DE2404237C3 - Integriertes Halbleiterbauelement zum zellenförmigen Abtasten eines Bildes - Google Patents
Integriertes Halbleiterbauelement zum zellenförmigen Abtasten eines BildesInfo
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Description
Es sind bereits Halbleiterbauelemente zum zellenförmigen Abtasten von optischen Bildern bekannt. In
diesem Zusammenhang sind ladungsgekoppelt (CCD) Halbleiterbauelemente und auch integrierte
Ejmerkettenschahungen zu erwähnen, Dazu wird auf die Zeitschriften »Electronics« vom 28. Februar 1972,
Seiten 62 bis 77 und vom 6. Dezember 1971, Seiten 86 bis 91, sowie auf die Zeitschrift »IEEE Transactions
on Electron Devices« Band ED-18, Nr. Il
(November 1971), Seiten 996 bis 1003, verwiesen.
Die Erfindung betrifft ein integriertes Halbleiterbauelement
mit einer Reihe von Transistoren zum zellenförmigen Abtasten eines Bildes. Bei einem solchen
bekannten Bauelement in Form einer integrierten Eimerkettenschaltung mit einer Reihe von Transistoren
wird eine Bildzeile in ein Ladungsprofil umgesetzt und dieses Ladungsprofil durch die Kette
transportiert. Dies hat den Nachteil, daß auf dem Transportweg Ladungen verlorengehen. Diesen
Nachteil mit eingeschobenen Verstärkerstufen zu kompensieren, hat wiederum den Nachteil, daß das
Signal-Rausch-Verhältnis sich verschlechtert.
Die Erfindung geht von dem allgemeinen Gedanken aus, die Lichtintensität entlang der abzutastenden
Zeile nicht in eine Ladungsdichteänderung, sondern in ein impulsbreitenmoduliertes Signal umzusetzen
und zu diesem Zwecke eine Inverterkette im verwenden.
Das integrierte Halbleiterbauelement mit einer Reihe von Transistoren zum zellenförmigen Abtasten
eines Bildes zeichnet sich zur Lösung der obengenannten Aufgabe dadurch aus, daß die dem Helligkeitsprofil
der Zeile ausgesetzten Transistoren lichtempfindlich sind und als Inverter in einer Reihe
miteinandergeschaltet sind, daß hintereinanderliegenden Teilreihen der Inverterreihe Gatter zugeordnet
sind, deren Ausgänge an einer gemeinsamen Leseleitung liegen und an deren Eingänge elektrische
Signale der ihnen zugeordneten Teilreihe liegen, daß jedes Gatter eine Änderung der Lichtintensität über
eine Änderung der Laufgeschwindigkeit in der zugeordneten Teilreihe in Impulsbreitenänderungen an
der Leseleitung umsetzt und daß vor der Inverterkette ein Schalter liegt, der geeignet ist, die Basis des ersten
Transistors der Inverterreihe galvanisch entweder mit dem Emitter kurzzuschließen oder zur Auslösung des
Abtastvorganges mit einer Stromquelle zu verbinden. Die Transistoren werden entsprechend der gewünschten
Lichtempfindlichkeit in bekannter Weise ausgelegt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert.
Fig. 1 zeigt das Blockschaltbild des integrierten Halbleiterbauelements nach der Erfindung;
Fi g. 2 das Prinzipschaltbild eines Teiles einer bipolare Transistoren enthaltenden Inverterkette;
Fi g. 3 dient zur Erläuterung der Zustandsänderungen an der Leseleitung des integrierten Halbleiterbauelements
nach der Erfindung; und
Fig. 4 zeigt eine Weiterbildung des integrierten Halbleiterbauelements nach der Erfindung.
Beim Blockschaltbild des integrierten Halbleiterbauelements nach der Erfindung gemäß der Fig. 1
wird über Gatter G1, G2, G3, G4... auf der Leseleitung
L ein Potential UL erzeugt, das die zwei Zustände
0 und 1 annehmen soll, welche gemäß der Fig. 3 den Spannungswerten 0 und + UL zugeordnet
sind. Zu diesem Zweck kann ein OR-Gatter verwendet werden, welches der Wahrheitstabelle
En | L | |
0 | 0 | 0 |
i | 0 | 1 |
0 | 1 | 1 |
0 | 1 | 1 |
1 | 1 | 1 |
genügt. In diesem Falle muß zwischen den Eingangspaaren EIS; En jedes Gatters G1 eine ungeradzahligc
Anzahl von Inverterstufen liegen, wie die Fig. 2 mit
drei galvanisch gekoppelten Transistoren zwischen E11 und E12 zeigt.
