DE855767C - Verfahren zum Erzeugen von reflexionsvermindernden Schichten auf optisch wirksamen Flaechen, z. B. Glasflaechen - Google Patents
Verfahren zum Erzeugen von reflexionsvermindernden Schichten auf optisch wirksamen Flaechen, z. B. GlasflaechenInfo
- Publication number
- DE855767C DE855767C DEL801D DEL0000801D DE855767C DE 855767 C DE855767 C DE 855767C DE L801 D DEL801 D DE L801D DE L0000801 D DEL0000801 D DE L0000801D DE 855767 C DE855767 C DE 855767C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layers
- coated
- silicon
- optically effective
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021532 Calcite Inorganic materials 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5853—Oxidation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
- Verfahren zum Erzeugen von reflexionsvermindernden Schichten auf optisch wirksamen Flächen, z. B. Glasflächen Die Erfindung geht davon aus, daß bereits Verfaliren bekannt sind, um reflexionsvermindernde Schichten auf ol)tiscli wirksamen Flächen insbesondere auf Glas, oder auch auf Metall, Kunstharz, Kalkspat, Flußspat, Quarz u. dgl. durch Aufdampfen von Kiesels;iure oder der Kieselsäure ähnlichen Oxyden, wie Titandioxyd u. ä., herzustellen.
- 1?rfindungsgemäß werden diese Schichten dadurch erzeugt, daß nach sorgfältiger Reinigung der zu 1>eschiclitenden Flächen diese im Hochvakuum durch .-\ufdanil>fen von reinstem Silicium oder dem Silicium :ihnlichen Elementen beschichtet, und daß anschließend daran die so hergestellten Schichten oxydiert werden. Gegenüber den bekannten Verfahren, bei denen die Oxyde der Metalle und Metalloide aufgedampft werden, wird auf diese Weise eine bedeutende Erleichterung erreicht, weil die Metalle und Metallöide selbst wesentlich leichter verdampfen als ihre Oxyde.
- Bei der Durchführung des Verfahrens kann die Schichtdicke und die Einwirkungsdauer durch den Dampfdruck des Siliciums oder der dem Silicium ähnlichen Elemente geregelt werden. Vor dem Einbringen der Gegenstände in das Hochvakuum müssen sie auf das sorgfältigste gereinigt werden, beispielsweise werden Glaslinsen vorerst sorgfältig mechanisch gereinigt und dann anschließend mit einer hochprozentigen Wasserstoffsuperoxydlösung behandelt. Das Oxydieren der Schicht kann im Hochvakuumgefäß erfolgen, beispielsweise dadurch, daß reinster Sauerstoff eingeleitet wird. Zur Beschleunigung der Oxydation kann das zu überziehende Objekt erwärmt werden. Vorzugsweise wird die Oxydation der aufgebrachten Schicht durch den Sauerstoffpartialdruck von in das Vakuumgefäß eingeleiteter reinster Kohlensäure bewirkt. Der Sauerstoffpartialdruck der Kohlensäure kann durch die Temperatur der Kohlensäure leicht eingestellt werden. Vorzugsweise wird er durch fein regelbare, vorzugsweise örtliche Erhitzung möglichst nahe an der aufgebrachten Schicht eingestellt. Beispielsweise dadurch, daß ein stromdurchflossener Platindraht, dessen Temperatur durch die angelegte Spannurig geregelt wird, nahe an der Schicht ausgespannt wird.
- Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren können schließlich im Vakuumgefäß geeignete Vorrichtungen angebracht werden, um den zur Herstellung des Satierstoffpartialdruckes dienenden Heizkörper entlang der zu oxydierenden Oberfläche oder, umgekehrt, die Oberfläche an, dem Heizelement vorbeizuführen. Durch Versuche kann die notwendige Geschwindigkeit leicht festgestellt werden, um Makro-bzw. Einkristalle auf der Schicht zu erzeugen. Zur Erzielung von solchen Makro- oder Einkristallen wird die Zuggeschwindigkeit dann praktisch gleich der linearenKristallwachstumsgeschwindigkeit sein, also die Kristallwachstumsgeschwindigkeit in der zur Fläche und Zugrichtung parallelen Kristallachse.
- Selbstverständlich kann das erfindungsgemäße Verfahren mehrmals am selben Objekt wiederholt werden, um stärkere Schichten zu erzielen. Um die Festigkeit der Schichten zu erhöhen, ist es auch zweckmäßig, die beschichteten Objekte einer thermischen Behandlung zu unterwerfen, vorzugsweise jedesmal nach fertiger Oxydierung. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich sehr gleichmäßige und festhaftende Schichten beliebiger Dicke von Bruchteilen eines p bis zu vielen ic herstellen, die unter anderem in geeigneter Dicke eine starke reflexionsvermindernde Wirkung aufweisen. Auch zum Schutz empfindlicher Gläser eignen sich diese Schichten.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung reflexionsvermindernder Schichten auf optisch wirksamen Flächen, z. B. Glasflächen, wie Linsen usw.,durch Erzeugen von Schichten aus Kieselsäure oder der Kieselsäure ähnlichen Oxyden, wie Titanoxyd, Germaniumoxyd u. ä., durch Aufdampfen, dadurch gekennzeichnet daß nach sorgfältiger Reinigung der zu beschichtenden Flächen diese im Hochvakuum durch Auf dampfen mit reinstem Silicium oder dem Silicium ähnlichen Elementen beschichtet und anschließend daran die so hergestellten Schichten oxydiert werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxydation der Schichten durch Sauerstoff erfolgt, der durch den mit der Temperatur regelbaren Sauerstoffpartialdruck von in das Hochvakuum eingeführter reinster Kohlensäure erhalten wird, vorzugsweise durch örtliche Erhitzung möglichst nahe an der aufgebrachten Schicht.
