 106 wird durch die von der Betriebsspannungsquelle 30 gelieferte Betriebsspannung +E_cc abzüglich des Spannungsabfalls V₂₀ an der Ausgangslast 20 bestimmt. Es ist also:

^VCE1O6 ^=ECC-^V2O
Wenn die Kollektor-Emitter-Spannu ng V_{CE1Q4 de£j Tran}_

sistors 104 einen ähnlichen Wert wie ^v _CEi₀6 ^haben sollte die durch die Spannungsquelle 40 erzeugte Vorspannung Ε,.--« um den Betrag der Basis-Emitter-Offsetspannung ^v _beiq5 ^^es Transistors 105 positiver sein als V- . Wenn also die Vorspannung diesen Wert hat, wird ^EBIAS abzüglich der Basis-Emitter-Spannung ν_ΒΕ105 des Transistors 105 die Eingangsklemme 101 auf demselben Potential halten wie die Ausgangsklemme 103. V_j₀₄ ist dann also gleich ν^-ιοε* ^A*^s Gleichung geschrieben gilt also :

^VCE104 ^VCE1O6 wenn

^EBIAS ~ ^V20 ^{+ V}BE1O5.

Wenn man ^V _CE1O4 9^leich ^v _CEi₀6 ^macht' wird das Verhältnis der Steilheiten der Transistoren 104 und 106 in erster Linie von ihren Geometrien bestimmt und durch Potentialunterschiede an den jeweiligen Elektroden nicht unterschiedlich beeinflußt. Das Verhältnis der Kollektorströme dieser Transistoren wird dann also in erster Linie durch die jeweiligen Geometrien bestimmt und der Stromverstärkungsfaktor des Stromverstärkers 100 ist dann im

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wesentlichen unabhängig von den nicht mit den Geometrien zusammenhängenden Parametern der einzelnen Transistoren 104 und 1O6. Dies setzt voraus, daß die jeweiligen Parameter der Transistoren 104 und 1O6 gut angepaßt oder gepaart sind, was bei integrierten Schaltungen der Fall ist. Bei vielen Anwendungen der Stromverstärker gemäß der Erfindung genügt auch schon eine mehr oder weniger gute Annäherung an diese Bedingungen.

Fig. 2 zeigt das Schaltbild eines Stromverstärkers 200, bei dem das der Basiselektrode des Transistors 105 zugeführte Potential durch direkten Anschluß der Basiselektrode an die Ausgangsklemme gleich V₃₀ ist. Zwischen den Kollektor des Transistors 104 und die Verbindung der Ausgangsklemme 101 mit dem Emitter des Transistors 105 ist eine Diode 207 mit der aus der Zeichnung ersichtlichen Polung geschaltet. Würde man die Diode 207 weglassen und an ihrer Stelle , wie bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 eine di rekte Verbindung verwenden, so wäre

^VCE1O6 ^{= E}CC * ^V20 ~ ^VCE1O4 "^VBE1O5

D.h. V^ioß ^wäre dann etwas kleiner als ^v _CE-j₀4^{f näm}~

lieh um ^v _be1q5' die Spannung an dem in Flußrichtung, vorgespannten Basis-Emitter-Übergang des Transistors 105 (Bei einem Siliciumtransistor wäre V_ßEi05 etwa 650 mV). In vielen Fällen hätte dies einen gravierenden Einfluß auf die Arbeitsweise der Schaltung. Wenn man jedoch die Diode 207 einschaltet, wie es in Fig.2 dargestellt ist, tritt an ihr durch den sie in Fluß richtung durchflieSenden Kollektorstrom Ip₁₀₄ ein

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Spannungsabfall v"₂O7 auf, der im wesentlichen gleich ^VBE105 ^ist ""¹^ ^VCE1O4 ^{ist dann im} wesentlichen gleich ^VCE1O6*

Die Diode 207 kann durch einen Transistor gebildet werden, dessen Basis- und Kollektorelektrode durchverbunden sind und mit der Emitterelektrode die Anode bzw. Kathode der Diode 207 bilden. Andererseits kann die Diode 207 auch durch ein diffundiertes Gebiet in der Kollektorzone des Transistors

104 gebildet werden.

Die Transistoren 104 und 105 sind als Transistorverstärker in Emitter- bzw. Basisschaltung in eine Rückkopplungsschleife geschaltet. Hierdurch wird der effektive Verstärkungsfaktor des Transistors

105 als Verstärkertransistor in Emitterschaltung in der Mitkopplungsschleife herabgesetzt, die durch ihn und den Transistor 106 gebildet wird, der ebenfalls als Transistorverstärker in Emitterschaltung arbeitet. Wenn die Quellenimpedanz der Stromquelle 10 genügend groß ist, wird der Verstärkungsfaktor der Mitkopplungsschleife unter 1 eingehalten, so daß keine Schwingungen entstehen können. Die Mitkopplung zwischen Kollektor und Basis des Transistors hat die vorteilhafte Wirkung, daß der scheinbare dynamische Kollektorwiderstand zwischen Ausgangsklemme 102 und gemeinsamer Klemme 103 erhöht wird.

Die durch die Diode 207 bewirkte Verbesserung der Anpassung von ^v _eE-|₀4 "¹^ ^VCE1O6 ^{kann aucn} alternativ durch einen pnp-Emitterfolgertransistor 308 bewirkt werden, wie es bei dem in Fig. 3 dargestellten Stromverstärker 300 der Fall ist. Beim Transistor 308 kann es sich um einen Typ handeln, der seinen Kollektor

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im Substrat der aus Silicium bestehenden monolithischen integrierten Schaltung hat, in dem die Transistoren 104 und 1O6 als Lateraltransistoren gebildet sind, während der Transistor 105 ein Vertikaltransistor in einer Isolierwanne ist. Der Emitterfolgertransistor 308 ist mit. einem Emitterwiderstand zur Emitterstomversorgung dargestellt, er kann jedoch auch alternativ von der Kollektorelektrode eines pnp-Transistors gespeist werden, dessen Basis-Emitter-übergang denen der Transistoren 104 und 106 parallelgeschaltet ist.

Die in Fig. 4 dargestellte Schaltungsanordnung bildet den Ausgangspunkt für Stromverstärker mit einer höheren dynaischen Ausgangsimpedanz als Stromverstärker, deren Ausgangssignale von der Kollektorelektrode eines eine Lateralstruktur aufweisenden Transistors einer integrierten Schaltung abgenommen werden. Der dynamische Kollektorwiderstand eines Transistors mit Lateralstruktur in einer integrierten Schaltung ist gewöhnlich um Größenordnungen kleiner als der von Transistoren mit Vertikalstruktur. Durch Zusatz eines Transistors 409 zum Stromverstärker 200 (Fig.2} erhält man einen Stromverstärker 400 (Fig. 4), dessen dynamische Ausgangsimpedanz um ein Vielfaches größer ist als die des Stromverstärkers 200 gemäß Fig. 2.

Die Kollektor-Basis-Gegenkopplung des

Transistors 409 durch den als Verstärker in Kollektorschaltung arbeitenden Transistor 105 regelt seinen Kollektorstrom I_C4QQ auf einen Wert gleich dem Kollektorstrom I_C1o& aes Transistors 106 mit Ausnahme des kleinen Basisstromes ¹D-JOS' ^^{er vora Trans}i^st°^r 105 benötigt wird. Der Emitterstrom ¹Jj₄₀Q ^des Transistors 409 wird dann im wesentlichen gleich seinem Kollektorstrom I_C4O9 sein,der

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lintcrschicd iat lediglich dor Ua3isstrom I_n4og» ^{dcr zur} Aufrechterhaltung des gewünschten Kollektorstroms I_C4_Og benötigt wird. Wenn die Kollektor-Basis-Gegcnkopplung des Transistors 4O9 durch eine direkte Verbindung bewirkt würde, wäre sein dynamischer Kollektor-Emitter-Widerstand gleich dem Reziproken seiner Steilheit (1/g _4Og). Zwischen Kollektor- und Emitterelektrode des Transistors 409 erscheint jedoch eine wesentlich höhere effektive Impedanz, da die Mitkopplungsschleife, die durch die als Transistorverstärker in Emitterschaltung arbeitenden Transistoren 105 und 106 gebildet wird, der Kollektor-Basis-Gegenkopplung des Transistors 409 entgegen wirkt. Die Herabsetzung der Verstärkung einer Gegenkopplungsschleife erhöht die Impedax, die sich darbietet, wenn man in einen Punkt der Schleife Blickt. Der an der Ausgangsklemme 102 erscheinende dynamische Ausgangswiderstand kann sich sehr weitgehend dem dynamischen Kollektorwiderstand des npn-Transistors 409 nähern.

Die Fig. 5 und 6 zeigen andere Möglichkeiten, die Verstärkung der die Transistoren 105 und 106 enthaltenden Mitkopplungsschleife und damit die Ausgangsimpedanz an der Ausgangsklemme 102 zu erhöhen.

Bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig.5 wird der Kollektorstrom des Transistors 105 durch einen als Verstärker in Kollektorschaltung arbeitenden Transistor 105 verstärkt, der mit den Transistoren 104 und 106 in Kaskade oder Reihe geschaltet ist. Der Transistor 510 kann z.B. als pnp-Substrattransistor ausgebildet sein, der weniger Fläche des Schaltungsplättchens beansprucht als ein pnp-Lateraltransistor. Bei Fig.6 sind die Transistoren 104 und 106 mit Transistoren 611

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bzw. 612, die eine Lateralstruktur haben können, zu Darlington-Schaltungen verbunden. Im übrigen ist die Schaltung ähnlich wie die der Fig. 4.

