DE2364967A1

DE2364967A1 - Lichtempfindliche platte fuer elektrophotographie

Info

Publication number: DE2364967A1
Application number: DE2364967A
Authority: DE
Inventors: Katsukiko Gotoda
Original assignee: Mita Industrial Co Ltd
Current assignee: Kyocera Mita Industrial Co Ltd
Priority date: 1972-12-30
Filing date: 1973-12-28
Publication date: 1974-07-11
Also published as: DE2364967C3; IT1000405B; GB1403290A; US3915076A; JPS4991646A; FR2212568B1; DE2364967B2; FR2212568A1; NL7317474A

Description

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427-21.969FC21.97OH) 28. 12. 1973

MITA INDUSTRIAL CO., LTD., OSAKA (Japan)

Lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie

Die. Erfindung bezieht sich auf eine lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie und insbesondere auf eine derartige Platte, die bei negativer oder positiver Aufladung hochempfindlich ist.

Herkömmliche lichtempfindliche Platten für Elektrophotographie, die ein lichtleitendes Material, insbesondere ein anorganisches lichtleitendes Material aufweisen, sind im wesentlichen nur dann lichtempfindlich, wenn ihre Oberfläche durch eine Ladung einer bestimmten, positiven oder negativen, Polarität auf-

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geladen wird. Beispielsweise im Fall der sog. p-leitenden lichtleitenden Werkstoffe wie Selen, das in großem Umfang als lichtempfindlicher Werkstoff für Elektrophotographie verwendet wird, tritt eine Lichtempfindlichkeit nur auf, wenn sie positiv aufgeladen werden, und es wird keine Lichtempfindlichkeit erhalten, wenn sie negativ aufgeladen werden. Im Gegensatz dazu zeigen sog, η-leitende lichtleitende Werkstoffe wie zinkoxid und Cadmiumsulfid nur dann eine Lichtempfindlichkeit, wenn sie negativ aufgeladen werden.

Wenn eine lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie die Eigenschaft hat, daß sie für projiziertes Licht empfindlich ist, wenn.sie entweder positiv oder negativ aufgeladen ist, ergibt sich dadurch der Vorteil, daß von einem positiven oder negativen Originalbild eine gewünschte positive oder negative Vervielfältigung erhalten werden kann, und zwar einfach durch Änderung der Polarität der angelegten Ladung, ohne Änderung des verwendeten Entwicklers. Eine diese Eigenschaft aufweisende lichtempfindliche Platte ist auch insofern vorteilhaft, als. sie in einfacher Weise alle in kommerziell erhältlichen elektrophotographischen Vervielfältigungsmaschinen verwendeten lichtempfindlichen Platten ersetzen kann, d. h. entweder in elektrophotographischen Vervielfältigungsmaschinen, die die lichtempflindlichen Platten durch Anlegen einer positiven Ladung se'nsibilisieren, oder solchen Maschinen, die die lichtempfindlichen Platten durch Anlegen einer negativen Ladung sensibilisieren.

Wenn ferner die Eigenschaft, daß entweder ein positives oder ein negatives vervielfältigtes Bild einfach durch Ändern der Polarität der Ladung beim Aufladevorgang erhalten werden kann, wirksam ausgenutzt und die Größe oder Art einer anorganischen lichtleitenden Schicht oder eines Substrats so gewählt wird, daß die lichtleitende Platte lichtdurchlässig und flexibel ist, ist es leicht möglich, ein Dia-

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positiv oder einen Mikrofilm mit wahlweise positivem oder negativem Bild zu erhalten.

Es wurde bereits eine lichtempfindliche Platte für Elektro- «photographie entwickelt, bestehend aus einem Schichtkörper oder Laminat mit einer anorganischen lichtleitenden Schicht, etwa aus Selen, und einer organischen Isolierschicht, etwa aus Poly-N-Vinylcarbazol; diese hat sehr gute Durchlässigkeit für Licht und niedrigen Dunkelabfall. So ist beispielsweise eine lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie bekannt (US-PS 3 575 906), die durch Beschichten eines elektrisch leitenden Substrats mit einer organischen Isolierschicht und einer lichtleitenden Schicht (in dieser Reihenfolge) gebildet ist. Diese lichtempfindliche Platte ist lichtdurchlässig und hat den Vorteil, daß die Ladung erhöht werden kann, obwohl die lichtleitende Sbhicht dünn ist. Allerdings zeigt diese lichtempfindliche Platte nur dann Lichtempfindlichkeit, wenn die angelegte Ladung eine bestimmte Polarität, also entweder positiv oder negativ, hat; diese Selektivität hängt davon ab, ob die lichtleitende Schicht aus einem pleitenden oder einem η-leitenden lichtleitenden Werkstoff besteht. Es ist daher sehr schwierig, mit den bekannten Verfahren eine lichtempfindliche Platte mit der beschriebenen spezifischen Eigenschaft zu erhalten.

