DE2248824B2 - Gyrator - Google Patents
GyratorInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/40—Impedance converters
- H03H11/42—Gyrators
Description
■nindestens in der zweiten Differenzstromquelle in tors darstellt und mindestens einer der beiden Ein-
den Kreisen zwischen dem Kollektor jedes ihrer 20 gänge und die beiden Ausgänge des Gyrators über
t>eiden Eingangstransistoren und einem Speise- hochohmige Stromquellen mit Punkten konstanten
funkt eine hochohmige Stromquelle angeordnet Potentials verbunden sind sowie mindestens in der
ist, wobei Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe zweiten Differenzstromquelle in den Kreisen zwischen
«lie hochohmigen Stromquellen mit demselben dem Kolirktor jedes ihrer beiden Eingangstransistoren
Stromeinstellglied gekoppelt werden, dadurch 25 und einem Speisepunkt eine hochohmige Stromquelle
gekennzeichnet, daß jeder der Kollektor- angeordnet ist, wobei Mittel vorgesehen sind, mit
Anschlüsse der beiden Eingangstransistoren (T11, deren Hilfe alle hochohmigen Stromquellen mit dcm-
Tn) der zweiten Differenzstromquelle zusätzlich selben Stromeinstellglied gekoppelt werden.
iber einen Stromrückkopplungsweg (T1.,, T12') je- Gyratoren werden vielfach z. B. als Ersatzmittel
»veils mit der Steuerelektrode eines Hilfstransistors 30 für große und kostspielige Spulen aus LC-Filterschal-
T13, T13') verbunden ist, dessen Kollektor-Emit- tungen verwendet. Wenn nämlich zwischen den Ein-
ler-Strecke in dem Kreis zwischen dem Emitter- gangsklemmen des Gyrators eine Kapazität ange-
»nschluß des Eingangstransistors (T11, T11') und bracht wird, wird zwischen den Ausgangsklemmen
iem Ausgang der zweiten Differenzstromquelle des Gyrators eine Selbstinduktion gemessen. Mit Hilfe
»ngeordnet ist. 35 einer Kapazität und eines Gyralors kann also eine
2. Gyrator nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Selbstinduktion nachgebildet werden, wobei die Austeichnet,
daß in der zweiten Differenzstromquellc gangsklemmen des Gyrators dann zugleich die Ander
Emitter des Hilfstransistors (T13, T13') über schlußklemmen dieser Selbstinduktion bilden.
die Kollektor-Emitter-Strecke eines weiteren Aus der Zeitschrift »Electronics Letters«, Vol. 5,
Transistors (T14, T14') mit der betreffenden hoch- 40 Nr. 14, vom 10. 7. 1969, S. 310, ist ein Gyrator der
ehmigen Stromquelle (T18, T18') verbunden ist, eingangs genannten Art bekannt. Bei diesem wird die
daß die Basis des weiteren Transistors (T14, T14') erste Hauptelektrode jedes der Eingangstransistoren
liber mindestens eine Halbleiterdiode (D.,', D.,') der beiden Differen7stromqucllen durch den Kollek-
mit der Basis des Hilfstransistors (T13, T1',') ver- tor des betreffenden Eingangsiransistors gebildet,
bundcn ist und daß zu der Kollektor-Emitter- 45 während der Emitter dieses Transistors die zweite
Strecke des weiteren Transistors (T14, T14') min- Hauptelektrode dieses Transistors bildet. Die Ein-
tiestens eine Halbleiterdiode (D4, D4') parallel ge- gangstransistoren der ersten Differenzstromquelle sind
Schaltet ist. vom npn-Typ, während die Eingangs-Transistoren
3. Gyrator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch der zweiten Stromquelle vom pnp-Typ sind. Die
gekennzeichnet, daß die Emitter der Eingangs- 50 Kollektoren der beiden Eingangstransistoren jeder
transistoren (T0, T0') der ersten Differenzstrom- der beiden Differenzstromquellen bilden zugleich die
quelle entsprechend der Ausbildung der zweiten Ausgänge der betreffenden Differenzstromquelle. Die
Differenzstromquelle über die jeweilige Reihen- Emitter der Eingangstransistoren jeder der Differenz-Schaltung
der Emitter-Kollektor-Strecke eines Stromquellen sind über einen sogenannten Gyratiomersten
Hilfstransistors (T2, T2') und der Kollektor- 55 widerstand miteinander verbunden. Die Emitter sämt-Basis-Strecke
eines zweiten Hilfstransistors (T4, licher Eingangstransistoren sind über hochohmige
T4) mit dem Kollektor des betreffenden Eingangs- Stromquellen mit Punkten konstanten Potentials vertransistors
(T0, T0') verbunden sind, daß die bunden. Die mit den Steuerelektroden und den
Kollektoren der ersten Hilfstransistoren (T2, T2') Emitter-Elektroden der Eingangstransistoren der
über je die Basis-Emitter-Strecke mindestens 60 ersten Differenzstromquelle verbundenen hochohmieines
dritten Hilfstransistors (T1, T3, T1', T3') mit gen Stromquellen sind mit einem ersten Stromeinstellder
Basis des betreffenden ersten Hilfstransistors glied gekoppelt, während die mit den Sieuerclektro-(T3,
T.,') verbunden sind und daß der Kollektor den und den Emitter-Elektroden der Eingangstrandes
dritten Hilfstransistors (T1, T1, T,', T3') mit sistoren der zweiten Differenzstromquelle verbundeeinem
Ausgang der ersten Differenzstromquelle 65 nen hochohmigen Stromquellen mit einem zweiten
{Pv Ρ,Ί verbunden ist. Stromeinstellglied gekoppelt sind.
4. Gyrator nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch Der oben beschriebene bekannte Gyrator weist den
gekennzeichnet, daß mindestens die Transistoren Nachteil auf, daß infolge der Basissignalströme und
,jer Änderungen der Basis-Emitter-Spannungen der Die Basis des Transistors Tn bildet zugleich die Basis
des künstlichen Transistors. Die Basis des Transistors
T2 bildet zugleich den Emitter des künstlichen Transistors,
und der Kollektor des TFaTiSiStOrST1 bildet
5 zugleich den Kollektor des künstlichen Transistors, der über die hochohmige, durch die Transistoren T7,
Ts und den Widerstand R3 gebildete Stromquelle mit
dem ersten Speisungspunkt verbunden ist. Die Emitter gä und g2' der beiden künstlichen npn-Transisto-
lo ren sind über einen Gyrationswiderstand g2 miteinander
verbunden.
Die Eingänge der zweiten üifferenzstroinquelle
werden durch die Basis-Elektroden der Transistoren T11 und TJ gebildet. Der Kollektor des Eingangs-
des Transistors T12 mit der Basis des Transistors T
Eingangstransistoren die Spannungs-Strom-Umwandlung
in den beiden Differenzstromquellen nicht genau
«st, wodurch auch der Gyrator u-.genau arbeitet.
Außerdem veranlassen die Basisströme Verschiebungsgleichströme an den Eingangsklemmen des Gyrators, was ebenfalls unerwünscht ist. Die Ströme der
mit den Sieuerelektroden und Emitter-Elektroden der
Eingangstransistoren der ersten Differenzstromquelle
verbundenen ersten Gruppe hochohmiger Stromquellen können mittels des ersten Stromeinstellgliedes
einander gleich gemacht werden. Die Ströme der mit
den Steuerelektroden und Emitter-Elektroden der
Eingangstransistoren der zweiten Differenzstromqueile verbundenen zweiten Gruppe hochohmiger ,5 transistors Tn"ist über die Emitter-Kollektor-S"trecke
«st, wodurch auch der Gyrator u-.genau arbeitet.
Außerdem veranlassen die Basisströme Verschiebungsgleichströme an den Eingangsklemmen des Gyrators, was ebenfalls unerwünscht ist. Die Ströme der
mit den Sieuerelektroden und Emitter-Elektroden der
Eingangstransistoren der ersten Differenzstromquelle
verbundenen ersten Gruppe hochohmiger Stromquellen können mittels des ersten Stromeinstellgliedes
einander gleich gemacht werden. Die Ströme der mit
den Steuerelektroden und Emitter-Elektroden der
Eingangstransistoren der zweiten Differenzstromqueile verbundenen zweiten Gruppe hochohmiger ,5 transistors Tn"ist über die Emitter-Kollektor-S"trecke
Stromquellen können mit Hilfe des zweiten Strom- J~~ T '- "" "* ' " ' ■--^- ■ m
tinstellgliedes einander gleich gemacht werden. Es ist
aber besonders schwierig, ohne zusätzliche Abregelung die Ströme der hochohmigen Stromquelle der
ersten und der zweiten Gruppe einander gleich zu machen. Diese Ungleichheit der Ströme veranlaßt
ebenfalls einen Verschiebungsglcichstrom an den Eingangs- und Ausgangsklemmen des Gyrators.
Die Erfindung bezweckt, die obenerwähnten Nachteile zu beheben und ist dadurch gekennzeichnet, ^.5
daß jeder der Kollektoranschlüsse der beiden Eingangstransistoren der zweiten Differenzslromquelle
zusätzlich über einen Stromrückkopplungsweg jeweils mit der Steuerelektrode eines Hilfstransistors verbunden
ist, dessen Kollektor-Emitter-Streckc in dem Kreis zwischen dem Emitteranschluß des Eingangstransistors und dem Ausgang der zweiten Differenzstromquelle
angeordnet ist.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielsweise näher erläutert. Die Figur
zeigt eine bevorzugte Ausführungsform. Die Eingänge der ersten Differenzstromquelle werden durch die
verbunden. Der Emitter des Transistors T13 bildet
zugleich einen Ausgang der zweiten Differenzstromquelle und ist über die Hauptstrombahn des Transistors
T13 mit dem Emitter des Eingangstransistors
T11 verbunden. Der Kollektor des Eingangstransistors
T11 ist über eine hochohmige, durch die Transistoren
T9, T10 und den Widerstand R4 gebildete Stromquelle
mit dem ersten Speisungspunkt ( + ) verbunden. Der Emitter des Transistors T13 ist über die
Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T14 mit
einer aus dem Transistor T18 und dem Widerstand R2
bestehenden Stromquelle mit dem zweiten Speisungs-
Basis-Elektroden T0 und Tn' gebildet. Der Emitter
des Transistors Tn' ist über die Reihenschaltung der Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors T„' und
der Kollckior-Basis-Strecke eines Transistors T4' mit
dem Kollektor des Eingangstransisi rs Tn' verbunden.
Der Kollektor des Transistors /.,' ist über die Reihenschaltung der Basis-Emitter-Strccken der
punkt verbunden. Die Basis des Transistors T14 ist
über die Diode D3 mit der Basis des Transistors Tn
verbunden. Zu der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T1, ist die Halbleiterdiode D4 parallel
geschaltet. Die Basis des Transistors T12 ist über die
Diode D, mit dem Emitter des Transistors T11 und die Basis des Transistors T11 ist über die Diode D,
mit seinem Emitter verbunden. Das durch die Transistoren Tn, T10, T11, T12, T13, die Dioden D1 und D2
und den Widerstand R4 gebildete Ganze verhält sich wie ein künstlicher pnp-Transistor. Die Basis des Eingangstransistors
T11 bildet zugleich die Basis dieses künstlichen Transistors. Der Emitter des Eingangstransistors bildet zugleich den Emitter des künstlichen
Transistors, und der Emitter des Transistors T13 bildet
zugleich den Kollektor des künstlichen Transi-
Transistoren T3' und T,' mit der Basis des Transistors 45 stors. Das durch die Transistoren T9' T10', T1,, T
T.,' verbunden! Die Kollektoren der Transistoren T1' T1.,', die Dioden D1', D,' und den Widerstand R4' ge-
und T3' sind zusammen mit dem Ausgang P1' der bildete Ganze verhält sich gleichfalls wie ein künst-
ersten 'Differenzstromquelle verbunden, welcher Aus- licher pnp-Transistor und weist die gleiche Bauart
gang über die hochohmige Stromquelle, die durch die wie der oben beschriebene pnp-Transistor auf. Der
Transistoren T/ und T8' und den Widerstand R1' ge- 50 Emitter des Transistors T14' ist über die Diode D5'
bildet wird, mit einem ersten Speisungspunkt ( + )ver- mit der Anschlußklemme c verbunden. De An-
bunden ist. Die Emitter der Transistoren T ' und T./ schlußklemme d ist über die Diode D8 mit der hochohmigen
Stromquelle verbunden, die aus dem Transistor TJ und dem Widerstand R0 besteht. ™-
18
sind über die Basis-Kollektor-Strecke des Transistors T,' mit der Basis des Transistors T2' verbunden. Der
Emitter des Transistors T5' ist über'eine hochohmige, 55 Emitter g, und gt' der beiden künstlichen Transistodurch
den Transistor T6' und den Widerstand R1' ge- ren sind über den GyrationswidersUind G1 miteinbi'dete
Stromquelle mit einem zweiten Speisungs- ' ' ' "«··■- ·- J>- «--=- J— rr—
punkt (—) verbunden. Das durch die Transistoren Tn', T1', T2', T3', T4', T?', Tfi' und den Widerstand R1'
gebildete Ganze verhält sich wie ein sogenannter künstlicher npn-Transistor. Die Basis des Transistors
T0' bildet zugleich die Basis dieses künstlichen Transistors.
Die Basis des Transistors T2' bildet den Emitter, und der Kollektor des Transistors T1' bildet
den Kollektor des genannten künstlichen Transistors. Ebenso bildet der aus den Transistoren T T T
0, T1, T2,
0 1 2
T3, T1, T5, T6 und dem WIdC^aUdR1 bestehend'e
Kreis einen sogenannten künstlichen npn-Transistor.
ander verbunden. Überdies ist die Basis des Transistor T0' mit dem Emitter des Transistors T13 und
ist die Basis des Transistors T0 mit dem Emitter des
Transistors T13' verbunden. Die Klemme c ist außerdem
über die Diode D7 mit dem Emitter des Transistors
T, verbunden.
Die Transistoren T15 und T1n, die Diode D1n, der
Widerstand R5 und die Anschlußklemme α bilden
einen Teil eines allen hochchmigen Stromquellen gemeinsamen Stromeinstellgliedes. Zwischen der
Klemme α und einem Punkt konstanten Potentials kann ein Widerstand R eingeschaltet werden, der je
nach dem gewünschten Strom eingestellt werden kann. Die Klemme α ist über die Reihenanordnung
der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors T10
und des Widerslandes R5 mit dem ersten Speisungspunkt ( + ) verbunden. Außerdem ist die Klemme a
über die Diode D10 mit der Basis des Transistors T11
verbunden. Die Basis des Transistors T16 ist über die
Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T15 mit
dem Kollektor von T16 verbunden. Die Steuerelektroden
aller mit dem ersten Speisungspunkt verbundener hochohmiger Stromquellen (T7, Tg), (T.', T8'), (T9,
T10), (T9', Tn') sind mit der Basis des Transistors T15
des Siromeinstellgliedes verbunden. Die Steuerelektroden aller mit dem zweiten Speisungspunkt ( —)
verbundener hochohmiger Stromquellen T0', TiH', Tn
und T18 sind über di*1 Emitler-Kollektor-Strccke des
Transistors T19 und die Klemme b mit einem Punkt
konstanten Potentials verbunden. Der Emitter des Transistors T19 ist außerdem über die Reihenanordnung
der Diode D9 und des Widerstandes RR mit dem
zweiten Speisungspunkt ( —) verbunden. Die Basis des Transistors T19 ist mit dem Kollektor des Transistors
T18' verbunden. Zwischen den Klemmen c
und d können eine oder mehrere Dioden D, je nach der Größe der gewünschten Spannungsaussteuerung
des Gyrators, eingeschaltet werden. Auch können die Klemmen c und d kurzgeschlossen werden.
Die Anwendung der künstlichen pnp-Transistoren in der zweiten Differenzstromquelle ergibt den Vorteil,
daß eine genauere Spannungs-Strom-Umwandlung stattfindet, wie in der älteren niederländischen
Patentanmeldung 7102199 beschrieben ist. Wenn zwischen den Eingangsklemmen P1 und P1 dieser
Differenzstromquelle eine Signalspannung V angelegt wird, fließt durch den Gyrationswiderstand G1 Signalstrom
gleich:
sistoren klein sein. Da die Eingangssignalströmc und die Basis-Emitter-Signalspannung der beiden Transistoren
im Vergleich zu dem Gebrauch eines üblichen Transistors herabgesetzt sind, wird eine genauere
Spannungs-Strom-Umwandlung stattfinden.
Die Anwendung der künstlichen npn-Transistoren in der ersten DiiTerenzstromquelle ergibt den Vorteil,
daß ebenfalls eine genauere Spannungs-Strom-Umwandlung stattfindet. Wenn zwischen den Eingangs-
o klemmen P2 und P2' dieser Differenzstromquelle eine
Signalspannung von V Volt angelegt wird, durchfließt den Gyrationswiderstand G2 ein Strom, der
gleich:
i=-—~' —hi- amperes (3)
G2
ist, wobei G2 = der Widerstandswert des Gyrationswiderstandes
und Λ Vw die Signalspannung zwischen
den Punkten P2 und G2 und zwischen den Punkten
ao P2' und G2' darstellt. Die Ausgangsströme an den
beiden Eingängen P1 und P1' der Differenzstromquelle
werden nahezu gleich:
ic = i -
sein, wobei I60 für die Eingangssignalströme der beiden
Eingangstransistoren T0 und T0' steht. Die
letzteren Eingangssignalströme sind etwa gleich:
β,+ß*
V-2AVbE
ι = --- amperes
(1)
wobei G1 = der Widerstandswert des Gyrationswiderstandes
und Δ VbE = die Basis-Emitter-Signalspannung
der beiden Eingangstransistoren T11 und
T11' ist. Die Ausgangssignalströme an den beiden Emittern dir Transistoren T13 und T13' sind dann
gleich:
z"c = ''~~ ho (2)
wobei ibo für die Basissignalströme der beiden Transistoren
Tn und Tn' steht. Die letzteren Eingangssignalströme
sind gleich ibt$, wobei ib die Größe der
Ströme darstellt, die durch die Hauptstrombahnen der Eingangstransistoren T11 und T11' und über die
durch die Hauptstrombahnen der Transistoren T12
und T12' gebildeten Hauptstrombahnen zu den Basis-Elektroden
der Transistoren T13 und Tn' fließen,
während β = der Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor der Transistoren T11, T11', T13 und T13' ist. Die
Eingangssignalströme sind also etwa gleich:
Dies bedeutet, daß der Basis-Kollektorstromverstärkungsfaktor der beiden künstlichen pnp-Transistoren
etwa gleich ,i1 ist. Da der Signalstrom, der
die Hauptstrombahnen der beiden Eingancstransistorcn
T11 und T11' durchfließt, klein ist. wird auch
die Basis-F.mittcr-Sienakpanniinc Il',, dienet Trnnwobei
ßD den Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor
der pnp-Transistoren T4 und T4' darstellt und
β = der Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor dei Transistoren T0, T1, T3, T0', T1 und T3' ist. Die Beziehung
(5) zeigt, daß die Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktoren der beiden künstlichen npn-Transistoren
etwa gleich:
ßN-β,-β3 (6)
sind. Da die Signalströme, die die Hauptstrombahnen der beiden Eingangstransistoren T0 und T0' unc
von T2 und T2' durchfließen, klein sind, wird auch
die Basis-Emitter-Signalspannung Δ VbE (s. die Be
Ziehung [3]) klein sein. Da die Eingangssignalströme und die Basis-Emitter-Signalspannungen der beider
Eingangstransistoren herabgesetzt sind, wird eine ge nauere Spannungs-Strom-Umwandlung stattfinden.
Die Tatsache, daß die mit dem ersten Speisungs punkt (—) verbundene erste Gruppe hochohmige
Stromquellen mit Hilfe des Stromeinstellgliedes ein gestellt wird, und die Tatsache, daß die zweiti
Gruppe hochohmiger Stromquellen mittels der er sten Gruppe über die zweite Differenzstromquell·
eingestellt wird, hat zur Folge, daß eine sehr genaue bekannte Beziehung zwischen den Strömen der bei
den Gruppen besteht. Dadurch wird erreicht, dal die Verschiebungsglcichströme am Eingang und an
Ausgang des Gyrators erheblich herabgesetzt werden Zu diesem Zweck sind die zusätzlichen Transistorei
^20 - 7\·η und T21 angebracht. Mittels des Stromein
Stellgliedes werden die Ströme durch die Wider stünde/?,. R1', /?,. R1' bestimmt, und diese Ström
sind c;n;.nder gleich. Die hochol migcn. die Wider
stände /?. und Rt' enthaltenden Stromquellen μπι
iihcr die /weite DiffercntiülstromdiR-'le mit tion d:
Widerstände R., und A2' enthaltenden Stromquellen
derart gekoppelt, daß über dem Gyrationswiderltand G1 keine Verschiebungsspannung auftritt. Die
Ströme durch R., und R1,' liegen also fest, gleich wie
die Ströme durch die Widerstände A1 und R1'. Die
Ströme durch R.t und /?.,' lagen bereits fest. Die genannten
Transistoren sind außerdem angebracht, um la sichern, daß auch über dem Gyrationswider-Stand
Gn keine Verschiebungsspannung auftritt.
Die Ausgange P., und F2' sind mit den Hauptftrombahnen
der Transistoren T14 bzw. T14' gekoppelt,
deren Basis-Elektroden über Halbleiterdioden ■lit den Basis-Elektroden der Transistoren T13 bzw.
T13' verbunden sind. Der Grund dieser Anordnung
Eegt darin, daß die Basis-Elektroden der Tran- »istorcn T1x und Tn' sehr empfindlich für kapazitive
Leckströme sind, die in derselben Größenordnung iv'ie die Basisgleichströme dieser Transistoren liegen,
insbesondere bei hohen Frequenzen, und die die Aussteuerung
der künstlichen Transitoren beschränken. Für die kapazitiven Leckströme setzen die Trantistoren
T14 und T14' und die Dioden D3 und D:i' den
Hauptstrombahnen der Transistoren 7'13 und T13'
einen zusätzlichen Basisgleichstrom zu.
Die Ausgänge P2 und P,,' sind ebenfalls mit den
Dioden D4 bzw. D1' verbunden. Der Grund dieser
Anordnung liegt darin, daß bei hoher Signalaussteuerung die Transistoren T13 und T13' gesperrt zu
werden drohen, wodurch die Potentiale an den beiden Ausgängen nicht mehr definiert sind. Dies hat
zur Folge, daß der Gyrator nicht mehr richtig wirkt.
so Durcli das Anbringen der genannten Dioden wird erreicht,
daß die Potentiale an den Punkten P2 und P2'
stets definiert sind.
Die Diode D7 ist in dem Gyrator angebracht, damit
sichergestellt, ist, daß der Gyrator, wenn er eingeschaltet wird, auch stets als Gyrator wirken wird.
Der Gyrator nach der Erfindung kann auf einfache
Weise integriert werden, wobei die Klemmen a, b, c, d, P1, P2, P1', P2', G1, G2, G1', G2' und der erste
und der zweite Speisungspunkt ais sogenannte Anschlußflächen auf dem Halbleiterkörper ausgebildet
werden. Weiter können statt bipolarer Transistoren auch Feldeffekttransistoren verwendet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Gyrator mit einer ersten und einer zweiten
fpannungsgesteuerten Differenzstromquelle mit 5
jeweils zwei Ausgängen, welche Stromquellen je
fpannungsgesteuerten Differenzstromquelle mit 5
jeweils zwei Ausgängen, welche Stromquellen je
»us mehreren Transistoren gebildet sind, von .
denen jeweils zwei die Eingangs transistoren sind, Die Erfindung bezieht sich auf einen Gyrator mit
deren Steuerelektroden bei der ersten Differenz- einer ersten und einer zweiten spannungsgesteuerten
stromquelle zugleich die Eingänge des Gyrators io Differenzstromquelle mit jeweils zwei Ausgängen,
bilden und deren Steuerelektroden bei der zweiten welche Stromquellen je aus mehreren Transistoren
Differenzstromquelle zugleich die Ausgänge des gebildet sind, von denen jeweils zwei die Eiagangs-
Gyrators bilden, und jeder der Ausgänge der transistoren sind, deren Steuerelektroden bei der
ersten Diffsrenzstromquelle einen Eingang des ersten Differenzstromquelle zugleich die Eingänge des
Gyrators darstellt und mindestens einer der bei- 15 Gyrators bilden und deren Steuerelektroden bei der
den Eingänge und die beiden Ausgänge des Gy- zweiten Differenzstromquelle zugleich die Ausgänge
iators über hochohmige Stromquellen mit Punk- des Gyrators bilden, und jeder der Ausgänge der
•en konstanten Potentials verbunden sind sowie ersten Differenzstromquelle einen Eingang des Gyru-
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7113893A NL7113893A (de) | 1971-10-09 | 1971-10-09 | |
NL7113893 | 1971-10-09 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2248824A1 DE2248824A1 (de) | 1973-04-12 |
DE2248824B2 true DE2248824B2 (de) | 1975-07-10 |
DE2248824C3 DE2248824C3 (de) | 1976-02-19 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7113893A (de) | 1973-04-11 |
US3758885A (en) | 1973-09-11 |
FR2155636A5 (de) | 1973-05-18 |
AU4741472A (en) | 1974-04-11 |
JPS4847241A (de) | 1973-07-05 |
IT975193B (it) | 1974-07-20 |
SE378724B (de) | 1975-09-08 |
GB1334990A (en) | 1973-10-24 |
DE2248824A1 (de) | 1973-04-12 |
CA974614A (en) | 1975-09-16 |
AU473822B2 (en) | 1976-07-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |