DE2364967B2

DE2364967B2 - Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial

Info

Publication number: DE2364967B2
Application number: DE19732364967
Authority: DE
Inventors: Katsuhiko Osaka Gotoda (Japan)
Original assignee: Mita Industrial Co Ltd
Current assignee: Kyocera Mita Industrial Co Ltd
Priority date: 1972-12-30
Filing date: 1973-12-28
Publication date: 1977-08-25
Also published as: US3915076A; FR2212568A1; IT1000405B; DE2364967C3; GB1403290A; JPS4991646A; NL7317474A; FR2212568B1; DE2364967A1

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf elektrophotographisches Aufzeichnungsmateria! und insbesondere auf ein derartiges Material, das bei negativer oder positiver Aufladung hochempfindlich ist.

Herkömmliche elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien, die ein photoleitfähiges Material, insbesondere ein anorganisches photoleitfähiges Material aufweisen, sind im wesentlichen nur dann lichtempfindlich, wenn ihre Oberfläche durch eine bestimmte positive oder negative Ladung aufgeladen wird. Im FaI! der sog. p-leitenden photoleitfähigen Werkstoffe wie Selen, das in großem Umfang als lichtempfindlicher Werkstoff für Elektrophotographie verwendet wird, tritt beispielsweise eine Lichtempfindlichkeit nur bei *> positiver Aufladung auf; wenn sie negativ aufgeladen werden, wird keine Lichtempfindlichkeit erhalten. Im Gegensatz dazu zeigen sog. η-leitende photoleitfähige Werkstoffe wie Zinkoxid und Cadmiumsulfid nur dann Lichtempfindlichkeit, wenn sie negativ aufgeladen ⁶S werden.

Wenn eine lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie die Eigenschaft hat, daß sie sowohl bei positiver als auch negativer Aufladung lichtempfindlich ist, ergibt sich dadurch der Vorteil, daß von einem positiven oder negativen Originalbild einfach durch Änderung der Polarität der angelegten Ladung ohne Änderung des verwendeten Entwicklers eine gewünschte positive oder negative Vervielfältigung erhalten werden kann. Derartige lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterialien sind auch insofern vorteilhaft, als sie in einfacher Weise alle in handelsüblichen elektrophotographischen Vervielfältigungsmaschinen verwendeten lichtempfindlichen platten ersetzen kann, d. h. sowohl in elektrophotouraphischen Vervielfältigungsmaschinen, bei denen die lichtempfindlichen Platten durch Anlegen einer positiven Ladung sensibilisiert werden, als auch bei solchen Maschinen, die die lichtempfindlichen Platten durch Anlegen einer negativen Ladung sensibilisieren.

Wenn ferner die Eigenschaft, daß entweder ein Dositives oder ein negatives vervielfältigtes Bild einfach durch Ändern der Polarität der Ladung beim Aufladevorgang erhalten werden kann, wirksam ausgenutzt und die Größe oder Art einer anorganischen photoleitfähigen Schicht oder eines Substrats so gewählt wird, daß das photoleitfähige Aufzeichnungsmaterial lichtdurchlässig und flexibel ist, ist es leicht möglich, ein Diapositiv oder einen Mikrofilm mit wahlweise positivem oder negativem Bild zu erhalten.

Es ist bereits bekannt, photoleitfähige Platten für ekktrophotographische Zwecke unter Verwendung eines Scnichtkörpers oder Laminats mit einer etwa aus Selen bestehenden anorganischen photoleitfähigen Schicht und einer etwa aus Poly-N-vinylcarbazol bestehenden organischen Isolierschicht herzustellen.

Aus der US-PS 35 73 906 ist beispielsweise eine photoleitfähige Platte für Elektrophotographie bekannt, die durch Beschichten eines elektrisch leitenden Substrats mit einer organischen Isolierschicht und einer photoleitfähigen Schicht (in dieser Reihenfolge) hergestellt ist. . ...j.

Diese lichtempfindliche Platte weist gute Lichtdurchlässigkeit und niedrigen Dunkelabfall auf und hat den Vorteil, daß die Ladung erhöht werden kann, obwohl die photoleitfähige Schicht dünn ist.

