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Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit einem Substrat,
das eine mit einer Dünnschichtstruktur mit passiven Bauelementen versehene Oberfläche
hat, mit einem in einer Schicht aus Widerstandsmaterial gebildeten Widerstand und einem
Kondensator, der eine in einer auf der Oberfläche aufgebrachten Elektrodenschicht
gebildete untere Elektrode hat, welche Elektrodenschicht als Einzelschicht aus leitfähigem
Material ausgeführt ist, ein von einer auf der unteren Elektrode aufgebrachten Schicht aus
isolierendem Material gebildetes Dielektrikum und eine obere Elektrode, die in einer auf dem
Dielektrikum aufgebrachten Elektrodenschicht gebildet ist, welche Elektrodenschicht als
Doppelschicht ausgeführt ist, von der eine erste Teilschicht von der Schicht aus
Widerstandsmaterial gebildet wird, in der auch der Widerstand gebildet worden ist, wobei darauf
eine Schicht aus leitfähigem Material aufgebracht ist, die die andere, zweite Teilschicht
bildet.
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Bei der Fertigung eines solchen elektronischen Bauelementes können
Prozesse verwendet werden, die auch bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen wie z. B.
integrierten Schaltungen verwendet werden. Die passiven Elemente können dann mit
Abmessungen von einigen Mikrometern auf einem Substrat aufgebracht werden. Wenn als
Substrat eine Siliciumscheibe verwendet wird, die beispielsweise mit einer
Siliciumoxidschicht versehen ist, ist es möglich, außer den passiven Elementen auch aktive Elemente
wie z. B. Bipolar- und MOS-Transistoren in dem elektronischen Bauelement anzubringen.
RC- und LC-Netzwerke können in einem Gehäuse enthalten sein, wie es zum Umhüllen
von integrierten Schaltungen verwendet wird; eventuell in Kombination mit aktiven
Komponenten.
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R. Day et al. "A Silicon-on -Silicon Multichip Module Technology with
Integrated Bipolar Components in the Substrate" Proc. 1994, IEEE MCM Conference,
MCMC-94, S. 64-67, beschreibt ein Bauelement der eingangs erwähnten Art, bei dem die
untere Elektrode des Kondensators in der gleichen Schicht aus Widerstandsmaterial
gebildet wird, in der auch der Widerstand gebildet wird. Das verwendete Widerstandsmaterial ist
hier Tantalsilicid. Der Widerstand und die untere Elektrode sind mit einer isolierenden
Siliciumnitridschicht bedeckt, die gleichzeitig das Dielektrikum des Kondensators bildet. Die
obere Elektrode des Kondensators wird in einer Elektrodenschicht aus Aluminium gebildet.
In dieser Aluminiumelektrodenschicht sind auch Leiterbahnen gebildet worden, die mit
dem Widerstand und der unteren Elektrode des Kondensators verbunden sind.
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Die Dünnschichtstruktur mit dem Widerstand und dem Kondensator kann in
dem bekannten Bauelement verhältnismäßig einfach hergestellt werden. Hierfür sind eine
begrenzte Anzahl von Prozesschritten und drei Photolackmasken erforderlich. Eine Maske
zum Bilden der unteren Elektrode und des Widerstandes in der Schicht aus
Widerstandsmaterial, eine Maske, um die isolierende Siliciumnitridschicht mit Kontaktfenstern zu
versehen, und eine Maske, um die obere Elektrode in der Aluminiumelektrodenschicht zu
bilden.
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Ein Nachteil des bekannten Bauelementes ist jedoch, dass die untere
Elektrode aus einem Widerstandsmaterial hergestellt wird. Daher hat der Kondensator einen
verhältnismäßig großen Serienwiderstand. Außerdem wird die untere Elektrode von der
Leiterbahn kontaktiert, die nahe der oberen Elektrode liegt, d. h. lateral vom tatsächlichen
Kondensator. Dies erhöht den Serienwiderstand weiterhin.
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Der Erfindung liegt unter anderem die Aufgabe zugrunde, ein Bauelement
zu verschaffen, mit einer Dünnschichtstruktur mit einem Widerstand und einem
Kondensator der eingangs erwähnten Art, die auch verhältnismäßig einfach hergestellt werden
können, aber wobei der Kondensator einen verhältnismäßig niedrigen Serienwiderstand hat.