In der JA-AS 5349/70 wird eine lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie beschrieben, die durch Beschichten eines elektrisch leitenden Substrats mit einer lichtleitenden Schicht und einer organischen Halbleiterschicht (in dieser Reihenfolge) geformt ist. Zwar weist auch diese lichtempfindliche Platte sehr gute Lichtdurchlässigkeit und Flexibilität auf, zeigt jedoch nur dann Lichtempfindlichkeit, wenn an die organische Halbleiterschicht eine Ladung einer bestimmten Polarität angelegt wird.

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Vor einiger Zeit wurde eine lichtempfindliche Platte entwickelt, die geformt wird mittels einer Spezialbehandlung von Zinkoxid, so daß dieses bei Anlegen von Ladungen mit positiver oder negativer Polarität empfindlich gemacht wird; jedoch ist keine der lichtempfindlichen Platten dieser Art praktisch verwertbar.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie zu schaffen mit sehr guter Empfindlichkeit ,"■ wobei die auf die Oberfläche der lichtempfindlichen Platte angelegte Ladung positiv oder negativ sein kann; mit dieser Platte soll eine positive oder negative Vervielfältigung eines gewünschten Bildes einfach dadurch erhalten werden, daß die Polarität der angelegten Ladung geändert wird, ohne daß deshalb der verwendete Entwickler geändert werden muß.

Eine lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie, die bei Anlegen einer positiven oder einer negativen Ladung empfindlich ist, mit einem elektrisch leitenden Substrat, mit einer auf diesem ausgebildeten ersten anorganischen lichtleitenden Schicht, mit einer auf dieser ausgebildeten, im wesentlichen lichtdurchlässigen organischen Isolierschicht, und mit einer auf dieser ausgebildeten zweiten anorganischen lichtleitenden Schicht ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß die erste lichtleitende Schicht eine Dicke von vorzugsweise mindestens 0,2 /um hat und vom gleichen Leitfähigkeitstyp (n- oder p-Leitfähigkeitstyp) ist wie die zweite lichtleitende Schicht einer Dicke von vorzugsweise 0,2-1,0 /um; daß bei η-Leitfähigkeit beider Schichten die organische Isolierschicht einer Dicke von vorzugsweise 1-30 /um aus einem organischen Isoliermaterial mit langem Bereich für Elektronen besteht; und daß bei p-Leitfähigkeit beider Schichten die organische Isolierschicht aus einem organischen Isoliermaterial mit langem Bereich für positive Löcher besteht.

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Durch die Erfindung wird also eine lichtempfindliche Platte angegeben, die unabhängig von der Polarität der angelegten Ladung lichtempfindlich ist.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittdarstellung der erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Platte;

Fig. 2-A Kurven der Ladungs-Belichtungs-Kennlinie bereits und 2-B entwickelter lichtempfindlicher Platten; und

Fig. 3 eine Kurve der Ladungs-Belichtungs-Kennlinie der erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Platte«

Gemäß Fig. 1 ist durch Verdampfen oder Beschichten im Vakuum eine anorganische lichtleitende Schicht 2 einer Dicke von 0,2 bis zu einigen /um auf einem elektrisch leitenden Substrat 1 geformt, und diese anorganische lichtleitende Sbhicht 2 ist mit einer organischen lichtdurchlässigen Isolierschicht einer Dicke von einigen wenigen bis 30 /um beschichtet. Auf dieser organischen Isolierschicht 3 ist durch Verdampfen im Vakuum eine anorganische lichtleitende Schicht 4 einer Dicke von 0,2-1 ,0 /um geformt.

