DE2357982A1

DE2357982A1 - Verzoegerungsleitung fuer analoge signale

Info

Publication number: DE2357982A1
Application number: DE2357982A
Authority: DE
Inventors: Guenter Dipl Phys Dr Adam; Hermannus Schat
Original assignee: Deutsche ITT Industries GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 1973-11-21
Filing date: 1973-11-21
Publication date: 1975-05-28
Also published as: IT1025763B; FR2251952A1; US3939364A; JPS5084153A; NL7414834A; DE2357982B2; FR2251952B3

Description

Deutsche ITT Industries GmbH . F.G. Adam et al 26-2 78 Freiburg, Hans-Bunte-Str. 19 Mo/kn

20. November 1973

DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG

FREIBURG I. BR.

Verzögerungsleitung für analoge Signale

Die Erfindung, beschäftigt sich mit einem Problem, das bei Verzögerungslextungen für analoge Signale, die aus einzelnen Stufen nach dem Prinzip der Eimerketten-Verzögerungslextungen oder dem Prinzip der ladungsgekoppelten Verzögerungslextungen aufgebaut sind, dann auftritt, wenn sie mit veränderlicher Taktfrequenz betrieben werden.

Verzögerungslextungen der Eimerkettenart sind beispielsweise aus "IEEE Journal of Solid-state Circuits", Juni 1969, Seiten 131 bis 136 bekannt und weisen eine Vielzahl von gleichartigen Stufen auf, die jeweils aus einem Transistor und einem zwischen dessen Steueranschluß und dessen Kollektoranschluß liegenden Kondensator bestehen und derart hintereinandergeschal· tet sind, daß der Kollektoranschluß des einen mit dem Emitter-

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anschluß des nächstfolgenden Transistors verbunden ist. Dabei werden die Steueranschlüsse der geradzahligen Transistoren von 'einem ersten rechteckförmigen Taktsignal und die Steueranschlüsse der ungeradzahligen Transistoren von einem zweiten rechteckförmi-,-gen und gleichfrequenten Taktsignal gesteuert, dessen wirksame Impulse in den Lücken zwischen den wirksamen Impulsen des ersten Taktsignals· liegen.

Eimerketten-Verzögerungsleitungen können entweder mittels bipolarer monolithisch integrierter Schaltungen oder mittels monolithisch integrierter Isolierschicht-Feldeffekttransistor-Schaltungen realisiert werden.

Verzögerungsleitungen nach dem Ladungskopplungsprinzxp sind beispielsweise aus "Bell System Technical Journal", April 19 70, Seiten 587 bis 600 bekannt und gibt es nur in der Technik der monolithisch integrierten Isolierschicht-Feldeffekttransistoren. Der Unterschied zwischen Verzögerungsleitungen der Eimerkettenart und Verzögerungsleitungen nach dem Ladungskopplungsprinzip besteht darin, daß die bei Eimerketten-Verzögerungsleitungen vorhandenen Diffusionszonen und mit ihnen sowohl die Kondensatoren als auch die Hnitter- und Kollektorzonen entfallen. Die Leitung besteht somit ausschließlich aus eng benachbarten, von den Steuerelektroden gesteuerten Kanalzonen, die durch Überlappung der Potentialmulden aneinandergekoppelt sind. Ladungstransport und Ladungsspeicherung werden ausschließlich von Minoritätsträgern übernommen.

Die Halbleiteroberfläche unter den Elektroden befindet sich dabei im sogenannten tiefen Verarmungszustand (deep depletion mode). Durch ein drittes Taktsignal wird dafür gesorgt, daß zwischen jeweils drei benachbarten Elektroden Potentialabstufungen im Halbleiterkörper entstehen, die die bei Eimerkettenschaltungen in den Kondensatoren erfolgende Ladungsspeicherung übernehmen können.