Vor der Abtastung wird die Inverterkette in den Zustand gebracht, der den Eingang E11 des ersten
Gatters G1 in den Zustand 1 bringt. Zu diesem Zweck istindenFig. 1 und 2 vor der Inverterkette ein Schalter
S mit zwei Schalterkontaktanschlüssen 3 und 4 und dem Srhalthebelanschluß vorgesehen. Dieser
Schalter S soll ein Mittel andeuten, welches geeignet ist, den Anfangszustand der Inverterkette einzustellen
und die Abtastung auszulösung.
Der Anfangszustand bei dem integrierten Halbleiterbauelement gemäß den Fig. 1 und 2 wird durch
die Schalterstellung zum Schalterkontaktanschluß 4 eingestellt, wobei die Einitter-Basis-Strecke des ersten
Transistors der Reihe kurzgeschlossen wird. Die Auslösung der Abtastung erfolgt durch Schalterstellungsänderung
am Eingang der Inverterkette, nachdem an £11, wie oben beschrieben, die 1 eingestellt
wurde. Im Falle der Fig. 1 und 2 erfolgt dies durch Umlegen des Schalters von SchalteriontaKtanschluß
4 auf 3, wobei in die Emitter-Basis-Strecke des ersten Transistors der Reihe über die Stromquelle /0
ein Strom eingespeist wird. Die am Eingang der Inverterkette 1 vollzogene Zustandsänderung durchläuft
die Inverterkette mit einer Geschwindigkeit, die unter anderem abhängig ist von der Leuchtdichte an den
Teilreihen zwischen den Eingängen En und En. Hat
die Zustandsänderung den Eingang En des Gatters G1 erreicht, so ändert sich der Zustand auf der Leseleitung
L von 1 auf 0; hat der Zustand E12 erreicht,
so geht der Zustand der Leseleitung L gemäß der Wahrheitstabelle zurück auf 1. Erreicht nun diese Zustandsänderung
der Inverterkette den Eingang En, so geht der Zustand der Leseleitung L von 1 auf 0,
usw.
Die Geschwindigkeit, mit der die Zustandsänderung der Kette die Gatter G1, G2... Gn durchläuft,
erzeugen i.uf der Leseleitung L gemäß der Fig. 3 Impulse
der Dauer T1, solange die Zustandänderung in der Kette sich zwischen den Eingängen E:I, E12 befindet
und T2, solange die Zustandsänderung sich zwischen
den Eingängen E12 und E21 befindet.
Die mittleren Impulsbreiten auf der Leseleitung L sind proportional den Strömen, mi; denen die Inverter
betrieben werden. Diese Ströme können sich zusammensetzen aus a) dem lichtinjizierten Strom und b)
den über die Konstantstromquellen Z1, I2, /3... eingestellten
Strömen.
Ein impulsbreitenmoduliertes Signal gemäß der Fig. 3 kt.nn in bekannter Weise unter Verwendung
eines Impulsbreitendemodulators, dessen Eingang über die Leseleitung L mit den Ausgängen /I1... An
der Gatter G1... Gn verbunden ist, in ein amplitudenmoduliertes
Videosignal umgewandelt und sichtbar gemacht werden.
Entsprechend einer Weiterbildung gemäß dem Blockschaltbild der Fig. 4 des integrierten Halbleiterbauelements
nach der Erfindung wird über einen Taktgenerator T, der den Schalter 5 enthält, die Abtastfrequenz
derart festgelegt, daß über einen Phasenvergleich in einer Regelschaltung C ein Regelstrom /
über den ersten Ausgang 8 in die Konstantstromquellen /p /,, /3... als Summe deren Ströme eingespeist
wird, womit die mittlere Signallaufzeit der Inverterkette 1 geregelt wird. Der Taktgenerator T gibt die
Zeilenfrequenz vor und ersetzt den in den Fig. 1 und 2 dargestellten Schalter 5 mit den Anschlüssen 3, 4
und 9, Der Impulsbreilenvergleich im Demodulator D, dessen Eingang 2 mit der Leseleitung L verbunden
ist, erfolgt mit einer um die Anzahl der Bildpunkte höheren Taktfrequenz, die über die Verbindung
des Ausgangs 10 mit dem zweiten Eingang 6 des Demodulators D in diesen eingespeist wird. An Punkt
11 liegt die Spannungsversorgung. Über 12 wird der Sollwert und über 7 der Istwert vom zweiten Ausgang
5 des Demodulators D in d'f Phasenvergleichsstufe
C eingespeist. V bezeichne·- den Videosignalausgang.