Nachteilig bei diesem bekannten photoleitfähigen Aufzeichnungsmaterial ist allerdings, daß es nur dann lichtempfindlich ist, wenn die angelegte Ladung eine bestimmte Polarität aufweist, also entweder positiv oder negativ ist; diese Selektivität hängt davon ab, ob die photoleitfähige Schicht aus einem p-leitenden oder einem η-leitenden Material besteht. Es ist daher sehr schwierig, eine lichtempfindliche Platte mit der beschriebenen spezifischen Eigenschaft zu erhalten.

Aus der JA-AS 5349/70 ist ferner ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial für Elektrophotographie bekannt, das durch Beschichten eines elektrisch leitenden Substrats mit einer photoleitfähigen Schicht und einer organischen Halbleiterschicht (in diesel Reihenfolge) hergestellt ist

Dieses Material weist zwar auch gute Lichtdurchläs sigkeit und Flexibilität auf.

Nachteilig ist jedoch auch hierbei, daß das Materia nur dann lichtempfindlich ist, wenn an die organisch! Halbleiterschicht eine Ladung einer bestimmten Polari tat angelegt wird.

Vor einiger Zeit wurde ferner eine lichtempfindlich» Platte angegeben aus speziell behandeltem Zinkoxid das dadurch bei Anlegen von Ladungen mit positive oder negativer Polarität empfindlich gemacht werde: kann; keine der lichtempfindlichen Platten dieser Art is

jedoch praktisch verwendbar.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein lichtempfindliches elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit sehr guter Empfindlichkeit anzugeben, bei dem die auf die Oberfläche aufgebrachte Ladung wahlweise positiv oder negativ sein und eine positive oder negative Vervielfältigung eines gewünschten Bildes einfach dadurch erhalten werden kann, daß die Polarität der angelegten Ladung geändert wird, ohne daß deshalb der verwendete Entwickler geändert werden muß.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemüß gelöst durch ein wahlweise negativ oder positiv aufladbares elektrophotograhisches Aufzeichnungsmaterial aus einem elektrisch leitenden Schichtträger, einer ersten photoleitfähigen Schicht mit einem anorganischen Photolei- ter, einer isolierenden oder photoleitfähigen Schicht aus einem organischen Isolierstoff oder organischen Photoleiter und einer zweiten photoleitfähigen Schicht mit einem anorganischen Photoleiter in der angegebenen Reihenfolge und ist dadurch gekennzeichnet, daß die erste photoleitfähige Schicht mindestens 0,2 μΐη dick und vom gleichen Leitfähigkeitstyp ist wie die zweite photoleitfähige Schicht, daß die zweite photoleitfähige Schicht 0,2—1,0 μπι dick ist, daß bei n-Leitfähigkeit der beiden photoleitfähigen Schichten die isolierende bzw. photoleitfähige Schicht aus Polyvinylanthracen, Tetracyanpyren, 2,4,7-Trinitro-9-fluoren, Dinitroanthracen oder Dinitroacridin besteht und daß bei p-Leitfähigkeit der beiden photoleitfähigen Schichten die isolierende bzw. photoleitfähige Schicht aus N-Äthylcarbazol, Poly-N-vinylcarbazol, Tetraphenylpyren, Polyacenaphthylen, Perylen, Chrysen, 2,3-Benzchrysen oder 6,7-Benzpyren besteht.

Die Erfindung gibt also ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial an, das unabhängig von der Polarität der angelegten Ladung lichtempfindlich ist.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 eine Gchnittdarstellung einer Platte aus dem erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterial,

Fig.2-A und 2-B Ladungs-Belichtungs-Kennlinien herkömmlicher lichtempfindlicher Materialien und

Fig.3 Ladungs-Belichtungs-Kennlinien des erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Aufzeichnungsmate- rials.

Gemäß F i g. 1 ist durch Vakuumbedampfen oder -beschichten eine anorganische photoleit'ähige Schicht 2 einer Dicke von 0,2 bis zu einigen μΐη auf einem elektrisch leitenden Substrat 1 erzeugt, die mit einer organischen lichtdurchlässigen Isolierschicht 3 einer Dicke von einigen wenigen bis 30 μηη beschichtet ist. Auf dieser organischen Isolierschicht 3 ist eine anorganische photoleitfähige Schicht 4 einer Dicke von 0,2 — 1,0 μπι im Vakuum aufgedampft.

Als elektrisch leitendes Substrat 1 kann irgendein herkömmliches Substrat benutzt werden, beispielsweise Metallfolien oder -platten wie Aluminium und leitfähig gemachtes Papier, Glasplatten oder Kunststoffilme. Wenn die lichtempfindliche Platte lichtdurchlässig und flexibel sein soll, wird vorzugsweise ein elektrisch leitendes Substrat dadurch gebildet, daß eine dünne Kupferschicht auf einen lichtdurchlässigen Kunststofffilm im Vakuum aufgedampft und Jod mit der gebildeten Kupferschicht zur Reaktion gebracht wird, oder dadurch, daß auf einen lichtdurchlässigen KunststoffHm eine dünne Chromschicht oder eine Chrom-Nickel-Schicht im Vakuum aufgedampft wird, oder daß als Substrat ein lichtdurchlässiger Film benutzt wird, der aus einem Kunstharz relativ hoher Leitfähigkeit wie hydratisierte Cellulose und Polyvinylalkohol besteht.

Für die anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 können alle anorganischen photoleitfähigen Materialien benutzt werden, beispielsweise p-leitende Materialien wie Selen urid Selen-Tellur-Legierungen sowie η-leitende Werkstoffe wie Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Zinkoxid, Zinksulfid und Titandioxid. Es ist auch möglich, Materialien zu verwenden, die durch Sensibilisierung dieser photoleitfähigen Werkstoffe mit Störstellen oder Farbstoffen erhalten werden, so daß bei Auftreffen von Lichtstrahlung Elektronen-Loch-Paare gebildet werden können.

Gemäß der Erfindung ist eine organische Isolierschicht 3 zwischen der ersten und der zweiten anorganischen photoleitfähigen Schicht 2 bzw. 4 vorgesehen. Damit das erhaltene lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial unabhängig davon, ob die Polarität der auf die Oberfläche einwirkenden elektrischen Ladung positiv oder negativ ist, eine sehr gute Photoleitfähigkeit besitzt, ist es in diesem Zusammenhang von Bedeutung, daß der Leitungstyp des photoleitfähigen Materials, also n- oder p-Leitungstyp, bei beiden photoleitfähigen Schichten 2 und 4 gleich ist. Dies bedeutet, daß es wichtig ist, daß die Polarität der Majoritätsträger der ersten anorganischen photoleitfähigen Schicht 2 gleich der Polarität der Mehrheit der Ladungsträger der zweiten anorganischen photoleitfähigen Schicht 4 ist. Es ist erwünscht, daß beide anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 aus dem gleichen anorganischen photoleitfähigen Material bestehen.

Die Dicke der anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 ist so gewählt, daß die Bildung von Elektronen-Loch-Paaren beim Auftreffen von Lichtstrahlung nicht unterdrückt wird. Es ist im wesentlichen ausreichend, die Dicke so zu wählen, daß die Lichtdurchlässigkeit 80% nicht übersteigt, wobei sich dieser Grenzwert in Abhängigkeit von der Art des photoleitfähigen Materials etwas ändert. Auch ist es erforderlich, daß die Dicke der zweiten anorganischen photoleitfähigen Schicht 4 das Einfallen von Licht in die erste anorganische photoleitfähige Schicht nicht unterbindet und sich hierbei eine Lichtdurchlässigkeit von wenigstens 50% ergibt. Damit diese Bedingungen für die erste und die zweite photoleitfähige Schicht 2 und 4 erfüllt werden können, ist es ganz allgemein wichtig, daß jede Schicht eine Dicke von wenigstens 0,2 μπι hat, und es ist erwünscht, daß die zweite photoleitfähige Schicht eine Dicke von bis zu 1 μπι, im Fall von Selen vorzugsweise bis zu 0,4 μιη hat.

Bei Verwendung photoleitfähigtr Materialien unterschiedlicher spektraler Empfindlichkeit als anorganische photoleitfähige Schichten 2 und 4 ist es möglich, je nach Polarität der angelegten Ladung (positiv oder negativ) ein lichtempfindliches Material mit unterschiedlicher Abhängigkeit der Empfindlichkeit von der Wellenlänge zu erhalten. Beispielsweise werden Selen-Tellur-Legierungen, die für Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen 350 und 750 Γημ empfindlich sind, als anorganische photoleitfähige Schicht 2 und Selen mit einer Strahlungsempfindlichkeit im Wellenlängenbereich zwischen 350 und 500πιμ als anorganische photoleitfähige Schicht 4 benutzt; die erhaltene lichtempfindliche Platte ist bei positiver Ladung hauptsächlich für Strahlung einer Wellenlänge zwischen 350 und 500 πιμ und bei negativer Ladung für jede

Strahlung im sichtbaren Bereich empfindlich.

Die organische Isolierschicht 3 ist vorgesehen, um die Ladung auf der Oberfläche zu halten und das Material entweder für negative oder positive Ladungen empfindlich zu machen. Da die Isolierschicht 3 im wesentlichen S lichtdurchlässig ist, können hierfür alle Materialien verwendet werden, die in der Lage sind, den Ladungsträger zu transportieren, ohne ihn einzufangen; sie brauchen dabei nicht photoleitfähig zu sein. Bei der Erfindung ist es wichtig, daß als organische Isolierschicht 3 ein organisches Isoliermaterial verwendet wird, das einen Ladungsträger gleicher Polarität wie die Majoritätsträger der anorganischen photoleitfähigen Werkstoffe der anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 transportieren kann. Wenn also als anorganische photoleitfähige Schichten 2 und 4 p-leitende photoleitfähige Werkstoffe benutzt werden, so werden vorzugsweise organische Isoliermaterialien mit einem langen Bereich für positive Löcher benutzt wie beispielsweise N-Äthylcarbazol, Poly-N-vinylcarbazol, Tetraphenylpyren, Polyacenaphthylen, Perylen, Chrysen, 2,3-Benzchrysen und 6,7-Benzpyren; bei Verwendung η-leitender Werkstoffe werden dafür vorzugsweise organische IsoliermateriaVien mit einem weiten Bereich für Elektronen benutzt wie beispielsweise Polyvinylanthracen, Tetracyanpyren, 2,4,7-Trinitro-9-fluoren, Dinitroanthracen und Dinitroacridin.

Vorzugsweise sind die als anorganische photoleitfähigen Schichten 2 und 4 und die als organische Isolierschicht 3 zu verwendenden Werkstoffe im Hinblick auf das Energieniveau des Leitungsbandes des Majoritätsträgers nahe beieinander angeordnet, da die Injektion des Ladungsträgers von der photoleitfähigen Schicht zur Isolierschicht oder von der Isolierschicht zur photoleitfähigen Schicht einfach durchführbar ist.

Wenn die photoleitfähigen Schichten 2 und 4 aus unterschiedlichen anorganischen photoleitfähigen Materialien bestehen, ist es nicht leicht, ein geeignetes organisches Isoliermatrial für die organische Isolierschicht 3 aufzufinden, das die obige Forderung erfüllt.

Wenn jedoch beide photoleitfähigen Schichten aus dem gleichen anorganischen photolcitfähiger, Material bestehen, ist die Auswahl des bevorzugten organischen Isoliermaterials leicht zu treffen.

Erfindungsgemäß wird daher beispielsweise amorphes Selen für die beiden photoleitfähigen Schichten herangezogen, das ein anorganisches photoleitfähiges Material durstellt, dessen Energieniveau sehr nahe am Energieniveau von Poly-N-vinylcarbazol liegt, das als organische Isolierschicht verwendet wird. Die Kombi- so nation von amorphem Selen und Poly-N-vinylcarbazol ist daher für die erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialien am meisten bevorzugt.

Um ein lichtempfindliches Material für Elektrophotographic mit sehr guter Empfindlichkeit für positive wie JS negative Ladungen zu erhalten, ist es bei der Erfindung wichtig, daß die den oben beschriebenen Anforderungen genügende organische Isolierschicht zwischen der ersten und der zweiten, ebenfalls diesen Anforderungen genügenden anorganischen photoleitfähigen Schicht angeordnet wird.

