DE2351056A1 - Verfahren zum ausrichten und befestigen von elektronischen schaltungen auf einem substrat - Google Patents
Verfahren zum ausrichten und befestigen von elektronischen schaltungen auf einem substratInfo
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Description
Aktenzeichen der Anmelderin; EN 972 031
Verfahren zum Ausrichten und Befestigen von elektronischen Schaltungen auf einem Substrat
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausrichten und Befestigen
von miniaturisierten elektrischen Schaltungen, V7ie z.B. monolithische
Halbleiterschaltungen, Dünnfilmschaltungen oder mikroelektronischen Bauelementen auf einem Substrat. Der Zusammenbau von solchen
miniaturisierten Schaltungen ist langsam und auf v/endig, v/eil diese Schaltungen wegen ihrer geringen Größe eine Ausrichtung und
Abstützung während ihrer Befestigung außerordentlich erschweren. Obgleich diese Schaltungen in bezug auf ihre endgültige Position
richtig ausgerichtet werden können, erfordert doch das Beibehalten dieser Ausrichtung entsprechend kleine, außerordentlich
präzise arbeitende Vorrichtungen, die auch während der mehrfachen Erwärmungszyklen zur zuverlässigen Befestigung dieser Schaltkreise
eine entsprechende Stabilität aufweisen.
Jede solche miniaturisierte Schaltung v/eist gewöhnlich eine Reihe
von nach unten gerichteten Anschlüssen auf, die gleichzeitig an elektrische Leitungszüge auf einem Substrat mit einer darauf
befindlichen gedruckten Schaltung angelötet werden müssen. Diese Schaltungsplättchen sind oft nicht größer als 3 . 3 mm und
weisen an jeder Kante sechs bis zehn Anschlüsse auf. Die Ausrich-
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tung muß daher innerhalb sehr enger Toleranzen beibehalten werden.
Diese Vorrichtungen v/erden oft während der Ausrichtung und Befestigung
entweder durch eine Miniaturvakuumhalterung oder aber durch ein klebriges Material, wie z.B. ein Lötflußraittel, ausgerichtet
gehalten. Es ergeben sich jedoch häufig Schwingungen und Fehlausrichtungen, wenn das schmelzbare Material,, gewöhnlich Lot,
sich im geschmolzenen Zustand befindet. Die Anschlüsse können
entweder nicht zueinander passen oder zwischen benachbarten auf dem Substrat liegenden Anschlußlaitungen Kurzschlüsse hervorrufen.
Um diese Schwierigkeit zu beseitigen, wurde bereits vorgeschlagen,
die gesamte Oberfläche des Substrats mit einem photoempfindlichen Material, wie z.B. einem üblichen Fhotolack zu überziehen, der
dann selektiv belichtet und entwickelt wird und am Ort der Halbleiterplättchen entsprechende Ausnehmungen ergibt. In diese
freien Flächen werden dann die verschiedenen elektrischen Schaltungen eingepaßt,- die genau in die äußeren Abmessungen dieser
Ausnehmungen hineinpassen. Auf diese Weise v/erden die elektrischen Schaltungen während der nachfolgenden Befestigung an ihren elektrischen
Anschlüssen ausgerichtet gehalten.
Dieses Verfahren ist jedoch für das Aufbringen und Ausrichten integrierter Halbleiterplättchen nicht geeignet, da diese rauhe
Kanten aufweisen, da sie aus einer größeren Scheibe, beispielsweise mit Hilfe eines Laserstrahls, herausgeschnitten worden sind.
In diesen Fällen ergeben die ungleichmäßigen Kanten keine zuverlässige Ausriehtfläche, so daß die -liniaturkontakte während der
Befestigung nicht richtig ausgerichtet gehalten werden können. Die Unterschiede an den Kanten solcher Halbleiterplättchen sind
ausreichend groß, daß die verschiedenen Halbleiterplättchen nicht in vorgeformte Vertiefungen passen. Ist die Vertiefung groß genug,
uia auch alle möglichen Maßabweichungen der Halbleiterplättchen mit aufzunehmen, dann ist eine Fehlausrichtung bei einigen der
Halbleiterplättchen möglich.
