DE2234511A1 - Beschichtungsmasse zur herstellung von photoresistschichten und dgl - Google Patents
Beschichtungsmasse zur herstellung von photoresistschichten und dglInfo
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Description
Patentanwalt Patentanwälte
Dr. phil. Gerhard Henke! Dr. rer. nat. Wolf-Dieter Henkel
D-757 Baden-Baden Balg , Dipl.-I ng. Ralf M. Kern
T+JSm&v Dr- rer. nat. Lothar Feller
Eduard-Sdunld-Str. 2
Γ Π Tel.: (0811) 663197
Konishiroku Photo τ*™-*09ΜΙΜ14
Industry Co., Ltd.
Tokio/ Japan 223451
L J hl JÜL11972
b»w«ii Beschiehtungsmasse zur Herstellung von Photoresistschichten und dgl.
Die ürfindung betrifft eine neue Besohichtungsmasse zur Herstellung
von Photoresistschlchten und dgl. rait einem einen
bei Lichteinwirkung freie Radikale liefernden, mehrfach halogenierten
Methylrest aufweisenden Photoaktivator und einem alkalimetallsubstituierten Polymeren.
Photoresietbeschichtungsmassen gemäß der Erfindung werden zur
Herstellung lichtempfindlicher Aufzeichnungsmaterialien auf geeignete schichtträger aufgetragen. Wenn die hierbei erhaltenen
lichtempfindlichen Aufzelchnungfimaterialien bildgerecht belichtet werden, wird das wasserlösliche, alkalimetallsubstituierte
Polymere lichtvernetzt, wobei es hart und wasserunlöslich wird. Wenu nun ein derart belichtetes lichtempfindliches
Aufzeichnungsmaterial mit kaltem oder heißem Wasser entwickelt wird, werden die nicht-belichteten Stellen, d.h.
die Nicht-Bildbezirke gelöst und entfernt, wobei ein zu Offsetdruck-
oder aeliefdruckzweeken, zur Herstellung von Namensschildern
durch Photogravurverfahren, zur Herstellung von gedruckten Schaltungen, zum Siebdruck und dgl. geeignetes
Resistbild erhalten wird.
Gemäß den Lehren der japanischen Patentanmeldung 4605/71
warden Fhotoresistbeschichtungamassen vorgeschlagen, die als
'209884/127Θ
Hauptbestandteile einen Photoaktivator und ein Polymeres enthalten. Diese Photoresistbeschlchtungsmassenvernetzen
bei Lichteinwirkung unter Bildung eines schwachen, sichtbaren Bildes und könn Tolglich in vorteilhafter Weise eine
Mehrfachbelichtung verhindern. Da derartige Photoresistbeschichtungsmassen
zur Entwicklung (nach der Belichtung) organische Lösungsmittel oder wäßrige Alkalilösungen erfordern,
ist ihre Entwicklung mit den verschiedensten Machteilen behaftet. So muß beispielsweise bei Verwendung organischer
Lösungsmittel dafür Sorge getragen werden, daß sich diese nicht entzünden oder in unangemessen starkem Maße in den
Entwicklungsstationen verflüchtigen (weswegen für eine gute
Belüftung gesorgt werden muß). Ferner kommt es bei länger dauerndem oder häufigem Arbeiten mit organischen Lösungsmitteln
oftmals zu Hautentzündungen beim Entwicklungspersonal. Schließlich sind, wie allgemein bekannt, Lösungsmitteldämpfe
der menschlichen Gesundheit in jedem Falle abträglich. Bei Verwendung einer wäßrigen Alkalilösung (zum Entwickeln) besteht ebenfalls die Gefahr, daß es beim Entwicklungspersonal
zu Plautschädigungen kommt. In letzterem Falle muß darüber
hinaus die Entwicklerlösung für jeden Entwicklungsvorgang
neu zubereitet werden, um keine ungleichmäßige Entwicklung infolge Änderungen der Alkalikonzentration befürchten zu müssen.
Schließlich ist das erhaltene Resistbild noch quellbar, was dazu führt, daß der gequollene Resistfilm nicht nur in
seiner Resistfestigkeit sondern auch in seiner Haftung am Schichtträger beeinträchtigt ist. Insbesondere bei Verwendung
im Rahmen von Hochdruckverfahren müssen die mit üblichen Photoresistbeschichtungsmassen
hergestellten Photoresistbilder bzw. -filme längere zeit gehärtet und gebrannt werden. SelboO
wenn sie zu Offsetdruckzwecken verwendet werden, verschlechtert sich die Druckfestigkeit derartiger Photoresistbilder
bzw. -filme infolge Festigkeitsverlust. Obwohl mit derartige.;
20988 4/1276
-o-
Photoresistbeschichtungsmassen bei bildgerechter Belichtung
sichtbare Bilder hergestellt werden und sich folglich eine Doppelbelichtung weitestgehend vermeiden läßt, läßt die
Differenzierbarkeit bzw. Untersctieidbarke-it solcher sichtbarer
Bilder noch erheblich zu wünschen übrig.
Der Erfindung lag nun" die Aufgabe zugrunde", eine Besehich*-
tungsmasse zur Herstellung von Photoresistschichten, -bilder»,
-filmen und dgl. zu schaffen, die sich (naoh der Belichtung) unter Vermeidung organischer Lösungsmittel oder wäßriger
Alkalilösungen lediglich mit kaltem oder heißem Wasser entwickelnlassen
und bei denen die geschilderten Nachteile der bekannten Photoresistschiehten, -bilder, -filme und dgl. nicht
gegeben sind bzw.. nicht auftreten.
Gegenstand der Erfindung ist somit eine Beschichtungsmasse zur Herstellung von Photoresistschiehten, -bildern, -filmen
und dgl. mit einem Gehalt an einem polymeren -und einem Photoaktivator,
Vielehe-, dadurch gekennzeichnet ist, daß sie· ein Polymeres der allgemeinen Formel:
R-
R2R5
00 p
N-R,
Ji2
worin bedeuten:
M1, M2 und M-j
M1, M2 und M-j
jeweils ein Wasserstoffatom oder einen Carbonsäure- oder Carbonsäureamidrest,
wobei jedoch mindestens einer
-20Θ884/1276
und
R1- und
m = η =
der Reste M^, H0 und U- für einen Carbons
surerest steht;
_ jeweils ein Wasserstoffatom oder einen
kurzkettigen Alliylrest;
ein Wasserstoffatom, einen kurzketti-
gen Alkylrest oder einen Carboxymethylrest;
einen zweiwertigen organischen Rest 0 oder 1
ein Wasserstoffatom, einen kurzkettigen Alkylrest oder einen phenylrest;
einzeln jeweils ein Wasserstoffatom oder
einen kurzkettigen Alkylrest, wobei im Falle ρ =. ο gilt, daß
miteinander einen stickstoffhaltigen heterozyklischen Ring oder
miteinander und zusammen mit dem Benzolring einen Naphthalinring bilden können;
und
jeweils eine ganze Zahl von 5 bis.10000,
in welchem die Wasserstoffatome der darin enthaltenen Carbonsäurereste
teilweise oder vollständig durch Alkalimetallionen ersetzt sind, und einen einen bei Liöhteinwirkung freie Radikale
liefernden mehrfach halogenierten Methylrest aufweisenden Photoaktivator enthält.