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Das eingangs erwähnte Problem bei derartigen Verzögerungsleitungen besteht darin, daß bei Betrieb mit veränderlicher Taktfrequenz im verzögerten analogen Ausgangssignal eine unerwünschte Komponente derjenigen Frequenz auftritt, mit der die Taktfrequenz geändert, also moduliert wird. Diese Modulation ist durch eine auftretende taktfrequenzabhängige Pegelstörung bedingt, für die je nach den Betriebsbedingungen· verschiedene Ursachen verantwortlich sein können. .

So kann erstens eine Pegelstörung entstehen, wenn die Phasenlage der Taktsignale von der Taktfrequenz abhängt und wenn zugleich eine Überschneidung der Impulsflanken oder ein Überschwingen der Taktsignale auftritt. Durch eine genaue Taktsignalaufbereitung kann diese Ursache weitgehend, jedoch nicht ganz vermieden werden.

Eine weitere unvermeidliche Ursache für Pegelstörungen, besonders bei höheren Taktfrequenzen, ist zweitens die taktfrequenzabhängige Restladung., die im Kondensator jeder Stufe nach dessen Umladung zurückbleibt.

Drittens ist es bei niederen Taktfrequenzen und bei höheren Temperaturen ebenfalls unvermeidlich, daß sich eine Pegelstörung durch Abwanderung des Gleichpegels von Stufe zu Stufe infolge von Ladungszufluß über Sperrströme bemerkbar macht. Schließlich führen viertens bei Verzögerungsleitungen, die mittels monolithisch integrierter Isolierschicht-Feldeffekttransistoren, also mittels der sogenannten MOS-Technik, realisiert sind, Oberflächenzustände unter der Oxydschicht der Steuerelektrode der Transistoren durch Aufladung während ihrer Einschaltphase und durch mehr oder weniger vollständige Entladung während ihrer Ausschaltphase zu einer kumulativen, d.h. von der Stufenzahl abhängigen Pegelabwanderung, die ebenfalls frequenzabhängig ist und die in entgegengesetzter Richtung wie die erwähnte sperrstrombeäingte Abwanderung vor sich geht.

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Aus der Zeitschrift "IEEE Journal of Solid-state Circuits", April 1973, Seiten 157 bis 168, insbesondere Seite 167, Fig.IQ, ist es bekannt, das Problem, solche Störungen zu kompensieren, dadurch zu lösen, daß eine zweite Verzögerungsleitung gleicher Stufenzahl der störungsbehafteten Verzögerungsleitung parallelgeschaltet wird, wobei das Signal jeweils vor dem Eingang und hinter dem Ausgang einer der beiden Leitungen invertiert wird und das kompensierte Signal durch Addition schließlich gewonnen wird.

Diese Lösung des erwähnten Problems ist jedoch sehr aufwendig und führt somit auch zu einem großen Flächenbedarf der entsprechenden integrierten Schaltung. Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, das erwähnte Problem auf neue Art unter Verringerung des Schaltungsaufwändes zu lösen. Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 gekennzeichnete Erfindung gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung wird nun anhand von in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Fig. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand einer mittels MOS-Transistoren realisierten E imerketten-Ver ζ ögerungsIeitung,

Fig. 2 zeigt in mehr schematisierter Darstellung eine Weiterbildung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1,

Fig. 3 zeigt ein Potentialdiagramm der Anordnung nach Fig. 2 bei symmetrischer Pegelstörung,

Fig. 4 zeigt ein Potentialdiagramm der Anordnung nach Fig. 2 bei unsymmetrischer Pegelstörung#

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Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung und

Fig. 6 zeigt eine sogenannte Duplexleitung nach dem in Fig. 2 dargestellten Prinzip.

Mittels des in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiels der Erfindung können die oben erwähnten beiden ersten Störungsursachen beseitigt werden, da diese unabhängig von der Stufenanzahl der Verzögerungsleitung, d.h. nichtkumulativ und in jeder Stufe gleich groß sind. Die Kompensation dieser beiden Störungen kann daher entsprechend der Erfindung an einer beliebigen Stelle innerhalb der Verzögerungsleitung erreicht werden, wodurch die getrennte Aufbereitung eines Korrektursignals zur Kompensierung der Störungen überflüssig wird, denn die invertierte Störung selbst wird zu der hinter der Inverterstufe neu entstehenden Störung addiert und führt damit zur Kompensation der Störung unabhängig von ihrem funktioneilen Zusammenhang mit der Taktfrequenz .