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Gemäß der Erfindung ist das elektronische Bauelement hierzu dadurch
gekennzeichnet, dass die oberen Elektrode des Kondensators in einer Elektrodenschicht
gebildet wird, die als Doppelschicht ausgeführt ist, von der eine erste Teilschicht von der
Schicht aus Widerstandsmaterial gebildet wird, in der auch der Widerstand gebildet worden
ist, wobei darauf eine Schicht aus leitfähigem Material aufgebracht ist, die die andere,
zweite Teilschicht bildet.
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Der Kondensator in dem erfindungsgemäßen Bauelement hat auch einen
Serienwiderstand. Da die Elektrode in einer Doppelschicht gebildet worden ist, kann der
Serienwiderstand in einen Serienwiderstand in der Teilschicht aus Widerstandsmaterial und
einen Serienwiderstand in der Teilschicht aus leitfähigem Material unterteilt werden. Der
erste Serienwiderstand ist verhältnismäßig hoch, der letztere verhältnismäßig niedrig. Da
die beiden parallel liegen, ist der gesamte Serienwiderstand auch verhältnismäßig niedrig.
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Das erfindungsgemäße elektronische Bauelement kann auch in einfacher
Weise hergestellt werden. Nachdem die Doppelschicht aufgebracht worden ist, werden die
Elektrode und der Widerstand mit Hilfe einer ersten Photolackmaske in beiden
Teilschichten gebildet, woraufhin die erste Teilschicht von dem Widerstand mit Hilfe einer zweiten
Photolackmaske entfernt wird. Eine Photolackmaske ist notwendig, um in der
dielektrischen Schicht Kontaktfenster anzubringen, und eine, um in der anderen Elektrodenschicht
Leiterbahnen zu bilden. Insgesamt sind vier Photolackmasken erforderlich.
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Die obere Elektrode des Kondensators wird in der Elektrodenschicht
gebildet, die als Doppelschicht ausgeführt ist, während die untere Elektrode des Kondensators in
einer Elektrodenschicht gebildet wird, die als Einzelschicht aus leitfähigem Material
ausgeführt ist. In dem erfindungsgemäßen Element werden in beiden Elektrodenschichten gut
leitende Leiterbahnen gebildet. Mit den vier oben genannten Photolackmasken können
daher zwei Verdrahtungsschichten zusätzlich zu der Dünnschichtstruktur mit dem
Kondensator und dem Widerstand hergestellt werden.
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In dem bekannten Bauelement können gut leitende Leiterbahnen nur in der
leitfähigen Elektrodenschicht gebildet werden. Um eine zweite Verdrahtungsschicht zu
bilden, wird daher oben auf der Dünnschichtstruktur mit dem Widerstand und dem
Kondensator eine weitere Isolierschicht und eine zusätzliche Struktur aus Aluminiumleitern
gebildet. Um diese zusätzliche Struktur aus Leitern anzubringen, sind zusätzliche Schritte
und zwei weitere Photolackmasken erforderlich. Eine der zusätzlichen Photolackmasken
dient dazu, die Isolierschicht mit Kontaktfenstern zu versehen, die andere zum Bilden der
Leiterbahnen in einer Aluminiumschicht.
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Die als Einzelschicht aus leitfähigem Material ausgeführte Elektrodenschicht
wird auf der Substratoberfläche angebracht und die als Doppelschicht ausgeführte
Elektrodenschicht auf der Schicht aus isolierendem Material, die das Dielektrikum des
Kondensators bildet. Der in der Doppelschicht durch örtliches Entfernen der leitfähigen Schicht von
dieser Doppelschicht gebildete Widerstand liegt daher frei auf der Oberfläche der
Dünnschichtstruktur. Der Widerstand kann daher in einfacher Weise getrimmt werden: sein
Widerstandswert kann durch örtliches Entfernen des Widerstandsmaterials in einfacher Weise
verändert werden.
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Der Wert der Kapazität des Kondensators kann auch in einfacher Weise
verändert werden, weil die obere Elektrode frei auf der Oberfläche der Dünnschichtstruktur
liegt. In einer besonderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelementes wird
auch eine Spule in der als Doppelschicht ausgeführten Elektrodenschicht gebildet, wobei
ein Spulenende mit einer Leiterbahn verbunden wird, die in der auf der Oberfläche
aufgebrachten Elektrodenschicht gebildet worden ist. Der Wert der Selbstinduktivität dieser
Spule kann in entsprechender Weise einfach verändert werden, weil sie frei auf der
Oberfläche der Dünnschichtstruktur liegt.
