DE2253498A1 - Verfahren zum herstellen von mindestens einseitig offenen hohlkoerpern aus halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zum herstellen von mindestens einseitig offenen hohlkoerpern aus halbleitermaterial

Info

Publication number
DE2253498A1
DE2253498A1 DE2253498A DE2253498A DE2253498A1 DE 2253498 A1 DE2253498 A1 DE 2253498A1 DE 2253498 A DE2253498 A DE 2253498A DE 2253498 A DE2253498 A DE 2253498A DE 2253498 A1 DE2253498 A1 DE 2253498A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor material
graphite
semiconductor
hollow bodies
vpa
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2253498A
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Baumgartner
Wolfgang Dipl Chem Dr Dietze
Tomislav Dipl Chem Mladenovic
Manfred Dipl Chem D Schnoeller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2253498A priority Critical patent/DE2253498A1/de
Priority to US410890A priority patent/US3900039A/en
Priority to JP48122675A priority patent/JPS4976907A/ja
Publication of DE2253498A1 publication Critical patent/DE2253498A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/977—Thinning or removal of substrate

Description

SIEMENS AKTIEiTGESELLSCEßFT München 2, 3 ^
Berlin und München WittelsbacherOlatz
■ «a 72/1195 ° 2253498
Verfahren zum Herstellen von mindestens einseitig offenen Hohlkörpern aus Halbleitermaterial
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zura Herstellen von mindestens einseitig offenen Hohlkörpern aus Halbleitermaterial, insbesondere von aus Silicium bestehenden Rohren, durch Abscheiden von Halbleitermaterial aus einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials auf einem aus Graphit oder einem graphitähnlichen Stoff bestehenden beheizbaren Trägerkörper, der nach dem Abscheiden einer genügend dick bemessenen Halbleitermaterialschicht ohne Zerstörung derselben entfernt wird.
Aus der deutschen Patentschrift 1 805 970 ist es bekannt, ■einen Hohlkörper aus Halbleitermaterial,. 2. B. ein Siliciumrohr, dadurch herzustellen, daß eine Schicht von Halbleitermaterial aus einer gasförmigen Verbindung dieses Halbleitermaterials auf der Oberfläche eines aus Graphit bestehenden beheizbaren, massiven öder hohlen Trägerkörpers niedergeschlagen und nach dem Niederschlagen der Halbleiterschicht der Trägerkörper ohne Zerstörung dieser Schicht entfernt wird. Das Entfernen des Trägerkörpers geschieht dabei durch Abziehen des hergestellten Hohlkörpers nach dem Abkühlen der gesamten Anordnung, Besteht der Trägerkörper aus leicht brennbarem Material wie Graphit, so kann er von der auf seiner Außenfläche abgeschiedenen Halbleiterschicht auch durch Ausbrennen an Luft oder in einer saiierstoffhaltigen Atmosphäre entfernt v/erden.
VPä 9/110/2102
VPa 9/IIO/3OO2 Edt/Hob - 2 -
409818/1032
Diese mechanischen oder auch chemischen Abätzverfahren Mittels Abziehen auf Grund der unterschiedlichen
Schrumpfung von Trägerkörper und auf ihm abgeschiedenen Hohlkörper aus Halbleitermaterial beim Abkühlen oder
durch Behandlung bei sehr hohen Temperaturen an Luft
oder in einer gashaltigen Atmosphäre haben den Nachteil, daß nicht immer ein- einwandfreies Abtrennen
des Hohlkörpers möglich ist, weil durch die thermische Beanspruchung im Halbleitermaterial sehr leicht
Sprünge und feine Haarrisse auftreten können. Letztere machen sich dann beim Einsatz eines solchen Hohll-irperf? für Mffusionsproüease durch Auftreten von Leckstellen bemerkbar, wobei nicht nur der Mffusionsbehälter, z. B. das Silciumrohr, unbraehbar wird, sondern auch ganze
DiffiSLonschargen in ?orm von Halbleiterkristallscheiben für die Weiterverarbeitung zu Halbleiterbauelementen ausgeschieden werden müssen.
Die vorliegende Erfindung vermeidet diese Nachteile dadurch, daß der Trägerkörper bei Zimmertemperatur mittels einer stark oxydierend wirkenden, konzentrierten Säure zum Zerfall gebracht und anschließend der pulverförmige Rückstand vor dem gebildeten Halbleiterhohlkörper entfernt wird .
Es liegt im Rahmen der vorliegenden Erfindung, 100 CM Salpetersäure (rotrauchende Salpetersäure) zur Entfernung des Graphitkörpers zu verwenden.
Eine weiter !löslichkeit bietet sich durch eine Behandlung mit Chromschwefelsäure an.
Die Zerfallgeschwindigkeit ist weitestgehend abhängig von der Konzentration der verwendeten Lösung; der Zerfall
VPA 9/110/2102
VPA 9/110/3002 - 3 -
409818/1032
bei Behandlung mit 100 ^iger Salpetersäure geschieht innerhalb weniger Minuten. Wird Chromschwefeisäure verwendet, so verläuft die Reaktion zwar langsamer, doch sehr schonend für den Halbleitermaterialhohlkörper.
Im Anschluß an die Säurebehandlung kann der pulverfcrmige Graphitrückstand sofort mühelos, am zweckmäßigsten mittels eines Wasserstrahls von dem Halbleiterkörper entfernt werden. Dabei ist es gleichgültig, ob die Herstellung des Halbleiterkörpers, mittels des Graphitträgerkörpers auf der Außenfläche oder der Innenfläche des Trägerkörpers oder auf einem Gx'aphiTstab durch Abscheidung des Halbleitermaterials aus der Gasphase stattgefunden hat.
Durch die Entfernung des aus Graphit bestehenden Trägerkörpers bei Zimmertemperatur wird erreicht, daß der hergestellte Hohlkörper keiner thermischen Belastung bei seiner Ablösung ausgesetzt wird, so daß das Auftreten von Rissen und Sprüngen vollkommen vermieden werden kann. Außerdem ergibt sich gegenüber den bekannten Verfahren neben einem geringen Aufwand auch eine erhebliche Zeitersparnis.
Uas Verfahren nach der Lehre der Erfindung ist anwendbar für alle Herstellprozesse von Eormkörpern aus Halbleitermaterial, unabhängig von der Geometrie, bei denen für die Abscheidung Trägerkörper aus Graphit oder graphitähnlichen Stoffen verwendet werden. Mit Hilfe des Verfahrens ist es möglich, auch komplizierte ausgebildete Formen und Hohlkörper mit beliebig geformten Profilen aus Halbleitermaterial herzustellen.
4 Patentansprüche
VPA 9/110/2102
VPA 9/110/3002 - 4 -
409*18/1032

