DE2320195A1 - Durch ionenimplantation hergestellter speicherfeldeffekt-transistor mit siliciumbasis - Google Patents
Durch ionenimplantation hergestellter speicherfeldeffekt-transistor mit siliciumbasisInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US24714872A | 1972-04-24 | 1972-04-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2320195A1 true DE2320195A1 (de) | 1973-12-13 |
Family
ID=22933773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2320195A Pending DE2320195A1 (de) | 1972-04-24 | 1973-04-19 | Durch ionenimplantation hergestellter speicherfeldeffekt-transistor mit siliciumbasis |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS4942286A (https=) |
| DE (1) | DE2320195A1 (https=) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2527969A1 (de) * | 1974-06-28 | 1976-01-08 | Ibm | Verfahren zur herstellung oxid- isolierter feldeffekt-transistoren |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115768A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-05-27 | Nec Corp | 集積回路装置 |
-
1973
- 1973-04-19 DE DE2320195A patent/DE2320195A1/de active Pending
- 1973-04-24 JP JP48045799A patent/JPS4942286A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2527969A1 (de) * | 1974-06-28 | 1976-01-08 | Ibm | Verfahren zur herstellung oxid- isolierter feldeffekt-transistoren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS4942286A (https=) | 1974-04-20 |
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