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In der Widerstandsschicht wird am Ort des Widerstandes eine
Trimmoberfläche gebildet, mit deren Hilfe, durch Entfernen der genannten Trimmoberfläche, der
Widerstandswert verändert wird, während am Ort des Kondensators und am Ort der Spule in
der Doppelschicht Trimmoberflächen gebildet werden, mit denen die Kapazität oder die
Selbstinduktionswerte durch Entfernen der genannten Trimmoberflächen verändert werden.
Derartige Trimmoberflächen können so angebracht werden, dass der Widerstandswert, die
Kapazität oder die Selbstinduktivität in bekannte, zuvor bestimmte Werte verändert werden
können.
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Weiterhin wird am Ort der Trimmoberflächen für den Kondensator und die
Spule die Schicht aus leitfähigem Material von der Schicht aus Widerstandsmaterial
entfernt. Zum Trimmen aller dieser genannten passiven Elemente müssen dann
Trimmoberflächen des gleichen Materials entfernt werden.
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Eine Ausführungsform der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und
wird im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
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Fig. 1 bis 5 schematisch und im Querschnitt einige Stadien bei der
Herstellung eines elektronischen Bauelements,
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Fig. 6 bis 10 schematisch und im Querschnitt einige Stadien bei der Herstellung
eines anderen elektronischen Bauelementes und
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Fig. 11 schematisch im Querschnitt eine Ausführungsform eines
erfindungsgemäßen elektronischen Bauelementes.
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Fig. 1 bis 5 zeigen schematisch und im Querschnitt einige Stadien bei der
Herstellung eines elektronischen Bauelementes, wie in Fig. 5 gezeigt, mit einem Substrat 1,
in diesem Beispiel eine Siliciumscheibe 2, die mit einer Siliciumoxidschicht 3 versehen ist.
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Eine Oberfläche 4 des Substrats ist mit einer Dünnschichtstruktur mit passiven Elementen 5
versehen. Die Struktur 5 umfasst einen Widerstand 6, der in einer Schicht aus
Widerstandsmaterial gebildet worden ist, und einen Kondensator 8 mit einer in einer auf der
Oberfläche 4 aufgebrachten Elektrodenschicht 10 gebildeten unteren Elejktrode 9, mit
einem von einer auf der unteren Elektrode 9 aufgebrachten Schicht aus isolierendem Material
12 gebildeten Dielektrikum 11 und mit einer in einer auf dem Dielektrikum 11
aufgebrachten Elektrodenschicht 14 gebildeten oberen Elektrode 13. Die Dünnschichtstruktur 5
umfasst auch eine Spule 15 mit in der auf der isolierenden Schicht 12 aufgebrachten
Elektrodenschicht 14 gebildeten Windungen 16. Ein Ende 18 der Spule 15 ist mit dem Widerstand
6 mit Hilfe einer in der auf der Oberfläche 4 vorhandenen Elektrodenschicht 10 gebildeten
Leiterbahn 17 verbunden.
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Eine der Elektroden des Kondensators 8, in diesem Beispiel die untere
Elektrode 9, ist in einer Elektrodenschicht 10 gebildet worden, die als Doppelschicht
ausgeführt ist, von der die Schicht aus Widerstandsmaterial 7, in dem auch der Widerstand 6
gebildet worden ist, eine erste Teilschicht 19 bildet, auf der eine Schicht aus leitendem
Material 20 aufgebracht ist, die die andere zweite Teilschicht 21 bildet.
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Der Kondensator 8 hat einen Serienwiderstand. Da die Elektrode 9 in der
Doppelschicht 12 gebildet worden ist, kann der Serienwiderstand in einen Serienwiderstand
auf der Teilschicht 19 aus Widerstandsmaterial und einen Serienwiderstand in der
Teilschicht 21 aus leitfähigem Material unterteilt werden. Der erstgenannte Serienwiderstand ist
verhältnismäßig hoch, der letztgenannte verhältnismäßig niedrig. Da beide parallel sind, ist
der gesamte Serienwiderstand auch verhältnismäßig niedrig.
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Das elektronische Bauelement in Fig. 5 kann in einfacher Weise hergestellt
werden. Zuerst wird eine Schicht aus Widerstandsmaterial 7 und eine Schicht aus
leitfähigem Material 20 auf der Oberfläche 4 des Substrats 1 in einem üblichen Sputterprozess
deponiert, ohne dass das Substrat 1 aus der Sputteranlage genommen wird. Die Schicht aus
Widerstandsmaterial 7 ist in diesem Beispiel eine ungefähr 100 nm dicke TiW-Schicht, die
einen Flächenwiderstand von ungefähr 10 Ω hat. Die Schicht aus leitfähigem Material 20
ist in diesem Beispiel eine ungefähr S00 nm dicke Aluminiumschicht, die einen
Flächenwiderstand von weniger als 0,1 Ω hat.