Fig. 7 zeigt, wie ein Zweipol-Stromregler mit Klemmen 103 und 714 unter Verwendung des Stromverstärkers 5ΘΟ gemäß Fig. 5 aufgebaut werden kann. Zwischen die Eingangsklemme 101 und die Ausgangsklemme 102 des Stromverstärkers 500 ist ein Widerstand 713 geschaltet, an dem die Basis-Emitter-Offsetspannung des Transistors 409, eine geregelte oder stabilisierte Spannung liegt. Aufgrund des Ohm¹sehen Gesetzes ist dann auch der den Widerstand 713 durchfließende Strom geregelt. Der den Widerstand 713 durchfließende Strom bewirkt, daß der Stromverstärker 500 einen Ausgangsstrom I_QÜT ähnlichen Wertes leifert. Der Stromregler 700 hält daher zwischen den Klemmen 103 und 714 solange einen Konstanten Stromfluß aufrecht, als die Spannung zwischen diesen Klemmen,die etwa 2 oder 3 V übersteigt, die für eine normale Vorspannung der Transistoren 104, 105, 105, 409 und 510 erforderlich sind. Dieser konstante Strom ist doppelt so groß wie der den Wider- . stand 713 durchfließende Strom..

Fig.8 zeigt einen ähnlichen Zweipol-Stromregler 800 mit den Klemmen 103 und 814, der den Stromverstärker 600 gemäß Fig. 6 anstelle des Strom-Verstärkers 500 enthält.

Sowohl beim Stromregler 700 als auch beim Stromregler 800 können zusätzliche Regelelemente zwischen die Klemmen 102 und 114 oder zusammen mit dem Widerstand 713 geschaltet werden, um eine stromkonstante Einrichtung zu schaffen, die irgend eine von vielen

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temperaturabhängigen oder temperaturunabhängigen Stromkennlinien hat.

Die als Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellten Stromverstärker lassen sich in der verschiedensten Hinsicht abwandeln, z.B. durch die Verwendung von Emitterwiderständen, die die Emitterelektroden der Transistoren 104 und 105 mit der Klemme 103 koppeln oder die Verwendung von Verbundtransistoren anstelle der verschiedenen einfachen Transistoren, die in der Zeichnung dargestellt sind. Solche Abwandlungen können von einem Fachmann für integierte Schaltungen ohne erfinderische Tätigkeit gefunden werden und fallen in den Rahmen der vorliegenden Erfindung.

Anstelle der dargestellten Bipolartransistoren können selbstverständlich auch andere Arten von Transistoren verwendet werden. Die Begriffe "Emitter", "Basis" und "Kollektor" sind also nicht einschränkend auszulegen, sondern sollen auch äquivalente Elektroden anderer geeigneter Transistortypen einschließen.

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Claims (6)

1. Patentansprüche

   [Iy Stromverstärker mit zwei Transistoren gleichen Leitungstyps, von denen der erste mit seinem Kollektor mit einer Eingangsklemme, der zweite mit seinem Kollektor mit einer Ausgangsklemme und beide mit ihren Emittern mit einer gemeinsamen Klemme gleichstromgekoppelt sind, gekennzeichnet durch eine Kompensationsschaltung mit einem dritten Transistor (105) eines dem Leitungstyp der beiden erstgenannten Transistoren (104, 106) entgegengesetzten Leitungstyps, dessen Emitter mit der Eingangsklemme (101), dessen Kollektor mit den Basiselektroden des ersten und zweiten Transistors und dessen Basiselektrode mit der Kollektorelektrode des zweiten Transistors (106) gleichstromgekoppelt ist.
2. 2. Stromverstärker nach Anspruch !,gekennzeichnet durch einen vierten Transistor (308) eines zum dritten Transistor (105) komplementären Typs, der als Verstärker in Kollektorschaltung geschaltet ist und eine Gleichstromkopplung zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors (106) und der Basis des dritten Transistors (105)bildet.
3. 3. Stromverstärker nach Anspruch !,gekennzeichnet durch einen vierten Transistor (409), der den gleichen Leitungstyp hat wie der dritte Transistor (105), dessen Basis mit der Eingangsklemme (101)direkt gekoppelt ist, dessen Kollektor mit dem Kollektor des zweiten Transistors (106)

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   gleichstromgekoppelt ist und dessen Emitter mit der Ausgangsklemme (102)direkt gekoppelt ist, derart, daß die Kollektor-Emitter-Strecke des vierten Transistors (409) die Gliichstromkopplung zwischen der Ausgangskleinme (102) und dem Kollektor des zweiten Transistors (106) bildet.
4. 4. Stromverstärker nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichstromkopplung zwischen dem Kollektor des ersten Transistors (104) und der Eingangsklemme (101) einen Halbleiterübergang (207)(pn-übergang) enthält.
5. 5. Stromverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichstromkopplung zwischen dem Kollektor des dritten Transistors (105) und den Basiselektroden des ersten und zweiten Transistors (104, 106) mindestens einen Verstärkertransistor (510; 611, 612) in Kollektorschaltung enthält.
6. 6. Stromverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Regelung des zwischen der Ausgangsklemme (102) und der gemeinsamen Klemme (103) fließenden Stromes, und durch ein Widerstandselement (713), das zwischen die Eingangsklemme (101 und die Ausgangsklemme (102) geschaltet ist.

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