Claims (4)

1. Verfahren zum Herstellen von mindestens einseitig offenen Hohlkörpern aus Halbleitermaterial, insbesondere von aus Silicium bestehenden Rohren, durch Abscheiden von Halbleitermaterial aus einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials auf einem aus Graphit oder einem graphitähnlichen Stoff bestehen den beheizbaren Trägerkörper, der nach dein Abscheiden einer genügend dick bemessenen Halbleiterschicht ohne Zerstörung derselben entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper bei Zimmertemperatur mittels einer stark oxydierend wirkenden, konzentrierten Säure zum Zerfall gebracht und anschließend der pulverförmige Rückstand von dem gebildeten Halbleiterhohlkörper entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß 100 /£ige Salpetersäure (rotrachende Salpetersäure) verwendet, wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß Chromschwefelsäure verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß der pulverförmige Rückstand mittels eines Wasserstrahls von dem Halblexterhohlkörper entfernt wird.
VPA 9/110/2102
VPA 9/110/3002
409818/1032
DE2253498A 1972-10-31 1972-10-31 Verfahren zum herstellen von mindestens einseitig offenen hohlkoerpern aus halbleitermaterial Pending DE2253498A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2253498A DE2253498A1 (de) 1972-10-31 1972-10-31 Verfahren zum herstellen von mindestens einseitig offenen hohlkoerpern aus halbleitermaterial
US410890A US3900039A (en) 1972-10-31 1973-10-29 Method of producing shaped semiconductor bodies
JP48122675A JPS4976907A (de) 1972-10-31 1973-10-31

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2253498A DE2253498A1 (de) 1972-10-31 1972-10-31 Verfahren zum herstellen von mindestens einseitig offenen hohlkoerpern aus halbleitermaterial

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2253498A1 true DE2253498A1 (de) 1974-05-02

Family

ID=5860573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2253498A Pending DE2253498A1 (de) 1972-10-31 1972-10-31 Verfahren zum herstellen von mindestens einseitig offenen hohlkoerpern aus halbleitermaterial

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3900039A (de)
JP (1) JPS4976907A (de)
DE (1) DE2253498A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6153497A (en) * 1999-03-30 2000-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for determining a cause for defects in a film deposited on a wafer