Vakuumgreifwerkzeuge wurden oft zur genauen Einstellung von KaIb-
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leiterplättchen während ihrer Befestigung an den Leiterzügen benutzt, um das Gewicht des Halbleiterplättchens während der Befestigung
nicht auf den geschmolzenen Lötstützpunkten ruhen zu lassen, um dadurch möglichst hohe Lötstiftchen zu erzielen. Wenn
das die elektrische Verbindung herstellende schmelzbare Material relativ hoch ist, dann können größere Unterschiede im Ausdehnungskoeffizienten
zwischen dem Halbleiterplättchen und seinem Substrat zugelassen werden, ohne daß dadurch die Lötverbindungen beschädigt
v/erden. Es ist daher erwünscht, die relativ kurzen dicken Lötverbindungen zu vermeiden, die keine große Nachgiebigkeit aufweisen,
falls sich zwischen Kalbleiterplättchen und Substrat eine geringe Relativbewegung ergibt.
Aufgabe der Erfindung ist es also, ein verbessertes Verfahren zum Ausrichten für die Befestigung von Halbleiterplättchen am Ort
ihrer Befestigung zu schaffen, ohne daß man dabei von den Kanten des Halbleiterplättchens selbst abhängt und trotzdem eine größere
Genauigkeit bei der Ausrichtung zusammengehöriger Kontakte erzielt.
Dies läßt sich gemäß der Erfindung dadurch erreichen, daß man die Oberfläche des Substrats an den Orten der Befestigung für
die integrierten Halbleiterplättchen mit einem Überzug versieht, der eine Art Sockel für das Halbleiterplättchen oberhalb des Befestigungsortes
bildet. Das übrige Material des Überzugs wird von der Substratoberfläche entfernt. Die Sockel sind so geformt,
daß die Leiterzüge auf dem Halbleiterplättchen und die entsprechenden
sich nach unten erstreckenden Anschlüsse nicht erfaßt v/erden, so daß zwischen beiden schmelzbare Verbindungen hergestellt
werden können. Umfang, Größe und Form der Sockel sind dabei so gewählt, daß die sich nach unten erstreckenden Anschlüsse
des Ilalbleiterplättchens an der Kante des Sockels anliegen und
daher mit den entsprechenden Leiterzügen auf dem Substrat genau ausgerichtet sind.
Die Höhe des Sockels kann während der Herstellung geändert wer-
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den, um das Halbleiterplättchen bei entsprechenden verschiedenen
Höhen oberhalb der Leiterzüge abzustützen. Das Material für den
Sockel ist vorzugsweise ein Polymeres, das in der Wärme plastisch wird und doch elastisch genug ist, um während des Abkühlens ungefähr
wieder seine frühere Stärke zu erreichen. Der Sockel wird ausreichend hoch gemacht, damit das kalte Halbleiterplättchen
nicht in Berührung mit den entsprechenden Leiterzügen auf dem Substrat ist. Während der Erwärmung erweicht der Sockel so weit,
daß unter Anwendung eines leichten zusätzlichen Druckes von der Wärmequelle die zusammengehörenden Anschlüsse und Leiterzüge
sich gegenseitig berühren und sich durch Schmelzen miteinander verbinden. Danach nimmt der Sockel während der Abkühlung und nach
Wegnahme der zusätzlichen Kraft etwa v/ieder seine ursprüngliche
Stärke an, so daß sich dadurch langgestreckte stiftartige Verbindungen ergeben.
Eine Abwandlung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht eine Stützwand
vor, die die Unterseite des Halbleiterplättchens unterstützt, jedoch an den äußeren Kanten oder Seiten der nach unten gerichteten
elektrischen Anschlüsse. In diesem Fall werden in dem Stützmaterial Bohrungen zum Entweichen von Gas vorgesehen, um während
der Aufheizung des Halbleiterplättchens den darunter entstehenden überdruck abzuleiten.
Die Erfindung hat den Vorteil, daß übliche Photolacke für die Ausrichtung als Stützsockel benutzt werden können. Diese Materialien
können in ihrer Stärke verändert werden und haben die während der Erwärmung erforderliche Elastizität zur Herstellung der
elektrischen Verbindung und zur anschließenden Rückkehr in ihren Ausgangszustand oder ihre anfängliche Stärke. Dieses Material
gestattet außerdem ein leichtes genaues und einfaches Anbringen durch übliche Maskenverfahren mit Belichtung und Entwicklung
zur Bildung der Sockel. Der innenliegende Sockel dient auch als Sperre für das Lötmaterial auf darunter verlaufenden Leitungszügen und gestattet eine visuelle überprüfung der Ausrichtung
von elektrischen Anschlüssen und Leitungszügen vor der Befestigung.
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Zusätzlich dazu unterstützt der Sockel auch die örtliche Begrenzung
der Wärme an den Lötverbindungen und gestattet ein leichtes Entfernen des Lötflußmittels. Die Erfindung hat den weiteren
Vorteil, daß der Sockel nach Befestigung der Halbleiterplättchen, falls dies erwünscht ist, leicht entfernt werden kann. Mit dem
hier offenbarten Verfahren wird also keine Ausrichtung von Halbleiterplättchen und Leitungszügen mit Hilfe der rohen Kanten
des Plättchens versucht, so daß sich eine erhöhte Genauigkeit ergibt. Sine Übereinstimmung des Plättchens mit der Form des Sockels
ist leichter dadurch sicherzustellen, daß man die elektrischen Anschlüsse des Halbleiterplättchens als Ausrichtflächen benutzt.
Die Erfindung wird nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen näher beschrieben.
Dabei zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Teils eines
Schaltungssubstrats mit.einem darüber befindlichen von einem Sockel getragenen Halbleiterplättchen
gemäß der Erfindung,
Fig. 2 bis 4 Querschnittsansichten eines Ilalbleiterplättchens
und eines zugehörigen Substrats mit Leitungszügen zur Darstellung der einzelnen Verfahrensschritte
zur Befestigung des Halbleiterplättchens an den Leitungszügen des Substrats bei der Erwärmung
des Sockels zur Ermöglichung schmelzbarer Verbindungen an seinen äußeren Umfang,
Fig. 5 eine Querschnittsansicht einer weiteren Aus
führungsform der Erfindung, bei der der Stützsockel während der Befestigung an den äußeren
Flächen der elektrischen Anschlüsse des Halbleiterplättchens angreift und
Fig. 6 eine Querschnittsansicht einer weiteren Ausfüh-
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rungsforn der Erfindung unter Verwendung einer
Anzahl kleinerer Stützsockel zum Abstützen und Ausrichten eines Halbleiterplättchens.
In Fig. 1 ist ein Teil eines Substrats 10 gezeigt, auf dem gedruckte
Leitungszüge 11 angebracht sind, mit einem Halbleiterplättchen 12, das auf einem Stützsockel 13 liegt. Der Stützsockei
dient zur Ausrichtung der mit Lot überzogenen Anschlüsse 14 mit den Lötstützpunkten 15 auf den Leitungszügen. Das Substrat kann
beispielsweise aus einem keramischen Material oder aus mit Epoxydharz getränktem Glasfasermaterial bestehen, während die
elektrischen Leitungszüge 11 gewöhnlich aus Kupfer bestehen. Die nach allen Richtungen abgehenden Leitungszüge können bis unter
das Halbleiterplättchen 12 geführt sein und dort Lötstützpunkte 15 aufweisen, die der Verbindung mit entsprechenden sich auf der
Unterseite des ITalbleiterplättchens 12 nach unten erstreckenden
elektrischen Anschlüssen 14 dienen. f!it anderen Porten, können
die Leitungszüge unterhalb des Halbleiterplättchens von einer Seite nach der anderen verlaufen, in Lötstützpunkten 15 endigen
oder mit anderen Leitungszügen unterhalb des Halbleiterplättchens
verbunden sein.