Zur ständigen Abtastung eines Laufbildes ist die Inverterkette 1 als Ringoszillator geschaltet, was
durch die Rückkopplungsleitung R in Fig. 2 angedeutet wurde. In diesem Falle kann der Taktgenerator
7"derFig. 4 entfallen. Der Ringoszillator wird mit einer ungeradzahligen Reihe von Transistoren ausgestattet.
Die Demodulation erfolgt durch einen Tiefpaß oder entsprechenden Demodulator.
Als Arbeitswiderstände der Inverter werden vorzugsweise
integrierte Konstantstromquellen /,, I2,
/j... In vorgesehen. Der Vorteil eines integrierten
Halbleiterbauelements gemäß dem Blockschaltbild der Fig. 4 besteht darin, daß die Impulsbreitenänderung
nur proportional der Leuchtdichteänderung ist, also unabhängig von der mittleren eingestrahlten
Lichtstärke. Bei dem integrierten Halbleiterbauelement gemäß der Fig. 4 erübrigt sich eine Einstellung
der mittleren Leuchtdiode durch mechanische Blende und eine nachträgliche Regelung des mittleren Helligkeitswertes
des Bildes.
Die Empfindlichkeit eines integrierten Halbleiterbauelements nach der Erfindung hängt von dem Impulsbreitendemodulator
D und den Rauscheigenschaften der verwendeten Inverter ab. Der Rauschabstand
wird um so größer, je niederohmiger der dynamische Innenwiderstand der Inverter gewählt
wird. Anstelle von bipolaren Transistoren können auch unipolare Transistoren, insbesondere MIS-FeIdeffekttransistorei/
verwendet werden.
Eine besonders günstige Flächengröße kann erreicht werden, wenn das integrierte Halbleiterbauelement
m der Technik der Injektionslogik - wie sie aus dem »Digest of Technical Papers« der 1972 IEEE
International Solid-State Circuits Conference, Seiten 90 bis 93 und 219, bekannt ist - oder in Planoxtechnik
ausgeführt wird - wie sie aus der Zeitschrift »Electronics« 'rom 20.12.1971 bekannt ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Integriertes Halbleiterbauelement mit einer Reihe von Transistoren zum zellenförmigen Abtasten
eines Bildes, dadurchgekennzeichnet, daß die dem Helligkeitsprofil der Zeile ausgesetzten
Transistoren lichtempfindlich sind und als Inverter in einer Reihe miteinandergeschaltet sind,
daß hintereinanderliegenden Teilreihen der Inverterreihe Gatter ( G1, G,... Gn) zugeordnet sind,
deren Ausgänge (A1, A2'... An) an einer gemeinsamen
Leseleitung [L) liegen und an deren Eingänge elektrische Signale der ihnen zugeordneten
Teilreihe liegen, daß jedes Gatter (G1, G1... Gn)
eine Änderung der Lichtintensität über eine Änderung der Laufgeschwindigkeit in der zugeordneten
Teilreihe in Impulsbreitenänderungen an der Lesetertung (L) umsetzt, und daß vor der Inverterkette
ein Schalter (5) liegt, der geeignet ist, die Basis (9') des ersten Transistors der Inverterreihe
galvanisch entweder mit dem Emitter kurzzuschließen oder zur Auslösung des Abtastvorganges
mit einer Stromquelle (Z0) zu verbinden.
2. Integriertes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren
in einer Reihe als Ringoszillator geschaltet sind.
3. Integriertes Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, ^kennzeichnet durch eine ungeradzahlige
Reihe von als Inverter geschalteter Transistoren.
4. Integriertes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Gatter (G1, G2... Gn) OR-Gatter
sind.
5. Integriertes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Arbeitswiderstände der als Inverter geschalteten Transistoren Konstantstromquellen
(/,, /,.../„) sind.
6. Integriertes Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Regelung der
Konstantstromquellen (/,, I2-In) zur Regelung
der Laufzeit der Inverterkette.
7. Integriertes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Transistoren in einer Reihe galvanisch gekoppelt sind.
Priority Applications (6)
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