DE2300540A1 - Integrierter verstaerker - Google Patents

Description

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Diving. HAH3

Dipl.-lug. HSIrtZ ASULAH

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Telefonaktiebolaget L M Ericsson, 126 25 Stockholm (Schweden)

Integrierter Verstärker

Die Erfindung betrifft einen integrierten Verstärker mit Transistoren und Widerständen als Schaltungselemente im Verstärker, der als monolithisches Silikonplättehen hergestellt wird.

Derartige Verstärker können als Mikrophonverstärker in Pern« Sprechgeräten verwendet werden, wobei die Stromversorgung des Verstärkers über die Leitung des !Fernsprechteilnehmers erfolgt·

Das Verfahren zum Herstellen von Mikrophonverstärkern in Form integrierter Schaltungen, die aus einem monolithischen Plättchen bestehen, ist an sich bekannt, wobei die Ausgangaanschlüsse des Verstärkers zugleich als Speisepunkte für die Gleichstromversorgung der Transistoren dienen. Hierbei bestehen jedoch bestimmte Schwierigkeiten, da der gesamte Ausgangsstrom aus einem Gleichstrom mit einem überlagerten Wechselstromausgangssignal besteht, so dass während der Arbeit des Verstärkers kurzzeitig ein Mindeststrom fließt. Diese Mindestströme können kurzzeitig Verschiebungen

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bei den betreffenden" Kennlinien und Isolationspotentiale in bezug auf die monolithische Unterlage und in bezug auf die Transistoren. Dioden und Widerstände im Verstärker verursachen.

Bei der üblichen monolithischen Integration wird auf einer Silikonunterlage verwendet eine p-TJnterläge, ein n-Subkollektor für obenliegende Transistoren, eine epitaktische n-Deckschicht, p-positive Basisbezirke mit n-positivenEmitterbezirken in den erstgenannten Bezirken für n-p-n-Transistoren und p-positiven Isolationsumrahmungen, die die betreffenden Komponenten umgeben. In einigen Fällen kann in demselben Isolationsrahmen mehr als eine Komponente angeordnet werden.

Eine Isolation mit einem hohen Isolationswiderstand für ein^ Komponente innerhalb des zugehörigen Isolationsrahmens, der mit der Unterlage ohne eine Zwischengrenzschicht verbunden ist (Ohm'sche Verbindung) wird im Prinzip dadurch erhalten, dass die Komponente auf einem positiven Potential in bezug auf die Unterlage während des Betriebs gehalten wird, wobei das η-dotierte Material in der epitaktischen Schicht innerhalb des Isolationsrahmens eine umgekehrte Spannung an der p-n-Übergangsstelle zur Unterlage erhält und dabei gegen die Unterlage isoliert wird. Komponenten in der integrierten Schaltung, die verschieden hohe umgekehrte Spannungen erhalten, müssen aus funktioneilen Gründen auch im Betrieb die gegenseitigen Spannungspegel und Polaritäten beibehalten.

Ein Mikrophonverstärker für Fernsprechgeräte muss schaltungsiaäßig so eingerichtet werden, dass die genannte Gleichstromversorgung über die Ausgangsanschlüsse des Verstärkers erfolgen kann. Dies bedeutet, dasa die Schaltung eines solchen Verstärkers nicht ohne erfinderische Leistung lediglich auf der Basis bekannter einfacher integrierter Verstärker zusammengestellt werden kann.

Der Verstärker muss, um in ¥ernsprechgeräten verwendet werden zu können, möglicherweise mit dem erforderlichen Zubehör, beispielsweise mit äußeren Entkopplungskondensatoren und Widerständen, mit sehr geringen Kosten herstellbar sein, da von solchen Verstärkern sehr große Stückzahlen benötigt werden, so dass bei der sehr großen Anzahl im Gebrauch befindlicher Fernsprechgeräte ein großer