Das Halbleiterplättchen wird gewöhnlich aus einer größeren Halbleiterscheibe
herausgeschnitten, indem zunächst die Halbleiteroberfläche längs der Seiten 16 angerissen wird und dann das HaIb-leiterplättchen
von seinem Ilachbarplättchen längs der Kante 17 abgebrochen wird. Das ergibt eine rauhe, gebrochene Kante, die
in ihren Abmessungen um einige zehntel Millimeter schwanken kann. Das Schaltungsplättchen, wie das Plättchen 12 kann eine Anzahl von
elektrischen Anschlüssen 14 aufweisen, die gewöhnlich in Forr.i
eines Dreiecks oder eines Vierecks längs der Unterseite des Halbleiterplättchens angeordnet sind. Diese Anschlüsse können
entweder plattiert oder in geschmolzenes Lot eingetaucht sein und ihre Abmessungen sind im aligemeinen recht gleichförmig. Die
Größe der elektrischen Anschlüsse kann entsprechend der für die Bildung der Anschlüsse zur Verfügung stehenden Fläche variiert
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werden, doch ist ihr Durchmesser im allgemeinen nicht größer als 0,25 mm oder weniger, wie auch die entsprechenden Lötstützpunkte
15. Man sieht daher, daß die Ausrichtung von zusammengehörigen Anschlüssen und Lötstützpunkten eine sehr genaue Ausrichtung
erfordert.
Um diese genaue Ausrichtung sicherzustellen, wird ein genau ausgerichteter
Stützsockel 13 gebildet, der genau in die durch die nach unten ragenden Anschlüsse 14 umgrenzte Fläche paßt, welche am Umfang
des Kalbleiterplättchens herausragen. Der Stützsockel kann
aus den verschiedensten Materialien bestehen, besteht aber vorzugsweise aus einem Polymeren, das nach Herstellen der Lötverbindungen
aufgelöst und entfernt v/erden kann. Für die Herstellung dieser Stützsockel besonders geeignete Materialien sind die handelsüblich
erhältlichen Photolacke, wie sie beispielsweise unter der Bezeichnung Laminar H.S. von der Dynachem Corporation in Santa Fe Springs,
Kalifornien oder unter dem Warenzeichen Riston der Firma E. I. Du Pont de Nemours in Wilmington, Delaware vertrieben
werden.
Der Photolack wird zur genauen Herstellung der Stützsockel an den gewünschten Punkten aufgebracht, belichtet und entsprechend den
Herstelleranweisungen entwickelt bevor die Halbleiterplättchen aufgebracht werden. Die Belichtung wird gewöhnlich mit Hilfe einer
Maske durchgeführt. Mit dem üblichen negativen Photolack liefert die Belichtung ein relativ unlösliches Polymeres in der Entwicklerlösung,
während das nicht belichtete Material durch die Entwicklerlösungen
leicht abgewaschen und entfernt werden kann.
Beispielsweise wurde das filmartige Resistmaterial auf einer
2 erwärmten Schaltungsplatte mit 5,6 kp/cm aufgebracht, mit einer
2500 Watt Lichtbogenlampe für etwa 60 Sekunden belichtet und anschließend für etwa 70 Sekunden in Trichloräthylen entwickelt,
um nicht belichtetes Material zu entfernen. Die Belichtungszeit schwankt mit der Stärke des Überzugs an Photoresistmaterial.
Der Stützsockel 13 wird so belichtet, daß seine Form dem innenliegenden
Bereich entspricht, der durch die Anschlüsse 14 ge-
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bildet ist und soll vorzugsweise an den inneren Flächen der elektrischen Anschlüsse 14 anstoßenf so daß das Halbleiterplättchen
praktisch wenig oder gar keine seitliche Bewegungsfreiheit hat, wenn es unbefestigt auf dem Stützsockel liegt. Die Erfahrung
hat gezeigt, daß in der Herstellung die elektrischen Anschlüsse 14 ganz genau angebracht werden können und daß die Position der
elektrischen Anschlüsse größere Zuverlässigkeit der Ausrichtung ergibt als die roh gebrochenen Kanten 17 am Umfang des Halbleiterplättchens.
Die meisten Photoresiste oder Photolacke sind etwas elastisch und das Halbleiterplättchen kann auf dein Stützsockel
in seine gewünschte Stellung gedrückt werden. Falls gewünscht, kann der Stützsockel auch so groß gemacht v/erden, daß durch die
Keilwirkung oder Klemmwirkung das Substrat sogar umgedreht werden kann, wobei das Halbleiterplättchen seine Position beibehält.
Photoresiste und Photolacke haben im allgemeinen eine etwas klebrige Oberfläche, was die Haftfähigkeit des Halbleiterplättchens
am Ort seiner Befestigung weiter verbessert.