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Nach Anbringen der Doppelschicht 19, 21 werden die Elektrode 9, der
Widerstand 6 und die Leiterbahn 17 in den beiden Teilschichten 19, 21 in üblicher Weise mit
Hilfe einer ersten Photolackmaske 22 hergestellt. Dann wird die erste Teilschicht 21 von
dem Widerstand 6 mit Hilfe einer zweiten Photolackmaske 23 entfernt.
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Anschließend wird die Schicht aus isolierendem Material 12 deponiert. In
dem vorliegenden Beispiel ist dies eine ungefähr 100 nm dicke Siliciumnitridschicht, die in
einem üblichen PECVD-Prozess (PECVD = Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition) deponiert wird. In dieser Schicht aus isolierendem Material werden mit Hilfe einer
dritten Photolackmaske 24 in einem üblichen Ätzplasma, das Fluor enthält, Kontaktfenster
25 geätzt.
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Nach Bildung des Kontaktfensters 25 wird die Elektrodenschicht 14 auf der
Schicht aus isolierendem Material 12 deponiert. In diesem Beispiel wird mit Hilfe eines
üblichen Sputterdepositionsprozesses eine ungefähr 500 nm dicke Aluminiumschicht
deponiert. In dieser Schicht werden die obere Elektrode des Kondensators 8 und die Windungen
16 der Spule 15 mit Hilfe einer vierten Photolackmaske 26 gebildet.
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Eine der Elektroden, hier die untere Elektrode 9 des Kondensators 8, wird in
der Elektrodenschicht 10 gebildet, die als Doppelschicht ausgeführt ist, die andere
Elektrode 13 in einer Elektrodenschicht 14, die als Einzelschicht aus leitfähigem Material
hergestellt ist. In den beiden Elektrodenschichten 10 und 14 des erfindungsgemäßen Elementes
werden gut leitende Leiterbahnen 17 bzw. 27, 28 gebildet. Die Leiterbahn 16 verbindet das
Ende 18 der Spule 15 mit dem Widerstand 6, die Leiterbahn 27 verbindet den Kondensator
8 und die Leiterbahn 28 die Spule 15 mit beispielsweise einem anderen passiven Element,
das nicht abgebildet ist. Mit den vier oben genannten Photolackmasken werden daher zwei
Verdrahtungsschichten 17 und 27, 28 zusätzlich zu der Dickschichtstruktur 5 mit dem
Kondensator 8 und dem Widerstand 14 gebildet.
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In dem in Fig. 5 gezeigten Bauelement ist die Elektrodenschicht 10, die als
Doppelschicht 19, 21 ausgeführt ist, unter der anderen Elektrodenschicht 13 vorgesehen.
Fig. 10 zeigt ein anderes elektronisches Bauelement. Dieses umfasst ein Substrat 31, wieder
eine Siliciumscheibe 32, die in diesem Beispiel mit einer Siliciumoxidschicht 33 versehen
ist. Wieder wird eine Oberfläche 34 des Substrats mit einer Dünnschichtstruktur versehen,
die passive Elemente 35 umfasst. Die Struktur 35 umfasst einen Widerstand 36, der in einer
Schicht aus Widerstandsmaterial 37 gebildet worden ist, und einen Kondensator 38 mit
einer unteren Elektrode 39, die in einer auf der Oberfläche 34 aufgebrachten
Elektrodenschicht gebildet worden ist, mit einem von einer auf der unteren Elektrode 39
aufgebrachten Schicht aus isolierendem Material 42 gebildeten Dielektrikum 41 und mit einer in einer
auf dem Dielektrikum 11 aufgebrachten Elektrodenschicht 44 gebildeten oberen Elektrode
43. Die Dünnschichtstruktur 5 umfasst auch eine Spule 45 mit Windungen 46, die in der auf
der Isolierschicht 42 aufgebrachten Elektrodenschicht 44 gebildet worden sind. Ein Ende
48 der Spule 14 ist mittels einer Leiterbahn 47, die in einer auf der Oberfläche 4
vorhandenen Elektrodenschicht 40 gebildet worden ist, mit einem weiteren passiven Element (nicht
abgebildet) verbunden.