Im Fall einer herkömmlichen lichtempfindlichen Platte, die durch Aufbringen einer Poly-N-vinylcarbazol-Isolierschlcht und einer photoleitfähigen Selenschicht in dieser Reihenfolge auf ein elektrisch leitendes Substrat hergestellt wurde, wird gemäß Fig.2-A eine sehr gute Lichtempfindlichkeit bei Anlegen einer positiven Ladung erhatten, jedoch wird bei negativer Ladung keine nennenswerte Lichtempfindlichkeit erzielt Im Gegensatz dazu wird im Fall einer anderen herkömmlichen lichtempfindlichen Platte, die durch Aufbringen einer photoleitfähigen Selenschicht und einer Poly-N-vinylcarbazol-Schicht in dieser Reihenfolge auf ein elektrisch leitendes Substrat hergestellt wurde, gemäß Fig.2-B bei Anlegen einer negativen Ladung eine sehr gute Lichtempfindlichkeit erhalten; die bei Anlegen einer positiven Ladung, erhaltene Lichtempfindlichkeit ist jedoch so gering, daß sie für ein elektrophotographisches Verfahren nicht ausgenutzt werden kann.

In Anbetracht der genannten Tatsachen ist es überraschend, daß das erfindungsgemäße lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial mit einem bestimmten Schichtaufbau aus einer ersten und einer zweiten photoleitfähigen Schicht und einer anorganischen Isolierschicht gemäß F i g. 3 bei Anlegen sowohl einer positiven wie auch einer negativen Ladung sehr gute Lichtempfindlichkeit hat. Die Erfindung beruht darauf, daß bei einem aus Schichten aufgebauten lichtempfindlichen Material mit zwei lichtempfindlichen Schichten, d.h. der ersten und der zweiten anorganischen photoleitfähigen Schicht 2 und 4, bei Belichtung gleichzeitig in beiden photoleitfähigen Schichten Elektronen-Loch-Paare erzeugt werden, die die Oberflächenladung durch verschiedene, von der Polarität der angelegten Ladung abhängige Prozesse löschen. Wenn insbesondere jede der anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 aus einem p-leitenden anorganischen photoleitenden Werkstoff und die organische Isolierschicht aus einem Isoliermaterial mit einem weiten Bereich für positive Löcher besteht, werden bei positiver Polarität der Ladung bei Belichtung gleichzeitig Elektronen-Loch-Paare in beiden anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 erzeugt, wobei in der anorganischen photoleitfähigen Schicht 4 erzeugte Elektronen die Oberflächenladung löschen und in der anorganischen photoleitfähigen Schicht 4 erzeugte positive Löcher durch die organische Isolierschicht 3 und die anorganische photoleitfähige Schicht 2 wandern und zum elektrisch leitenden Substrat 1 hin geerdet werden. Wenn die Polarität der angelegten Ladung negativ ist, werden gleichermaßen in den anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 Elektronen· Loch-Paare erzeugt, und in der anorganischen photoleitfähigen Schicht 4 erzeugte positive Löcher löschen die Oberflächenladung, wobei gleichzeitig in der anorganischen photoleitfähigen Schicht 2 erzeugte positive Löcher durch die organische Isolierschicht 3 wandern und in der anorganischen photoleitfähigen Schicht 4 vorhandene Elektronen neutralisieren. Es wird enge· nommen, daß bei dem beschriebenen Ablauf das positive Loch die Hauptrolle spielt. Wenn die anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 auf, einem η-leitenden anorganischen photoleitfähigen Werkstoff und die organische Isolierschicht 3 aus einem Isoliermaterial mit weitem Bereich für Elektronen besteht, wird angenommen, daß Im Gegensatz dazu das Elektron die Hauptrolle spielt und die Oberflächenladung löscht.

Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung der Erfindung.

Beispiel 1

Auf Polyäthylenterephthalat wurde Chrom in solcher Menge im Vakuum aufgedampft, daß die Durchlässigkeit für weißes Licht etwa 80% betrug. Sodann wurde

durch Aufdampfen im Vakuum amorphes Selen in einer Dicke von 0,2 μην auf die Chromschicht aufgebracht. Dann wurde eine Lösung mit 40 Gewichtsteilen Poly-N-vinylcarbazol, 160 Gewichtsteilen Toluol und 40 Gewichtsteilen Cyklohexanon auf die Selenschicht in solcher Menge aufgetragen, daß die Dicke nach dem Trocknen 5 - 10 μηι betrug.