Die Bildung eines innenliegenden Stützsockels 13 gestattet, die Ausrichtung zusammengehöriger elektrischer Anschlüsse und Lötstützpunkte
visuell zu überprüfen. Ss wurde ebenso festgestellt, daß bei Verwendung von polymeren Stützsockeln sich eine örtliche
Konzentration der zum Schmelzen der Lötkügelchen an den Verbindungen erforderlichen Wärme ergibt.
Die Befestigung des Halbleiterplättchens an den Lötstützpunkten der Leitungszüge kann nun auf verschiedene Weise durchgeführt
werden, beispielsweise im heißen Gasstrom, mit einem Widerstandselement
oder im Ofen. Photolacke werden natürlich■weniger löslich
und damit schwieriger zu entfernen, wenn sie für relativ lange Zeit, wie z.B. in einem Ofen, erhöhten Temperaturen ausgesetzt
sind.
Die Verwendung eines Stützsockels zum Stützen und Ausrichten für Bauelemente und Schaltungen auf Substraten gibt den zusätzlichen
Vorteil, daß man die Halbleiterplättchen und Schaltungen
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in verschiedener Höhe über dem Substrat anbringen kann« Der Stützsockel
13 kann beispielsweise nur so hoch sein, daß er lediglich ein seitliches Verschieben verhindert oder kann in einer dickeren
Schicht bestehen und so bearbeitet werden, daß er einen Stützsockel
ergibt, der die Halbleiterschaltung in der Weise trägt, daß die elektrischen Anschlüsse des Halbleiterplättchens ihre
entsprechenden Lötstützpunkte nicht berühren. Diese letztgenannte
Art dient der Herstellung gleichförmigerer stiftartiger Lötverbindungen
zwischen zusammengehörigen Lotstutzpunkten und elektrischen
Anschlüssen. In den Fign. 2, 3 und 4 sind verschiedene Verfahrensschritte zur Herstellung stiftartiger Lötverbindungen
zwischen Halbleiterplättchen und Substrat gezeigt. In Fig. 2 ist ein Stützsockel gebildet worden, dessen Höhe ausreicht, um einen
Kontakt zwischen den elektrischen Anschlüssen des Halbleiterplättchens und den Lötstützpunkten 14 bzw. 15 zu verhindern. Das
Lot eines jeden Kontaktes ist erstarrt. In Fig. 3 wird ein heißer Gasstrahl über eine Düse 18 in der Nachbarschaft des Halbleiterplättchens
12 zur Erwärmung des Plättchens zugeführt. Die Gas · temperatur ist so hoch, daß das Lot schmilzt. Bei Erwärmung des
Halbleiterplättchens durch den Gasstrom erweicht auch der Sockel unterhalb des Halbleiterplättchens· durch Erwärmung. Durch den
Druck des auftreffenden Gasstrahles wird dann der Stützsockel
13 etwas zusammengedrückt, so daß die Lötkügelchen der Anschlüsse
14 und die Lötstützpunkte 15 miteinander in Berührung kommen.
Durch diese I'ontaktberührung geht die Wärme von dem Halbleiterplättchen
und seinen Lötanschlüssen wirksam auf die Lötkügelchen der Lötstützpunkte 15 über. Nenn das Halbleiterplättchen 12
weiter erwärmt wird, schmelzen seine Anschlüsse und übertragen auch die Wärme weiter. Wenn die sich berührenden einander entsprechenden
Lotstutzpunkte geschmolzen werden, verbinden sie
sich zu einem einzigen Lötstützpunkt 19. Beispielsweise wurde
2 ein Druckluftstrahl mit 5,6 bis 6,3 kp/cm Druck einem Rotometer zugeführt, das die Luftströmung mit einem Durchsatz von 0,566 m
je Stunde aus einer Düse mit einen Durchmesser von etwa 2,3 mm steuert. Die Luft wird durch eine zwischen Rotometer und Düse
eingebrachte elektrisch beheizte Spule erhitzt, so daß die
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Temperatur des Druckluftstrahls am Düsenausgang etwa 400 °C beträgt.
Die Gasdüse wird auf etwa 2,5 min oberhalb des Halbleiterplättchens
gehalten. Dieser Druck ist ausreichend hoch, um die elektrischen Anschlüsse des Halbleiterplättchens in Kontaktberührung
mit den entsprechenden Lötstützpunkten für eine Lötverbindung zu bringen, wenn der ursprüngliche Abstand zwischen ihnen
zwischen 0,025 und 0,075 mn beträgt.
In Fig. 4 beginnt nach Abnehmen des äußeren Druckes der Heizdüse oder des Heizelementes das Halbleiterplättchen, der Stützsockel
und das geschmolzene Lot der stiftartigen Lötverbindungen abzukühlen. Bei Abkühlen des Stützsockels geht er etwa bis auf
seine ursprüngliche Höhe wieder zurück, bevor das Lot erstarrt ist, so daß dadurch das Halbleiterplättchen etwas nach oben gedrückt
wird. Durch die den geschmolzenen Lot eigene Oberflächenspannung
werden die Lötverbindungen stiftartig auseinandergezogen, so dai3 die geschmolzenen Verbindungen von ihrem ursprünglichen
geschmolzenen Zustand aus gestreckt v/erden. Solche Lötverbindungen können bei einer Relativbewegung zwischen Halbleiterplättchen
und Substrat aufcjrund von Ausdehnung oder Zusammenziehung einem
größeren Piegemoment widerstehen.
Der Photoresist oder Photolack kann ursprünglich in einer Anzahl von überzügen oder Schichten übereinander zur Erzeugung verschiedener
Schichtdicken aufgebracht werden, wodurch sich die Höhe der zu bildenden Stützsockel genau einstellen läßt. Das den Stütz·-
sockel bildende Photoresist oder der Photolack wird vorzugsweise in einer solchen ursprünglichen Stärke aufgebracht, daß zusätzliche
Kraft des aus der Düse austretenden Gases oder ein anderer externer Druck erforderlich ist, um die Kontaktberührung zwischen
zusammengehörigen Anschlüssen und Lötstützpunkten herzustellen.
In Fig. 5 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung gezeigt,
bei dem der Stützsockel 20 entsprechend der Unterseite des gestrichelt
eingezeichneten Halbleiterplättchens geformt ist und sich an der Unterseite des Halbleiterplättchens außerhalb der
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Anschlüsse 14 erstreckt. Der Stützsockel wird.auf genau die
gleiche V'eise hergestellt, wie im Zusammenhang mit der vorangegangenen
Beschreibung dargestellt, mit der Ausnahme, daß Entlüftungsbohrungen 21, vorzugsweise an jeder Kante des Halbleiterplättchens,
vorgesehen sind. Es wurde festgestellt, daß diese Entlüftungsbohrungen notwendig sind, um das Austreten erhitzten
Gases unterhalb des Halbleiterplättchens während der Befestigung zu gestatten. Das dabei gebildete Gas ist meistens verdampftes
Lötflußmittel. Man sieht, daß man hier wiederum von den Außenflächen
der nach unten ragenden Anschlüsse als genaue Ausrichtflächen für die Ausrichtung Gebrauch macht. Zusätzlich kann man
auch eine Barriere 22 vorsehen, die verhindert, daß das Lötmittel längs der unterhalb des Halbleiterplättchens vorhandenen Leitungszüge läuft. Diese können an den erforderlichen Stellen jede gewünschte
Form auf v/eisen.
Uenn der Stützsockel 13 aus über eine Maske selektiv belichtetem
Photolack hergestellt wird, so läßt er sich bequem auch in anderen Formgebungen ausführen, beispielsweise mit VorSprüngen zwischen
benachbarten Anschlüssen 14. Diese Ausbildung gestattet eine gute Ausrichtung, wenn die elektrischen Anschlüsse des
Halbleiterplättchens nicht dazu benutzt werden können, das HaIbleiterplättchen
für verschiedene Freiheitsgrade in seiner Bewegungsfreiheit zu beschränken. Bei manchen Anordnungen mag es
zulässig sein, den Stützsockel nach Befestigung des Halbleiterplättchens auf dem Substrat zu belassen. Muß das Photolackmaterial
entfernt v/erden, wird normalerweise ein Lösungsmittels aus Methylenchlorid
"!ethanol benutzt.