Durch Auftragen einer Photoresistbeschichtungsmasse gemäß der Erfindung auf geeignete Schichtträger hergestellte
(belichtete) Photoresistschichten, -bilder, -filme und dgl, lassen sich ganz einfach durch kaltes oder heiße's Wasser
entwickeln, so daß bei der- Entwicklung nicht nur keine besonderen
Vorkehrungen gegen (offenes) Feuer oder Hitze oder für eine gute Belüftung getroffen werden müssen, sondern
2O988W1276
-p-
BAD ORIGINAL
auch nicht jedes Mal ein frischer Entwickler zubereitet werden muß und keine Gefahr besteht, daß es infolge Schwankungen
in der Entwicklerkonzentration zu einer ungleichmäßigen
-Entwicklung kommt. Darüber hinaus sind die unter Verwendung von Photoresistbeschichtungsmassen gemäß der Erfindung hergestellten
Photoresistschichten, -bilder, -filme und dgl. bei der Entwicklung weit weniger quellanfällig als mit üblichen
bekannten Photoresistbeschichtungsmassen hergestellte Resistschichten, -bilder, -filme und dgl., so daß erstere eine
vielt bessere Festigkeit und eine weit bessere Haftung am
Schichtträger aufweisen als letztere. Wenn sie zu Hochdruck-Zwecken
verwendet werden, können die unter Verwendung von Photoresistbeschichtungsmassen gemäß der Erfindung hergestellten
Photoresistschichten, -bilder, -filme und dgl. nach der Entwicklung weit kürzer gehärtet und gebrannt werden
als unter Verwendung üblicher bekannter photoresistbeschichtungsmassen
hergestellte Photoresistschichten, -bilder, -filme und dgl. Bei Verwendung zu Offsetdruckzwecken besitzen die
erfindungsgemäß herstellbaren Photoresistschichten, -bilder* -filme und dgl. infolge ihrer erhöhten Resistfestigkeit eine
weit bessere Druckfestigkeit und -beständigkeit als bekannte
Photoresistschichten, -bilder, -filme und dgl.
Im folgenden werden einige Beispiele für in Beschichtungsmassen
gemäß der Erfindung verwendbare Polymere angegeben. Der bei diesen Polymeren angegebene Alkalimetallsubstitutionsgrad
steht für das prozentuale Verhältnis des jeweiligen Alkalimetalls, durch welches die Wasserstoffatome der Carboxy
lreste im jeweiligen Polymeren ersetzt wurde, zu sämtlichen
Cc-.rboxylresten des betreffenden Polymeren vor der
Substitution mit dem Alkalimetall.
In Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung geeignete Polymere sind
beispielsweise solche der Formeln: ■ . ...
209884/12 76 ~6~
-ο-
.CH-
CH
f-CHo-
COOH
O2H5
m:n = 4:6 Mn = 180,000
mit einem Mischpqlymerisationsverhältnis m:n von 4:6,
einem mittleren Molekulargewicht von 18O 000 und einem Natriumsubstitutionsgrad von 90$;
20988A/1276
CH
CH
f CII2-C -^
COOH
O2H5
j m:n * 4:6 L "Mn * 180 000.
mit einem Mi'schpolymerisationsverhältnis m:n~von 4:6,
einem mittleren Molekulargewicht von 18O 000 und einem Kaliumsubstitutionsgrad von 90$;
CH,
c. - ι 3
c. - ι 3
COKHNH
i
COOH-
COOH-
m:n *
In * 150,000 ^
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 4:6, einem mittleren Molekulargewicht von 150 000 und einem
Kaliumsubstitutionsgrad von
COOH
In' * 50.000,
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 3:7,
einem mittleren Molekulargewicht von 50 000 und einem Natriumsubstitutionsgrad von
-8-
9884/1276
■f CH CH
21
00H CONHNH-
N-CH0CHx
k 2 3
m:n * 5:5
Ma * 10.000
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 5:5, einem mittleren Molekulargewicht von 10 000 und einem
Kaliumsubstitutionsgrad von
In * 20 000,
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m;n von 5:5* einem mittleren Molekulargewicht von 20 000 und einem
Kaliumsubstitutionsgrad von
CH-
CHpCOOH
COOCH2CH2NH
CH2- C
COOH
m:n φ 6:4 Mn * 20 000
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 6:4, einem mittleren Molekulargewicht von 20 000 und einem
Kaliumsubstitutionsgrad von 50$;
ι ι
209884/ 1 27S
-9-
CH2CH3
CH2COOH .