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Kapitalaufwand erforderlich wird· Bin solcher Verstärker müsste vollständig integriert sein und wenn Irgend möglich keine äußeren Bauteile aufweisen. Als Folge der integrierten Stromversorgung müssen jedoch Entkopplungselemente im Verstärker vorgesehen werden, die eine akustische Bückkopplung und eine Modulation des Signals an den Eingangsanschlussen des Verstärkers durch Veränderungen des Ausgangsstromes verhindern. Entkopplungsschaltungen mit Kondensatoren und Widerständen können zu dem gewünschten Ergebnis führen, wobei jedoch eine Lösung gefunden werden muss, die wirtschaftlich von Vorteil ist. Das Verfahren, in Verstärkern ein Widerstands element zusammen mit einer Avalanche-Diode zum Entkoppeln in gleichfalls integrierten Verstärkern zu verwenden, ist bereits bekannt,, welche Schaltung in der üblichen Weise in der umgekehrten Richtung wirkt und die kapazitiven Elemente ersetzt. Bei integrierten Verstärkerschaltungen auf einem monolithischen Plättchen ist es oftmals sehr schwierig, geeignete Avalanche-Spannungen für integrierte Avalanche-Dioden in der Schaltung zu erhalten, da das bei der Herstellung angewendete Diffusionsverfahren dem Zweck dient, den günstigsten Wert in bezug auf gewisse Transistordaten als auch in bezug auf Widerstands— daten zu erhalten. Die Dioden werden auf diese Welse als ein Nebenprodukt erhalten und weisen Avalanche-Spannungen von 6-8 Volt auf.

Bei einem derartigen Mikrophonverstärker ist es wichtig, die Eingangstransistoren und die Widerstände in der geeigneten Form vorzusehen. Wie bereits erwähnt, ist es besondere wichtig, dass als Folge der Stromversorgung des Verstärkers keine störende Modulation erfolgt in dem genannten Bezirk. Dies hängt davon ab, dass weder der Eingangstransistor selbst noch die zugehörigen Widerstände am monolithischen Plättchen der Einwirkung einer störenden Modulation durch Widerstandsmittel ausgesetzt werden, und die Widerstände dürfen nicht der Einwirkung einer Interferenzmodulation unterliegen, die kapazitiv über die gegendotierten epitaktischen Schichten erzeugt wird, die sie umgeben« Dasselbe gilt für die nachfolgenden Verstärkerstufen im Mikrophonverstärker) jedoch sind die Anforderungen in diesem falle nicht so streng.

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Die Erfindung sieht einen Mikrophonverstärker vor, bei dem die genannten Mängel behoben sind, und der den Anforderungen genügt, die in bezug auf die Vermeidung einer Interferenzmodulation gestellt werden, welcher Mikrophonverstärker ferner wirtschaftlich hergestellt werden kann»

Die besonderen Merkmale der Erfindung sind in den beiliegenden Patentansprüchen angeführt.

Die Erfindung wird nunmehr ausführlich beschrieben. Die beiliegende einzige Zeichnung zeigt den Schaltplan für einen Mikrophonverstärker nach der Erfindung.

Der Mikrophonverstärker besteht aus einer integrierten Schaltung auf einem monolithischen Plättchen, bei dessen Herstellung die an sich bekannten Verfahren angewendet werden. Der Mikrophonverstärker soll bei einem normalen üfernsprechgerät verwendet werden, das mit einem elektromagnetischen Mikrophon ausgestattet ist.

Bei der dargestellten Ausführungsform der Erfindung wird die .Interferenzmodulation dadurch vermieden, dass ein zwischen der Spannungsverstärkungseinheit und der Ausgangseinheit des Verstärkers ein Entkopplungswiderstand eingeschaltet ist, der mit einem äußeren und einen mäßig großen Kapazitätswert aufweisenden Kondensator zusammenwirkt. Weiterhin ist die gegendotierte epitaktische Schicht gemeinsam für fünf Widerstände vorgesehen, die sich an der Eingangsstufe befinden. Als folge dieser beiden Maßnahmen wird eine außerordentlich große Schwächung der Interferenzmodu-1 ation im Verstärker bewirkt.