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In diesem elektronischen Bauelement ist die Elektrodenschicht 44 als
Doppelschicht 49, 51 ausgeführt. Die Doppelschicht 49, 51 ist auf der Schicht aus isolierendem
Material 42 aufgebracht, die das Dielektrikum 41 des Kondensators 38 bildet. Die
Elektrodenschicht 40, die als Einzelschicht aus leitfähigem Material ausgeführt ist, ist auf der
Oberfläche 34 des Substrats 30 aufgebracht.
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In diesem Bauelement wird die obere Elektrode 43 von einer
Elektrodenschicht 44 gebildet, die als Doppelschicht ausgeführt ist, von der die Schicht aus
Widerstandsmaterial 37, in der auch der Widerstand 36 gebildet worden ist, eine erste Teilschicht
49 bildet, auf der eine Schicht aus leitfähigem Material 40 aufgebracht ist, die die andere,
zweite Teilschicht 41 bildet. Der Kondensator 38 weist wieder einen verhältnismäßig
niedrigen Serienwiderstand auf, der durch die Parallelschaltung aus einem Serienwiderstand in
der Teilschicht 49 aus Widerstandsmaterial und einem Serienwiderstand in der Teilschicht
41 aus leitfähigem Material gebildet wird.
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Das in Fig. 10 gezeigte Bauelement kann auch in einfacher Weise hergestellt
werden. Zuerst wird eine Schicht aus leitfähigem Material 40, in diesem Beispiel eine
ungefähr 500 nm dicke Schicht aus Kobaltsilicid, auf der Oberfläche 34 des Substrats 31 in
einem üblichen Sputterprozess deponiert.
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Nach Aufbringen der Schicht 40 werden die Elektrode 39 und die Leiterbahn
47 in der Schicht 40 in üblicher Weise mit Hilfe einer ersten Photolackmaske 52 gebildet.
Anschließend wird die Schicht aus isolierendem Material 42 aufgebracht. In
diesem Beispiel ist das eine ungefähr 100 nm dicke Siliciumnitridschicht, die mit Hilfe
eines LPCVD-Prozesses (LPCVD = Low Pressure Chemical Vapor Deposition) deponiert
wird. Mit einem LPCVD-Prozess kann eine dichtere Siliciumnitridschicht erhalten werden
als mit dem anhand des ersten Beispiels genannten PECVD-Prozess. Der LPCVD-Prozess
erfordert jedoch eine höhere Prozesstemperatur, was es erforderlich macht, unter der
deponierten Schicht eine Schicht aus leitfähigem Material aufzubringen, die gegen eine solche
hohe Temperatur beständig ist. Für diesen Zweck ist Kobaltsilicid ein geeignetes Material,
obwohl auch höchstschmelzende Metalle wie Wolfram und Molybdän geeignet wären.
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In der Schicht aus isolierendem Material 42 werden mit Hilfe einer zweiten
Photolackmaske 53 Kontaktfenster 54 angebracht, woraufhin die Doppelschicht 49, 51
deponiert wird. Eine Schicht aus Widerstandsmaterial 37 und eine Schicht aus leitfähigem
Material 55 werden in einem üblichen Sputterprozess deponiert, ohne dass das Substrat 31
aus der Sputteranlage genommen wird. Die Schicht aus Widerstandsmaterial 37 ist in
diesem Beispiel eine ungefähr 100 nm dicke TiW-Schicht, die einen Flächenwiderstand von
ungefähr 10 Ω hat. Die Schicht aus leitfähigem Material 55 ist in diesem Beispiel eine
ungefähr 500 nm dicke Aluminiumschicht.
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Nach Aufbringen der Doppelschicht 49, 51 werden die obere Elektrode 43
des Kondensators 38 und die Windungen 46 der Spule 45 in üblicher Weise mit Hilfe einer
dritten Photolackmaske 56 geätzt. Schließlich wird mit Hilfe einer vierten Photolackmaske
57 die Teilschicht 51 vom Widerstand 36 entfernt.
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Auch in diesem Beispiel werden mit vier Photolackmasken nicht nur die
Dünnschichtstruktur 35 mit dem Kondensator 38 und Widerstand 36, sondern auch zwei
Verdrahtungsschichten gebildet.