Als Ausführungsbeispiel hierzu ist in Fig. 1 eine nach dem Eimerkettenprinzip aufgebaute Verzögerungsleitung VL gezeigt. Von den η verzögernden Stufen sind in der Figur die Stufen 0, 1, 2, 3, 4, n-2, n-1 und η " mit den Transistoren T , T₁, T₂, T₃, T₄, T_n-2, Τ_η__χ, T_n, T_y und T_z gezeigt. Die Transistoren T , T stellen den Abschluß der Leitung VL dar. Das verzögerte Signal wird zwischen den Transistoren T und T der Leitung entnommen und dem Steueranschluß des Impedanzwandlers T_Ä zugeführt. R ist dessen Lastwiderstand. Das Ausgangssignal u_a wird am Ausgang A abgenommen. Die zu den Transistoren T₁ bis T und zu T gehörenden Kondensatoren C sind jeweils zwischen den Steueranschluß und den Kollektoranschluß der Transistoren geschaltet. An den Steueranschlüssen der ungeradzahligen Transistoren liegt das Taktsignal 0, und an den Steuerelektroden der geradzahligen Transistoren das Taktsignal 0₂·

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Dem Emitteranschluß des Transistors T_Q ist einerseits über den Eingangskondensator C^_n. das zu verzögernde Eingangssignal u_ und andererseits, gegebenenfalls über den Widerstand Rp₀, das Eingangsgleichpotential U_ zugeführt. Der zum Transistor T_Q gehörende Kondensator C liegt zwischen dem Kollektoranschluß und dem Schaltungsnullpunkt.

Der Kollektoranschluß des letzten Transistors T der Verzögerungsleitung VL ist mit seinem Steueranschluß verbunden und bildet somit den gleichspannungsmäßigen Abschluß der Verzögerungsleitung.

Der zeitliche Verlauf der beiden Taktsignale 0.. , 0„ ist in Fig. 1 links unten schematisch dargestellt. Wie eingangs bereits erwähnt, sind die Taktsignale rechteckförmig, wobei die wirksamen Impulse des einen in den Lücken zwischen den wirksamen Impulsen des anderen Taktsignals liegen. Die Amplitude der Taktsignale ist mit ü_c bezeichnet und die Frequenz mit f .

Entsprechend der Erfindung ist nun die Verzögerungsleitung VL zwischen den Transistoren T , und T aufgetrennt und an dieser

n-1 η

Trennstelle die Inverterstufe I eingefügt. Sie besteht aus dem Verstarkertransistor T und aus dem als Arbeitswiderstand die-

nenden Transistor T, , der mit seinem gesteuerten Strompfad zum gesteuerten Strompfad des Transistors T in Serie geschaltet ist.

Der Lasttransistor T, und damit der gesamte Inverter wird von der Betriebsspannung U gespeist, während an der Steuerelektrode des Lasttransistors die Gleichspannung U angeschlossen ist. Ober diese Gleichspannung kann der Verstärkungsfaktor des Inverters I im Bedarfsfalle beeinflußt werden.

Am Verbindungspunkt zwischen dem Kollektoranschluß des Transistors T _, und dem Invertereingang sind die zwei Eimerketten-

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Abschlußstufen T , und T , angeschlossen, die in gleicher Weise geschaltet sind wie die Abschlußtransistoren T und T am Ende ³ y ζ

der Gesamtleitung. Die Transistoren T , und T , dienen zum gleichstrommäßigen Abschluß des Leitungsabschnittes, der vor ,der Trennstelle, also der Inverterstufe I, liegt.

