DE2235342A1 - Diffusionsrohr zur dotierung von halbleiterscheiben - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich, auf ein Diffusionsrohr zur Dotierung von Halbleiterscheiben, bei dem im .Rohr ein Schiff nut den Halbleiterscheiben angeordnet ist.

Bisher wurden zur Dotierung von Halb3.eitcrscJieJ.ben in einer·: Diixiisionsrohr ein Rohr mit einem runden Querschnitt verwendet. Dabei sind die Halbleiterscheiben auf eine«! im Rohr angeordneten Schiff angebracht. Auf diese V/eise v/ar es bisher möglich, gleichzeitig etwa 50 Scheiben in- einem Diffusionsprozefi zu dotieren.

Es hat sich gezeigt, daß sich gerade bei der Dotierung der 'Basiszonen in einem Rundrohr vorhandene imgünstige Strörnmgsverhältnisse streuend auf den Schichtwiderstand der Basissonen auswirken.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Diffusionsrohr der eingangs genannten Art anzugeben, bei de:.i die durch die Diffusion hergestellter Zonen, insbesondere die Basiszonen, nur sehr geringe Streuungen aufweisen. Weiterhin soll es möglich sein, auch wesentlich mehr als etwa 50 Scheiben in einem Diffiisionsprozeß zu dotieren. ■_

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, da8 das Diffusionsrohr einen rechteckigen, insbesondere quadratischen Querschnitt aufweist.

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BAD ORIOlNAL

Versuche haben ergeben, daß bei' einem derartig ausgebildeten Rohr optimale Strömungsverhältnisse herrschen. Weiterhin ist der Schichtwiderstand der dotierten Zonen sehr gleichmäßig und ist gegenüber einem Kundrohr in der l^:ehlerstreuung etwa um einen Faktor 3 verbessert.

Eine Y/eiterbildung d<vr Erfindung- besteht darin, daß das Diffusionsrohr eine Breite von 5 cm, eine Höhe· von 4 crn und eine Länge von 160 cm aufweist.

Mit einem derartigen Rohr ist es .möglich, gleichzeitig et r/a 100 Scheiben zxx dotieren. Dabei füllen die Scheiben äcruioistant und gleichmäßig den Rohrquerschnitt aus. Das Trägern-j.s wird dadurch zu einen gleichmäßigen Durchströmen ä&s Rohren mit den darin angeordneten Scheiben gezwungen, wodurch eine höhere Gleichmäßigkeit des Schichtwiderstandes erzielt wird.

Eine andere Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß die Diffusion bei 910 ⁰G durchgeführt wird, und daß dabei Diboran mit 183 cm /min, Sauerstoff mit 3,3 cm /min und Stickstoff mit 4000 cm /min das Rohr durchströmen. Der ocheibenabdtand beträgt dabei 2,5 mm.

Kachfolgend wird die Erfindung an Hand der Fig. näher erläutert, in der ein_ erfinüungsger.äßes Diffusionsrohr in perspektivischer Ansicht dargestellt ist.

In einem Quarzrohr 1 ist ein Schiff 2 mit Halterungen 3 angeordnet. Die Halterungen 3 weisen Schlitze 4 auf, in denen eich Halbleiterscheiben .5 befinden. Zur besseren Übersichtlichkeit ist dabei in der Pig. nur eine Halbleiterscheibe dargestellt.

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BAD ORIGINAL

Durch, eine nicht dargestellte Heizwicklung v;ird das Innere 'des Bohreε auf 910 ⁰C gehalten. Die Breite'(innen) des Rohres be-"trägt 5 cir.; seine .Höhe (innen) 4 cm. Schließlich ist das Rohr TCO -cni lang. Durch das Innere des Rohres strömt Diooran (B₀H-) mit 103 ei« /:.in, Sauerstoff 'nit 3,3 cm /ein und Stickstoff rr.it 4000 cmV

3 Patentansprüche

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ORfGINAL

Claims (3)

Patentansprüche

1. Diffusionsrohr zur Dotierung von Halbleiterscheiben, bei dem in Rohr ein Schiff mit den Halbleiterscheiben angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Rohr (1) einen rechteckigen, insbesondere quadratischen Querschnitt aufweist.

2. Rohr nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Breite von 5 cm, eine Höhe von 4 cm und eine Länge von 160 cm.

3. Bohr nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Diffusion bei 910 ⁰G durchgeführt wird, und daß dabei Diboran mit 183 cm /min, Sauerstoff mit 3,3 cm /min und Stickstoff mit 4-000 cm /min das Rohr durchströmen.

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