Als elektrisch leitendes Substrat 1 kann irgendein herkömmliches Substrat benutzt werden, beispielsweise Metallfolien oder -platten wie Aluminium und leitfähig gemachtes Papier, Glasplatten oder Kunststoffilme. Wenn die lichtempfindliche Platte lichtdurchlässig und flexibel sein soll, wird vorzugsweise ein elektrisch leitendes Substrat dadurch gebildet, daß eine dünne Kupferschicht auf einen lichtdurchlässigen Kunststoffilm im Vakuum niedergeschlagen und Jod mit der gebildeten

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Kupferschicht zur Reaktion gebracht wird, oder dadurch, daß auf einen lichtdurchlässigen Kunststoffilm,eine dünne Chromschicht oder eine Chrom-Nickel-Schicht im Vakuum aufgedampft wird, oder daß als Substrat ein lichtdurchlässiger Film benutzt wird, der aus einem Kunstharz relativ hoher Leitfähigkeit wie Cellophan und Polyvinylalkohol besteht.

Für die anorganischen lichtleitenden Schichten 2 und 4 können alle anorganischen lichtleitenden Werkstoffe benutzt werden, beispielsweise p-leitende Werkstoffe wie Selen und Selen-Tellur-Legierungen sowie η-leitende Werkstoffe wie Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Zinkoxid, Zinksulfid und Titandioxid. Es ist auch möglibh, Materialien zu verwenden, die erhalten werden durch Sensibilisierung dieser lichtleitenden Werkstoffe mit Störstellen oder Farbstoffen, so daß bei Auftreffen von Lichtstrahlung Elektronenlochpaare gebildet werden können.

Gemäß der Erfindung ist eine organische Isolierschicht 3 zwischen der ersten und der zweiten anorganischen lichtleitenden Schicht 2 bzw. 4 geformt. Damit die erhaltene lichtempfindliche Platte sehr gute Lichtleitfähigkeit hat unabhängig davon, ob die Polarität der auf die Oberfläche einwirkenden elektrischen Ladung positiv oder negativ ist, ist es in diesem Zusammenhang von Bedeutung, daß der Leitungstyp des lichtleitenden Materials, also n- oder p-Leitungstyp, bei beiden lichtleitenden Schichten 2 und 4 gleich ist. Dies bedeutet, daß es wichtig ist, daß die Polarität der Majoritätsträger der ersten anorganischen lichtleitenden Schicht 2 identisch mit der Polarität der Majoritätsträger der zweiten anorganischen lichtleitenden Schicht 4 ist. Es ist erwünscht, daß beide anorganischen lichtleitenden Schichten 2 und 4 aus dem gleichen anorganischen lichtleitenden Werkstoff bestehen.

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Die Dicke der anorganischen lichtleitenden Schichten 2 und ist so gewählt, daß die Bildung von Elektronenlochpaaren beim Auftreffen von Lichtstrahlung nicht unterdrückt wird. Es ist im wesentlichen ausreichend, die Dicke so zu wählen, daß die Lichtdurchlässigkeit 80 % nicht übersteigt, obwohl dieser Grenzwert sich in Abhängigkeit von der Art des lichtleitenden Werkstoffes etwas ändert. Auch ist es erforderlich, daß die Dicke der zweiten anorganischen lichtleitenden Schicht 4 das Einfallen von Licht in die erste anorganische lichtleitende Schicht nicht unterbindet und sich hierbei eine Lichtdurchlässigkeit von wenigstens 50 % ergibt. Damit diese Bedingungen für die erste und die zweite lichtleitende Schicht 2 und 4 erfüllt werden können, ist es ganz allgemein wichtig, daß jede Schicht eine Dicke von wenigstens 0,2 yum hat, und es ist erwünscht, daß die zweite lichtleitende Schicht eine Dicke von bis zu 1 /um, im Fall von Selen voraugsweise bis zu 0,4 /um, hat.

Bei Verwendung lichtleitender Werkstoffe unterschiedlicher Spektralempfindlichkeit als anorganische lichtleitende Schichten 2 und 4 ist es möglich, eine lichtempfindliche Platte zu erhalten, die unterschiedliche Empfindlichkeits-Wellenlängen -Kenn linien hat in Abhängigkeit davon, ob die Polarität der angelegten Ladung positiv oder negativ ist.* Beispielsweise werden Selen-Tellur-Legierungen, die empfindlich sind für Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen 350-750 /um, als anorganische lichtleitende Schicht 2 und Selen mit einer Strahlungsempfindlichkeit im Wellenlängenbereich zwischen 350-500 /um als anorganische lichtleitende Schicht 4 benutzt; die erhaltene lichtempfindliche Platte ist bei positiver Ladung hauptsächlich für Strahlung einer Wellenlänge zwischen 350-500 /um und bei negativer Ladung für jede Strahlung im sichtbaren Bereich empfindlich.