Außerdem wird zwischen den Inverterausgang, also den Kollektor des Transistors T , und den Transistor T noch eine normale

a n

Eimerketteneingangsstufe dazwischengeschaltet. Diese besteht aus der Serienschaltung von Kapazität C- und gesteuertem Strompfad des Transistors T_Q,, deren gemeinsamem Verbindungspunkt über einen sehr hochohmigen Widerstand R^, (Größenordnung einige Megohm) das Eingangsgleichpotential U_ zugeführt ist. Der \ Verbindungspunkt zwischen den Transistoren T_Q, und T ist über die Kapazität C , mit dem Schaltungsnullpunkt oder einem anderen Festpotential verbunden.

Die Zeitkonstante R^,C , muß größer sein als die Periodendauer der störenden Frequenz, mit welcher die Taktfrequenz moduliert ist. Die Größe von C , wird daher einige Nanofarad oder mehr betragen. Deshalb kann CL₁-, im allgemeinen nicht mitintegriert werden; die Anschlüsse für CL,, werden daher nach außen geführt.

Die Transistoren T und T .· sind genauso geschaltet wie normale Eimerkettenstufen, d.h. die Steuerelektrode ist mit derjenigen Taktleitung verbunden, die auch mit der Steuerelektrode des zweiten vorausgehenden Transistors verbunden ist. Die Steuerelektrode des Transistors T liegt somit zusammen mit der des Transistors T .. am Taktsignal 0„, während die des Transistors T » zusammen mit der des Transistors T _₂ am Taktsignal 0, liegt.

Die Steuerelektroden der Transistoren T , T , sind außerdem über je eine Kapazität C mit dem Verbindungspunkt zwischen den Transistoren T bzw. T , und T bzw. T , verbunden. Die St'euery yJ. ζ zi

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elektroden der Transistoren T , T .. sind mit jeweils dem anderen Taktsignal und direkt mit dem Kollektoranschluß des Transistors T bzw. T , verbunden. Der Transistor T wird somit vom Taktsignal 0, und der Transistor T , vom Taktsignal 0 gesteuert.

Das Ausgangssignal wird zwischen T und T abgenommen. Der Verbindungspunkt zwischen T und T ist deshalb verbunden mit dem Steueranschluß des Transistors T^, dessen Kollektoranschluß mit der VersorgungsSpannungsquelle U_B und dessen Emitteranschluß A über den Lastwiderstand R mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden ist. T_A und R- stellen einen Impedanzwandler, bei bipolaren Transistoren also einen Emitterfolger, dar. Das verzögerte Signal wird am Ausgang A herausgeführt.

Liegen lediglich Pegelstörungen der eingangs erwähnten ersten und zweiten Art vor, so kann die Inverterstufe auch zwischen zwei beliebigen anderen verzögernden Stufen angeordnet werden.

Bei Pegelstörungen der eingangs erwähnten dritten und vierten Art wird die Invertierung bzw. Spiegelung am besten jedoch in der Mitte der Leitung zwischen den Stufen T ,_ und T /₂₊i vorgenommen, wobei η als geradzahlig vorausgesetzt ist. In diesem Fall wächst nämlich die Störung von Stufe zu Stufe, ist also kumulativ, und erreicht in der Mitte der Leitung die Hälfte des Wertes am Ausgang. Durch die Inversion in der Mitte kompensiert sich die Störung gerade am Ausgang, wenn die Störung jeder Stufe um den gleichen Betrag, d.h. längs der Leitung linear, wächst. Diese Linearität ist unter umständen nicht immer erfüllt, weshalb es zweckmäßig ist, den Verstärkungsfaktor des Inverters einstellbar zu machen, was mittels der am Steueranschluß des Lasttransistors T, liegenden Spannung D erreicht werden kann. Damit ist es möglich, eine eventuelle Unsymmetrie zwischen der vorderen und der hinteren Leitungshälfte bezüglich der Sperrströme oder der Oberflächenzustände auszugleichen.