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In dem in Fig. 10 gezeigten Bauelement wird die als Einzelschicht aus
leitfähigem Material ausgeführte Elektrodenschicht 40 auf der Oberfläche 34 des Substrats 31
aufgebracht und die als Doppelschicht ausgeführte Elektrodenschicht 49, 51 auf der Schicht
aus isolierendem Material 42, die das Dielektrikum 41 des Kondensators 38 bildet. Der in
der Doppelschicht 49, 51 durch örtliches Entfernen der leitfähigen Schicht 55 von dieser
Schicht 49, 51 gebildete Widerstand 36 liegt dann frei auf der Oberfläche der
Dünnschichtstruktur 35. Der Widerstand 36 kann somit in einfacherer Weise getrimmt werden: der Wert
des Widerstandes 36 kann durch örtliches Entfernen von Widerstandsmaterial von der
Schicht 37 beispielsweise durch Erhitzen mit einem Laserstrahlenbündel in einfacher Weise
verändert werden.
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Der Wert der Kapazität des Kondensators 38 kann auch in einfacher Weise
verändert werden, weil die obere Elektrode 43 frei auf der Oberfläche der
Dünnschichtstruktur liegt. Der Wert der Selbstinduktivität der Spule 45 kann entsprechend in einfacher
Weise verändert werden, weil die Spulen 46 frei auf der Oberfläche der
Dünnschichtstruktur 35 liegen.
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Gemäß der Erfindung wird, wie in Fig. 11 gezeigt, in der
Widerstandsschicht 37 am Ort des Widerstandes 36 eine Trimmoberfläche 58 gebildet, mit der durch
Entfernen dieser Trimmoberfläche 58 die Größe des Widerstandes 36 erhöht oder erniedrigt
werden kann, und in der Doppelschicht können am Ort des Kondensators 38 und der Spule
45 Trimmoberflächen 59 und 60 gebildet werden, mit denen die Werte der Kapazität oder
der Selbstinduktivität durch Entfernen der genannten Trimmoberflächen 59 und 60 erhöht
oder erniedrigt werden können. Solche Trimmoberflächen 58, 59, 60 können so angebracht
werden, dass der Widerstandswert, die Kapazität oder der Wert der Selbstinduktivität auf
bekannte, zuvor bestimmte Werte erhöht oder erniedrigt werden. Die Trimmoberfläche 58
kann beispielsweise so am Ort des Widerstandes 36 angebracht werden, dass eine in der
Schicht aus Widerstandsmaterial gebildete (nicht abgebildete) Schleife, die Teil des
Widerstandes 36 ist. von der Trimmoberfläche 58 kurzgeschlossen wird. Wenn anschließend die
Trimmoberfläche 58 entfernt wird, wird die genannte Schleife zu dem Widerstand 36
hinzugefügt, so dass dessen Widerstandswert größer wird. Am Ort des Kondensators 38 ist
beispielsweise die Trimmoberfläche 59 ein Teil der oberen Elektrode 43. Wenn die
Trimmoberfläche 59 entfernt wird, erhält der Kondensator 38 einen höheren Kapazitätswert. Die
Trimmoberfläche 60 am Ort der Spule 45 kann so aufgebracht werden, dass eine
Spulenwindung von dieser Trimmoberfläche 60 kurzgeschlossen wird. Wenn die
Trimmoberfläche 60 entfernt wird, erhält die Spule 45 eine höhere Selbstinduktivität.
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Die Schicht aus leitfähigem Material 55 ist von der Schicht aus
Widerstandsmaterial 37 am Ort der Trimmoberflächen 59 und 60 für den Kondensator 38 und die
Spule 45 entfernt worden. Zum Trimmen aller genannten passiven Elemente muss dann
eine Trimmoberfläche aus gleichem Material entfernt werden, in diesem Beispiel TiW,
beispielsweise durch Bestrahlung mit einem Laserstrahlenbündel.
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Es wird deutlich sein, dass die oben beschriebene Ausführungsform
ausschließlich ein Beispiel ist und viele andere Varianten innerhalb des Rahmens der
Erfindung, die durch die Ansprüche definiert wird, möglich sind. So kann das Substrat, das in
den Beispielen eine Siliciumscheibe ist, die mit einer Siliciumoxidschicht überzogen ist,
aus einem anderen isolierenden Material wie z. B. Glas oder Aluminiumoxid hergestellt
werden. Bei Verwendung einer Siliciumscheibe als Substrat kann das Bauelement
zusätzlich zu den passiven Elementen auch aktive Elemente wie z. B. Transistoren und Dioden
umfassen. Selbst eine integrierte Schaltung kann dann in dem Substrat angebracht werden.
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Beispielsweise kann eine solche Schaltung eventuell oben auf der Dünnschichtstruktur mit
den passiven Elementen mit Hilfe einer üblichen Flip-Chip-Technik angebracht werden.