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5054418A (en) * 1989-05-23 1991-10-08 Union Oil Company Of California Cage boat having removable slats
WO2002060620A1 (en) 2001-01-31 2002-08-08 G.T. Equipment Technologies Inc. Method of producing shaped bodies of semiconductor materials
CN101460398B (zh) * 2006-04-13 2012-08-29 卡伯特公司 通过闭合环路方法生产硅
US7656661B2 (en) * 2007-07-31 2010-02-02 Donald Shaum Electronic apparatus with multiple data input modes

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2256449A (en) * 1938-12-06 1941-09-16 Lithographic Technical Foundat Method of removing images from planographic plates
US2287111A (en) * 1940-08-31 1942-06-23 Celanese Corp Treatment of steel surfaces
US3004835A (en) * 1958-11-20 1961-10-17 Mallinckrodt Chemical Works Method of preparing silicon rods
NL251143A (de) * 1959-05-04
GB944009A (en) * 1960-01-04 1963-12-11 Texas Instruments Ltd Improvements in or relating to the deposition of silicon on a tantalum article
GB991581A (en) * 1962-03-21 1965-05-12 High Temperature Materials Inc Expanded pyrolytic graphite and process for producing the same
US3216857A (en) * 1962-05-21 1965-11-09 Wyandotte Chemicals Corp Process for removal of carbonaceous deposits
US3306761A (en) * 1963-04-26 1967-02-28 Phillips Petroleum Co Controlled partial oxidation of carbon black with ammonium nitrate, preferably in the presence of ammonium, alkali metal, and alkaline earth metal halides
DE1917016B2 (de) * 1969-04-02 1972-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Verfahren zur herstellung von hohlkoerpern aus halbleiter material
US3853974A (en) * 1970-04-06 1974-12-10 Siemens Ag Method of producing a hollow body of semiconductor material
US3694264A (en) * 1970-09-28 1972-09-26 Stuart L Weinland Core removal
US3824121A (en) * 1970-10-14 1974-07-16 Union Carbide Corp Production of silicon metal from dichlorosilane

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6153497A (en) * 1999-03-30 2000-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for determining a cause for defects in a film deposited on a wafer

Also Published As

Publication number Publication date
US3900039A (en) 1975-08-19
JPS4976907A (de) 1974-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2145647C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Mustern auf einem Substrat
DE1029941B (de) Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten
DE112005001487T5 (de) Bildung von dielektrischen Schichten mit hohem K-Wert auf glatten Substraten
EP0195223A2 (de) Herstellung metallischer Strukturen auf Nichtleitern
DE2826329A1 (de) Verfahren zum aetzen von loechern
DE2253498A1 (de) Verfahren zum herstellen von mindestens einseitig offenen hohlkoerpern aus halbleitermaterial
DE2726813A1 (de) Verfahren zur herstellung eines fotowiderstandes
AT155712B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen.
DE2550371A1 (de) Verfahren zum thermischen oxydieren von silicium
DE19935560A1 (de) Verfahren zur Herstellung von expandiertem Graphit
DE69419942T3 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung einer halbleiterscheibe in einer flüssigkeit
DE2239145A1 (de) Verfahren zur behandlung von halbleitermaterialien aus iii-v-verbindungen
DE3625597A1 (de) Aetzmittel zum entfernen abgeschiedener materialien von geraeten und zubehoer zur chemischen dampfabscheidung und reinigungsverfahren fuer diese gegenstaende
DE2326447C2 (de) Verfahren zum Entfernen von Schichten aus organischem Material und seine Verwendung
DE2930200A1 (de) Verfahren zum aetzen von metallfilmen mit einem gasplasma
DE2253410B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Rohren für Diffusionsprozesse in der Halbleitertechnik
EP1055749B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE2448526A1 (de) Verfahren zum stromlosen abloesen einer nickelschicht von nickelbeschichteten gegenstaenden aus leichtmetall
DE310994C (de)
DE1521834B2 (de) Verfahren zur herstellung geschichteter halbleiter kristall elemente durch aetzen
DE1621542A1 (de) Verfahren zur Behandlung von Metall
DE855767C (de) Verfahren zum Erzeugen von reflexionsvermindernden Schichten auf optisch wirksamen Flaechen, z. B. Glasflaechen
DE898892C (de) Verfahren zur Gewinnung organischer, in Wasser nur wenig oder nicht loeslicher Verbindungen
DE503111C (de) Herstellung von reinem Wasserstoff
DE1012626B (de) Verfahren zur Erzielung leicht abloesbarer Zunderschichten auf Oberflaechen von Eisen und dessen Legierungen

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee