DE2346798A1 - Harzversiegelte halbleiterbauelemente und verfahren zur herstellung derselben - Google Patents

Harzversiegelte halbleiterbauelemente und verfahren zur herstellung derselben

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DE2346798A1 DE19732346798 DE2346798A DE2346798A1 DE 2346798 A1 DE2346798 A1 DE 2346798A1 DE 19732346798 DE19732346798 DE 19732346798 DE 2346798 A DE2346798 A DE 2346798A DE 2346798 A1 DE2346798 A1 DE 2346798A1
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Masahiro Kitamura
Hiroshi Suzuki
Yoshiaki Wakashima
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Hitachi Ltd
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