- 3. Verfahren nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Silicium oder ähnlichen Elementen beschichteten Flächen durch im Vakuumgefäß befindliche Vorrichtungen an dem den Sauerstoff partialdruck der Kohlensäure regelnden Heizkörper vorbeigeführt werden.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL801D DE855767C (de) | 1939-11-18 | 1939-11-18 | Verfahren zum Erzeugen von reflexionsvermindernden Schichten auf optisch wirksamen Flaechen, z. B. Glasflaechen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL801D DE855767C (de) | 1939-11-18 | 1939-11-18 | Verfahren zum Erzeugen von reflexionsvermindernden Schichten auf optisch wirksamen Flaechen, z. B. Glasflaechen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE855767C true DE855767C (de) | 1952-11-17 |
Family
ID=7255075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEL801D Expired DE855767C (de) | 1939-11-18 | 1939-11-18 | Verfahren zum Erzeugen von reflexionsvermindernden Schichten auf optisch wirksamen Flaechen, z. B. Glasflaechen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE855767C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1037668B (de) * | 1955-01-21 | 1958-08-28 | British Thomson Houston Co Ltd | Verfahren zur Veredlung von glasartigen Flaechen und danach hergestellte elektrische Gluehlampe |
-
1939
- 1939-11-18 DE DEL801D patent/DE855767C/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1037668B (de) * | 1955-01-21 | 1958-08-28 | British Thomson Houston Co Ltd | Verfahren zur Veredlung von glasartigen Flaechen und danach hergestellte elektrische Gluehlampe |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1029941B (de) | Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten | |
| DE2151073C3 (de) | Verfahren zum Polieren von Saphiroder Magnesiumspinell-Einkristallen | |
| DE2942057A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines einkristall-siliziumstabs | |
| DE1913718A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| DE855767C (de) | Verfahren zum Erzeugen von reflexionsvermindernden Schichten auf optisch wirksamen Flaechen, z. B. Glasflaechen | |
| DE1771305A1 (de) | Verfahren zum Reinigen eines fuer die Halbleiterherstellung dienenden Behandlungsgefaesses aus Quarz | |
| DE60218541T2 (de) | Verfahren zur modifizierung einer metalloberfläche | |
| DE1521881A1 (de) | Verfahren zum AEtzen aus der Gasphase | |
| DE744504C (de) | Verfahren zum Haerten von Glasgegenstaenden | |
| DE2506989B2 (de) | Verfahren zum Ätzen und/oder Polieren von Lithiumtantalat, Lithiumniobat und Bariumtitanat | |
| CH685137A5 (de) | Optisches Element bzw. System mit einer dünnen Schicht aus Galliumoxid und Herstellverfahren dafür. | |
| DE1544281B2 (de) | Verfahren zum Dotieren von SiIicium-Halbleitermaterial | |
| DE1769968C3 (de) | Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von anorganischem Material auf der gereinigten Oberfläche eines SiIiciumkristalls | |
| DE2528585B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von dotierten a -Aluminiumoxid-Einkristallen | |
| DE1596756A1 (de) | Verfahren zum AEtzen von Glas | |
| DE2306474C3 (de) | Verfahren zum Herstellen farbiger Lüsterüberzüge | |
| DE740517C (de) | Verfahren zur Waermebehandlung von austenitischen Werkstoffen in einem Turmofen | |
| DE1521953C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Oxidbelages auf einem vorzugsweise einkristallinen Körper aus Halbleitermaterial | |
| DE1769968B2 (de) | Verfahren zum epitaktischen abscheiden von anorganischem material auf der gereinigten oberflaeche eines siliciumkristalls | |
| DE926987C (de) | Verfahren zur Herstellung von duennen, zusammenhaengenden, homogenen, hexagonalen Selenschichten auf glatter, lichtdurch-laessiger Unterlage, z. B. auf Glas oder Quarzglas | |
| DE1644015C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Einkristallen aus halbleitenden Verbindungen | |
| DE1421803A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von Druck-oder Zugspannungen in der Oberflaeche eines Quarzglaskoerpers durch Erhitzen desselben und anschliessendes Abkuehlen | |
| DE680560C (de) | Verfahren zur Erzeugung von getruebten Oxydschichten auf Legierungen des Aluminiums und des Magnesiums | |
| DE2111961A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von hoch reinem,einkristallinem Silizium | |
| DE1159407B (de) | Verfahren zum orientierten Kristallabscheiden von Silicium auf einen Siliciumtraeger |