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In Fig., 2 ist als Beispiel für diese Ausführungsform der Erfindung eine Verzögerungsleitung gezeigt, die in die beiden Hälften VL, und VL_ aufgeteilt ist. Die eigentliche Verzögerungsleitung ist dabei in Form der beiden Blöcke n/2 nur schematisch gezeigt. Der Inverter I. liegt zwischen den beiden Leitungshälften VL,

und VL,.. Der Inverter I₁ besteht aus den Transistoren T -. und T,,. 2 L al b-L

Der Steueranschluß des Lasttransistors T. wird von der Spannung U , + Δυ , gespeist, wobei der Anteil Δϋ den Unsymmetrieausgleich vornimmt. Der hintere Teil n/2 der Leitung ist wieder über das RC-Glied Rg-, , C , an den Inverter I, geschaltet, wobei der Vortransistor T , mit Kondensator C_Ql nach Fig. 1 nicht gezeichnet, jedoch vorhanden ist.

Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 ist anstatt der Impedanzwandlerstufe mit dem Transistor T nach Fig. 1 ein weiterer als Verstärker dienender Inverter I_ mit den Transistoren T _o und T, „ vorgesehen. Der Steueransehluß des Lasttransistors T, ₂ ^ist der Gleichspannung U₂+ Au₂ gespeist, so daß über die damit bewirkte Verstärkerfaktorsteuerung eine gewünschte Verstärkung des verzögerten Ausgangssignals u, erreicht werden kann. An der Trennstelle ist der vordere Teil n/2 der Leitung mit den den Transistoren T ,, T _ nach Fig. 1 entsprechenden Transistoren abgeschlossen, was jedoch nicht gezeichnet ist.

Die Fig. 3 zeigt in Form eines Pegeldiagrammes die Kompensation der erwähnten symmetrischen Pegelstörungen bei den drei verschiedenen Taktfrequenzen f , , f _ und f-_r,· Wie aus der Fig. 3 ersichtlich, wird an der Trennstelle nach n/2 Stufen aus einer negativ gerichteten Pegelstörung eine um den gleichen Betrag er~ höhte gegensinnige Abweichung erzeugt, die nach η Stufen die Störung wieder auf den Ausgangspegel U₀ zurückführt.

In Fig. 4 ist ein weiteres Pegeldiagramm gezeigt, und zwar für den Fall unsymmetrischer Pegelstörung. In diesem Falle ist mittels des Spannungsanteils Δ U , der Verstärkungsfaktor des Inverters I, auf den Quotienten der beiden Abweichungen Δ u~/ Au, einzustellen. 509822/0451

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Setzt sich die Pegelstörung im Gegensatz zu den bisherigen Annahmen aus einer nichtkumulativen und aus einer kumulativen Komponente mit verschiedenen Frequenzabhängigkeiten zusammen, so reichen die bisher angegebenen Maßnahmen im einzelnen nicht mehr aus. Zur Lösung dieses Problems invertiert man nach dem in Fig. 5 gezeigten Ausführungsbeispiel zunächst ganz am Anfang der Leitung, wo die kumulative Störung noch vernachlässigbar ist,

also beispielsweise wie in Fig. 5 gezeigt zwischen· der ersten und der zweiten verzögernden Stufe. An dieser Stelle, also zwischen den Transistoren T, und T₃, sind demzufolge der Inverter I, und die Leitungseingangsschaltung mit C_,, R-,, T , und C_Q, eingefügt sowie der Leitungsabschluß des vorderen Teils mit den Transistoren T , , T , vorgesehen.

Mit der Inverterstufe I- wird die nichtkumulative Komponente' kornpensiert. Die verbleibende kumulative Komponente wird wie beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 etwa in der Mitte der Leitung, also zwischen den Stufen T ._ und T /~.τ# kompensiert, wobei im Bedarfsfalle bei Unsymmetrie der Leitungshälften mit Verstärkungsfaktoreinstellung über die Steuerspannttng ü auch die kumulative

Störung völlig beseitigt werden kann. Die Inverterstufe I„ besteht aus den Transistoren T „, T, _, deren Ausgangssignal über das RC-Glied Rg₂* ^C _E2 ^{dem dem} Transistor T /₂+i vorgeschalteten Transistor T_Q2 mit Kondensator C _ zugeführt ist. Der mittlere Teil der Leitung ist mit den Transistoren T _, T ₂ abgeschlossen.