Die in der Zeichnung dargestellte Verstärkerschaltung enthält eine Spannungsverstärkungseinheit mit den beiden Tranaistoren Q1 und Q2 und eine Ausgangsstufe mit den Transistoren Q3 und Q4, die irr. vorliegenden Falle eine Darling-Tonkopplung bildet» In der dargestellten Schaltung bestehen die Transistoren Q1, Q3 und QA- aus n-p-n-Transistören, während der Transistor Q2 aus einem p-n-p-Transistor besteht. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die dargestellte Kombination beschränkt, sondern im Rahmen des Erfindungsgedankens können auch andere Kombinationen von Transistoren vorgesehen werden«,

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Der in der Zeichnung dargestellte Verstärker mit der genannten Transistorkombination weist zwei Ausgangskontakte 15 und 16 auf, die zugleich als Anschlüsse für die Gleichstromversorgung des Verstärkers dienen, Diese Gleichstromversorgung erfolgt von den Anschlusspunkten 21 und 22 aus, die mit der Leitung des Pernsprechteilnehmers in Verbindung stehen, wobei am Eingang ferner ein Vollwellengleichrichter 18 vorgesehen ist, damit der Verstärker die Gleichspannung mit der ordnungsgemäßen Polarität erhält ungeachtet des Anschlusses der Teilnehmerleitung. Der Ausgangskontakt 16 steht in direkter Verbindung mit der Teilnehmerleitung 21, 22 über den Vollwellengleichrichter 18, während der Ausgangskontakt 15 mit der Teilnehmerleitung 21, 22 über einen Widerstand 8 in Verbindung, dessen Zweck später noch erläutert wird. Der Widerstand 8 steht an dem einen Ende mit dem Ausgangskontakt 15 und am anderen Ende mit einem Ausgangspunkt 17 des Vollwellengleichrichters 18 in Verbindung.

Der Ausgangskontakt 15 speist einen "Niederpotentialleiter¹¹ 20, der über einen mit S bezeichneten Leiter mit der Unterlage der integrierten Schaltung in Verbindung steht. Der Ausgangskontakt 16 speist über einen Entkopplungswiderstand 6 einen "Hochpotentialleiter¹¹ 19, der über den mit E bezeichneten Leiter mit der genannten gegendotierten epitaktischen Schicht in Verbindung steht.

Die Spannungsverstärkungeinheit deu Verstärkers besteht aus den n-p-n-Transistoren Q1 und dem p-n-p-Transistor Q2» Die Basiselektrode des Transistors Q1 empfängt eine geeignete Arbeitsspannung über einen Widerstand 1, der zwischen die Basiselektrode und den Leiter 19 geschaltet ist, während ein weiterer Widerstand 3 zwischen die Basiselektrode und den Leiter 20 geschaltet iat. Im vorliegenden Falle weist <ler Leiter 19 ein positives Potential in bezug auf den Letter 20 auf. Die Emitterelektrode des Tran-HL;tors Q1 ::teht in direkter Verbindung mit dem Leiter 20, wahrend die Kollektorelektrode des Transistors Q1 über einen Widerstand 2 mit dem Leiter 19 und mit der Basiselektrode des Transistors Q2 direkt verbunden ist, welnhe letztgenannte Basiselektrode fiber einen Widerstand 4 mit dem Leiter 20 in Verbindung steht. Die Emitterelektrode des rronsiotorö Q2 steht in direkter Verbindung

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mit dem Leiter 19» während die Kollektorelektrode des Transistors, Q2 über einen Widerstand 5 mit dem Leiter 20 und mit der Basiselektrode des Transistors Q3 direkt in Verbindung steht, welcher Transistor einen Teil der Ausgangsstufe des Verstärkers bildet. Die Kollektorelektrode des Transistors Q3 steht in direkter Verbindung mit dem Ausgangskontakt 16 und ebenfalls steht die Emitterelektrode des Transistors Q3 in direkter Verbindung mit der Basiselektrode des zweiten Transistors Q4 der Ausgangsstufe des Verstärkers. Die Kollektorelektrode des Transistors Q4 ist direkt verbunden mit dem Ausgangskontakt 16, während die Emitterelektrode direkt verbunden ist mit dem Leiter 20 und damit direkt verbunden mit dem Ausgangskontakt 15. Die Transistoren Q3 und Q4 bestehen aus n-p-n-Transistoren.

Das Signal wird dem Verstärker an den Eingangskontakten 13 und 14 zugeführt» von denen der Eingangskontakt 13 mit der Basiselektrode des Transistors Q1 direkt verbunden ist, während der Eingangskontakt 14 über den genannten Widerstand 8 mit dem Ausgangskontakt 15 verbunden ist»

Im vorliegenden falle ist an die Eingangskontakte 13, 14 ein elektromagnetisches Mikrophon 11 angeschlossen» dass einen Teil des Teilnehmergeräbea bildet und über einen Kondensator 10 mit dem Eingangskontakt 13 verbunden ist, um zu verhindern, dass der Grleichs tr omqide'rst and des Mikrophons 11 die Charakteristik des Transistors Q1 ändert, die von den Widerständen 1 und 3 bewird.

Damit der vorgenannte Mindestetrom die Einheitsspannung des Verstärkers und damit in ο rater Linie den Transistor QI ait den zugehörigen Widerständen I und 3 nicht stören kann, so wurde der bereits genannte lintkopplungswiderstand 6 eingeführt. Im vorliegenden Falle wirkt di^üer Widerstand mit einem Entkopplungskondensator 9 susamruen, der an der einen Seite am Verbindungs- ^: punkt 12 mit dom ^um Auogungükontakt 16 entfernten Ende des V/iderstandes 6 am Leiter 19 verbunden ist. Die andere Seite des Kondensators 9 steht mit dem Aiiügangskontakt 15 und damit mit dem Leiter 20 über einen Widerstand 7 in Verbindung, der für den Verstärker nicht unb3dingt erforderlich ist und auch weggelassen Λ-enlen kann, auf diese Weiüe wird die erwünschte Entkopplung in

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bezug auf die Transistoren Q1 und Q2 erzielt.

Die Widerstände 7 und 8 haben sekundäre Aufgaben zu erfülle,|ϊ in bezug auf die Einstellung der Ausgangsimpedanz und der ^

Bei einer Integration nach den herkömmlichen Verfahren ist es üblich, für jedes Schaltungselement einen besonderen Isolationsrahmen vorzusehen. Bei einem Verstärker mit der in der dargestellten Schaltung kann jedoch eine starke Vereinfachung dadurch erreicht werden, dass die Widerstände 1 - 5 in deiitselben Isolationsrahmen angeordnet werden, welche Maßnahme möglich w^.rd, da das η-Material der epitaktischen Schicht innerhalb dies betreffenden Rahmens ohne Grenzschichten eine direkte Verbindung aufweist mit dem Ende des Entkopplungswiderstandep 6, der direkt mit dem Leiter 19 verbunden ist und damit mit dem Speisepunkt für die Eingangsstufe.

Der bereits genannte Kondensator 9 übt außer der genannten Entkopplungsfunktion noch eine weitere wichtige Funktion aus, nämlich die Aufladung des Transistors Q4 als Folge eines an den Eingangskontakten des Verstärkers auftretenden Signale, wobei das Potential am Kontaktpunkt 12 und damit auch am Speiseleiter 19 konstant gehalten wird in bezug auf das Potential am Kontaktpunkt 15 und das Potential am Speiseleiter 20· Der Kondensator stellt daher ein Zusatzelement bei der tatsächlichen monolithischen Schaltung und damit ein "äußeres" Schaltungselement dar aufgrund des Umstandes, dass der Kondensator 9 eine Kapazität von ungefähr 1 Mikrofarad aufweisen soll»

Der Widerstand 6 kann in die monolithische Schaltung aufgenommen werden, kann jedoch in diesem Falle nicht gänzlich in demselben Isolierrahmen angeordnet werden wie die Widerstände 1-5 oder wie die Transistoren Q3 ynd Q4. Andererseits kann ein Teil des Widerstandes 6 in dem Isolierrahmen für die Widerstände 1-5 angeordnet werden, während der übrige Teil des Widerstandes 6 mit einem eigenen Isolierrahmen versehen vird. Beide Transistoren Q1 und Q2 sind mit einem eigenen Isolierrahmen versehen, wähleng die Transistoren Q3 und Q4 in einem gerne ine amen 1ε? qligrrahjjen engeordnet werden kennen.

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Bei einem integrierten Verstärker mit der dargestellten Schaltung wurde unter Berücksichtigung der oben angeführten Erwägungen im Betrieb eine Spannungsverstärkung von ungefähr dem tausendfachen Wert erreicht, der für ein Fernsprechgerät mehr als ausreichend ist. Die erfindungsgemäße Schaltung weist noch den weiteren Vorzug auf, dass eine verhältnismäßig große Ausgangsleistung erzielt wird, und dass die Speisespannung auf einige Volt oder auch auf nur ein Volt absinken kann, ohne dass die Verstärkung zu weit absinkt. Der gesamte Verstärker kann zusammen mit zugehörigen äußeren Schaltungselementen, wenn überhaupt solche vorgesehen sind, über die Teilnehmerleitung und über den Vollwell engleichricht er 18 mit Strom versorgt werden, wobei die zugeführten Spannung immer die ordnungsgemäße Polarität aufweisen ungeachtet des Anschlusses der Teilnehmerleitungen,, Die in Betracht kommenden Teile des Fernsprechgerätes sind nicht dargestellt, da sie für die Erfindung nicht wesentlich sind.

Die Erfindung ist auf die beschriebene Ausführungeform nicht beschränkt, da im Rahmen des Erfindungsgedankens Änderungen, Abwandlungen und Ersetzungen vorgenommen werden können. Die Erfindung wird daher nur durch die beiliegenden Patentansprüche abgegrenzt. Beispielsweise kann unter Beibehaltung der genannten Prinzipien in bezug auf die Integration der Gruppe von Widerständen der Spannungsverstärkungseinheit und des Widerstandes der Verstärkungsgrad noch weiter angehoben werden dadurch, dass anstelle des Transistors Q1 mehrere Transistoren in der sogenannten Darling-Tonkopplung nach der US-Patentschrift 2 665 806 verwendet werden. Es ist ferner möglich, den Kondensator 9 durch eine für eine niedrige Spannung bemessene Avalanche-Diode zu ersetzen, in welchem Falle die Avalanche-Spannung dieser Diode 3,5 Volt betragen kann. Dies kann unter gewissen Umständen verwirklicht werden; jedoch darf in einer solchen Schaltung die Speisepannung nicht auf einen zu niedrigen Wert absinken. Der Kondensator 9 in der Schaltung weist eine günstigere Wirkung in bezug auf die Aufrechterhaltung einer konstanten Spannung auf und gestattet die Zuführung einer niedrigeren Speisespannung.

In der Verstärkertechnik ist das Verfahren bekannt, einen Entkopplungskondensator durch eine Konstantstromschaltung zu

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ersetzen, die in bezug auf die Speisung der !Transistoren Q1 und Q2 so angeschlossen werden kann, dass sie als Konstantstromgenerator wirkt. Eine derartige Schaltung kann einen oder mehrere Transistoren sowie eine Avalanehe-Diode mit einer niedrigen
Avalanche-Spannung enthalten und könnte den Kondensator 9 ersetzen, weist jedoch denselben Nachteil auf wie eine einfache Avalanche-Diode insofern, als die Speisespannung nicht unter
einen so niedrigen Wert absinken darf, wie dies bei Verwendung des Kondensators 9 zulässig ist.

Patentansprüche

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Claims (1)

1. Patentansprüche

   Integrierter Verstärker, bestehend aus einem monolithischen Silikonplättchen mit mehreren integrierten V/iderständen und mit mindestens drei integrierten Transistoren, die eine Spannungsverstärkungseinheit mit Signal eingangs kontakten und eine Ausgangsstufe mit Signalausgangskontakten "bilden, welcher Verstärker besonders als Mikrophonverstärker für Fernsprechgeräte geeignet ist, wobei das Mikrophon mit den Signaleingangskontakten und die Signalausgangs kontakte mit der Anschlussleitung des Pernsprechgerätes verbunden werden, und wobei die Stromversorgung des Verstärkers aus der iernsprechleitung über die Signalausgangskontakte erfolgt, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen die Spannungsverstärkungseinheit (Q1, Q2) und die Ausgangsstufe (Q3, Q4) und zwischen einen Speiseleiter (19) für die Spannungsverstärkungseinheit und einen Signalausgangskontakt (16) für die Speisung der Ausgangsstufe ein Widerstand (6) eingeschaltet ist, der eine Entkopplungs bewirkt und in das monolithische Plättchen integriert ist, dass der genannte Widerstand zum Entkoppeln der Spannungsverstärkungseinheit von der Ausgangsstufe mit anderen Mitteln zusammenwirkt, beispielsweise mit einem kapazitiven oder die Spannung konstant haltenden Schaltungselement (9), das außerhalb des integrierten Verstärkers angeordnet ist und das Speisepotential der Spannungsverstärkungseinheit im wesentlichen konstant hält ungeachtet von Schwankungen bei der gesamten Stromversorgung des Verstärkers, die von der Ausgangsstufe durch deren Signalstromkomponente bei der Zuführung der Signale zu den Signaleingangskontakten (13, 14) verursacht werden, dass mindestens die zur Eingangsstufe (Q1) gehörenden Widerstände (1, 3) der Spannungsverstärkungseinheit innerhalb eines einzelnen Isolationsrahmens am monolithischen Plättchen angeordnet werden, dass alle Widerstände (1-5) der Spannungsverstärkungseinheit erzeugt werden durch Diffusion in ein .