Man sieht aus Fig. 6, daß der Stützsockel nicht aus einem einzigen
Stack zu bestehen braucht, sondern aus einer Anzahl strategisch angeordneter kleinerer Stützpunkte 23 bestehen kann. Diese Stützpunkte
müssen nur die elektrischen Anschlüsse an einer Seite jedes kleinen Stützpunktes berühren, so daß weniger Anschlüsse
davon betroffen sein müssen. Diese Anordnung verringert die zum ^Tiedcrdrücken der Schaltung notwendigen Kräfte während der Er-
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wärauny zur Herstellung der Xontaktverbindung. Andere besondere
Ausgestaltungen des Stützsockels 13 können natürlich nunmehr leicht angegeben werden, um die erforderliche Ausrichtung zwischen
Anschlüssen des Halbleiterplättcliens und Lötstützpunkten auf dem Substrat herzustellen.
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Claims (11)
- P Λ T E Il T A ΐΐ S P R U C K LVerfahren zum Verbinden einer elektrischen Schaltung; die nach unten v/eisende schmelzbare Anschlüsse auf v/eis t, rait entsprechenden schmelzbaren Lötstützpunkten auf einem Substrat, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte: Herstellen eines entlastenden Stützsockels auf den Substrat, auf welchem die Schaltung aufgebracht werden kann, wobei das Material des Stützsockels so mit dem Substrat verbunden und geformt wird, daß die Kanten des Materials an einer Anzahl der elektrischen Anschlüsse der Schaltung für eine genaue Ausrichtung mit den entsprechenden Lötstützpunkten des Substrats anliegen können. Anbringen der Schaltung auf dem Material mit genauer Ausrichtung der Anschlüsse mit den zugehörigen Lötstützpunkten und Erwärmen der miteinander ausgerichteten Anschlüsse und Lötstützpunkte bis zum gegenseitigen Verschmelzen.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Verschmelzen der miteinander ausgerichteten Anschlüsse und Lötstützpunkte das zwischen der Schaltung und dem Substrat liegende Material des Stützsockels entfernt wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe des Materials so gewählt wird, daß die Anschlüsse der Schaltung die Lötstützpunkte auf dem Substrat nicht berühren.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material aus einem elastischen, polymerisierten Stoff besteht, der sich bei Erwärmung leichter zusammendrücken läßt.
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Erwärmung gleichzeitig mit einem auf die SchaltungEI) 972 03! 40982S/0710ausgeübten Druck durchgeführt wird, der ausreicht, das elastische Material so v/eit zusammenzudrücken, daß eine Berührung zv/ischen den miteinander zu verbindenden, einander entsprechenden Anschlüssen und Lötstützpunkten ermöglicht wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck durch einen unter Druck stehenden heißen Gasstrahl ausgeübt wird, der auf die Schaltung gerichtet iäb und das polymerisierte Material erweicht und die Anschlüsse und Lötstützpunkte zum Schmelzen bringt und gleichzeitig die Schaltung in Richtung auf das Substrat drückt, bis die Anschlüsse und ihre entsprechenden Lot-· Stützpunkte sich berühren.
- 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material auf derr; Substrat so geformt ist, daß es innerhalb eines Bereiches liegt, der durch drei oder mehr Anschlüsse begrenzt wwird.
- 8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dai3 die Aufheizung durch Aufbringen eines elektrischen Widerstands-Heizelementes auf die Schaltung bei gleichzeitiger Ausübung von Druck durchgeführt wird, wodurch das elastische Material zusammengedrückt und die sich dann berührenden Anschlüsse und Lötstützpunkte zum Verschmelzen erwärmt v/erden.
- 9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material ein elektrisch isolierendes Material ist.
- 10. Verfahren nach Anspruch 9 f dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Ilaterial ein Photolack oder ein Photoresistmaterial ist.
- 11. Verfahren nach Anspruch ΙΟ, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Material rait Hilfe von photographischen4 0982 5/0710EiJ 972 031Verfahren hergestellt wird.ο Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Stützsockels auf dem cSubstrat so geformt und angebracht ist, daß es die Anschlüsse der Schaltung und die Lötstützpunkte auf dem Substrat von außen berührend umgibt.C31 A 098 25/07 10Leerseite
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