COOH
i:n. * 6:4 Mn * 50 000,
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 6:4, einem mittleren Molekulargewicht von 50 000 und einem
Kaliumsubstitutionsgrad von ?5;~ύ';
CH
i -^-CH5-C
000CH2CH2NCxH7
CH3
■£· CH2- σ -ή
* COOH
m:n * 4:6 L Mn * 170 000
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 4:6,
einem mittleren Molekulargewicht von I70 000 und einem
Lithiumsubstitutiongrad von
J. - ·
J. - ·
eOH2-σ
m:n * 4:6
■Mn * !!.SO 000,
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 4:6, einem mittleren Molekulargewicht von 150 000 und einem
Lithiumsubstitutionsgrad von
209884/1276
•CH
CONH-/ VN-CH,
■f CH2-CH-)
COOH
' m:n * 5: 5
In * 50 000 J
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 5:5, einem mittleren Molekulargewicht von 50 000 und einem
Natriumsubstitutionsgrad von 75$;
CH,
'm
COOH
( m:n *= 4:6
L Mn * 50·000
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n ^on 4:6,
einem mittleren Molekulargewicht von 50 000 und einem Lithiumsubstitutionsgrad von 65$ oder
-f- CH2-
1 CH
0 COOH
CH,
m:n * 5:5 In * 110 000
mit einem Mischpolymerisatxonsverhältnis m:n von 5:5,
einem mittleren Molekulargewicht von 110 000 und einem
Lithiumsubstitutionsgrad von 8o$
209884/1276
-11-
22345Π
Ein allgemeines verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäß
verwendbaren Polymeren besteht darin, daß man ein bei der Mischpolymerisation eines einen aromatischen Anteil
aufweisenden Vinylmonomeren mit einem einen Carbonsäureanteil aufweisenden Vinylmonomeren (z.B.Acrylsäure, Methacrylsäure,,
Maleinsäure oder Itaconsäure oder ein Derivat hiervon) erhaltenes Mischpolymeres oder eine Lösung hiervon mit einer
wäßrigen oder alkoholischen läsung einer ein Alkalimetall enthaltenden anorganischen Base (z.B; Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid,
Natriumcarbonat oder Kaliumcarbonat) oder mit einem Alkalimetall substituierten Alkohol umsetzt, wobei
man das gewünschte Polymere in hoher Reinheit und Ausbeute erhält. Übliche Alkalimetalle sind beispielsweise Lithium,
Natrium, Kalium und dgl.
In den folgenden Synthesebeispielen werden ,typische Verfahren
zur Herstellung der erfindungsgemäß verwendbaren Polymeren angegeben:
Synthesebeispiel 1
Herstellung des Polymeren as
Herstellung des Polymeren as
Ein Gemisch aus 1,070 g (6,5 Mole) aus N-Äthyl-N-äthanolanilin,
1JOOg (15,0 Mole) Methylmethacrylat, 22,6g Titante tr abut oxid und 11g 2, 5-Di-tert.-buty !hydrochinon als Polymerisationsinhibitor
wurde etwa 8 std lang bei Normaldruck auf eine Temperatur von 66° bis 670C erwärmt, um ein azeotropös.Gemisch
aus Methanol und Methylmethacrylat abzudestillieren. Hierauf wurde das Gemisch unter vermindertem
Druck destilliert, um überschüssiges Methylmethacrylat zu entfernen. Nach vollständiger Entfernung des Methylmethacrylats
wurde der Destillationsrückstand unter vermindertem Druck destilliert, wobei in 8o#-iger Ausbeute N-Ä'thyl-N-phenylaminoäthylmethacrylat
mit einem Siedepunkt von 135°G bei 4 mmHg-Säule
erhalten wurde. '
Hierauf wurden 85% des in der geschilderten Weise hergestellten
N-fithyl-N-phenylaminoäthy!methacrylate und
209884/12 7. β ~12"
Methacrylsäure in einem Lösungsmittelgemisch, bestehend
aus 20 ml Methanol und 20 ml Aceton, gelöst. Die erhaltene Lösung wurde mit 2j5,4 mg α,α'-Azobisisobutyronitril
versetzt und J50 std lang in einem mit Stickstoff gespülten, verschlossenen Rohr auf eine Temperatur von 6o°C erwärmt.
Hierauf wurde das Reaktionsgemisch in Wasser eingegossen, wobei sich ein weiß^er Niederschlag abschied. Dieser wurde
abfiltriert und getrocknet, wobei 13,5g eines weißen Polymeren
A erhalten wurden. 10g des in der geschilderten Weise hergestellten weißen Polymeren A wurden in 200 ml eines 1:2-Lösungsmittelgemischs
aus Aceton und Methanol gelöst, worauf die "erhaltene Losung tropfenweise unter Rühren mit 100 ml
einer wäßrigen Lösung mit 2,0 Gew.-% Natriumcarbonat versetzt
wurde. Nach beendetem Zutropfen wurde weitere 2 std lang bei Raumtemperatur weitergerührt. Hierauf wurden das
Aceton und Methanol unter vermindertem Druck aus dem Reakti'onsgemisch
entfernt, wobei eine durchsichtige wäßrige Lösung erhalten wurde. Die erhaltene Lösung wurde hierauf
unter Rühren in eine große Menge Aceton eingegossen, wobei sich ein weißer Niederschlag abschied. Dieser wurde abfiltriert
und getrocknet, wobei 9*^g des Polymeren a erhalten
wurden.
Synthesebeispiel 2 .
Herstellung des Polymeren b:
Herstellung des Polymeren b:
10g des in Synthesebeispiel 1 erhaltenen weißen Polymeren A wurden in 120 ml eines 1:2-Losungsmittelgemischs aus Aceton
und Methanol gelöst, worauf die erhaltene Losung unter Rühren tropfenweise mit 50 ml einer wäßrigen Lösung mit
5,0 Gew.-% Kaliumhydroxid versetzt würde. Nach beendetem
Zutropfen wurde das Rühren weitere 2 std lang fortgesetzt. Hierauf wurden das Aceton und Methanol unter vermindertem
Druck aus dem Reaktionsgemisch entfernt, wobei eine durchsichtige wäßrige Lösung erhalten wurde. Hierauf wurde die
Lösung unter Rühren in eine große Menge Aceton eingegossen^
— 1')—
209884/1278
wobei sich ein weißer Niederschlag abschied. Dieser wurde abfiltriert und getrocknet, wobei 9,9g des Polymeren b erhalten
wurden.
Synthesebeispiel 3
Herstellung des Polymeren c:
Herstellung des Polymeren c:
Es wurden 6,6g 1 Hyiethacryl-2-phenylhydrazin mit einem
Schmelzpunkt von 13O,5°bis 13t,50C hergestellt, indem ein
Gemisch aus Methylmethacrylat und Natriumphenylhydrazid. in Benzol 1 std lang auf Rückflußtemperatur erhitzt wurde. Das
erhaltene 1-Methacry1-2-pheny!hydrazin und 3,8g Acrylsäure
wurden hierauf in 50 ml eines 1:1-Lösungsmittelgemischs aus
Methanol und Aceton gelöst. Nachdem die erhaltene Lösung mit 20,0 mg α,α1-Azobisisobutyronitril versetzt worden und
anschließend J>0 std lang unter gasförmigem Stickstoff auf
eine Temperatur von 6o°C erwärmt worden war, wurde das gebildete
Reaktionsgemisch zunächst mit 120 ml eines Lösungsmittelgemischs aus Methanol und Aceton im Verhältnis
1:2 und anschließend unter Rühren tropfenweise mit 3*Og
Kaliumhydroxid in 50 ml Methanol versetzt. Hierauf wurde
das Rühren bei Raumtemperatur weitere 6 std lang fortgesetzt. Anschließend wurde das erhaltene Reaktionsgemisch
unter vermindertem Druck auf 1/3 des Originalvolumens eingeengt. Das erhaltene Konzentrat wurde unter Rühren in eine
große Menge Aceton eingegossen, wobei sich ein weißer Niederschlag abschied. Dieser Niederschlag wurde abfiltriert
und getrocknet, wobei das Polymere c erhalten wurde.