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Die organische Isolierschicht 3 ist vorgesehen, um die Ladung auf der Oberfläche zu halten und· die Platte entweder für eine negative oder eine positive Ladung empfindlich zu machen. Wenn die Isolierschicht 3 lichtdurchlässig ist, braucht sie nicht lichtleitend zu sein. Dies bedeutet, daß alle Werkstoffe verwendet werden können, die den Ladungsträger einfangen und transportieren können. Bei der Erfindung ist es wichtig, daß als organische Isolierschicht 3 ein organisches Isoliermaterial verwendet wird, das einen Ladungsträger gleicher Polarität wie die Majoritätsträger der anorganischen licht- · leitenden Werkstoffe der anorganischen lichtleitenden Schichten 2 und 4 transportieren kann. Wenn also als anorganische lichtleitende Schichten 2 und 4 p-leitende lichtleitende Werkstoffe benutzt werden, so werden vorzugsweise organische Isoliermaterialien mit einem langen Bereich für positive Löcher benutzt wie beispielsweise N-lthylcarbazol- Poly-N-Vinylcarbazol, Tetraphenylpyren, Polyacenaphthylen, Perylen, Chrysen, 2,3-Benzochrysen und 6,7-Benzopyren, und bei Verwendung n-leitender Werkstoffe werden dafür vorzugsweise organische Isoliermaterialien mit einem langen Bereich für Elektronen benutzt wie beispielsweise Polyvinylanthracen, Tetracyanpyren, 2,4,7-Trinitro-9-Fluoren, Dinitroanthracen und Dinitroakridin.

Vorzugsweise sind die als anorganische lichtleitende Schichten 2 und 4 und die als organische Isolierschicht 3 zu verwendenden Werkstoffe nahe beieinander angeordnet in bezug auf das Energieniveau des Leitungsbandes des Mäjoritätsträgers, da die injektion des Ladungsträgers von der lichtleitenden Schicht zur Isolierschicht oder von der Isolierschicht zur lichtleitenden Schicht einfach durchführbar ist.

Um eine lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie mit sehr guter Empfindlichkeit für Ladungen positiver oder negativer Polarität zu erhalten, ist es bei der Erfindung wichtig,

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daß die den oben beschriebenen Anforderungen genügende organische Isolierschicht zwischen der ersten und der zweiten, ebenfalls diesen Anforderungen genügenden anorganischen lichtleitenden Schicht angeordnet wird.

Im Fall einer bereits entwickelten lichtempfindlichen Platte, die geformt ist durch Aufbringen einer Poly-N-Vinylcarbazol-Isolierschicht und einer lichtleitenden Selenschicht in dieser Reihenfolge auf ein elektrisch leitendes Substrat, wird gemäß Fig. 2-A eine sehr gute Lichtempfindlichkeit erhalten bei Anlegen einer positiven Ladung, jedoch wird bei negativer Ladung keine nennenswerte Lichtempfindlichkeit erhalten. Im Gegensatz dazu wird im Fall einer anderen bereits entwickelten lichtempfindlichen Platte, die geformt wird durch Aufbringen einer lichtleitenden Selenschicht und einer PoIy-N-Vinylcarbazolschicht in dieser Reihenfolge auf ein elektrisch leitendes Substrat, gemäß Fig. 2-B eine sehr gute Lichtempfindlichkeit erhalten bei Anlegen einer negativen Ladung, aber die bei Anlegen einer positiven Ladung erhaltene Lichtempfindlichkeit ist so gering, daß sie für ein elektrophotographisches Verfahren nicht ausgenutzt werden kann.

In Anbetracht der genannten Tatsachen ist es überraschend, daß eine erfindungsgemäße lichtempfindliche Platte mit einem bestimmten Schichtaufbau, bestehend aus einer ersten und einer zweiten .lichtleitenden Schicht und einer anorganischen Isolierschicht, gemäß Fig. 3 bei Anlegen sowohl einer positiven wie auch einer negativen Ladung sehr gute Lichtempfindlichkeit hat. Die Erfindung gründet sich darauf, daß bei einer geschichteten lichtempfindlichen Platte mit zwei lichtempfindlichen Schichten, d. h. der ersten und der zweiten anorganischen lichtleitenden Schicht 2 und 4, bei Belichtung gleichzeitig in beiden lichtleitenden Schichten Elektronenlochpaare erzeugt werden, die die Oberflächenladung durch

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verschiedene, von der Polarität der angelegten Ladung abhängige Prozesse löschen. Wenn insbesondere jede der anorganischen lichtleitenden Schichten 2 und 4 aus einem pleitenden anorganischen lichtleitenden Werkstoff und die organische Isolierschicht aus einem Isoliermaterial mit langem Bereich für positive Löcher besteht, werden bei positiver Polarität der Ladung bei Belichtung gleichzeitig Elektronenlöchpaare in beiden anorganischen lichtleitenden Schichten 2 und 4 erzeugt, und in der anorganischen lichtleitenden Schicht 4 erzeugte Elektronen löschen die Oberflächenladung, und in der anorganischen lichtleitenden Schicht 4 erzeugte positive Löcher wandern durch die organische Isolierschicht 3 und die anorganische lichtleitende Schicht 2 und werden zum elektrisch leitenden Substrat 1 hin geerdet. Wenn die Polarität der angelegten Ladung negativ ist, werden gleichermaßen in den anorganischen lichtleitenden Schichten 2 und 4 Elektronenlochpaare erzeugt, und in der anorganischen lichtleitenden Schicht 4 erzeugte positive Löcher löschen die Oberflächenladung, und gleichzeitig wandern in der anorganischen lichtleitenden Schicht 2 erzeugte positive Löcher durch die organische Isolierschicht 3 und neutralisieren in der anorganischen lichtleitenden Schicht 4 vorhandene Elektronen. Es wird angenommen., daß bei dem beschriebenen Ablauf das positive Loch die Hauptrolle spielt. Wenn die anorganischen lichtleitenden Schichten 2 und 4 aus einem η-leitenden anorganischen lichtleitenden Werkstoff und die organische Isolierschicht 3 aus einem Isoliermaterial mit langem Bereich für Elektronen besteht, wird angenommen, daß im Gegensatz dazu das Elektron die Hauptrolle spielt und die Oberflächenladung löscht.

Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung der Erfindung.

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Beispiel 1

Auf Polyäthyienterephthalat wurde Chrom in solcher Menge durch Verdampfen im Vakuum niedergeschlagen, daß die Durchlässigkeit für weißes Licht etwa 80 % war. Sodann wurde durch Aufdampfen im Vakuum amorphes Selen einer Dicke von 0,2 /um auf der Chromschicht niedergeschlagen. Dann wurde eine Lösung mit 40 Gewichtsanteilen Poly-N-Vinylcarbazol, 160 Gewichtsanteilen Toluol und 40 Gewichtsanteilen Zyklohexanon auf die Selenschicht in solcher Menge aufgetragen, daß die Dicke nach dem Trocknen 5-10 yum war. Der fertige Schichtkörper wurde bei Raumtemperatur vollständig getrocknet, und ,durch Verdampfen im Vakuum wurde amorphes Selen einer Dicke von 0,2 /um auf die Poly-N-Vinylcarbazol-Schicht niedergeschlagen. Die Durchlässigkeit der Platte für weißes Licht war etwa 45 %> Die so erhaltene lichtempfindliche Platte wurde durch eine Koronaentladungseinrichtung positiv geladen und mit einem Original, das ein Hell-Dunkel-Bild aufwies, mit weißem Licht belichtet, und zwar mit 20 lx/s. Nach dem Entwickeln der belichteten Platte unter Verwendung eines negativ aufgeladenen Farbpulvers und mit einem bekannten Verfahren, beispielsweise mit magnetischer Bürste und Kaskadenentwicklung, wurde ein Positiv erhalten, das so klar und deutlich war wie das Originalbild. Auch als die Polarität der Koronaentladung negativ gemacht wurde, wurde in gleicher Weise ein klares und deutliches Negativ erhalten. Bei Projektion der so erhaltenen Bilder unter Verwendung eines Diapositivs waren die projizierten Bilder im wesentlichen frei von auf das Selen zurückgehenden Färbungen und konnten praktisch verwendet werden.

Beispiel 2

Amorphes Selen wurde mit einer Dicke von 1 /um auf einer ausreichend polierten Aluminiumplatte durch Verdampfen im Vakuum niedergeschlagen, und eine Lösung aus 10 Gewichtsanteilen

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Polyacenaphthylen und 50 Gewichtsanteilen Toluol wurde in solcher Menge aufgebracht, daß die Dicke nach dem Trocknen 5-10 /um betrug. Die Platte wurde sodann bei Raumtemperatur vollständig getrocknet, und durch Verdampfen im Vakuum wurde amorphes Selen mit einer Dicke von 0,2 /um darauf niedergeschlagen. Die erhaltene Platte wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 positiv oder negativ aufgeladen, belichtet und entwickelt-, und das entstandene Bild wurde auf weißes Papier übertragen. Es wurde so ein deutliches Bild mit hohem Kontrast erhalten.

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Claims

Pat ent an s. ρ rüche

Lichtempfindliche Platte für Elektrophotographie, die bei Anlegen einer positiven oder einer negativen Ladung empfindlich ist, mit a) einem elektrisch leitenden Substrat, mit b) einer auf diesem ausgebildeten ersten,anorganischen lichtleitenden Schicht, mit c) einer auf dieser ausgebildeten, im wesentlichen lichtdurchlässigen organischen Isolierschicht, und mit d) einer auf dieser ausgebildeten zweiten anorganischen lichtleitenden Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die erste lichtleitende Schicht (2) eine Dicke von vorzugsweise mindestens 0,2 /um hat und vom gleichen Leitfähigkeitstyp (n- oder p-Leitfähigkeitstyp) ist wie die zweite lichtleitende Schicht (4) einer Dicke von vorzugsweise 0,2-1,0 /um; daß bei η-Leitfähigkeit beider Schichten (2, 4) die organische Isolierschicht (3) einer Dicke von vorzugsweise 1-30 /um aus einem organischen Isoliermaterial mit langem Bereich für Elektronen besteht; und daß bei p-Leitfähigkeit beider Schichten (2, 4) die organische Isolierschicht (3) aus einem organischen Isoliermaterial mit langem Bereich für positive Löcher besteht.
2. Lichtempfindliche Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite anorganische lichtleitende Schicht (2, 4) aus dem gleichen anorganischen lichtleitenden Werkstoff bestehen.
3. Lichtempfindliche Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite anorganische lichtleitende Schicht (2,4) aus einem η-leitenden lichtleitenden Werkstoff wie Cadmiumsulfid, Zinkoxid, Zinksulfid, Cadmiumselenid oder Titandioxid bestehen.

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4. Lichtempfindliche Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite anorganische lichtleitende Schicht (2, 4) aus einem p-leitenden lichtleitenden Werkstoff wie Selen oder Selen-Tellur-Legierungen,bestehen.
5. Lichtempfindliche Platte nach Anspruch 1> gekennzeichnet durch eine solche Dicke der zweiten anorganischen lichtleitenden Schicht (4), daß die Durchlässigkeit für sichtbare Strahlen zwischen 50 und 80 % liegt.
6. Lichtempfindliche Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite anorganische lichtleitende Schicht (2, 4) aus einem p-leitenden lichtleitenden Werkstoff bestehen und die organische Isolierschicht (3) aus einem organischen Isoliermaterial der Gruppe N-äthylcarbazöl, Poly-N-Vinylcarbazol, Tetraphenylpyren, Polyacenaphthylen, Perylen, Chrysen, 2,3-Benzochrysen und 6,7-Benzopyren besteht.
7. Lichtempfindliche Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite anorganische lichtleitende Schicht (2, 4) aus einem η-leitenden lichtleitenden Werkstoff bestehen und die organische Isolierschicht (3) aus einem organischen Isoliermaterial wie Polyvinylanthracen, Tetracyanpyren, 2,4,7-Trinitro-9-Fluoren, Dinitroanthracen oder Dinitroakridin besteht.
8. Lichtempfindliche Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite anorganische lichtempfindliche Schicht (2, 4) aus amorphem Selen und die organische Isolierschicht (3) aus Poly-N-Vinylcarbazol bestehen, und daß die zweite lichtempfindliche Schicht

(4) eine Dicke von 0,2-0,5 /um hat.

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