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   gegendotiertes Material im monolithischen Plättchen, welches Material ohne Grenzschichten mit demjenigen £nde des Entkopplungswiders tandes (6) in Verbindung steht» das der Spannungaver star kungs einheit zugewandt ist, und dase die Ausgangsstufe in einem oder mehreren getrennten Isolationsrahmen am monolithischen Plättchen angeordnet ist.

   Integrierter Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die genannten zusätzlichen Mittel, die mit dem Entkopplungswiderstand (6) zusammenwirken, aus einem außerhalb des eigentlichen integrierten Verstärkers angeordneten Kondensator (9) bestehen, der an der einen Seite mit dem der Spannungsvers tärkungseinheit zugewandten Ende des Entkopplungswiderstandes (6) in Verbindung steht, und der an der anderen Seite mit dem Ausgangekontakt (15) des Verstärkers in Verbindung steht, welcher Kontakt die entgegengesetzte Polarität in bezug auf den Sntkopplungswiderstand aufweist.

   Integrierter Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das genannte mit dem Entkopplungswiderstand (6) zusammenwirkende Mittel aus einer Avalanche—Diode besteht» die zwischen das der Spannungsverstärkungseinheit zugewandte Ende des Entkopplungswiderstandes (6) und den Signalausgangskontakt (15) eingeschaltet ist, der die entgegengesetzte Polarität des Verstärkers aufweist, und dass die Avalanche-Diode im Betrieb die entgegengesetzte Spannung zugeführt wird·

   Integrierter Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das mit dem Entkopplungswiderstand zusammen wirkende Mittel aus einer Konstantstromschaltung besteht, die mindestens einen Transistor und eine Avalanche—Diode aufweist und zwischen das der Spannungsverstärkungseinheit zugewandte Ende des Entkopplungswiderstandes (6) und den genannten Speiseleiter (19) eingeschaltet ist.

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   5* Integrierter Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass dem Kondensator (9) ein Wideretand (7) und möglicherweise eine Reaktanz nachgeschaltet ist·

   6. Integrierter Verstärker n_ach einem der Ansprüche 2-4, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Ausgangekontakt (15) und einen Punkt (17) für die gesamte Stromversorgung des Verstärkers in einem Stromkreis zwischen dem Verstärker und der iernsprechleitung eine zusätzliche Impedanz (8) in Form eines Widerstandes und möglicherweise eine Beaktanz eingeschaltet ist.

   7· Integrierter Verstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsverstärkungseinheit mindestens zwei Transistoren (Q1, Q2) aufweist, von denen ein Paar aus ;je einem n-p-n-Transistor und einem p-n-p-Transistor besteht.

   8· Integrierter Verstärker nach einem der Ansprüche 1-7» dadurch gekennzeichnet, dass in der Spannungsverstärkungseinheit eine erste Stufe als Darling-Tonkoppler mit zwei Transistoren geschaltet ist.

   9» Integrierter Verstärker nach einem der Ansprüche 1-8, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangsstufe als Darling-Tonkoppler mit zwei Transistoren ausgebildet ist.

   10· Integrierter Verstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Entkopplungewideretand (6) zum feil im Isolationsrahmen für die Widerstände (1-5) der Spannungsverstärkungseinheit angeordnet ist oder Innerhalb eines Isolationsrahmens für die Ausgangsstufe, während der übrige Teil des Entkopplungswiderstandes innerhalb eines gesonderten Isolationsrahmens angeordnet ist, der am monolithischen Plättchen für den betreffenden Teil des Entkopplungswiderstandes (6) vorgesehen ist.

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