Bei längeren Verzögerungsleitungen und relativ großer kumulativer Pegelstörung kann diese mit einer einmaligen Inversion in der Mitte der Leitung nicht beseitigt werden, insbesondere nämlich dann nicht, wenn die Störung vergleichbar oder größer als der Aussteuerungshub der Leitung ist. In solchen Fällen hilft eine zwei- oder mehrmalige Inversion. Bei k-maliger Inversion, wobei die Inversion nach der ersten Stufe, die zur Eliminierung der nichtkumulativen Komponente dient, nicht mitgezählt ist, und

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bei einer Verzögerungsleitung mit η Stufen setzt man die erste Inverterstufe nach der Stufe n/2k ein, während die restlichen k-1 Inverterstufen jeweils im Abstand von n/k Stufen eingefügt werden. Die Verstärkungsfaktoreinstellung braucht dann im allgemeinen nur bei der letzten Inverterstufe vorgenommen zu werden, um eine eventuelle Reststörung infolge ungleichmäßiger Störungsverteilung entlang der Leitung zu beseitigen.

In Fig. 6 ist die Anwendung des Ausführungsbeispiels nach Fig. auf eine sogenannte Duplex-Verzögerungsleitung gezeigt. Mit einer Duplex-Verzögerungsleitung ist es möglich, bei gleicher Verzögerungszeit und gleicher Taktfrequenz im Vergleich zur einfachen Leitung (Simplex-Leitung) die doppelte Signalbandbreite zu erzielen. Das charakteristische Merkmal einer Duplex-Leitung ist, daß gleichartige Stufen beider Leitungen von je einem der beiden Taktsignale, d.h. also etwa die Stufe η der .einen Leitung vom Taktsignal 0, und die gleiche Stufe der anderen Leitung vom Taktsignal 0_, gesteuert werden. Dies ist im schematischen Schaltbild der Fig. dadurch zum Ausdruck gebracht, daß die zu den Leitungsteilen VL,, VLp bzw. VL-I, VLi führenden Taktsignalleitungen zwischen den zur einen Hälfte gehörenden Teilen VL-, , VL₂ bzw. VLi, VLi gekreuzt sind.

Die entsprechenden Inverterstufen I, und Il sind wieder in der Mitte der jeweiligen Hälfte nach n/2 Stufen wie beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 eingefügt, wobei die Steueranschlüsse der Lasttransistoren wiederum mit entsprechend variabler Spannung ü , + Δ U₁ bzw. U^ + Δ U^ ansteuerbar sind, an der Trennstelle die vorderen Teile entsprechend abgeschlossen sind und die hinteren Teile über eine Stufe T_Q,, C , angesteuert zu denken sind.

Am Ausgang der beiden Duplex-Leitungshälften ist jeweils der weitere Inverterverstärker I₂ bzw. I' nach Fig. 2 wiederum vorgesehen, dessen Verstärkungsfaktor ebenfalls über die Spannungen

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U ~ + Δϋ , bzw. U' + ΔU¹ _ο einstellbar ist. Am Ausgang der c2 c2 c2 cz

beiden Verstärker I_, I' sind die beiden Impedanzwandlerstufen T_n, T' als Addierschaltung angeschlossen, deren Ausgänge zum gemeinsamen Signalausgang u führen. Durch die beiden Verstärker I , I' und deren einstellbaren Verstärkungsfaktor wird außerdem eine optimale Taktunterdrückung im Ausgangssignal ermöglicht .

