DE2321501A1 - Herstellungsverfahren fuer halbleiterelemente - Google Patents

Herstellungsverfahren fuer halbleiterelemente

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DE2321501A1
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Germany
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substrate
semiconductor
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semiconductor wafers
cut
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Pending
Application number
DE2321501A
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German (de)
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Josuke Nakata
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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FR2182216B1 (https=) 1977-08-19
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NL7305945A (https=) 1973-10-30
FR2182216A1 (https=) 1973-12-07

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