Der fertige Schichtkörper wurde bei Raumtemperatur vollständig getrocknet, worauf im Vakuum amorphes Selen in einer Dicke von 0,2 μπι auf die Poly-N-vinylcarbazol-Schicht aufgedampft wurde. Die Durchlässigkeit der Platte für weißes Licht war etwa 45%. Die so erhaltene lichtempfindliche Platte wurde durch eine Koronaentladungseinrichtung positiv geladen und mit einem Original, das ein Hell-Dunkel-Bild aufwies, mit weißem Licht bei 20 Ix/s belichtet. Nach dem Entwickeln der belichteten Platte unter Verwendung eines negativ aufgeladenen Farbpulvers und mit einem bekannten Verfahren, beispielsweise mit magnetischer Bürste und Kaskadenentwicklung, wurde ein Positiv erhalten, das so klar und deutlich war wie das Originalbild. Auch als die Polarität der Koronaentladung negativ gemacht wurde, wurde in gleicher Weise ein klares und deutliches Negativ erhalten. Bei Projektion der so erhaltenen Bilder unter Verwendung eines Diapositivs waren die projizierten Bilder im wesentlichen frei von auf das Selen zurückgehenden Färbungen und konnten praktisch verwendet werden.

Beispiel 2

Amorphes Selen wurde in einer Dicke von 1 μίτι auf einer ausreichend polierten Aluminiumplatte im Vakuum aufgedampft; anschließend wurde eine Lösung aus 10 Gewichtsteilen Polyacenaphthylen und 50 Gewichtsteilen Toluol in solcher Menge aufgebracht, daß die Dicke nach dem Trocknen 5—10 μπι betrug. Die Platte wurde sodann bei Raumtemperatur vollständig gegrocknet, worauf im Vakuum amorphes Selen in einer Dicke von 0,2 μιτι aufgedampft wurde. Die erhaltene Platte wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 positiv oder negativ aufgeladen, belichtet und entwikkeil, und das entstandene Bild wurde auf weißes Papier übertragen. Es wurde so ein deutliches Bild mit hohem Kontrast erhalten.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

109834/384

Claims

Patentansprüche:

1. Wahlweise negativ oder positiv aufladbares elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial aus einem elektrisch leitenden Schichtträger, einer ersten photoleitfähigen Schicht mit einem anorganischen Photoleiter, einer isolierenden oder photoleitfähigen Schicht aus einem organischen Isolierstoff oder organischen Photoleiter und einer zweiten '° photoleitfähigen Schicht mit einem anorganischen Photoleiter in der angegebenen Reihenfolge, dadurch gekennzeichnet, daß die erste photoleitfähige Schicht mindestens 0,2 μπι dick und vom gleichen Leitfähigkeitstyp ist wie die zweite '5 photoleitfähige Schicht, daß die zweite photoleitfähige Schicht 0,2—1,0 μιη dick ist, daß bei n-Leitfähigkeit der beiden photoleitfähiger. Schichten die isolierende bzw. photoleitfähige Schicht aus Polyvinylanthracen, Tetracyanpyren, 2,4,7-Trinitro-9-fluo- *> ren, Dinitroanthracen oder Dinitroacridin besteht und daß bei p-Leitfähigkeit der beiden photoleitfähigen Schichten die isolierende bzw. photoleitfähige Schicht aus N-Äthylcarbazol, Poly-N-vinylcarbazol. Tetraphenylpyren, Polyacenaphthylen, Perylen, *5 Chrysen, 2,3-Benzchrysen oder 6,7-Benzpyren besteht.

2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden photoleitfähigen Schichten aus dem gleichen Photoleiter bestehen.

3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden photoleitfähigen Schichten aus CdS, ZnO, ZnS, CdSe, TiO₂, Se oder einer Se-Te- Legierung bestehen.

4. Aufzeichnungsmaterial nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden photoleitfähigen Schichten aus amorphem Selen bestehen, daß die isolierende oder photoleitfähige Schicht aus Poly-N-vinylcarbazol besteht, und daß die zweite photoleitfähige Schicht 0,2—0,5 μπι dick ist.