In den Ausführungsbeispielen nach den Fig. 1, 2, 5 und 6 sind als Transistoren integrierte Isolierschicht-Feldeffekttransistoren gezeichnet, wobei durch Weglassen des Substratpfeiles angedeutet ist, daß im allgemeinen Fall entweder nur p-Kanal- oder nur n-Kanal-Transistoren verwendet werden. Anstelle von integrierten Isolierschicht-Feldeffekttransistoren können selbstverständlich auch bipolare Transistoren verwendet werden.

Anstelle der gezeigten Inverterstufen können auch als Inverterstufen geschaltete Differenzverstärker eingesetzt werden, deren einer Eingang dann auf geeignetem Potential liegen muß.

Durch die Erfindung wird somit in wenig aufwendiger Weise ermöglicht, die taktfrequenzabhängigen Pegelstörungen von Verzögerungsleitungen zu kompensieren. Insbesondere ist es nicht erforderlich, eine zweite Verzögerungsleitung zur Nachbildung des gestörten Signals heranzuziehen, wie es vom Stand der Technik noch gelehrt wird.

11 Patentansprüche

4 Blatt Zeichnungen mit 6 Figuren

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Claims

1. Verzögerungsleitung für analoge Signale, die aus einzelnen Stufen nach dem Prinzip der Eimerketten-Verzögerungsleitungen oder nach dem Prinzip der ladungsgekoppelten Verzögerungsleitungen aufgebaut ist und der im Betrieb ein Eingangsgleichpotential und das diesem überlagerte zu verzögernde Signal sowie Taktsignale zugeführt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Verzögerungsleitung zwischen deren erster und letzter Stufe mindestens einmal aufgetrennt ist und an der (den) Trennstelle(n) eine Inverterstufe(n) eingefügt ist (sind), die das signal- und störungsbehaftete Potential der Verzögerungsleitung bezüglich des Eingangsgleichpötentialpegels (U_Q) invertiert (invertieren).

2. Verzögerungsleitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine einzige Inverterstufe etva in der Mitte der Verzögerungsleitung eingefügt ist.

3« Verzögerungsleitung mit einer beliebigen Anzahl (n) von Stufen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere (k) Inverterstufen eingefügt sind, deren erste nach etwa der (n/2k)ten Stufe und deren weitere in Abständen von jeweils etwa n/k Stufen eingefügt sind.

4. Verzögerungsleitung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß an deren Anfang eine weitere Inverterstufe eingefügt ist.

5. Verzögerungsleitung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Inverterstufe zwischen der ersten und zweiten verzögernden Stufe eingefügt ist.

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6. Verzögerungsleitung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,, daß mindestens eine der Inverterstufen zugleich mit einstellbarem Verstärkungsfaktor verstärkt.

7. Verzögerungsleitung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß sie an der Verbindungsstelle
zwischen der (den) Inverterstufe(n) und ihrem jeweiligen
vorausgehenden Teil wie an ihrem Ende abgeschlossen ist
und daß zwischen der (den) Inverterstufe(n) und ihrem jeweiligen nachfolgenden Teil eine Eingangsschaltung wie an ihrem Anfang vorgesehen ist.

8. Verzögerungsleitung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß an deren Ausgang ein invertierender oder nichtinvertierender Verstärker mit einstellbarem Verstärkungsfaktor angeschaltet ist.

9. Verzögerungsleitung nach Anspruch 8 mit zwei bezüglich
gleichartiger Stufen gegenphasig getakteten Verzögerungsleitungen als Duplex-Leitung, dadurch gekennzeichnet, daß mittels der beiden am Ausgang jeder Verzögerungsleitung angeordneten Verstärker die Signalamplituden beider Verzögerungsleitungen auf gleiche Größe eingestellt sind und daß die Ausgangssignale der Verstärker einer Addierschaltung
zugeführt sind.

10. Verzögerungsleitung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Inverterstufe Differenzverstärker eingesetzt sind.

11. Verzögerungsleitung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß als aktive Bauelemente integrierte Isolierschicht-Feldeffekttransistoren dienen.

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