Nach der bei den. einzelnen Synthesebeispielen geschilderten Verfahrensweise können auch die Polymeren d - m hergestellt
v/erden.
Bei in Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung zusammen mit
einem der genannten Polymeren verwendbaren Photoaktivatoren, d.h. bei den einen bei Lichteinwirkung freie Radikale bildenden,
mohrfach halogenieren Methylrest aufweisenden Photoaktlvatorcn
handelties sich um Verbindungen der allge-
20988 4/1276
22345Π
me inen F orrr.e 1 η:
K2 . Sx2
XV2 A2
R1-C-X, <f~Vc-C-X, R.-S-C-X d R^-SOp-C-}
X * R, 0 X '■ 0 X · X
worin bedeuten:
R1 ein Wasserstoff- oder Halogenatom,
einen Alkyl- oder Arylrest oder einen
heterozyklischer; Rest;
R2 ein Wasserstoff- oder Halogenatoin;
R-, ein Wasser st off atom oder 1 bis 5 Sub-
stituenten des Benzolrings, bestehend aus Halogenatomen oder Nitro-, Alkyl-,
Halogenalkyl-, Acetyl-, Halogenacetyl-, Alkenyl- oder Alkoxyresten, wobei diese
Substituenten gleich' oder verschieden sein können;
Rji, einen Alkyl- oder Arylrest "der einen
heterozyklischen Rest und
X· ein Halogenatom
Beispiele für Photoaktivatoren der genannten Formeln sind: 2,2,2-Tribromäthanol, p-Nitro- α,α,α-tfibroraacetophenon,
οό,υί,ίύ -Tribromchinaldin, 2-w,iW,wi-Tribrommethyl-5-nitrochinolin,
2-£J,i*!,i/J -Trichlormethyl-o-nitrobenzothiazol, ■
ö^-öJ^iaI -Dibrommethyl-4-chlorpyrdin, Hexabromdimethylsulf oxid,
Tribrommethylphenylsulfon, 4-Nitrotribommethylphenylsulfon
und 2-Tribrommethylsulfonylbensothiazol.
Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung enthalten Polymere
des angegebenen Typs und Photoaktivatoren des angegebenen Typs in einem organischen Lösungsmittel gelöst und werden
bei ihrer Verwendung auf einen geeigneten Schichtträger,
209884/1276 -1^
BAD
2.B. eine Aluminium-, Zink- oder Kupferplatte, einen Kmiststof filmschichtträger, Papier und dgl. aufgetragen
und getrocknet. Beispiele für geeignete organische Lösungsmittel sind Methanol, Äthanol, Dioxan, Me thy Ice Ho solve,
Äthylcellosolve, Buty Ice Hosolve, Benzol, Xylol,
Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid und Tetrahydrofuran.
Diese können entweder einzeln oder in Mischungen untereinander verwendet werden. BeSchichtungsmassen gemäß der
Erfindung bestehen in der Regel aus 100 Gewichtsteilen Lösungsmittel, 1 bis 50, vorzugsweise 1 bis 20, Gewichtsteilen des Polymeren und 0,1 bis 50, vorzugsweise 1 bis
10, Gewichtsteilen des Photoaktivators.
Die in Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung verwendbaren Polymeren enthalten in ihrer Seitenkette einen am
aromatischen Ring hängenden Arainorest als lichtvernetzbaren Anteil und ein Alkalimetallsalz einer Carbonsäure
als wasserlöslichen Anteil. ·
Bei den in Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung verwendbaren Polymeren ist das Wasserstoffätom in p-Stellung
zum Aminorest am aromatischen Ring in der Seitenkette des Polymeren aktiv. Andererseits handelt es sich bei dem
Photoaktivator um eine einen mehrfach halogenierten Methylrest aufweisende verbindung, die bei Lichteinwirkung aus
dem mehrfach halogenierten Methylrest ein freies Kohlenstoff
radikal entbinden kann.
Wenn nun eine das betreffende Polymere und den betreffenden
Photoaktivator enthaltende Photoresistbeschichtungsmasse
gemäß, der Erfindung belichtet wird, werden die Kohlenstoffatome
in p-Stellung zum Aminorect am aromatischen Ring in der Seitenkette des Polymeren in 2 oder J Richtungen
an das aus dem Photοaktivator stammende Kohlenstoffradikal
,Gebunden, wobei in dem Polymeren eine netzartige Struktur mit dem Kohlenstoffatom als Zentralatom gebildet wird.
Diese netzartige Struktur besitzt die
-16-209884/mg
Struktur eines hochmolekularen Farbstoffs der Diphenylmethan- oder Triphenylmethanreihe und stellt somit ein
sichtbares Bild dar. Wenn die belichtete Oberfläche des lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials mit Wasser oder
heißem Wasser behandelt wird, werden die nicht-belichteten
Stellen entfernt, während die belichteten Stellen als klares und hartes Reliefbild zurückbleiben.
Die in Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung verwendbaren
Polymeren können ein beliebiges Molekulargewicht aufweisen. Für Relief- bzw. Hochdruckzwecke werden Molekulargewichte
von I5OOOO bis 1000000 bevorzugt. Für Offsetdruckzwecke werden
Molekulargewichte von 5OOO bis I5OOOO bevorzugt. Der
Substitutionsgrad (von Alkalimetall zu Carbonsäure) in dem in Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung verwendeten Polymeren
läßt sich Je nach dem Molekulargewicht des Polymeren,
dem Verhältnis m:n, dem Verwendungszweck der letzlich erhaltenen
PhotoresistEchichten, -bilder, /-filme und dgl. zweckmäßigerweise auf den gewünschten zahlenmäßigen Wert einstellen.
Üblicherweise beträgt der Substitutionsgrad 4o bis 100$,
bezogen auf den Garbonsäureanteil des Polymeren. Die Alkalimetallkationen
der Carbonsäurereste von in Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung verwendbaren Polymeren können
durch entsprechende Ammoniumkationen ersetzt werden, wobei
ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial mit einem derartigen
Ammoniumsalz in gleicher Weise wie ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial mit einem entsprechenden Alkalimetallsalz
mit Wasser entwickelt werden kann.
