DE2250918C2 - Chipträger für Mikrowellen-Leistungstransistoren und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Chipträger für Mikrowellen-Leistungstransistoren und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE2250918C2
DE2250918C2 DE2250918A DE2250918A DE2250918C2 DE 2250918 C2 DE2250918 C2 DE 2250918C2 DE 2250918 A DE2250918 A DE 2250918A DE 2250918 A DE2250918 A DE 2250918A DE 2250918 C2 DE2250918 C2 DE 2250918C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact
base
emitter
chip
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2250918A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2250918A1 (de
Inventor
David G. Linthicum Heights Laighton, Md.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Westinghouse Electric Corp
Original Assignee
Westinghouse Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Electric Corp filed Critical Westinghouse Electric Corp
Publication of DE2250918A1 publication Critical patent/DE2250918A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2250918C2 publication Critical patent/DE2250918C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W44/20—
    • H10W72/30—
    • H10W90/00—
    • H10W44/226—
    • H10W70/682—
    • H10W70/685—
    • H10W72/073—
    • H10W72/07331—
    • H10W72/075—
    • H10W72/07554—
    • H10W72/5445—
    • H10W72/547—
    • H10W72/932—
    • H10W90/754—

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
DE2250918A 1971-10-27 1972-10-18 Chipträger für Mikrowellen-Leistungstransistoren und Verfahren zu seiner Herstellung Expired DE2250918C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US19285171A 1971-10-27 1971-10-27
US00341638A US3838443A (en) 1971-10-27 1973-03-15 Microwave power transistor chip carrier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2250918A1 DE2250918A1 (de) 1973-05-10
DE2250918C2 true DE2250918C2 (de) 1982-02-04

Family

ID=26888429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2250918A Expired DE2250918C2 (de) 1971-10-27 1972-10-18 Chipträger für Mikrowellen-Leistungstransistoren und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3838443A (enExample)
DE (1) DE2250918C2 (enExample)
FR (1) FR2158037B1 (enExample)
NL (1) NL7214488A (enExample)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3908185A (en) * 1974-03-06 1975-09-23 Rca Corp High frequency semiconductor device having improved metallized patterns
US3916350A (en) * 1974-03-27 1975-10-28 Bell Telephone Labor Inc Packaged impatt or other microwave device with means for avoiding terminal impedance degradation
US4004256A (en) * 1974-06-10 1977-01-18 Duncan David M High frequency amplifier stage with input reference translation and output matching
US3958195A (en) * 1975-03-21 1976-05-18 Varian Associates R.f. transistor package having an isolated common lead
JPS52120768A (en) * 1976-04-05 1977-10-11 Nec Corp Semiconductor device
DE2836003A1 (de) * 1978-08-17 1980-02-28 Licentia Gmbh Halbleiteranordnung
EP0015709B1 (en) * 1979-03-10 1984-05-23 Fujitsu Limited Constructional arrangement for semiconductor devices
FR2495837A1 (fr) * 1980-12-09 1982-06-11 Thomson Csf Embase de microboitier d'encapsulation et microboitier comportant une telle embase
US4507708A (en) * 1983-03-30 1985-03-26 Westinghouse Electric Corp. RF module with integral coaxial connector means
US4607276A (en) * 1984-03-08 1986-08-19 Olin Corporation Tape packages
US5103283A (en) * 1989-01-17 1992-04-07 Hite Larry R Packaged integrated circuit with in-cavity decoupling capacitors
US4965526A (en) * 1989-07-14 1990-10-23 Motorola Inc. Hybrid amplifier
KR0156334B1 (ko) * 1995-10-14 1998-10-15 김광호 차폐 본딩 와이어를 구비하는 고주파, 고밀도용 반도체 칩 패키지
JP2810647B2 (ja) * 1996-04-30 1998-10-15 山一電機株式会社 Ｉｃパッケージ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202925C (enExample) * 1969-04-30 1900-01-01
NL6604964A (enExample) * 1966-04-14 1967-10-16
GB1130666A (en) * 1966-09-30 1968-10-16 Nippon Electric Co A semiconductor device
GB1181459A (en) * 1966-09-30 1970-02-18 Nippon Electric Co Improvements in Semiconductor Structures
GB1200375A (en) * 1967-09-15 1970-07-29 Texas Instruments Ltd Transistors and headers
US3711778A (en) * 1970-03-18 1973-01-16 Sperry Rand Corp Microwave microcircuit
US3626259A (en) * 1970-07-15 1971-12-07 Trw Inc High-frequency semiconductor package
US3710202A (en) * 1970-09-09 1973-01-09 Rca Corp High frequency power transistor support
US3683241A (en) * 1971-03-08 1972-08-08 Communications Transistor Corp Radio frequency transistor package

Also Published As

Publication number Publication date
NL7214488A (enExample) 1973-05-02
FR2158037A1 (enExample) 1973-06-08
FR2158037B1 (enExample) 1977-08-05
US3838443A (en) 1974-09-24
DE2250918A1 (de) 1973-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0000384B1 (de) Anordnung zum Packen schnell schaltender monolitisch integrierter Halbleiterschaltungen, die für die Anschlusspunkte der Stromversorgung des Halbleiterplättchens Entkoppelkondensatoren aufweist, und ein Verfahren zur Herstellung der Anordnung.
DE1903961C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2250918C2 (de) Chipträger für Mikrowellen-Leistungstransistoren und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69528960T2 (de) Leiterrahmen mit mehreren leitenden schichten
DE2411259A1 (de) Integrierter schaltkreis und verfahren zu seiner herstellung
DE3017447C2 (enExample)
DE1640307A1 (de) Duennschichttechnik zur Herstellung integrierter Schaltungen
DE2952441A1 (de) Laminiertes elektronisches bauteil und verfahren zur herstellung solcher bauteile
DE2300847A1 (de) Schmelzbare verbindung fuer integrierte schaltungen
DE1216437C2 (de) Verfahren zur herstellung einer mikrominiaturisierten integrierten halbleiterschaltungsanordnung
DE1933731A1 (de) Verbindungselemente fuer Halbleiterschaltungselemente und integrierte Schaltungsanordnungen
DE2646404A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen mit hoher waermeleitfaehigkeit
DE2705757C2 (de) Dynamischer Schreib-Lese-Speicher
DE69616687T2 (de) Elektronisches bauelement, welches eine dünnschichtstruktur mit passiven elementen enthält
DE2044975C3 (de) Halbleiteranordnung mit verminderter Zuleitungsinduktivität
DE2117365A1 (de) Integrierte Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3235772A1 (de) Mehrschichtkondensator
DE10318422B4 (de) Hochfrequenz-Bipolartransistor mit Silizidregion und Verfahren zur Herstellung desselben
DE1639349C3 (de) Feldeffekt-Transistor mit isolierter Gate-Elektrode, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung eines solchen Feldeffekt-Transistors in einer integrierten Schaltung
DE2514139A1 (de) Verfahren zum herstellen eines kondensators
DE2541651A1 (de) Ladungsuebertragungsvorrichtung
DE60024784T2 (de) Feldemissionsanordnung
DE2408402A1 (de) Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen bzw. nach einem solchen verfahren hergestellte integrierte halbleiterschaltungseinheit
DE2203892C3 (de) Transistoranordnung mit mehreren zur Leistungserhöhung bei hohen Frequenzen parallel geschalteten Transistorelementen
DE1614155A1 (de) Integrierte Schaltung mit sich ueberkreuzenden Verbindungsleitern

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8331 Complete revocation