Die Photoresistbeschichtungsmassen gemäß der Erfindung können
spektral sensibilisiert werden. Dies bedeutet, daß die Empfindlichkeit solcher Beschichtungsmassen durch Zusatz
beispielsweise eines Acridin-, Cyanin-, Merocyanin-, Styryl-, oder Triphenylmethanfarbstoffs erhöht werden kann. Weiterhin
kann die Empfindlichkeit von Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung auch noch durch Zusatz von Arylaminen stark
erhöht werden.
-17-
209884/1276
Typische Beispiele für solche Arylamine sind Diphenylamin, Dibenzylanilin, Triphenylamin, N,N-Diäthy!anilin, N,N-Dipropylanilin,
N-Hydroxyäthyl-N-äthylanilin, N,N~Diphenyl-.äthylendiamin
und o-Aminodiphenylamin. Schließlich'können
BeSchichtungsmassen gemäß der Erfindung als Beschichtungs- hilfsmittel,
d.h. zur Verbesserung ihrer Auftragsfähigkeit auf einen Schichtträger, Cellulosealkyläther, wie Cellulosemethyläther
oder Celluloseäthylather, enthalten.
Ein durch Auftragen einer Schicht aus einer erfindungsgemäß
zusammengesetzten Beschiohtungsmasse auf einen geeigneten Schichtträger hergestelltes lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
läßt sich - ohne daß eine wäßrige Alkalilösung oder ein organisches Lösungsmittel erforderlich wäre - mit
kaltem oder warmem VJasser entwickeln. Weiterhin besitzt ein
derartiges lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial eine höhere Empfindlichkeit und (nach der Belichtung) ein deutlicher
unterscheidbares sichtbares Bild als unter Verwendung üblicher bekannter Photoresistbeschichtungsmassen hergestellte
lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterialien. Das mit einem derartigen lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterial
hergestellte Resistbild besitzt schließlich eine ausgezeichnete Festigkeit.
Das folgende Vergleichsbeispie1 dient zum Nachweis der Fort-,
schrittlichkeit einer Beschichtungsmasse gemäß der Erfindung im Vergleich zu einer Beschichtungsmasse gemäß der japanischen
Patentanmeldung 4605/71·
Ver^leichsbeisp'iel
W ä £as
Air; Polymeres wurde einmal das Polymere b und andere Mal
(Vur»jleichfjpolymeres) das in der japanischen Patentanmeldung
46ΰ5/71 beschriebene, 'zu dem Polymeren b strukturidentic'ohfci,
jedoch nicht kaliumsubstituierte, Polymere verwendet Bei der Zubereitung der jeweiligen Beschichtungsmasse wurden
-18-2 0-988 4/1276
3,0 Gewichtsteile des jeweiligen Polymeren, 1,0 Gewichtsteil Tribromraethylphenylsulfon (Photoaktivator), 0,06 Gewichtsteil
eines handelsüblichen Triphenylmethanfarbstoffs
(Victoria Pure Blue BOH) (Sensibilisierungsfarbstoff) und 0,·1 Gewichtsteil Celluloseäthyläther in(einem Lösungsmittelgeraisch
aus 25 Volumentcilen Methylcellosolve und 25 Volumenteilen
Methanol, gelöst. Die jeweils erhaltene Beschichtungslösung wurde (zur Herstellung einer lichtempfindlichen Platte)
mittels WirbelbeSchichtungsvorrichtung auf eine eine polierte
Oberfläche aufweisende Zinkdruckplatte aufgetragen, jede
der erhaltenen lichtempfindlichen Platten wurde 2 min lang
mittels einer 200 V- j5kW-Quecksilberlampe aus einer Entfernung
von 70cm durch einen handelsüblichen Stiifenkeil (Vorlage)
belichtet und anschließend unter jeweils optimalen Bedingungen entwickelt. Die unter Verwendung einer Beschich.-tungsmasse
gemäß der Erfindung hergestellte lichtempfindliche Platte wurde mit 35°bis 40°C warmem Wasser entwickelt; die
unter Verwendung der Photoresistbeschichtungsmasse mit dem Vergleichspolymeren hergestellte lichtempfindliche Platte
wurde mit einer wäßrigen Alkalilösung entwickelt. Eine Untersuchung
der Empfindlichkeit erbrachte die in der folgenden
Tabelle zusammengestellten Ergebnisse. Die Empfindlichkeit
bedeutet die Anzahl an PLestresiststufen.
Tabelle ■ ■ Beschlchtungsmasse Entwickler Empfindlichkeit
gemäß der Erfindung 35-4o°warmes_ 12-13
Wasser
mit dem Vergleichs- wäßrige Alkali- 6-7 polymeren lösung
Aus der Tabelle geht klar und deutlich hervor, daß eine unter verwendung einer Beschichtungsmasse gemäß der Erfindung
hergestellte lichtempfindliche platte nicht nur ganz
einfach mit warmem Wasser entwickelt werden kann,( wodurch die Entwicklung weit sicherer und stark vereinfacht wird),
sondern auch im Vergleich zu der unter verwendung der Vergleichsphotoresistbeschichtungsmasse
hergestellten licht-
+und getrocknet
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empfindlichen Platte eine deutlich höhere Empfindlichkeit aufweist. Das unter Verwendung einer Beschichtungsmasse
gemäß der Erfindung hergestellte sichtbare Resistbild
ist ausgezeichnet abgrenzbar und besitzt eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen Chemikalien, wie Ätzlösungen.
Es kann folglich als Photoresistbild zur Herstellung von Namensschildern, zu Offset- und Hoehdruckzwecken, zur Herstellung
gedruckter Schaltungen, von Linien- und Netzrastern und dgl. verwendet werden.
Der Grund, warum Beschichtungsmassen gemäß der Erfindung
im Vergleich zu üblichen bekannten Resistbeschichtungsmassen eine bessere Empfindlichkeit aufweisen und zu deutlich
unterscheidbaren und abgrenzbaren sichtbaren Bildern führen, beruht vermutlich auf der Tatsache, daß die Wasserstoffatome
der Carbonsäurereste im Polymeren durch Alkalimetalle er- ■ setzt sind, so daß das System der Beschichtungsmasse basisch
wird, wodurch die Photoaktivität des mehrfach halogenierten
Methylrestes in der Beschichtungsmasse gesteigert wird.
Ein durch Auftragen einer Schicht einer Beschichtungsmasse
gemäß der Erfindung auf.einen geeigneten Schichtträger hergestelltes
lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial wird belichtet, mit kaltem oder heißem Wasser entwickelt und
schließlich in eine wäßrige Lösung einer organischen Säure, vorzugsweise ein Gemisch aus organischen Säuren, eingetaucht,
um das lichtempfindliche Material zu härten und die Filmfestigkeit des gebildeten Resistbildes zu erhöhen.
Typische Beispiele für zu dem genannten Zweck brauchbare organische Säuren sinds
Adipinsäure, Acrylsäure, Acetessigsäure, Isobuttersäure,
Itaconsäure, Ä'thylendiamintetraessigsäure, Capronsäure,
Ameisensäure, Valeriansäure, Zitronensäure, Glykolsäure,
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Glutarsäure, Crotonsäure, Chlorfumarsäure, α-Chlorpropionsäure,
ß-Chlorpropionsäure, Bernsteinsäure, Essigsäure,
Cyanoessigsäure, Diäthylessigsäure, Dichloressigsäure,
G.xalsäure, d-Weinsäure, Meso-Weinsäure, Thioglykolsäure,
Trichloressigsäure, Trimethyleü&igaäure, Milchüüure, vinylessigsäure,
Fumarsäure, Propionsäure, Maleinsäure, Malonsäure, Monochloressigsäure, n-Buttersäure, Apfelsäure, Aminobenzolsulfonsäure,
Benzoesäure, kernsubstituierte Benzoesäuren, Chinolinsäure, Kresol, Phenylessigsäure, kernsubstituierte
Phenylessigsäure, Chlorphenol, Zim-tsäure, alicyclische
Säuren, Cyclohexanearbonsäure, Cyolohexandicarbonsäure,
Dichlorphenol, 2,4-Dinitrophenol, Diphenylessigsäure,
Sulfanilsäure, Terephthalsäure, Trichlorphenol, Pikrinsäure,
Pyridin-2,4-diearbonsäure, Pyridin-2,6-diearbonsäure, Phthalsäure,
Benzolsulfonsäure und Gallussäure. Diese organischen
Säuren werden in Form einer wäßrigen Lösung, üblicherweise in Form einer 0,1 bis 50^-igen wäßrigen Lösung verwendet.
Die Konzentration kann jedoch je nach der Art der verwendeten
organischen Säuren und dem Anwendungszweck der behandelten Photoresistschiehten, -bilder, -filme und dgl.
variieren. Derartige wäßrige Lösungen stellen ausgezeichi£te
Filmhärtungslösungen auch im Falle von unter Verwendung
von Photoresistbeschichtungsmassen gemäß der japanischen Patentanmeldung 4 605/71 hergestellten lichtempfindlichen
Aufzeichnungsmaterialien dar. Das jeweils erhaltene Resist-
bild läßt sich in geeigneter Weise härten, indem man es lediglich in diese Lösung eintaucht. Die Filmhärtung erfolgt
zweckmäßigerweise unmittelbar nach der Entwicklung des lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials.
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veranschaulichen.
Zunächst wurde ein Gemisch aus 1,0 Gewichtsteil Tribrommethylphenylsulfon,
5,0 Gewichtsteilendes Polymeren i,
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Ο,Οβ Gewichtsteil eines handelsüblichen Triphenylmethanfarbstoffs
(Victoria Pure Blue BOH) und 0,1 Gewichtsteil ' Gelluloseäthylather in einem Lösungsmittelgemisch aus 25
'.Volumenteilen ÄthyleellQiolve und 25 Volumenteilen Methanol
gelöst. Die erhaltene Lösung wurde zur Herstellung einer
lichtempfindlichen Platte mittels einer Wirbelbeschichtungsvorrichtung
auf eine eine polierte Oberfläche aufweisende Zinkdruckplatte aufgetragenund getrocknet. Die erhaltene
lichtempfindliche Platte wurde mit einem transparenten Negativfilm abgedeckt, in eine Vakuumkopiervorrichtung eingebracht
und aus einer Entfernung von etwa 40cm etwa J5 min
lang mit einer 100V-^OA-Kohlenbogenlampe belichtet, wobei ·
ein scharfes blaues Positivbild erhalten wurde. Die derart belichtete lichtempfindliche Platte wurde nun 1 min lang
mit 35° bis 2K)0C warmem, fließendem Wasser entwickelt, wobei
die nicht-belichteten Stellen entfernt wurden und die belichteten
Stellen als blaues Resistbild übrig blieben. Schließlich wurde die Platte mit' einer handelsüblichen Ätzlösung
geätzt, mit Wasser gewaschen und in eine Hochdruckpresse
eingesetzt. Mit der in der geschilderten Weise hergestellten Druckplatte konnten zahlreiche Drucke mit klaren
und scharfen Bildern erhalten werden.
Wurde die lichtempfindliche Platte vor dem-Ätzen mit der
handelsüblichen Ätzlösung in eine wäßrige Lösung mit 5$
Zitronensäure und 5% Weinsäure eingetaucht, so erhielt das
filmartige Resistbild eine verbesserte Festigkeit, was sich auf die Anzahl und die Qualität der letzlich herstellbaren
Drucke positiv, auswirkte.-
Zunächst wurde ein Gemisch aus 1,0 Gewichtsteil p-Nitro-. tribrommethylphenylsulfon und 5,0 Gewichtsteilen des Polymeren
j in.einem Lösungsmittelgemisch aus 25 Volumenteilen Dioxan
und 25 Volumenteilen Methanol gelöst. Die erhaltene
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Lösung wurde zur Herstellung einer lichtempfindlichen Platte mittels einer Wirbe!beschickungsvorrichtung auf eine eine
polierte Oberfläche aufweisende Zinkdruckplatte aufgetragen4. Die in der geschilderten weise hergestellte lichtempfindliche
Platte wurde mit einem transparenten Negativfilm, abgedeckt,
in eine Vakuumkopiervorrichtung eingelegt und aus einer Entfernung von etwa 70 cm 90 see lang mit einer 200 V-j5kW-Quecksilberlampe
belichtet, wobei ein scharfes blaues Positiv gebildet wurde. Hierauf wurde die belichtete lichtempfindliche
Platte 30 see bis 1 min lang mit 35°bis 40°C
warmem, fließendem Wasser entwickelt, wobei die nicht-belichteten Stellen entfernt wurden und die belichteten Stellen
als blaues Resistbild zurückblieben. Schließlich wurde die Platte mit einer handelsüblichen Ätzlösung geätzt, mit Wasser
gewaschen und in eine Reliefdruckpresse eingesetzt. Mit der
in der geschilderten Weise hergestellten Druckplatte konnten scharf konturierte Drucke erhalten werden.
Zunächst wurde ein Gemisch aus 5,0 Gewichtsteilen Hexabromdimethylsulfon,
10,0 Gewichtsteilen des Polymeren g, 0,06 Gewichtsteil eines handelsüblichen Triphenylmethanfarbstoffs
(Victoria Blue Base p4r) und 0,1 Gewichtsteil Celluloseäthyläther
in einem Lösungsmittelgemisch aus 20 Volumenteilen Dioxan und 20 Volumenteilen Methanol gelöst. Die erhaltene
Lösung wurde zur Herstellung einer lichtempfindlichen Folio
mit Hilfe einer WirbelbeSchichtungsvorrichtung auf eine mechanisch
gekörnte Aluminiumfolie aufgetragen und getrocknet. Die erhaltene lichtempfindliche Folie wurde mit einem transparenten
Negativfilm abgedeckt, in eine Vakuumkopiervorrichtung eingelegt und etwa 5 min lang mittels einer chemisches
Licht abstrahlenden Lampe belichtet, wobei ein scharfes blaues Positiv erhalten wurde. Die belichtete Folie
wurde anschließend 1 min lang mit 30° bis 35°C warmem, ülar>-sendem
Wasser entwickelt, wobei die nicht-belichteten Stellen entfernt wurden und ein scharfes blaues positiv zurückblieb.
getrocknet
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209 8 8W1276
Schließlich wurde die Folie gründlich mit Wasser gewaschen,
zur Gewährleistung ihrer Wasseraufnahmeeigenschaften mit
Wischwasser behandelt und in eine Offsetdruckpresse eingesetzt. Mit der in der geschilderten Weise hergestellten Druckfolie konnten zahlreiche scharf konturierte Bilder
aufweisende Drucke erhalten werden.
Zunächst wurdelein-Gemisch aus 1,0 Gewichtsteila' -Tribrommethylsulfonylbenzothiazol
,5,0 Gewichtsteileudes Polymeren k und 0,1 Gewichtsteil celluloseäthylather in einem Lösungsmittelgemisch
aus JO Volumenteilen Benzol und 20 Volumenteilen Methanol gelöst. Die erhaltene Lösung wurde zur Herstellung
einer lichtempfindlichen Platte auf eine Aluminiumplatte mit mechanisch gekörnter Oberfläche aufgetragen und
getrocknet. Die erhaltene lichtempfindliche Platte wurde mit einem Negativ abgedeckt, in eine Vakuumkopiervorrichtung
eingelegt und 2-3 min lang mittels einer 500 W Wolfram lampe belichtet, wobei ein blaues Positiv gebildet wurde.
Die belichtete platte wurde 1 min lang mit etwa 16°C warmem, fließendem Leitungswasser entwickelt, wobei auf der Aluminium
platte ein tiefblaues positives Reliefbild erhalten wurde.
Dieses Reliefbild eignete sich als Namensschild und dgl.
Zunächst wurde ein Gemisch aus 2,0 Gewichtsteilen α -Tribrommethylsulfonylpyridin,
3,5 Gewichtsteilen des Polymeren a und Ο,Οβ Gewichtsteil eines handelsüblichen Triphenylraethan
farbstoffs (Victoria Blue Base, p4r) in einem Lösungsmittelgemisch
aus 30 Volumenteilen Kthylcello.solve und 20 Volumenteilen Methanol gelöst. Die erhaltene Lösung wurde zur Herstellung
einer lichtempfindlichen. Platte auf eine übliche Druckunterlage (d.h. eine durch Auflaminieren einer Kupferfolie
auf einen Schichtträger, ZiB. eine Bakelitplatte, ein
Phenolpapier, ein Epoxypapier und dgl., hergestellte platte) aufgetragen und getrocknet. Die erhaltene lichtempfindliche
2OdSSA/1276
Platte wurde mit einem transparenten Negativfilm abgedeckt, in eine Vakuumkopiervorrichtung eingelegt und 5 min
lang mittels einer chemisches Licht abstrehlenden Lampe belichtet, wobei ein scharfes blaues Positiv erhalten wurde.
Die belichtete Platte wurde jjo see lang mit etwa 160C warmem
Leitungswasser entwickelt, mit Heißluft getrocknet und schließlich mit einer ho gew.-^-igen wäßrigen Eisen(lll)-chloridlösung
geätzt. Nach dem Ätzen würde die Platte in eine 5-#ige Alkalilösung eingetaucht, um die restliche Resistschicht
zu lösen. Nach dem Waschen mit Wasser und Trocknen wurde eine ausgezeichnete gedruckte Schaltungskarte
hervorragender Eigenschaften erhalten.
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Claims (1)
- -Αδ-Pat ent ans nr üche(J .,. Beschichtungsmasse zur Herstellung von Photoresistschichten, -bildern, -filmen und dgl. mit einem Gehalt an einem polymeren und einem Photoaktivator, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Polymeres der allgemeinen FormelR.—{- CH — C-)A «ρ N-R,worin bedeuten: M,, M^ und M,undjeweils ein Wasserstoffatom oder einen Carbonsäure- oder Carbonsäureamidrest, viobei jedoch mindestens einer der Reste M1, M2 und M^ für -einen Carbonsäurerest steht;jeweils ein· Wasserstoffatom oder einen kurzkettigen Alley Ire st;ein Wasserstoffatom, einen kurzkettigen Alkylrest oder einen Carboxymethylrest.;einen zweiwertigen organischen Rest 0 oder 1ein Wasserstoff atom, einori kurzkettigen Alkylrest oder einen Phenylrestj20908A/1276 - 2o ■-- 20 -
R5 und R6 *4 und R5 R5 und 6 einzeln jeweils ein Wasserstoffatom oder einen kurzketfeigen Alkylrest, wobei im Falle ρ = 0 gilt, daßmiteinander einen stickstoffhaltigen b heterozyklischen Ring odermiteinander und zusammen mit dem Benzo1-ring einen Naphthalinring bilden können; undm = η = . jeweils eine ganze Zahl von 5 bis10 000,in xvelchem die Wasserstoffatome der darin enthaltenen Carboxylreste teilweise oder vollständig durch Alkalimetallionen ersetzt sind, und einen einen bei Lichteinwirkung freie Radikale liefernden mehrfach halogenierten Methylrest aufweisenden Photoaktivator enthält.2. Beschichtungsmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie in Form einer Lösung des Polymeren und des Photoaktivators in Methanol/ Äthanol, Dioxan, Methylcellosolve, Ä'thylcellosolve, Butylcellosolve, Benzol, Xylol, Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid und/oder Tetrahydrofuran vorliegt.J5. Beschichtungsmasse nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Photoaktivator eine verbindung der allgemeinen Formeln:te. .tesixι oder 4X H5 OX OX ■ χR1 C-X, ^yC-C-X, R4- 27 2 0 9 8 8 4 / 1 2 7 SBAD-•27 -worin bedeuten;V.R4X
enthalt.ein Viasserstoff- oder Halogenated, einen AIlQrI- oder Arylrest oder einen heterozyklischen Rest; :ein Wasserstoff- oder Halogenatom;ein Wasserstoff.atom oder 1 bis 5 Substituenten des Benzolrings, bestehend aus Halogenatomen oder 'Nitro-, Alkyl-, Halogenalkyl-, Acetyl-, Halogenacety 1-, Alkenyl- oder Alkoxyresten, wobei diese Substituenten gleich oder verschieden sein können;einen Alkyl- oder AryIrest oder einen heterozyklischen Rest undein Halogenatom,4. DeSchichtungsmasse nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Polymeres der Formel:a.COOHmit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 4:6, einem mittleren Molekulargewicht von 18O 000 und einem Natriumsubstitutionsgräd von209884/127- 28 -CH-~t GH2-- 28 -UH,fr CII2-C -^ COOHI C2H5m:n * 4-:6 .TSb * 180 000)mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 4:6, einem mittleren Molekulargev;icht von 18O 000 und einem Kaliumsubstitutionsgrad von
CH,CONHNHCOOH-m:n * 4:6Mn *■150.000 mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 4:6, einem mittleren Molekulargewicht von I50 000 und einem Kaliumsubstitutionsgrad von 85&COOH'm:n * 3:7 Mn * 50.000mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 3:7> einem mittleren Molekulargewicht von 50 000 und einem Natriumsubstitutionsgrad von- 29 -209884/ 1 276CH-CH5OCH0CH0CH5OCH0CHo-f CH-—CH-ΪΟΟΗ CONHNH-m:n * 5·"5 %■ * 10 000mit einem Mischpolymerisationsverhältnis mm von 5ί5* einem mittleren Molekulargewicht von 10 000 und einem Kaliumsubstitutionsgrad von 55$;m:n * 5:5
En * 2OvOOOx
mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 5:5* einem mittleren Molekulargewicht von 20 000 und einem Kaliumsubstitutionsgrad vonCHCHpCOOHCH2-O COpCH2CH2NHCOOHίχ m:n * 6:^- In * 20 000mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 6:4, einem mittleren Molekulargewicht von 20 000 und einem Kaliumsubstitutionsgrad von 50$;209884/1276- 350 -CH0COOHCH2-CCOOCH2CH2NCH2Ch, COOHm:n * 6:4 Mn * 50 000,mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 6:4, einem mittleren Molekulargewicht von 50 000 und einem Kaliumsubstitutionsgrad von ?5^jCH5COOHm:n * 4:6 Mn * 170 000mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 4:6, einem mittleren Molekulargewicht von I70 000 und einem Lithiumsubstitutiongrad von 75$;
J. '' " CH5 ■CONH-CH2CH2CH2NC2Hc · COOHm:n * 4:6Mn * 150 000,mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 4:6, einem mittleren Molekulargewicht von 150 000 und einem Lithiumsubstitutionsgrad von 80$j'209884/1276 ,-CH ICOKHF-CH,COOHm:n * 5.i5 Mn * 50.000mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 5:5, einem mittleren. Molekulargewicht von 50 000 und einem Natriumsubstitutionsgrad von 75$;CHCH2-CCOOHm:n <= 4:6Mn φ 50.000χΙmit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 4:6, einem mittleren Molekulargewicht von 50 0Ö0 und einem"tLithiumsubstitutionsgrad von 65$ oderCH,CH-}CH2-CCOOHCH,m:n * 5:5 In * 110mit einem Mischpolymerisationsverhältnis m:n von 5:5* einem mittleren Molekulargewicht von 110 000 und einemLithiumsubstitutionsgrad von 80$...._ 209884/1276enthalt. ■
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DE (1) | DE2234511A1 (de) |
GB (1) | GB1400504A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0001997A1 (de) * | 1977-11-10 | 1979-05-30 | Bayer Ag | Elektronenstrahlvernetzbare Resistlacke |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4025348A (en) * | 1974-05-10 | 1977-05-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin compositions |
DE3324642A1 (de) * | 1983-07-08 | 1985-01-17 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur stabilisierung von photopolymerisierbaren mischungen |
GB8321813D0 (en) * | 1983-08-12 | 1983-09-14 | Vickers Plc | Radiation sensitive compounds |
EP0247153A4 (de) * | 1985-11-27 | 1988-05-19 | Macdermid Inc | Thermisch stabilisierte, lichtwiderstandsfähige bilder. |
US4701390A (en) * | 1985-11-27 | 1987-10-20 | Macdermid, Incorporated | Thermally stabilized photoresist images |
IL85532A (en) * | 1987-03-13 | 1992-03-29 | Coulter Electronics | Method and lytic reagent system for isolation,identification and/or analysis of leukocytes from whole blood samples |
US5155044A (en) * | 1987-03-13 | 1992-10-13 | Coulter Electronics, Inc. | Lysing reagent system for isolation, identification and/or analysis of leukocytes from whole blood samples |
KR101789556B1 (ko) | 2015-06-03 | 2017-10-25 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 아크릴계 중합체를 포함한 포토레지스트 미세패턴 형성용 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 미세패턴 형성방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3579343A (en) * | 1967-04-25 | 1971-05-18 | Konishiroku Photo Ind | Photoresist-forming compositions |
JPS4914881B1 (de) * | 1969-10-31 | 1974-04-11 |
-
1971
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-
1972
- 1972-07-13 US US271534A patent/US3859098A/en not_active Expired - Lifetime
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- 1972-07-14 GB GB3319572A patent/GB1400504A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0001997A1 (de) * | 1977-11-10 | 1979-05-30 | Bayer Ag | Elektronenstrahlvernetzbare Resistlacke |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3859098A (en) | 1975-01-07 |
GB1400504A (en) | 1975-07-16 |
JPS5011286B1 (de) | 1975-04-30 |
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